JP7221401B2 - 電気回路基板及びパワーモジュール - Google Patents
電気回路基板及びパワーモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP7221401B2 JP7221401B2 JP2021542949A JP2021542949A JP7221401B2 JP 7221401 B2 JP7221401 B2 JP 7221401B2 JP 2021542949 A JP2021542949 A JP 2021542949A JP 2021542949 A JP2021542949 A JP 2021542949A JP 7221401 B2 JP7221401 B2 JP 7221401B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal plate
- circuit board
- electric circuit
- brazing material
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/06—Hermetically-sealed casings
- H05K5/064—Hermetically-sealed casings sealed by potting, e.g. waterproof resin poured in a rigid casing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/121—Metallic interlayers based on aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
- C04B2237/127—The active component for bonding being a refractory metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
- C04B2237/128—The active component for bonding being silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/34—Oxidic
- C04B2237/343—Alumina or aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/366—Aluminium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/368—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/402—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/407—Copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/64—Forming laminates or joined articles comprising grooves or cuts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3142—Sealing arrangements between parts, e.g. adhesion promotors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/46—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
- H01L23/473—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
- H01L23/49844—Geometry or layout for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/098—Special shape of the cross-section of conductors, e.g. very thick plated conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10166—Transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2072—Anchoring, i.e. one structure gripping into another
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
金属板を打ち抜き加工で作製して、絶縁基板の上面に対して垂直な側面を有する金属板とすることで、金属板(の側面)同士の間隔を小さくすること(狭ギャップ化)が行なわれている(例えば、特開2007-53349号公報を参照。)。
絶縁基板と金属板との接合は、金属板をろう材を介して絶縁基板に積層し、ろう付けすることで行われる。
特開2014-72304号公報に記載の半導体モジュールにあっては、金属板、金属板上に搭載された電子部品および絶縁基板をモールド樹脂で封止している。
図1A,図1B,図2Aおよび図2Bに示すように本実施形態の電気回路基板10は、絶縁基板1と、絶縁基板1の主面(上下面)にろう材3で接合されている金属板2とを備えている。絶縁基板1の上面に複数の金属板2,2,2が接合され、絶縁基板1の下面に単一の金属板2が接合されている。
絶縁基板1は、セラミック焼結体からなり、高い機械的強度および高い伝熱特性(冷却特性)などの特性を有するものがよい。セラミック焼結体としては、公知の材料を用いることができ、例えば、アルミナ(Al2O3)質焼結体、窒化アルミニウム(AlN)質焼結体、窒化ケイ素(Si3N4)質焼結体および炭化珪素(SiC)質焼結体などを用いることができる。このような絶縁基板1は、公知の製造方法によって製造することができ、例えば、アルミナ粉末に焼結助剤を添加した原料粉末に有機バインダー等を加えて混練して、基板状に成形したのち、焼成することで製造することができる。
本実施形態では、金属板2が銅(Cu)または銅合金からなる。ろう材3としては、銀―銅(Ag-Cu)合金ろうに、チタン(Ti)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)等の活性金属を含む活性金属ろうを用いることができる。なお、金属板2がアルミニウム(Al)またはアルミニウム合金からなる場合は、Al-Si系合金またはAl-Ge系合金のろう材を用いることができる。
金属板2の側面21に複数の凹部21aが点在している。凹部21aは金属板2の側面21から陥没している部分である。
封止樹脂を適用する場合、この凹部21aに樹脂が入り込んで、封止樹脂(50)の側面21に対する接着性が向上する。側面21には周囲に対して突出した凸部がないので、封止樹脂に凸起点のクラックが入り難く、封止信頼性が高い。また、封止樹脂にクラックが入ってそのクラック内で凸部から放電して絶縁性が低下する可能性も低い。
筋目21bは微小な凹凸(溝)なので、樹脂の接着性がより向上する。
筋目21bは一定の方向に延びるものではないので樹脂の接着性に関してあらゆる方向の応力に対して効果的に作用しつつ、筋目21bは深さ(高さ)が微小で短いので筋目起点で樹脂にクラックが入り難い。
これにより、ろう材3の側面33における銀の比率が小さいことから、ろう材3の側面において銀のマイグレーションが発生し難い。そのため、隣接する2つの金属板2,2間における絶縁信頼性が高いものとなる。
また、金属板2の側面21からのろう材3の突出が小さく、隣接する2つの金属板2,2のそれぞれを接合するろう材3,3間の距離が大きくなるので、マイグレーションが発生し難くなる。また、これにより金属板2,2同士の間隔を小さくできるため、電気回路基板10およびパワーモジュールを小型化することができる。
図3に示す金属板2の側面21とろう材3の側面33との接点Pにおいて金属板2の側面21の下縁(P)にろう材3の側面33の上縁(P)が接して、金属板2の側面21とろう材3の側面33とで一つの凹曲面状を成している。当該凹曲面は、図3の縦断面図において二点鎖線で示す凹曲線WSに相当する。なお、凹曲線WSは、凹部21a形成前の金属板2の側面21を示す。金属板2の側面21は、凹部21a形成後も、凹部21aを除いて、ほぼ凹曲線WSに沿った凹曲面状を成している。凹部21aはこの凹曲線WSに沿った凹曲面(側面21)から陥没している部分である。
ろう材3の側面33の金属板2の側面21に対するずれがないので、金属板2の下面が外縁までろう材3で接合されており、ろう材3の金属板2に対する接合性が良好である。
金属板2から側方へのろう材3のはみ出しはわずかであって、ほとんど無い。これにより、隣接する金属板2,2間のギャップが確保される。
金属板2の側面21とろう材3の側面33とでつくる凹曲面状の形状は、裾野が広かった形状である。ろう材3の側面33の下縁が金属板2の側面21の上縁より外側に位置している。図3に示すように、ろう材3の側面33の下縁が金属板2より外側に広がり、金属板2の外縁部は厚みが徐々に薄くなる形状である。このような外縁形状を有するため、金属板2と絶縁基板1との間に発生する熱応力を緩和することができ、ろう材3の絶縁基板1に対する接合性が良好である。これにより、金属板2の端部からの剥離が抑制される。
なお、金属板2の側面21とろう材3の側面33とでつくる凹曲面状の形状は、金属板2の側面21の上端部では反り返っているものとすることができる。これにより、金属板2の上面の面積が広く確保される。また、封止樹脂(50)が金属板2の側面21の上端部に引っ掛かって、より剥がれ難くなる。
以上のような金属板2の形状は、打ち抜き後に研磨し、加工しても形成できるが、エッチングで容易に形成可能である。
以上の結果、絶縁基板1と金属板2の接合性が良好であるとともに、隣接する金属板2,2間のギャップを精度よく確保できている。
電気回路基板の製造方法につき説明する。
(製造方法の概説)
1.パターンの形成方法
金属板2の外形パターンの形成方法およびろう材3による金属板2の絶縁基板1への接合方法としては以下の(A)(B)の方法を挙げることができる。
(A)金属板2をパターン加工した後に絶縁基板1に接合する方法である。
このとき、パターン加工は打ち抜き加工で形成してもよく、また、エッチングでパターン加工することもできる。ろう材3となるろう材ペーストを絶縁基板1上に塗布し、その上にパターン加工した金属板2を載置して加熱することで接合することができる。
ろう材ペーストの塗布はパターン形状での塗布(以下、パターン塗布ともいう)でも、絶縁基板1の全面に塗布(以下、全面塗布ともいう)でもよい。
ろう材ペーストをパターン形状で塗布する場合は、位置ずれを考慮して金属板2の外形パターンより一回り大きいパターンとすることができる。
このとき、ろう材ペーストは全面塗布してもよいし、パターン塗布でもよい。
ろう材3を全面塗布する場合は、金属板2のパターン形状への位置合わせが不要である。方法(A)または(B)のいずれの方法であっても、全面塗布により金属板2,2間に形成されたろう材3をエッチングにより除去することで、これらの間の絶縁性を確保することができる。ろう材3の側面33が金属板2の側面21に連続したものとする場合にも、ろう材3の金属板2のパターン形状からはみ出す部分をエッチングにより除去すればよい。
金属板2の側面21に凹部21aを形成する方法としては以下の(1)~(3)の方法を挙げることができる。
(1)金属板2の側面21に型押しで凹部21aを形成する方法である。
(2)金属板2の側面21に凹部21aの形成予定部で開口するマスクパターンを形成してエッチングする方法である。
