JP3932343B2 - 半導体用基板およびその製造方法 - Google Patents
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2 ろう材
3 回路用基板
4 放熱板
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- セラミック基板と金属板とが活性金属ろう材で接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の導体回路端部において、最下段の厚さt1が導体総厚みの15%以下であることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが直接接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の導体回路端部において、最下段の厚さt1が導体総厚みの15%以下であることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが活性金属ろう材で接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の導体回路端部において、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下であることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが直接接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の導体回路端部において、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下であることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが活性金属ろう材で接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有し、最下段の厚さt1が導体総厚みの15%以下であり、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下であることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが直接接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有し、最下段の厚さt1が導体総厚みの15%以下であり、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下であることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが活性金属ろう材で接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有し、最下段の厚さt1が導体総厚みの15%以下であり、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下であり、且つ最下段の幅l1が5〜500μmであることを特徴とする半導体用基板。
- セラミック基板と金属板とが直接接合されてなる回路基板において、少なくとも回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有し、最下段の厚さt1が導体総厚みの15%以下であり、最下段の厚さと中段の厚さの合計(t1+t2)が導体総厚みの70%以下であり、且つ最下段の幅l1が5〜500μmであることを特徴とする半導体用基板。
- 最下段の幅と中段の幅の合計(l1+l2)が1mm以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の半導体用基板。
- 上記導体回路端部において、最下段が活性金属ろう材からなり、他の段が金属よりなることを特徴とする、請求項1、3、5、7または9に記載の半導体用基板。
- 上記導体回路端部において、その全ての段が金属よりなることを特徴とする、請求項2、4、6、8または9に記載の半導体用基板。
- 回路形成面の反対側の金属板端部が2段以上であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれかに記載の半導体用基板。
- 金属板を活性金属ろう材を用いてセラミック基板に接合した後、金属板上にエッチングレジストを塗布し、エッチング処理をして回路パターンを形成し、次に2回目のレジストを塗布してエッチング処理を施して銅回路板端部を2段とし、次に3回目のレジストを塗布してエッチング処理を施して銅回路板端部を3段とする工程を有することを特徴とする、回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の製造方法。
- 金属板をセラミック基板に直接接合した後、金属板上にエッチングレジストを塗布し、エッチング処理をして回路パターンを形成し、次に2回目のレジストを塗布してエッチング処理を施して銅回路板端部を2段とし、次に3回目のレジストを塗布してエッチング処理を施して銅回路板端部を3段とする工程を有することを特徴とする、回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の製造方法。
- 金属板を活性金属ろう材を用いてセラミック基板に接合した後、金属板上にエッチングレジストを塗布し、エッチング処理をして回路パターンを形成し、次に2回目のレジストを塗布してエッチング処理を施して銅回路板端部を2段とし、次に化学研磨液を用いて金属板部分のみを化学研磨し最下段(3段目)がろう材からなる段とする工程を有することを特徴とする、回路側の導体回路端部が3段以上の段差を有する半導体用基板の製造方法。
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