KR100988080B1 - 파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터 및그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

개시된 탄소나노튜브 트랜지스터는, 탄소나노튜브와, 이 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 탄소나노튜브로부터 이격되게 위치되어 탄소나노튜브의 길이방향으로 연장된 연장부를 갖는 게이트 전극을 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 게이트 전극에 인가되는 전압이 소스와 드레인 사이의 채널에 효율적으로 전달되므로 균일한 트랜지스터 특성을 갖는 수직 탄소나노튜브 트랜지스터의 구현이 가능하다.

Description

파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조 방법{Carbon nanotube transistor having buried gate structure and manufacturing method thereof}
도 1은 종래의 탄소나노튜브 트랜지스터를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터의 일 실시예를 도시한 단면도.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조공정을 보여주는 단면도.
도 4는 도 1에 도시된 종래의 탄소나노튜브 트랜지스터에서 게이트 전극에 전압을 인가한 경우의 게이팅 전기장 분포를 도시한 그래프.
도 5는 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터에서 게이트 전극에 전압을 인가한 경우의 게이팅 전기장 분포를 도시한 그래프.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100......절연층 110......탄소나노튜브
120......드레인 전극 130......소스 전극
140......게이트 구조체 141......게이트 산화막
142......게이트 전극 143......연장부
160......절연박막
본 발명은 탄소나노튜브(CNT: carbon nanotube transistor) 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 실리콘 기판을 이용하여 제작하는 스위칭소자는 기본적으로 불순물 확산 영역과 소자 분리 영역과 채널이 수평적으로 연결된 구조를 가지고 있고 또한 이러한 스위칭 소자를 여러개로 집적화시킨 집적회로도 개개의 스위칭 소자를 수평적으로 배열하여 집적화시키는 회로 구조를 가지고 있을 뿐 만 아니라 실리콘 기판에 앞서 언급한 불순물 확산 영역이나 소자 분리 영역을 형성시킬 경우 공정상의 복잡성으로 인하여 미세화 및 집적화에 한계를 가지고 있었다.
기존의 미세한 스위칭소자로서 가장 일반적으로 사용되고 있는 MOSFET(Metal oxide semiconductor field effect transistor)의 경우, 실제로 최소 패턴크기가 0.25 μm인 256M DRAM에서 소자의 크기는 약 0.72 μm2 이고, 최소 패턴크기가 0.18 μm인 1G DRAM에서 소자의 크기는 약 0.32 μm2 이며, 최소 패턴크기가 0.13 μm인 4G DRAM에서 소자의 크기는 대략 0.18 μm2 이고, 최소 패턴크기가 0.1 μm인 16G DRAM에서 소자의 크기는 약 0.1 μm2 정도이다.
이러한 기존의 스위칭소자가 가지는 미세화의 한계를 극복하기 위한 방안으로 탄소나노튜브를 이용한 개별 스위칭소자가 제안되었다. 하지만, 여전히 기존의 스위칭소자와 유사한 형태의 수평적인 구조를 가지고 있고 더욱이 개개의 탄소나노튜브를 조작하는데 많은 제약이 있기 때문에 이러한 탄소나노튜브를 이용한 개별 소자는 고밀도로 집적화시키는 것이 거의 불가능한 실정이다.
최근에는 집적화를 위해 탄소나노튜브를 수직으로 배열시킨 수직 트렌지스터구조가 도입되었다. 도 1은 2000년 한국특허출원 제35703호에 개시된 종래의 수직 탄소나노튜브 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 1을 보면, 부도체 기판(10)에 형성된 나노 크기의 구멍(11) 내부에 탄소나노튜브(20)들이 생성된다. 탄소나노튜브(20)의 둘레의 부도체 기판(10) 상에 게이트 전극(30)이 형성된다. 그리고, 그 위에 구멍(11)이 메워지도록 부도체 박막(40)이 증착된다. 탄소나노튜브(20)의 상부 및 하부에 드레인 전극(50) 과 소스 전극(60)이 각각 형성된다.
이와 같은 구성에 의하면, 수직 방향으로 성장된 나노미터 크기 직경의 탄소나노튜브(20)는 전류가 흐르는 채널이 되며, 그 중간에 위치되는 게이트 전극(30)에 전압을 인가함으로써 채널에 흐르는 전류를 스위칭할 수 있다. 즉, 도 1에 도시된 단위소자는 트랜지스터로서 동작하게 된다.