(3)金属板2の側面21の一部を選択的にエッチングする性質を有したエッチング液でエッチングする方法である。
上記のパターンの形成方法(A),(B)と、凹部の形成方法(1)~(3)とを組み合わせて実施することができる。パターン加工後に接合する方法(A)の場合には、金属板2を絶縁基板1に接合する前に凹部21aを形成してもよいし、接合してから形成してもよい。また、打ち抜き加工によってパターン加工する場合には、打ち抜き加工で形成された側面を研磨等で凸部等を除去して平滑にして、金属板2の側面21を形成した後に凹部21aを形成する。
まず、絶縁基板1の上下面にろう材3を全面ベタ印刷し、ろう材3の上に、平面視の大きさが絶縁基板1と同じである金属板2を配置し、加圧、加熱してろう付けする。ここで、絶縁基板1としてはセラミック焼結体が適用されている。金属板2としては銅又は銅合金が適用されている。またろう材3としては、銀―銅(Ag-Cu)合金ろうに、活性金属としてチタン(Ti)を含む活性金属ろうが適用されている。
その後、金属板2の上面に配置したレジストマスクをマスクとして塩化第二鉄液等のエッチング液により金属板2をエッチングすることで、所望の回路パターン形状に金属板2を形成する。このとき、エッチング条件(エッチング液濃度、エッチング時間等)を調整するにより金属板2の側面21を凹曲面とすることができる。
ろう材3のエッチングには2つのエッチング液を交互に繰り返し用いる。
まず、第1液によりエッチングを行う。
第1液としては、主に銀(Ag)、チタン(Ti)を溶解するエッチング液を選択する。例えば、フッ酸並びに過酸化水素水、アンモニアを含むエッチング液である。
第1液によるエッチングにより金属板2,2間に位置する銀-銅合金活性金属ろう中の銀及びチタンの溶解が進行する。
第2液によるエッチングにより、銀-銅合金ろう中の銅の溶解が進行する。また、金属板2の側面21も銅であるので、エッチングされる。但し、第2液として銅の結晶方位によりエッチングレートが異なる液を選択しておく。硫酸+過酸化水素水のエッチング液では銅結晶の{001}面のエッチングレートが高く、過硫酸塩+硫酸系のエッチング液は、銅結晶の{327}面、{425}面のエッチングレートが高い。そのため、エッチングされやすい結晶面を側面21に露出した銅結晶が溶解して、側面21に凹部21aを生じさせる(図3)。また、第2エッチング液は、上記の塩化第二鉄等のエッチング液に比較してエッチングレートが小さい。そのため、エッチング液によって形成された金属板2の側面21は、上記の結晶方位を有する部分以外はほとんどエッチングされない。
また、図3に示すようにろう材3の側面33には、銀よりエッチングされにくい銅3Cが多く残る。上述した、銀―銅合金ろうの銅の成分比率より高い比率で銅が存在している、ろう材3の側面33となる。なお、ろう材3を共晶組成から少し外して銅を増やし、銅の比率を高めると、より側面33の銅3Cを多くしやすい。このとき、インジウム(In)、錫(Sn)、Zn(亜鉛)、Sb(アンチモン)、Bi(ビスマス)を添加することで銅が増えたことによる融点上昇を抑えることができる。
以上の製造方法1により、図3及び図4に示した金属板2及びろう材3の側面を得ることが容易である。金属板2およびろう材3の外形パターンならびに凹部21aの形成を、エッチング条件(エッチング液等)を変えるだけで、連続して容易に精度よく実施することができる。
上記のような電気回路基板10に電子部品40を搭載し、電子部品40等を封止樹脂50で覆うことで、図5Aおよび図5B,図6Aならびに図6Bに示す例のようなパワーモジュール100となる。なお、図5Aおよび図5Bにおいては、金属板2(121)上に搭載され、電子部品40と別の金属板2(122)とがボンディングワイヤー41で接続されている状態が見やすいように、封止樹脂50を取り除いた状態を示している。パワーモジュール100は、例えば、自動車などに用いられ、ECU(engine control unit)およびパワーアシストハンドル、モータドライブなどの各種制御ユニットに使用される。パワーモジュール100は、このような車載の制御ユニットに限られるものではなく、例えば、その他の各種インバータ制御回路、電力制御回路、パワーコンディショナー等に用いられる。
電子部品40は、不図示の接合材によって電気回路基板10の金属板2に接合されて固定される。接合材は、例えば、はんだまたは銀ナノペーストを用いることができる。金属板2の表面に部分的に金属皮膜を設ける場合は、平面視での電子部品40の大きさが金属皮膜の大きさより小さいと、電子部品40の側面から金属皮膜の上面にかけて接合材のフィレットが形成されるので、電子部品40の金属板2(金属皮膜)への接合強度を高めることができる。また、金属皮膜の表面は接合材によって覆われて露出しないので、後述する封止樹脂50の接合性が向上する。
図6Aに示す例のパワーモジュール101は、図1A,図1B,図2Aおよび図2Bに示す例の電気回路基板10を用いたパワーモジュールである。この例では電気回路基板10の上面から下面の外周部にかけて封止樹脂50で覆われて、電子部品40が封止されているものである。封止樹脂50は、セラミック基板(1)の下面に接合された金属板2(123)の主面(下面)は覆っていない。そのため、放熱板として機能する金属板2(123)を外部の放熱体等に直接に熱的に接続することができるので、放熱性に優れたパワーモジュール101とすることができる。また、端子として機能する金属板2(122)は、絶縁基板1からはみ出す長さであり、封止樹脂50からもはみ出している。これによって、端子として機能する金属板2(122)と外部の電気回路との電気的に接続が容易に可能となっている。
封止樹脂50には、熱伝導性、絶縁性、耐環境性および封止性の点から、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂などの熱硬化性樹脂を使用することができる。
