JP3512977B2 - 高信頼性半導体用基板 - Google Patents
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Description
金属複合体からなる回路基板に関し、更に詳しくは自動
車や電車等の基板として好適な高ヒートサイクル特性を
有する高信頼性半導体用基板である。
電力パワーモジュール等熱が大量に発生する電子部品の
実装基板としては、導電回路を有するセラミック回路基
板が広く用いられており、特に近年では、高熱電導率を
有するAlNセラミック回路基板を製造するために、セ
ラミック基板の製造・通電回路の形成などに様々な工夫
がなされている。
の工夫として、特公平7−93326号公報、特開平1
−59986号公報のように、回路基板を構成する金属
板の端部が2段あるいは薄肉部を有する形状であった
り、また本出願人による特公平7−77989号公報
「セラミックスと金属の接合体の製造法」に開示するよ
うに、フィレット部を設けて端部の熱応力を緩和する方
法は公知である。
従来の端部の段差がない基板に比較してヒートサイクル
特性は向上し、数百サイクルまでクラックが発生してい
ないことが報告されている。しかしながら近年、大電力
用基板や自動車用基板としてはヒートサイクル特性が1
500サイクル以上の高信頼性のものが要求されてお
り、上記の方式ではこれらの要求を満たす基板の開発は
なされていなかった。
おいては、ヒートサイクル特性としてはせいぜい50〜
数100サイクルが常識であったため、自動車や電車等
の大電力パワーモジュール基板の実用化が難しかった。
によって、ヒートサイクル特性が1500サイクル以上
の自動車や電車向けの大電力パワーモジュール基板を提
供することを目的とする。
を解決するために鋭意研究したところ、回路基板の端部
を3段以上とし、特定の背厚みや幅を設けることによっ
て、ヒートサイクル特性が飛躍的に向上することを見い
だし、本発明を提供することができた。
金属との接合回路基板において、少なくとも回路側の導
体回路端部が3段以上の段差を有し、最下段の厚さt1
と幅l1がそれぞれ導体総厚みの15%以下および5〜
500μmであり、中段の厚さt2と幅l2はそれぞれ
導体総厚みの25〜55%および100〜500μmで
あり、最上段の厚さt3が導体総厚みの30〜60%で
あり、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)
が導体総厚みの70%以下であり、最下段の幅と中段の
幅の合計(l1+l2)が1mm以下であることを特徴
とする高信頼性半導体用基板;第2に、上記導体回路端
部において、最下段が活性金属ろう材からなり、他の段
が金属よりなることを特徴とする上記第1記載の高信頼
性半導体用基板;第3に、上記導体回路端部において、
その全ての段が金属よりなることを特徴とする上記第1
記載の高信頼性半導体用基板;第4に、上記導体回路端
部における活性金属ろう材が活性金属としてTi、Z
r、Hfのうち少なくとも1種を含むろう材であること
を特徴とする上記第2記載の高信頼性半導体用基板であ
る。
は、アルミナ基板や窒化アルミニウム・窒化ケイ素から
なる窒化物セラミック基板であり、回路を形成する金属
としては銅板を用いる。
な手段で作製した。すなわち活性金属ろう材を用いて銅
板をセラミック基板に接合する方法(活性金属法)にお
いては、セラミック基板としての窒化アルミニウムやア
ルミナ基板の両面に活性金属ろう材ペーストを全面塗布
した上に、回路用銅板として厚さ0.3mmの銅板を、
反対側には厚さ0.25mmの放熱用銅板を接触させ、
真空炉内で850℃に加熱して接合させて接合体を得
た。次いでこの接合体の銅板上にエッチングレジストを
塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理をして回路パター
ンを形成した後不要なろう材を除去する。次に段差を形
成するために2回目のレジストを塗布して、塩化鉄溶液
でエッチング処理を施して銅回路板を2段とした。更
に、端部を3段とするために、上記と同様に3回目のレ
ジストを塗布して、塩化鉄溶液でエッチング処理を施し
て最下段にろう材が端部となる回路を形成した。この場
合、エッチング条件によって1回目の端部としてはろう
材のみを、あるいはろう材と銅板の2段からなる端部で
それぞれ任意の厚みを有する基板を得ることができる。
(直接接合法)においては、アルミナ基板の両面に回路
用銅板としての厚さ0.3mmの銅板を、反対面には厚
さ0.25mmの銅板を接触させて加熱炉中で1063
℃に加熱して接合体を得た。次いで上記と同様にエッチ
ングレジストを塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理を
して回路パターンを形成した。次に段差を形成するため
に2回目のレジストを塗布して、塩化物溶液でエッチン
グ処理を施して2段とした。更に、端部を3段とするた
めに、上記と同様に3回目のレジストを塗布して、塩化
鉄溶液でエッチング処理を施して回路用銅板に3段の端
部を形成した。
る回路用基板のヒートサイクル特性を、+125℃で3
0分、−40℃で30分となるヒートサイクル条件下で
調べたところ、従来品では得られなかった1500サイ
クル以上の結果を得ることができた。
上させるために回路用銅板ばかりでなく、反対面に接合
した放熱板用の銅板の端部にも段差を設けたところ、上
記ろう接合基板及び直接接合基板のいずれについても、
ヒートサイクルが2000サイクル以上になってもクラ
ックの発生が見られなかった。
するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではな
い。
635mmの窒化アルミニウム基板を4枚用意し、この
基板両面にAg71.0%、Cu16.5%、Ti2.
5%からなるろう材2のペーストを全面塗布し、その両
面に厚さ0.3mmの回路用銅板3と厚さ0.25mm
の放熱板4用の銅板とを接触させ、真空炉内で850℃
にて加熱接合した。
し、塩化鉄溶液でエッチング処理を行い、回路パターン
を形成すると共に不要なろう材を除去した。
に、2回目のレジストを塗布しエッチング処理を行って
2段目の段差を形成した。
ジストを塗布し塩化鉄溶液でエッチング処理し、図1
(A)(B)に示すように最下段にろう材からなる段を
有する回路基板としてそれぞれ2枚ずつ2組の基板を得
た。
の厚さや幅については、最下段のt1=20μm l1
=0.3mmであり、中段のt2=0.1mm l2=
0.3mmであり、最上段のt3=0.18mmであっ
た。
らなる2枚の基板の厚さや幅については、最下段のt1
=40μm l1=0.3mmであり、中段のt2=
0.13mm l2=0.3mmであり、最上段のt3
=0.13mmであった。
選んで、+125℃で30分、−40℃で30分を1サ
イクルとするヒートサイクル試験を行ったところ、表1
に示すように1500サイクルではクラックの発生が見
られず、2000サイクルで微細なクラックが発生して
いた。
1枚ずつを用意し、回路形成面の反対側の放熱面が2段
となるようにレジストを塗布し、エッチング処理を施し
て図2(A)(B)に示すように回路面が3段、放熱部
が2段からなる2組の基板を得た。これらのヒートサイ
クル特性を実施例1と同様の方法で試験したところ、表
1に併せて示したように2000サイクルでもクラック
の発生が見られず、従来品に比較して格段のヒートサイ
クル特性を有することが分かった。
635mmのアルミナ基板を4枚用意し、この基板両面
にAg71.0%、Cu16.5%、Ti2.5%から
なるろう材2のペーストを全面塗布し、その両面に厚さ
0.3mmの回路用銅板3と厚さ0.25mmの放熱板
4用の銅板とを接触させ、真空炉内で850℃にて加熱
接合した。
し、塩化鉄溶液でエッチング処理を行い、回路パターン
を形成すると共に不要なろう材を除去した。
に、2回目のレジストを塗布しエッチング処理を行って
2段目の段差を形成した。
ジストを塗布し塩化鉄溶液でエッチング処理し、図1
(A)(B)に示すように最下段にろう材からなる段を
有する回路基板としてそれぞれ2枚ずつ2組の基板を得
た。
の厚さや幅については、最下段のt1=20μm l1
=0.3mmであり、中段のt2=0.1mm l2=
0.3mmであり、最上段のt3=0.18mmであっ
た。
らなる2枚の基板の厚さや幅については、最下段のt1
=40μm l1=0.3mmであり、中段のt2=
0.13mm l2=0.3mmであり、最上段のt3
=0.13mmであった。
選んで、+125℃で30分、−40℃で30分を1サ
イクルとするヒートサイクル試験を行ったところ、表1
に示すように1500サイクルではクラックの発生が見
られず、2000サイクルで微細なクラックが発生して
いた。
1枚ずつを用意し、回路形成面の反対側の放熱面が2段
となるようにレジストを塗布し、エッチング処理を施し
て図2(A)(B)に示すように回路面が3段、放熱部
が2段からなる2組の基板を得た。これらのヒートサイ
クル特性を実施例1と同様の方法で試験したところ、表
1に併せて示したように2000サイクルでもクラック
の発生が見られず、従来品に比較して格段のヒートサイ
クル特性を有することが分かった。
を接合した接合回路基板について、導体回路端部に特定
の寸法条件を満たす3段の段差を設けた場合のヒートサ
イクル特性の改善効果を実施例を示して証明したが、セ
ラミックスと金属とを直接接合したアルミナ−銅の接合
体についても同様な効果が得られることを確認した。以
下の参考例によりこれを示す。
635mmのアルミナ基板を4枚用意し、この基板両面
に厚さ0.3mmの回路用銅板3と厚さ0.25mmの
放熱板4用の銅板とを接触させ、加熱炉内で1063℃
にて加熱して直接接合した。
し、塩化鉄溶液でエッチング処理を行い、回路パターン
を形成すると共に不要なろう材を除去した。
に、2回目のレジストを塗布しエッチング処理を行って
2段目の段差を形成した。
ジストを塗布し塩化鉄溶液でエッチング処理し、図3
(A)(B)に示すように回路用銅板が3段を有する回
路基板としてそれぞれ2枚ずつ2組の基板を得た。
の厚さや幅については、最下段のt1=20μm l1
=0.3mmであり、中段のt2=0.1mm l2=
0.3mmであり、最上段のt3=0.18mmであっ
た。
らなる2枚の基板の厚さや幅については、最下段のt1
=40μm l1=0.3mmであり、中段のt2=
0.13mm l2=0.3mmであり、最上段のt3
=0.13mmであった。
選んで、+125℃で30分、−40℃で30分を1サ
イクルとするヒートサイクル試験を行ったところ、表1
に示すように1500サイクルではクラックの発生が見
られず、2000サイクルで微細なクラックが発生して
いた。
1枚ずつを用意し、回路形成面の反対側の放熱面が2段
となるようにレジストを塗布し、エッチング処理を施し
て図4(A)(B)に示すように回路面が3段、放熱部
が2段からなる2組の基板を得た。これらのヒートサイ
クル特性を実施例1と同様の方法で試験したところ、表
1に併せて示したように2000サイクルでもクラック
の発生が見られず、従来品に比較して格段のヒートサイ
クル特性を有することが分かった。
635mmの窒化アルミニウム基板と同じ大きさのアル
ミナ基板とを用意し、活性金属法では、窒化アルミニウ
ム基板に実施例1において用いた活性金属ろう材2のペ
ーストを全面塗布し、その両面に厚さ0.3mmの銅板
と放熱板4としての厚さ0.25mmの銅板とを接触さ
せて、真空炉内で850℃にて加熱接合し、一方、直接
接合法では、セラミック基板1としてのアルミナ基板の
両面に回路用基板3および放熱板4として同じ厚みの銅
板を接触させたものを、加熱炉内で1063℃で加熱接
合させた。
ングレジストを塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理を
行い、図5(A)(B)に示すような従来の通常タイプ
の回路基板を得た。これらのヒートサイクル特性を実施
例1と同様に試験したところ約50サイクルで微細なク
ラックが発生していることを確認した。
635mmの窒化アルミニウム基板を2枚用意し、この
基板両面にAg71.0%、Cu16.5%、Ti2.
5%からなるろう材2のペーストを全面塗布し、その両
面に厚さ0.3mmの回路用基板3としての銅板と厚さ
0.25mmの放熱板4用の銅板とを接触させ、真空炉
内で850℃にて加熱接合した。
し、塩化鉄溶液でエッチング処理を行い、回路パターン
を形成すると共に不要なろう材を除去した。
に、2回目のエッチングレジストを銅パターンより小さ
く塗布し、1回目と同様に塩化鉄溶液でエッチング処理
を行い図6(A)に示す形状の回路基板を得た。この場
合の下段の端部におけるt1=0.1mm l1=0.
3mmであり、上段の段差厚みをt2=0.2mmとし
た。
6(A)(B)に示されるように放熱部に段差がないも
のと段差があるものとに分けてヒートサイクル試験を行
ったところ、表1に併せて示したように段差のない基板
では、300サイクルまでクラックの発生は見られなか
ったが、400サイクルで微細なクラックが発生してい
ることを確認した。一方、段差のある回路基板の場合
は、400サイクルまでクラックの発生は見られなかっ
たが、500サイクルで微細なクラックが発生している
ことを確認した。
635mmのアルミナ基板を2枚用意し、該アルミナ基
板上に銅板を接触配置し、窒素ガス雰囲気中1063℃
で加熱して接合基板を得た。次いでエッチングレジスト
を塗布し、塩化鉄溶液でエッチング処理を行い、パター
ンを形成した。
に、2回目のエッチングレジストを銅パターンより小さ
く塗布し、1回目と同様に塩化鉄溶液でエッチング処理
を行い図7に示す形状の回路基板を得た。この場合の下
段の端部におけるt1=0.1mm l1=0.3mm
であり、上段の段差厚みをt2=0.2mmとした。
7(A)(B)に示されるように放熱部に段差がないも
のと段差があるものとに分けてヒートサイクル試験を行
ったところ、表1に併せて示したように段差のない基板
では、300サイクルまでクラックの発生は見られなか
ったが、400サイクルで微細なクラックが発生してい
ることを確認した。一方、段差のある回路基板の場合
は、400サイクルまでクラックの発生は見られなかっ
たが、500サイクルで微細なクラックが発生している
ことを確認した。
従来公知の段差を有する基板に比べ、その段差を少なく
とも3段以上に形成することによってヒートサイクル特
性を大幅に向上できるものであり、これにより従来は使
用不可能だった自動車や電車等の大電力パワーモジュー
ル基板として用いることができるものである。
基板の一部断面図である。
基板の一部断面図である。
図である。
図である。
部断面図である。
部断面図である。
部断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 セラミックと金属との接合回路基板にお
いて、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段
差を有し、最下段の厚さt1と幅l1がそれぞれ導体総
厚みの15%以下および5〜500μmであり、中段の
厚さt2と幅l2はそれぞれ導体総厚みの25〜55%
および100〜500μmであり、最上段の厚さt3が
導体総厚みの30〜60%であり、最下段の厚さと中段
の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下
であり、最下段の幅と中段の幅の合計(l1+l2)が
1mm以下であることを特徴とする高信頼性半導体用基
板。 - 【請求項2】 上記導体回路端部において、最下段が活
性金属ろう材からなり、他の段が金属よりなることを特
徴とする請求項1記載の高信頼性半導体用基板。 - 【請求項3】 上記導体回路端部において、その全ての
段が金属よりなることを特徴とする請求項1記載の高信
頼性半導体用基板。 - 【請求項4】 上記導体回路端部における活性金属ろう
材が活性金属としてTi、Zr、Hfのうち少なくとも
1種を含むろう材であることを特徴とする請求項2記載
の高信頼性半導体用基板。
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