그런데, 이와 같은 구성의 수직 탄소나노튜브 트랜지스터는 게이트 전극(30) 과 탄소나노튜브(20)와의 거리제어가 어렵고, 게이팅(gating) 범위가 게이트의 두께에 따라 달라질 가능성이 있으며, 게이트 전극에 의한 게이팅 전기장이 도 1의 참조부호 70으로 표시된 것과 같이 탄소나노튜브(20)에 국부적으로 형성되는 문제점이 있다. 이는, 게이트 전극에 의한 게이팅 전기장 분포를 측정한 결과를 도시한 도 4에서도 확인할 수 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 탄소나노투브의 주위에 길이방향으로 연장되어 형성된 파묻힌 구조의 게이트를 구비함으로써 채널의 역할을 하는 탄소나노튜브에 효과적으로 게이팅 전기장을 인가할 수 있도록 개선된 탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는, 탄소나노튜브; 상기 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극; 상기 탄소나노튜브로부터 이격되게 위치되어 상기 탄소나노튜브의 길이방향으로 연장된 연장부를 갖는 게이트 전극;을 포함한다.
여기서, 상기 탄소나노튜브와 상기 게이트 전극의 연장부는 절연층 내에 몰입되게 형성될 수 있다. 상기 절연층은 양극 산화알루미늄(anodic aluminum oxide: AAO )으로 형성될 수 있다.
상기 게이트 전극과 상기 절연층과의 사이에는 양자를 상호 절연시키는 게이트 산화막이 더 구비되는 것이 바람직하며, 상기 게이트 산화막은 예를 들면 산화 하프늄(HfO2)으로 형성될 수 있다.
상기 절연층 위에는 상기 게이트 전극을 상기 탄소나노튜브, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극과 상호 절연시키는 절연박막이 더 구비될 수 있으며, 상기 절연박막은 상기 게이트 산화막보다 큰 유전상수를 가지는 것이 바람직하다.
상기 게이트 전극은 예를 들면 루데늄(Ru: ruthenium)으로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법은, (A) 제1전극이 형성된 반도체 기판 상에 상기 제1전극과 연통된 CNT홀과 상기 CNT홀의 주위에 위치되는 게이트홀이 형성된 절연층을 적층하는 단계; (B) 상기 게이트홀의 내주에 고유전성 절연물질을 증착시켜 게이트 산화막을 형성하는 단계; (C) 상기 게이트 산화막이 형성된 상기 게이트홀에 금속물질을 증착시켜 게이트 전극을 형성하는 단계; (D) 상기 제1전극 위에 상기 CNT홀을 통하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; (E) 상기 게이트 전극과 상기 절연층 위에 부도체 절연박막을 증착시키는 단계; (F) 상기 탄소나노튜브의 상부에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 게이트 산화막 및 상기 게이트 전극은 화학기상증착법, 특히 원자층 증착법으로 증착되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 (D)단계는 화학기상법, 전기영동법 또는 기계적 압축법으로 이루어질 수 있다.
이하 첨부한 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터의 일 실시예를 도시한 단면도이다.
도 2를 보면, 나노 크기의 게이트홀(101)과 CNT홀(102)을 갖는 절연층(100)이 도시되어 있다. 절연층(100)은 참고논문 [ Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4616, 2000 ]에서와 같이 InP, GaAs, Si 등을 사용하는 것도 가능하나, 알루미늄(AL)을 양극 산화시켜 다수의 구멍을 형성한 양극 산화 알루미늄(anodic aluminum oxide: AAO)을 사용하는 것이 바람직하다. 게이트홀(101)과 CNT홀(102)의 크기와 간격은 수 나노미터로 조절될 수 있다.
CNT홀(102)에는 탄소나노튜브(110)가 위치된다. 탄소나노튜브(110)는 전류가 흐르는 채널 역할을 하는 것으로서, 그 양단부에는 드레인 전극(120)과 소스 전극(130)이 각각 전기적으로 연결된다. 도 2에는 탄소나노튜브(110)의 상측 단부에 드레인 전극(120), 하측 단부에 소스 전극(130)이 구비되어 있으나, 그 반대로도 가능하다.
