JP2015225948A - パワーモジュール用基板 - Google Patents
パワーモジュール用基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015225948A JP2015225948A JP2014109814A JP2014109814A JP2015225948A JP 2015225948 A JP2015225948 A JP 2015225948A JP 2014109814 A JP2014109814 A JP 2014109814A JP 2014109814 A JP2014109814 A JP 2014109814A JP 2015225948 A JP2015225948 A JP 2015225948A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center
- copper plate
- hole
- distance
- straight line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 133
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 146
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 146
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 146
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】セラミック基板11に、銅板13を接合するパワーモジュール用基板10において、銅板13角部のアール12の中点14と中心15を結ぶ第1の直線16上に中点14から中心15までの距離より短い位置を中心15aとする第1の貫通孔17と、この直線上に中点14から中心15までの距離より長い位置を中心15bとする第2の貫通孔18と、辺部外縁と平行する第2の直線19上に、中心15bから中心15aと、中心15b間の距離と同等の位置を中心15cとする第3の貫通孔20と、一方と他方の角部に設ける第3の貫通孔20の間に中心15dとする複数個の第4の貫通孔21と、第2の直線19より中央側で平行する第3の直線22上に中心15eとする複数個の第5の貫通孔23を有する。
【選択図】図1
Description
これによると、冷熱サイクルが付加された場合等においても、セラミック基板のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、しかも製造工程的に有利な機械加工(プレス加工)によっても銅板の変形を防止し得る、信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供することができるとしている。
(1)セラミック基板の表面に接合された銅板の外周囲にU字状の溝、階段状の段差、又は孔を設ける、あるいは、特開平8−250823号公報で開示されるようなパワーモジュール用基板は、銅板である金属板のコーナーに特段の円弧形状のアールがなくて直角となっているので、パワーモジュール用基板に冷熱サイクルが付加された時に銅板のコーナーと近接するセラミック基板部分に残留応力が集中して作用し、銅板のコーナーと近接するセラミック基板部分に発生するクラックや、強度低下を防止することができなくなっている。
(2)特開平8−250823号公報で開示されるようなパワーモジュール用基板は、例え、銅板のコーナーに円弧形状のアールを設けたとしても、銅板の角部に設ける貫通孔が銅板のコーナーから遠ざかる中心部側となるので、銅板の角部に設ける貫通孔の中心間を直線とする辺部に、所定の間隔で複数個設ける貫通孔が銅板縁部から遠ざかることとなっている。従って、このような貫通孔を設けるパワーモジュール用基板では、銅板辺部の縁部と近接するセラミック基板部分の残留応力を分散できなくなり、セラミック基板の辺部に発生するクラックの発生や、強度低下を防止することができなくなっている。
(3)また、特開平8−250823号公報で開示されるようなパワーモジュール用基板は、銅板の角部や、辺部に設ける貫通孔をセラミック基板と接合する前の銅板に機械加工で設けているので、貫通孔を銅板の縁部に近接させて設けることが難しく、銅板の縁部と近接するセラミック基板部分の残留応力を分散できなくなり、セラミック基板のクラックの発生や、強度低下を防止することができなくなっている。
図1(A)〜(C)に示すように、本発明の一実施の形態に係るパワーモジュール用基板10は、アルミナ(Al2O3)や、窒化アルミニウム(AlN)や、ジルコニア入りアルミナ等のセラミックからなる四角形状のセラミック基板11を有している。また、このパワーモジュール用基板10は、セラミック基板11の両主面のそれぞれには、コーナーに円弧形状のアール12を備える様々な形状からなる1又は複数枚の銅板13を接合して有している。そして、パワーモジュール用基板10は、セラミック基板11の一方の主面に複数枚の銅板13で回路パターンを形成し、セラミック基板11の他方の主面にベタ状の銅板13を接合して有している。このパワーモジュール用基板10は、通常、セラミック基板11の両主面にパターンが形成されていない全面銅板を直接接合法や、活性金属ろう材接合法で加熱接合した後、両主面の全面銅板のそれぞれをエッチングしてコーナーに円弧形状のアール12を備える所望の回路パターン状や、ベタ状の銅板13にしている。
Claims (3)
- 四角形状のセラミック基板の両主面のそれぞれに、コーナーに円弧形状のアールを備える1又は複数枚の銅板を接合するパワーモジュール用基板において、
前記銅板角部の前記アールの中点と前記円弧形状の中心を結ぶ第1の直線上に設けられ、前記アールの中点からの距離が前記円弧形状の中心までの距離より短い位置を中心とする第1の貫通孔と、
前記銅板角部の前記アールの中点と前記第1の貫通孔の中心を結んで延設する前記第1の直線上に設けられ、前記アールの中点からの距離が前記円弧形状の中心までの距離より長い位置を中心とする第2の貫通孔と、
前記第1、第2の貫通孔に隣接し前記銅板の直線状の辺部外縁と平行して延設する第2の直線上に設けられ、前記辺部外縁から前記第2の直線上までの距離が前記アールの中点から前記第1の貫通孔の中心までの距離と同等で、且つ前記辺部外縁の延設線から前記第1の貫通孔の中心までの距離より短いと共に、前記第2の貫通孔の中心からの距離が前記第1、第2の貫通孔の中心間距離と同等の位置を中心とする第3の貫通孔と、
前記銅板の前記辺部外縁と平行して延設する前記第2の直線上の前記銅板の一方の角部と他方の角部に設ける前記第3の貫通孔の中心間に複数個が設けられ、前記第1の貫通孔の中心と前記第3の貫通孔の中心間距離と近似する距離を隣接する中心間距離とする位置を中心とする第4の貫通孔と、
前記第2の直線より前記銅板の中央側で前記第2の直線と平行すると共に、前記第2の直線から前記第2の貫通孔の中心までの距離より短い位置に延設する第3の直線上に複数個が設けられ、前記第3の貫通孔の中心と前記第4の貫通孔の中心間、及び隣接する前記第4の貫通孔の中心間で千鳥構造となる位置を中心とする第5の貫通孔を有することを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 請求項1記載のパワーモジュール用基板において、前記第1〜第5の貫通孔の孔径は、実質的に同一であることを特徴とするパワーモジュール用基板。
- 請求項1、又は2記載のパワーモジュール用基板において、前記第1〜第5の貫通孔は、前記セラミック基板に前記銅板を接合した後に、エッチング加工により形成された孔であることを特徴とするパワーモジュール用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014109814A JP6278516B2 (ja) | 2014-05-28 | 2014-05-28 | パワーモジュール用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014109814A JP6278516B2 (ja) | 2014-05-28 | 2014-05-28 | パワーモジュール用基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015225948A true JP2015225948A (ja) | 2015-12-14 |
JP6278516B2 JP6278516B2 (ja) | 2018-02-14 |
Family
ID=54842507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014109814A Active JP6278516B2 (ja) | 2014-05-28 | 2014-05-28 | パワーモジュール用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6278516B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017107116A1 (de) | 2017-04-03 | 2018-10-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Substrat mit einem Ecken aufweisenden ersten Metallschichtbereich |
WO2020149023A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
EP3696851A1 (en) * | 2019-02-18 | 2020-08-19 | Infineon Technologies AG | Semiconductor arrangement and method for producing the same |
US11133271B2 (en) | 2018-03-01 | 2021-09-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541566A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Dowa Mining Co Ltd | 耐熱衝撃性に優れたセラミツクス−銅接合基板 |
US5527620A (en) * | 1993-06-02 | 1996-06-18 | Schulz-Harder; Jurgen | Metal coated substrate having improved resistivity to cyclic temperature stress |
JPH08250823A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
JPH1084059A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Toshiba Corp | 窒化けい素回路基板 |
JP2007173405A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 半導体モジュール |
JP2008294284A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
JP2012114203A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁基板とその製造方法および電力半導体装置 |
JP2013175525A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板の製造方法およびその回路基板 |
WO2013136895A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-05-28 JP JP2014109814A patent/JP6278516B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541566A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Dowa Mining Co Ltd | 耐熱衝撃性に優れたセラミツクス−銅接合基板 |
US5527620A (en) * | 1993-06-02 | 1996-06-18 | Schulz-Harder; Jurgen | Metal coated substrate having improved resistivity to cyclic temperature stress |
JPH08250823A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | セラミックス回路基板 |
JPH1084059A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Toshiba Corp | 窒化けい素回路基板 |
JP2007173405A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Showa Denko Kk | 半導体モジュール |
JP2008294284A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
JP2012114203A (ja) * | 2010-11-24 | 2012-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁基板とその製造方法および電力半導体装置 |
JP2013175525A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板の製造方法およびその回路基板 |
WO2013136895A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017107116A1 (de) | 2017-04-03 | 2018-10-04 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Substrat mit einem Ecken aufweisenden ersten Metallschichtbereich |
CN108696984A (zh) * | 2017-04-03 | 2018-10-23 | 赛米控电子股份有限公司 | 包括具有角部的第一金属层区域的基底 |
CN108696984B (zh) * | 2017-04-03 | 2022-03-11 | 赛米控电子股份有限公司 | 包括具有角部的第一金属层区域的基底 |
US11133271B2 (en) | 2018-03-01 | 2021-09-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7047895B2 (ja) | 2018-03-01 | 2022-04-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2020149023A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2020149023A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2021-09-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7052887B2 (ja) | 2019-01-16 | 2022-04-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11521941B2 (en) | 2019-01-16 | 2022-12-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with a substrate having depressions formed thereon |
EP3696851A1 (en) * | 2019-02-18 | 2020-08-19 | Infineon Technologies AG | Semiconductor arrangement and method for producing the same |
US11688712B2 (en) | 2019-02-18 | 2023-06-27 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor arrangement and method for producing the same |
US11955450B2 (en) | 2019-02-18 | 2024-04-09 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a semiconductor arrangement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6278516B2 (ja) | 2018-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006240955A (ja) | セラミック基板、セラミック回路基板及びそれを用いた電力制御部品。 | |
JP2008010520A (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP6278516B2 (ja) | パワーモジュール用基板 | |
JP2008235852A (ja) | セラミックス基板及びこれを用いた半導体モジュール | |
JP2008251671A (ja) | 放熱基板およびその製造方法および電子部品モジュール | |
JP2007053349A (ja) | 絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP2010097963A (ja) | 回路基板及びその製造方法、電子部品モジュール | |
JP6904094B2 (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
JP4124040B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6129090B2 (ja) | パワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法 | |
JP4496404B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 | |
JP6149654B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2013175667A (ja) | 多数個取りセラミック回路基板 | |
JP2006351988A (ja) | セラミック基板、セラミック回路基板及びそれを用いた電力制御部品。 | |
JP2017139508A (ja) | パワーモジュール用基板製造のための接合体 | |
JP6124521B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP4498966B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板 | |
TWI636719B (zh) | 結合金屬與陶瓷基板的製造方法 | |
JP2012114203A (ja) | 絶縁基板とその製造方法および電力半導体装置 | |
JP6565735B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール並びにパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2006245436A (ja) | 窒化珪素配線基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
JP2007088272A (ja) | セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュール | |
JP2004307307A (ja) | セラミックス回路基板とその製造方法 | |
JP2012222324A (ja) | 半導体装置 | |
JP2018006377A (ja) | 複合基板、電子装置および電子モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180112 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6278516 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |