KR101015498B1 - 수직 카본나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents
수직 카본나노튜브 전계효과트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- 기판 상에 형성되는 제 1 전극;상기 제1전극에 대해 수직상태로 형성되는 CNT;상기 CNT의 상당에 마련되는 제2전극;상기 제1전극의 상부에 마련되는 제1매립층;상기 제1매립층과 소정간격을 유지하며 상기 제2전극의 저부에 마련되는 제2매립층;상기 제1매립층과 제2매립층 사이로 노출된 CNT의 채널부분에 형성되는 게이트 절연층;상기 제1매립층과 제2매립층의 사이에서 상기 게이트 절연층을 감싸는 형태로 마련되는 게이트;를 구비하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 상기 제1매립층과 제2매립층의 표면으로 확장형성되어 있는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제2전극 위에는 보호층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터.
- 가) 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;나) 상기 제 1 전극 상에 제1매립층 및 제2매립층 그리고 제1매립층 및 제2매립층 사이의 희생층을 포함하는 다중적층을 형성하는 단계;다) 상기 다중적층에 수직의 우물을 형성하는 단계;라) 상기 우물에 CNT를 성장하는 단계;마) 상기 우물이 형성된 다중적층 위에 상기 CNT에 접속되는 제2전극을 형성하는 단계;바)상기 제2전극위에 보호층을 형성하는 단계;사) 상기 희생층을 제거하여 제1매립층과 제2매립층 사이로 CNT를 노출시키는 단계;아) 상기 CNT의 노출면에 게이트 절연층을 형성하는 단계;자) 상기 CNT를 둘러싸는 게이트를 게이트 절연층 상에 형성하는 단계;를 포함하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제1, 제2매립층은 BSG(borosilicate glass)로 형성하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 게이트절연층을 형성하는 단계는, 상기 CNT의 노출면 위로 적층된 구조물의 노출면 전체에 대해 게이트 절연물질을 증착하는 것을 포함하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 게이트절연층을 실리콘나이트라이드, 실리콘 옥사이드 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 게이트를 형성하는 단계는:게이트를 위한 금속층을 퇴적하는 단계;금속층 위에 보호층을 형성하는 단계;소정 패턴으로 상기 보호층으로부터 상기 제2매립층까지 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 게이트 물질을 화학기상증착법과 원자층증착법 중의 어느 하나의 방법 으로 형성하는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제1전극 형성단계는 상기 제1전극의 표면에 촉매층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 다중적층 형성단계의 상기 제1매립층은 상기 촉매층 상에 형성되며,상기 우물 형성단계는 상기 촉매층을 노출시키는 단계이며,상기 CNT는 상기 촉매층 상에 성장되는 것을 특징으로 하는 카본나노튜브 전계효과트랜지스터의 제조방법.
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