탄소나노튜브(110)의 주위의 게이트홀(101)에는 탄소나노튜브(110)를 통하여 흐르는 전류를 스위칭하기 위한 게이트 전극(142)이 위치된다. 게이트 전극(142)은 탄소나노튜브(110)와 이격되어 탄소나노튜브(110)의 길이방향으로 연장된 연장부(143)를 구비한다. 절연층(100)에 다수의 CNT홀(102)과 게이트홀(101)들이 형성되면, 절연층(100)의 절연성이 저하된다. 따라서, 게이트 전극(142)과 절연층(100)을 절연시키기 위해 게이트홀(101)의 내주에는 게이트 산화막(141)이 마련된다. 게이트 전극(142)은 게이트 산화막(141)이 형성된 게이트홀(101)에 형성 된다. 따라서, 게이트 전극(142)과 게이트 산화막(141)을 포함하는 게이트 구조체(140)는 절연층(100)에 파묻힌 구조가 된다.
게이트 산화막(141)은 산화 하프늄(HfO2)등의 고유전성 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 유전률이 높을수록 게이트 산화막(141)의 두께를 얇게 하는데 유리하기 때문이다. 게이트 전극(142)은 예를 들면 루데늄(Ru)으로 형성될 수 있다.
게이트홀(101)의 직경, 길이 및 CNT홀(102)과의 거리 등은 탄소나노튜브(110)와 게이트 구조체(140)가 트랜지스터로서 요구되는 특성을 가질 수 있도록 적절히 조절될 수 있다. 즉, 게이트홀(101)의 직경, 길이 및 CNT홀(102)과의 거리 등을 조절함으로써 게이트 구조체(140)에 의한 게이팅 범위를 조절할 수 있다.
게이트 전극(142)은 절연층(100) 상부로 노출되게 형성된다. 또한, 탄소나노튜브(110)는 절연층(100)의 상방으로 약간 더 연장되게 형성되고 그 상부에 전극 즉, 본 실시예에서는 드레인 전극(120)이 형성된다. 구멍(102) 내부의 탄소나노튜브(110)를 제외한 공간과 게이트 전극(142) 위에는 소정 두께의 부도체 절연박막(160)이 증착된다. 이에 의해 게이트 전극(142)은 탄소나노튜브(110), 드레인 전극(120), 및 소스 전극(130)과 절연된다. 절연박막(160)은 게이트 산화막(141) 보다 큰 유전상수를 가지는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성에 의하면, 수직방향으로 성장된 탄소나노튜브(110)는 채널, 탄소나노튜브(110)의 주위에 형성된 게이트 구조체(140)는 채널을 통하여 흐르는 전류를 스위칭하는 게이트로서의 역할을 하게 되어 탄소나노튜브 트랜지스터가 형성된다.
소스 전극(130)에 전류가 공급되면, 게이트 전극(142)에 인가되는 전압의 방향과 크기에 따라 전류가 미세하게 제어되어 드레인 전극(120)을 통하여 전류가 방출된다. 이와 같은 탄소나노튜브 트랜지스터는 단위소자의 크기가 수십 나노미터급으로서, 한 개의 트랜지스터의 크기가 수십 나노미터 수준에서 제작될 수 있어 고집적화가 가능하다. 또한 작은 부하로 전류 제어가 가능하여 저전력특성 측면에서 장점을 지닌다.
또한, 게이트 구조체(140)가 탄소나노튜브(110)와 인접되어 파묻힌 구조로 되기 때문에 게이트 전극(142)에 인가되는 전압이 소스 전극(130)과 드레인 전극(120) 사이의 채널 즉, 탄소나노튜브(110)에 효과적으로 전달되어 균일한 트랜지스터 소자특성을 가진다. 도 4와 도 5는 각각 도 1에 도시된 종래의 수직 탄소나노튜브 트랜지스터와 도 2에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 탄소나노튜브 트랜지스터에서 게이트 전극에 전압을 인가한 경우의 게이팅 전기장 분포를 도시한 그래프이다. 종축은 탄소나노튜브의 길이방향을 나타내며, 횡축은 탄소나노튜브와 게이트 전극과의 거리를 나타낸다. 도 4를 보면, 게이트 전극에 인가된 전압에 의한 게이팅 전기장이 탄소나노튜브의 중앙부에만 집중되어 있음을 알 수 있다. 하지만, 도 5를 보면, 게이트 전극에 인가된 전압에 의한 게이팅 전기장이 탄소나노튜브의 전 길이에 대해 분포됨을 알 수 있다. 따라서, 도 1에 도시된 종래의 탄소나노튜브 트랜지스터에 비해 낮은 게이트 전압에서 스위칭이 될 수 있으며, 게이 팅 범위가 채널 전체로 확장되므로 전류 on/off ratio를 증가시킬 수 있다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조공정을 보여주는 단면도이다. 도 3a 내지 도 3g를 보면서 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 Si 등의 반도체 기판(200) 상에 금속막을 증착시켜 제1전극, 본 실시예에서는 소스 전극(130)을 형성한다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이 반도체 기판(200) 상에 나노 직경의 게이트홀(101)과 CNT홀(102)들을 가진 절연층(100)을 적층한다. 절연층(100)은 도 2에서 설명한 바와 같이 다양한 물질로 형성될 수 있으나, 본 실시예에서는 알루미늄(Al)을 양극 산화시킴으로써 형성한다. 이를 간단히 보면, 먼저, 소스 전극(130)이 형성된 반도체 기판(200) 위에 알루미늄(Al)을 증착시킨다. 그런 다음 이를 황산 등의 전해질 용액 속에 넣고 전압을 인가한다. 그러면, 알루미늄(Al)이 산화되어 산화 알루미늄(Al2O3)이 되면서 다수의 구멍들이 생성된다. 이를 보통 양극 산화알루미늄(anodic aluminum oxide: AAO)이라 한다. 이 때, 전압이 인가되는 시간에 따라 구멍의 깊이를 조절할 수 있으며, 전해질의 종류와 인가되는 전압의 크기에 따라 구멍의 직경과 구멍간의 간격을 조절할 수 있다.
다음으로, 도 3c에 도시된 바와 같이 소스 전극(130)과 연통된 CNT홀(102)의 주위에 형성된 게이트홀(101)에 각각 고유전성 절연막을 증착시켜 게이트 산화막(141)을 형성한다. 여기서는 일 실시예로서, 산화하프늄(HfO2)을 화학기상증 착법 특히, 원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition)에 의해 증착시킴으로써 게이트 산화막(141)을 형성한다.
이를 간단히 보면, 절연층(100)의 게이트홀(101) 안에 전구체인 0.2M HfCl4/Butyronitrile 용액을 300 sccm의 아르곤(Ar)기체로 4초간 이송하고, 퍼지 가스(purge gas)인 아르곤(Ar)기체를 9초간 공급한다. 다음으로, 반응물질인 물(H2O)을 3초간 공급하고, 다시 아르곤(Ar) 기체를 9초간 공급한다. 이와 같은 과정을 반복하여 HfO2를 게이트홀(101) 내벽에 증착시킨다. 이 경우 증착주기 당 소요시간은 약 25초 정도가 된다. HfO2의 증착온도는 375℃, 작업압력은 0.3 torr로 할 수 있다.
다음으로, 도 3d에 도시된 바와 같이 게이트 산화막(141)이 형성된 게이트홀(101)에 금속물질을 증착시켜 게이트 전극(142)을 형성한다. 여기서는 일 실시예로서 루데늄(Ru: ruthenium)를 화학기상증착법, 특히 원자층 증착법을 이용하여 증착시킴으로써 연장부(143)를 갖는 게이트 전극(142)을 형성한다. 게이트 전극(142)은 절연층(100)의 상부로 노출되도록 형성된다.
이를 간단히 보면, 절연층(100)의 게이트홀(101) 안에 전구체인 0.1M Ru(od)3[od=octanedionate]/n-Butylacetate 용액을 150 sccm의 아르곤(Ar) 기체로 2초간 이송하고, 퍼지 가스인 아르곤(Ar) 기체를 3초간 공급한다. 다음으로, 반응물질인 산소(O2) 100 sccm을 2초간 공급하고 다시 아르곤(Ar) 기체를 3초간 공급한 다. 이와 같은 과정을 반복하여 루데늄(Ru)을 게이트홀(101) 내부에 증착시킨다. 이 경우 증착주기 당 소요시간은 약 10초 정도가 된다. 루데늄(Ru)의 증착온도는 300℃, 작업압력은 1 torr정도 이다.
이 공정까지 수행되면, 절연층(100) 내부에 파묻힌 구조의 게이트 구조체(140)가 형성된다.
다음으로, 도 3e에 도시된 바와 같이, 소스 전극(130)과 연통된 CNT홀(102) 안에 화학기상법, 전기영동법 또는 기계적 압축법에 의해 탄소나노튜브(110)를 수직으로 성장시킨다. 이 때, 탄소나노튜브(110)는 절연층(100) 보다 약간 높게 성장시킨다.
다음으로, 도 3f 및 도 3g에 도시된 바와 같이 탄소나노튜브(110)가 형성된 CNT홀(102)과 게이트 전극(142) 위에 절연박막(160)을 증착시키고, 탄소나노튜브(110)의 상측 단부에 금속막을 증착시켜 제2전극, 본 실시예에서는 드레인 전극(120)을 형성한다. 그러면, 게이트 전극(142)은 탄소나노튜브(110), 드레인 전극(120), 및 소스 전극(130)과 절연된다. 절연박막(160)은 게이트 산화막(141) 보다 유전상수가 큰 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같은 공정을 완료하면, 탄소나노튜브(110)는 채널로서 작용되고, 탄소나노튜브(110)의 주위에 절연층(100)에 파묻힌 구조의 게이트 구조체(140)가 형성된다. 따라서, 게이트 전극(142)에 인가되는 전압에 따라 탄소나노튜브(110)를 통하여 흐르는 전류를 미세하게 제어할 수 있는 탄소나노튜브 트랜지스터가 제작된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조방법에 의하면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
탄소나노튜브에 인접되게 형성된 파묻힌 게이트 구조를 가지므로 게이트 전극에 인가되는 전압이 소스와 드레인 사이의 채널에 효율적으로 전달되어 균일한 트랜지스터 특성을 가진다. 게이트 구조체가 형성되는 구멍의 형상, 깊이, 및 채널과의 거리를 조절함으로써 트랜지스터 특성의 조절이 가능하다. 또한, 단위소자의 크기가 나노미터급이므로 저전력으로 구동될 수 있으며, 고집적화가 가능하다.
본 발명은 상기에 설명되고 도면에 예시된 것에 의해 한정되는 것은 아니며, 다음에 기재되는 청구의 범위 내에서 더 많은 변형 및 변용예가 가능한 것임은 물론이다.

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 탄소나노튜브(CNT: carbon nanotube);
    상기 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극;
    상기 탄소나노튜브로부터 이격되게 위치되어 상기 탄소나노튜브의 길이방향으로 연장된 연장부를 갖는 게이트 전극;을 포함하며,
    상기 탄소나노튜브와 상기 게이트 전극의 연장부는 절연층 내에 몰입되게 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 절연층은 양극 산화알루미늄(anodic aluminum oxide: AAO)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 절연층과의 사이에는 양자를 상호 절연시키는 게이트 산화막이 더 구비된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 게이트 산화막은 산화하프늄(HfO2)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 절연층 위에 형성되어 상기 게이트 전극을 상기 탄소나노튜브, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극과 상호 절연시키는 절연박막;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 절연층과의 사이에는 양자를 상호 절연시키는 게이트 산화막이 더 구비되며,
    상기 절연박막은 상기 게이트 산화막보다 큰 유전상수를 가지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 게이트 전극은 루데늄(Ru: ruthenium)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터.
  9. (A) 제1전극이 형성된 반도체 기판 상에 상기 제1전극과 연통된 CNT홀과 상기 CNT홀의 주위에 위치되는 게이트홀이 형성된 절연층을 적층하는 단계;
    (B) 상기 게이트홀의 내주에 고유전성 절연물질을 증착시켜 게이트 산화막을 형성하는 단계;
    (C) 상기 게이트 산화막이 형성된 상기 게이트홀에 금속물질을 증착시켜 게이트 전극을 형성하는 단계;
    (D) 상기 제1전극 위에 상기 CNT홀을 통하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계;
    (E) 상기 게이트 전극과 상기 절연층 위에 부도체 절연박막을 증착시키는 단 계;
    (F) 상기 탄소나노튜브의 상부에 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절연층은 알루미늄(Al)을 상기 반도체 기판위에 증착시키고, 이를 전해질 속에서 양극 산화시킴으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 게이트 산화막 및 상기 게이트 전극은 화학기상증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 게이트 산화막 및 상기 게이트 전극은 원자층 증착법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 (D)단계는 화학기상법, 전기영동법 또는 기계적 압축법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법.
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