図5Aおよび図5B、図6Aならびに図6Bに示す例のように、電子部品40、金属板2および絶縁基板1を覆う封止樹脂50を備えるパワーモジュール101,102とすることができる。封止樹脂50によって電子部品40の耐環境性が向上し、また隣接する金属板121,122間の絶縁性が向上したものとなる。
筐体60は、枠体61と、この枠体61の一方の開口を塞ぐ放熱板62とで構成されており、枠体61と放熱板62とで囲まれた空間が内側空間となる。また、内側空間から筐体60の枠体61を貫通して外部へ導出されたリード端子63を備えている。そして、リード端子63の内部空間内の端部と電気回路基板10の金属板2とがボンディングワイヤー41で接続されている。これにより、電子部品40と外部の電気回路とが電気的に接続可能となっている。
枠体61は、樹脂材料、金属材料またはこれらの混合材料からなり、放熱板62により一方の開口が塞がれて電気回路基板10を収納する内側空間を形成している。枠体61に用いられる材料としては、放熱性、耐熱性、耐環境性および軽量性の点から、銅、アルミニウムなどの金属材料またはポリブチルテレフタレート(PBT)、ポリフェニレンサルファイト(PPS)などの樹脂材料を使用することができる。これらの中でも、入手しやすさの点から、PBT樹脂を用いることが望ましい。また、PBT樹脂には、ガラス繊維を添加して繊維強化樹脂とすることが、機械的強度が増大するので好ましい。
放熱板62は、動作時に電子部品40で生じた熱を、パワーモジュール102の外部に放熱するためのものである。この放熱板62には、Al、Cu、Cu-Wなどの高熱伝導性材料を使用することができる。特に、AlはFeなどの一般的な構造材料としての金属材料と比べて熱伝導性が高く、電子部品40で生じた熱をより効率的にパワーモジュール102の外部に放熱できるので、電子部品40を安定して正常に動作させることが可能となる。また、AlはCuあるいはCu-Wなどの他の高熱伝導性材料と比較して、入手しやすく安価であることから、パワーモジュール102の低コスト化にも有利になる点で優れている。
封止樹脂50は、内側空間に充填され、電気回路基板10に搭載された電子部品40を封止して保護するものである。電気回路基板10と放熱板62との機械的な接合と内側空間の封止とを同じ封止樹脂50で行なってもよい。この場合、電気回路基板10と放熱板62との機械的な強固な接合と樹脂封止とを同一工程で行うことができる。
凹部21aに封止樹脂50が入り込むので、封止樹脂50の接着性が向上する。これにより、封止樹脂50の高温での剥離が抑制されるので、耐熱性が向上する。
以上の実施形態では、金属板2を絶縁基板1の両面に設置したが、金属板2を絶縁基板1の片面にのみ設置した電気回路基板を実施してもよい。また、電気回路基板10は、いわゆる多数個取りの形態で作製してこれを分割することで作製することもできる。多数個取りの電気回路基板は、電気回路基板10の絶縁基板1となる基板領域を複数有する大型の絶縁基板を準備し、上記した方法で各基板領域上に金属板2を形成することで作製することができる。パターン形成方法(B)の場合は、大型の金属板として、大型の絶縁基板と同程度の大きさの金属板を用いることができる。
2 金属板
3 ろう材
3C ろう材側面の銅
10 電気回路基板
21 金属板の側面
21a 凹部
21b 筋目
33 ろう材の側面
40 電子部品
41 ボンディングワイヤー
50 封止樹脂
100 パワーモジュール
101 パワーモジュール
102 パワーモジュール
Claims (5)
- 絶縁基板と、金属板と、前記絶縁基板と前記金属板とを接合しているろう材とを備え、
前記金属板の側面に凹部が点在しており、
前記ろう材の側面は前記金属板の側面に連続しており、前記ろう材の側面と前記金属板の側面とで一つの凹曲面状を成している電気回路基板。 - 前記金属板の側面は、前記凹部の周囲の表面に筋目を有する請求項1に記載の電気回路基板。
- 前記金属板は、銅又は銅合金である請求項1または請求項2に記載の電気回路基板。
- 前記ろう材は銀―銅合金ろうであり、
該銀―銅合金ろうの銅の成分比率より高い比率で、前記ろう材の側面に銅がある請求項3に記載の電気回路基板。 - 請求項1から請求項4のうちいずれか一に記載の電気回路基板と、
該電気回路基板の前記金属板上に搭載された電子部品と、
前記電子部品、前記金属板および前記絶縁基板を覆う封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂が前記凹部に入り込んで前記金属板の側面に接合しているパワーモジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019157199 | 2019-08-29 | ||
JP2019157199 | 2019-08-29 | ||
PCT/JP2020/032109 WO2021039816A1 (ja) | 2019-08-29 | 2020-08-26 | 電気回路基板及びパワーモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021039816A1 JPWO2021039816A1 (ja) | 2021-03-04 |
JP7221401B2 true JP7221401B2 (ja) | 2023-02-13 |
Family
ID=74684175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021542949A Active JP7221401B2 (ja) | 2019-08-29 | 2020-08-26 | 電気回路基板及びパワーモジュール |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220330447A1 (ja) |
EP (1) | EP4024444A4 (ja) |
JP (1) | JP7221401B2 (ja) |
CN (1) | CN114303237A (ja) |
WO (1) | WO2021039816A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022152676A (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-12 | 沖電気工業株式会社 | 半導体素子ユニット、半導体素子ユニット製造方法、半導体素子ユニット供給基板、半導体実装回路及び半導体実装回路製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004034524A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Mec Kk | 金属樹脂複合体およびその製造方法 |
JP2007311527A (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール |
JP2019106422A (ja) | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06334077A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Kyocera Corp | 半導体素子収納用パッケージ |
JP3512977B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2004-03-31 | 同和鉱業株式会社 | 高信頼性半導体用基板 |
JP3297006B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2002-07-02 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板 |
JP3449458B2 (ja) * | 1997-05-26 | 2003-09-22 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板 |
JP2000261149A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP5038565B2 (ja) * | 2000-09-22 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板およびその製造方法 |
JP4811756B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2011-11-09 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法 |
JP5151080B2 (ja) | 2005-07-20 | 2013-02-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
EP1921675B1 (en) * | 2005-08-29 | 2018-10-31 | Hitachi Metals, Ltd. | Circuit board and semiconductor module using this, production method for circuit board |
CN102027592B (zh) * | 2008-05-16 | 2013-08-07 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板、功率模块及功率模块用基板的制造方法 |
JP2011253950A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置 |
JP5983249B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-08-31 | サンケン電気株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
TWI489918B (zh) * | 2012-11-23 | 2015-06-21 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝載板 |
JP6056432B2 (ja) * | 2012-12-06 | 2017-01-11 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP6111764B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2017-04-12 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP6210818B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2017006661A1 (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | 株式会社東芝 | セラミックス金属回路基板およびそれを用いた半導体装置 |
CN107251214B (zh) * | 2015-09-28 | 2019-08-27 | 株式会社东芝 | 氮化硅电路基板以及使用了该氮化硅电路基板的半导体模块 |
EP3493253B1 (en) * | 2016-07-28 | 2024-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit board and semiconductor module |
JP6546892B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2019-07-17 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
-
2020
- 2020-08-26 WO PCT/JP2020/032109 patent/WO2021039816A1/ja unknown
- 2020-08-26 CN CN202080060448.6A patent/CN114303237A/zh active Pending
- 2020-08-26 US US17/639,184 patent/US20220330447A1/en active Pending
- 2020-08-26 JP JP2021542949A patent/JP7221401B2/ja active Active
- 2020-08-26 EP EP20858188.4A patent/EP4024444A4/en active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004034524A (ja) | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Mec Kk | 金属樹脂複合体およびその製造方法 |
JP2007311527A (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール |
JP2019106422A (ja) | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 京セラ株式会社 | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114303237A (zh) | 2022-04-08 |
WO2021039816A1 (ja) | 2021-03-04 |
EP4024444A1 (en) | 2022-07-06 |
US20220330447A1 (en) | 2022-10-13 |
EP4024444A4 (en) | 2023-09-20 |
JPWO2021039816A1 (ja) | 2021-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4438489B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4635564B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3390661B2 (ja) | パワーモジュール | |
US8860196B2 (en) | Semiconductor package and method of fabricating the same | |
JP2006093255A (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JP2002203942A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP5168870B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2003264265A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP7483955B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
WO2020027183A1 (ja) | 電気回路基板及びパワーモジュール | |
JPH09260550A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015005681A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
WO2018018847A1 (zh) | 一种智能功率模块及其制造方法 | |
TWI543306B (zh) | 半導體裝置 | |
JP6948855B2 (ja) | パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP7221401B2 (ja) | 電気回路基板及びパワーモジュール | |
WO2018018848A1 (zh) | 一种智能功率模块及其制造方法 | |
JP7117960B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP7088224B2 (ja) | 半導体モジュールおよびこれに用いられる半導体装置 | |
JP7018756B2 (ja) | パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP6702800B2 (ja) | 回路基板集合体、電子装置集合体、回路基板集合体の製造方法および電子装置の製造方法 | |
JP2000286289A (ja) | 金属貼付基板および半導体装置 | |
WO2020189508A1 (ja) | 半導体モジュールおよびこれに用いられる半導体装置 | |
JP6538513B2 (ja) | 半導体パワーモジュールおよび移動体 | |
JP6392583B2 (ja) | 回路基板、および電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230117 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230201 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7221401 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |