CN112638046B - 一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，包括以下步骤：S1：在清洗去除氧化物、油污后的陶瓷覆铜板上滚压上干膜；S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干制备线路，陶瓷覆铜板可一次性也可分步依次经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱，速度为0.3～1.5m/min；S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；S5：印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后UV全板曝光；S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，依次经蚀刻、退膜、水洗、烘干工序，过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷覆铜板制造技术领域，具体是一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法。
背景技术
因陶瓷覆铜板具有载流能力强、热导热高、绝缘耐压性能优异等特性，其成为电力电子领域功率模块最为优良的封装材料，一般用作芯片的衬板，起着绝缘、散热、线路连接等关键作用。随着第三代功率半导体的兴起，功率模块载流能力不断提升，要求陶瓷覆铜板铜厚度不断增加，加之芯片功率提升，导致工作环境温差不断增大，带来热应力急剧增加，使得陶瓷覆铜板失效风险显著增加。提升陶瓷覆铜板可靠性成为研究热点，发展高可靠陶瓷覆铜板成为行业趋势。目前，主要通过改进工艺、制备更耐热冲击的陶瓷材料等方式，以提升陶瓷覆铜板的可靠性。
发明内容
本发明通过二次蚀刻法，制备弧形阶梯状铜层，可有效释放陶瓷覆铜板热应力，实现低成本制备高可靠陶瓷覆铜板的目的。即第一次滚压干膜，通过蚀刻制备所需线路，第二次印制湿膜，再蚀刻制得凹弧形台阶状铜层，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法包括以下步骤：
S1：在清洗去除氧化物、油污后，且铜厚为0.2～0.8mm的陶瓷覆铜板上滚压上干膜；
S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；
S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干工序去除多余铜皮，制备线路，陶瓷覆铜板经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱的速度均为0.3～1.5m/min；
S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；
S5：对印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后，进行UV全板曝光；
S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，陶瓷覆铜板依次经过蚀刻、退膜、水洗、烘干工序制得凹弧形台阶状结构，蚀刻过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min；
作为本发明进一步的方案：所述S1步骤中滚压干膜在压力3～6Kg/cm2,温度80～150℃，速度0.5～3m/min下完成。
作为本发明进一步的方案：所述S3步骤中显影所使用的显影液为1.0～4.0wt％碳酸钠溶液，蚀刻所用的蚀刻液盐酸氯酸钠体系，所述蚀刻液酸当量为0.5～3.0N，氯酸钠浓度为15～60g/L，S3步骤中退膜所使用的退膜液为3～7wt％氢氧化钠溶液，水洗采用常温纯水。
作为本发明进一步的方案：所述S6步骤中蚀刻所用的蚀刻液盐酸氯酸钠体系，所述蚀刻液酸当量为0.5～3.0N，氯酸钠浓度为15～60g/L，退膜所使用的退膜液为3～7wt％氢氧化钠溶液，水洗采用常温纯水。
作为本发明进一步的方案：所述S3步骤中，陶瓷覆铜板显影时显影缸的温度为30±10℃，蚀刻时蚀刻缸的温度为50±10℃，退膜时退膜缸的温度为45±10℃，烘干温度为90℃±20。
作为本发明进一步的方案：所述S6步骤中，陶瓷覆铜板蚀刻时蚀刻缸的温度为50±10℃，退膜时退膜缸的温度为45±10℃，烘干温度为90±20℃。
作为本发明进一步的方案：所述S3、S6步骤中，蚀刻所采用的喷淋为垂直喷淋，喷淋的前排喷头与后排喷头错开放置。
作为本发明进一步的方案：所述S3步骤中，显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干在同一条线体一次性完成，均采用喷淋的方式喷淋药液。
作为本发明进一步的方案：所述S5步骤中，进行UV全板曝光所使用丝网为不锈钢网。
作为本发明进一步的方案：所述S2步骤中，采用LDI曝光其曝光能量为400±20MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在8～11级范围内；采用UV曝光其曝光能量为40±5MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在6～9级范围内，步骤5采用UV全板曝光，曝光能量为40±5MJ/cm2。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过两次蚀刻，且第一次蚀刻采用干膜作为掩膜进行蚀刻得到金属图形，其效率高、成本低，有利于制备台阶侧边为凹弧图形的凹弧形台阶状结构；第二次采用印制机通过CCD对位的方式，将油墨作为掩膜印制在已有图形的陶瓷覆铜板上，油墨图线宽小于产品线宽0.5～2mm，采用喷淋的方式，快速蚀刻，才能制备凹弧形台阶状结构，如图3，最终制备带有凹弧形台阶状结构的产品。凹弧形台阶状结构可使金属层与陶瓷基板夹角变小，在受到热冲击过程中应力小，又尽可能的保证金属图形线宽的精确，显著提高产品耐热冲击能力，进而提高了产品的可靠性。且此方法只在原蚀刻工艺上进行了优化，不需要引入新的设备及材料，工艺非常简单，成本低，易于实施。
附图说明
图1为本发明工艺流程图；
图2为对比例2-3蚀刻出的铜层截面图；
图3为实施例1蚀刻出的铜层截面图；
图中：1-干膜层、2-铜层、3-陶瓷基板、4-湿膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，包括以下步骤：
S1：经过除油，酸洗，纯水，将表面油污，氧化物及灰层等杂质去除后的铜厚为0.2～0.8mm陶瓷覆铜板上滚压上干膜，所述滚压上干膜在压力3～6Kg/cm2,温度80～150℃，速度0.5～3m/min下完成，保证贴膜后无气泡；
S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板进行LDI曝光或UV曝光，陶瓷覆铜板用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm，第一次蚀刻曝光所用曝光资料线宽大于实际线宽的值过小则难以制备弧形结构，同时导致图形偏小，精度降低。采用LDI曝光其曝光能量为400±20MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在8～11级范围内，采用UV曝光其曝光能量为40±5MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在6～9级范围内；
S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干工序去除多余铜皮，制备线路，陶瓷覆铜板一次性或分次依次经过显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干，蚀刻段所采用的喷淋为垂直喷淋，喷淋的前排喷头与后排喷头错开放置，蚀刻段的清洗喷头采用30°的扇形喷淋，所用缸体均采用喷淋的方式使药液充分与板面接触，速度0.3～1.5m/min。显影所使用的显影液为1.0～4.0wt％碳酸钠溶液，蚀刻所用的蚀刻液盐酸氯酸钠体系，所述蚀刻液酸当量为0.5～3.0N，氯酸钠浓度为15～60g/L，退膜所使用的退膜液为3～7wt％氢氧化钠溶液，陶瓷覆铜板显影时显影缸的温度为30±10℃，蚀刻时蚀刻缸的温度为50±10℃，退膜时退膜缸的温度为45±10℃，烘干温度为90±20℃，水洗采用常温纯水；
S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm，对于不同厚度的产品，缩放量存在一定差异。缩放量不足导致无法制备弧形结构，缩放量大，导致线宽精度降低；
S5：对印制好油墨的陶瓷覆铜板进行UV全板曝光，曝光能量为40±5MJ/cm2；
S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板依次经过蚀刻，水洗，烘干工序制得凹弧形台阶状结构，再次蚀刻过程采用水平蚀刻线，蚀刻采用垂直喷淋的方式喷淋药液，速度为1.0～4.0m/min，蚀刻速度过慢则凹弧减弱，速度过快则无法形成凹弧。蚀刻所用的蚀刻液为盐酸氯酸钠体系，所述蚀刻液酸当量为0.5～3.0N，氯酸钠浓度为15～60g/L，退膜所使用的退膜液为3～7wt％氢氧化钠溶液，陶瓷覆铜板蚀刻时蚀刻缸的温度为50±10℃，退膜时退膜缸的温度为45±10℃，烘干温度为90±20℃，水洗采用常温纯水。
实施例1
本实施例采用第一次干膜蚀刻、第二次湿膜蚀刻制备铜片厚度为0.2mm规格陶瓷覆铜板，具体操作如下：
S1：将铜厚0.2mm陶瓷覆铜板经过除油、酸洗、纯水洗后烘干，将清洗烘干后的陶瓷覆铜板在115℃，压力4.5Kg/cm2，速度2.5m/min条件下贴干膜；
S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板进行LDI曝光，采用所述LDI曝光其曝光能量为400MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在9～10级范围内，所用菲林比实际线宽宽0.1mm；
S3：将曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后，在1.5m/min的速度下依次进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干工序去除多余铜皮，制备线路，显影所用显影液1.0wt％碳酸钠溶液，显影时显影缸温度为30℃，蚀刻所用蚀刻液属于盐酸氯酸钠体系，其中酸当量为1.8N，氯酸钠浓度为15g/L，蚀刻时蚀刻缸温度为50℃，退膜所用退膜液为5wt％氢氧化钠溶液，退膜时退膜缸温度为45℃，烘干温度为80℃，水洗采用常温纯水；
S4：使制备好线路的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在铜图形上印制油墨，油墨图形比线宽小0.5mm；
S5：将印制好油墨的陶瓷覆铜板先经过75℃烘干，再进行UV全板曝光，曝光能量为40MJ/cm2；
S6：将二次曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后在4m/min的速度下依次进行蚀刻、水洗、烘干工序，制得凹弧形台阶状结构，如图3，再次蚀刻过程采用水平蚀刻线，蚀刻采用垂直喷淋的方式喷淋药液，蚀刻所用蚀刻液属于盐酸氯酸钠体系，其中酸当量为1.5N，氯酸钠浓度为15g/L，蚀刻时蚀刻缸温度为50℃，退膜所用退膜液为5wt％氢氧化钠溶液，退膜时退膜缸温度为45℃，烘干温度为90℃，水洗采用常温纯水。
实施例2
本实施例采用第一次干膜蚀刻，第二次湿膜蚀刻制备铜厚为0.3mm的陶瓷覆铜板，本实施例与实施例1的区别在于蚀刻速度降低、油墨图形缩小，具体如下：
S1：将铜厚0.3mm陶瓷覆铜板经过除油，酸洗，纯水洗后烘干，将清洗烘干后的陶瓷覆铜板在115℃，压力4.5Kg/cm2，速度2m/min条件下贴干膜；
S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板进行LDI曝光，采用所述UV曝光其曝光能量为45MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在9级范围内，曝光所用曝光资料或菲林比实际线宽宽0.15mm；
S3：将曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后，在1m/min的速度下依次进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干工序去除多余铜皮，制备线路，显影所用显影液1.5wt％碳酸钠溶液，显影时显影缸温度为30℃，蚀刻所用蚀刻液属于盐酸氯酸钠体系，其中酸当量为1.7N，氯酸钠浓度为20g/L，蚀刻时蚀刻缸温度为52℃，退膜所用退膜液为5wt％氢氧化钠溶液，退膜时退膜缸温度为45℃，烘干温度为90℃，水洗采用常温纯水；
S4：使制备好线路的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在金属图形上涂覆油墨，油墨图形比线宽小1mm，完成二次贴膜；
S5：将印制好油墨的陶瓷覆铜板先经过75℃烘干，再进行UV全板曝光，曝光能量为45MJ/cm2；
S6：将二次曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后在2m/min的速度下依次进行蚀刻、水洗、烘干工序制得凹弧形台阶状结构，再次蚀刻过程采用水平蚀刻线，蚀刻采用垂直喷淋的方式喷淋药液，蚀刻所用蚀刻液属于盐酸氯酸钠体系，其中酸当量为1.5N，氯酸钠浓度为20g/L，蚀刻时蚀刻缸温度为52℃，退膜所用退膜液为5wt％氢氧化钠溶液，退膜时退膜缸温度为45℃，烘干温度为90℃，水洗采用常温纯水。
实施例3
本实施例采用第一次干膜蚀刻、第二次湿膜蚀刻制备铜厚为0.5mm的陶瓷覆铜板，本实施例与实施例1的区别在于蚀刻速度降低、油墨图形缩小，具体如下：
S1：将铜厚0.5mm陶瓷覆铜板经过除油，酸洗，纯水洗后烘干，将清洗烘干后的陶瓷覆铜板在120℃，压力5Kg/cm2，速度1m/min条件下贴干膜；
S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板进行LDI曝光，采用所述UV曝光其曝光能量为40MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在10级范围内，曝光所用曝光资料或菲林比实际线宽宽0.25mm；
S3：将曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后，在0.5m/min的速度下依次进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干工序去除多余铜皮，制备线路，显影所用显影液1.0wt％碳酸钠溶液，显影时显影缸温度为30℃，蚀刻所用蚀刻液属于盐酸氯酸钠体系，其中酸当量为1.7N，氯酸钠浓度为20g/L，蚀刻时蚀刻缸温度为52℃，退膜所用退膜液为5wt％氢氧化钠溶液，退膜时退膜缸温度为45℃，烘干温度为100℃，水洗采用常温纯水；
S4：使制备好线路的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在金属图形上涂覆油墨，油墨图形比线宽小2mm，完成二次贴膜；
S5：将印制好油墨的陶瓷覆铜板进行UV全板曝光，曝光能量为45MJ/cm2；
S6：将二次曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后在1.5m/min的速度下依次进行蚀刻、水洗、烘干工序制得凹弧形台阶状结构，再次蚀刻过程采用水平蚀刻线，蚀刻采用垂直喷淋的方式喷淋药液，蚀刻所用蚀刻液属于盐酸氯酸钠体系，其中酸当量为1.5N，氯酸钠浓度为20g/L，蚀刻时蚀刻缸温度为52℃，退膜所用退膜液为5wt％氢氧化钠溶液，退膜时退膜缸温度为45℃，烘干温度为100℃，水洗采用常温纯水。
对比例1
本对比例采用第一次干膜蚀刻、第二次干膜蚀刻制备铜片厚度为0.2mm规格陶瓷覆铜板，其难以制备台阶顶部凹弧形结构，具体操作如下：
S1-S3同实施例1的S1-S3步骤；
S4：将S3陶瓷覆铜板在115℃，压力4.5Kg/cm2，速度2m/min条件下贴干膜；
S5：将压上干膜的陶瓷覆铜板进行LDI曝光，采用所述LDI曝光其曝光能量为400MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在9～10级范围内，所用菲林比实际线宽小0.5mm；
S6同实施例1的S6步骤。
对比例2-1
本对比例采用第一次湿膜蚀刻、第二次湿膜蚀刻制备铜片厚度为0.3mm规格陶瓷覆铜板，其难以制备台阶底部凹弧形结构，具体操作如下：
S1：将铜厚0.3mm陶瓷覆铜板经过除油、酸洗、纯水洗后烘干，将清洗烘干后的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在金属图形上涂覆油墨，其中丝网图形线宽比实际所需线宽宽0.1mm；
S2：将印制好油墨的陶瓷覆铜板先经过75℃烘干，再进行UV全板曝光，曝光能量为45MJ/cm2；
S3同实施例2S3；
S4：使制备好线路的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在金属图形上涂覆油墨，油墨图形比线宽小1mm，完成二次贴膜；
S5重复本对比例S3。
对比例2-2
本对比例采用第一次干膜蚀刻，第二次湿膜蚀刻制备铜厚为0.3mm的陶瓷覆铜板，本对比列与实施例2的区别在于第二次湿膜蚀刻参数不同，其制备的凹弧形台阶状结构的顶部凹弧形显著减弱，具体如下：
S1-S3同实施例2的S1-S3；
S4：使制备好线路的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在金属图形上涂覆油墨，油墨图形比线宽小0.3mm，完成二次贴膜；
S5：将印制好油墨的陶瓷覆铜板先经过75℃烘干，再进行UV全板曝光，曝光能量为45MJ/cm2；
S6：将二次曝光后的陶瓷覆铜板静置30min后，在0.4m/min的速度下依次进行蚀刻、水洗、烘干工序。其余参数同实施例2。
对比例2-3
本实施例采用一次干膜蚀刻制备0.3mm的陶瓷覆铜板，本对比列与实施例2的区别在于只经过一次干膜蚀刻，无法制备梯形结构，具体如下：
本对比例铜厚0.3mm，只进行一次干膜蚀刻，其操作步骤、参数同实施例2的S1-S3步骤，其蚀刻出的铜层截面如图2。
对比例3
本对比例采用第一次湿膜蚀刻，第二次干膜蚀刻制备铜厚为0.5mm的陶瓷覆铜板，本对比列与实施例3的区别在于工艺方法不同，其无法制备台阶状顶部和底部凹弧结构，具体如下：
S1：将铜厚0.5mm陶瓷覆铜板经过除油，酸洗，纯水洗后烘干，将清洗烘干后的陶瓷覆铜板经过自动印制机，在金属图形上印制油墨，其中丝网图形线宽比实际所需线宽宽0.25mm；
S2：将印制好油墨的陶瓷覆铜板90℃烘干后，进行UV全板曝光，曝光能量为40MJ/cm2；
S3同实施例S3；
S4：使制备好线路的陶瓷覆铜板在120℃，压力5Kg/cm2，速度1m/min条件下贴干膜；
S5：将压上干膜采用所述UV曝光其曝光能量为40MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在10级范围内，曝光所用曝光资料或菲林比实际线宽小2mm；
S6同实施例S6。
上述样品采用统一图形，尺寸约为25mm×30mm，按照GJB548(b)方法1010.1，条件进行对比测试，结果如下：
表1铜厚0.2mm陶瓷覆铜板温度循环次数对比
表2铜厚0.3mm陶瓷覆铜板温度循环次数对比
表3铜厚0.5mm陶瓷覆铜板温度循环次数对比
通过第一次蚀刻采用干膜进行蚀刻，第二次采用湿膜蚀刻，第一次蚀刻曝光资料或菲林线宽比图形宽0.1～0.3mm，第一次蚀刻速度0.3～1.5m/min及第二次蚀刻速度的选择1.0～4.0m/min，采用垂直喷淋的方式，得以蚀刻出凹弧形台阶，制备了高可靠陶瓷覆铜板。表1至表3分别对比了三种规格的陶瓷覆铜板温度循环次数提升值，由表可知，三种规格陶瓷覆铜板实施例相比对比例，温度循环次数均显著提升，且铜片厚度越厚，提升幅度越明显，铜片厚度为0.5mm时，提升幅度达到125％，显著改善了陶瓷覆铜板的可靠性，提高了产品的可靠性。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (8)
1.一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在清洗去除氧化物、油污后，且铜厚为0.2～0.8mm的陶瓷覆铜板上滚压上干膜，滚压干膜在压力3～6Kg/cm2，温度80～150℃，速度0.5～3m/min下完成；
S2：将压上干膜的陶瓷覆铜板使用曝光资料进行LDI曝光或用菲林进行UV曝光，所使用曝光资料或菲林相比实际线宽宽0.1～0.3mm；
S3：对完成曝光的陶瓷覆铜板进行显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干工序去除多余铜皮，制备线路，陶瓷覆铜板经过显影缸，蚀刻缸，退膜缸，水洗缸及烘干箱的速度均为0.3～1.5m/min，蚀刻所采用的喷淋为垂直喷淋，喷淋的前排喷头与后排喷头错开放置，蚀刻段的清洗喷头采用30°的扇形喷淋；
S4：对制备好线路的陶瓷覆铜板图形区域印制油墨，油墨图形线宽小于产品线宽0.5～2mm；
S5：对印制好油墨的陶瓷覆铜板烘干后，进行UV全板曝光；
S6：对S5步骤完成曝光的陶瓷覆铜板再次蚀刻，陶瓷覆铜板依次经过蚀刻、退膜、水洗、烘干工序制得凹弧形台阶状结构，蚀刻过程采用水平蚀刻线，速度均为1～4m/min，蚀刻所采用的喷淋为垂直喷淋，喷淋的前排喷头与后排喷头错开放置。
2.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S3步骤中显影所使用的显影液为1.0～4.0wt％碳酸钠溶液，蚀刻所用的蚀刻液盐酸氯酸钠体系，所述蚀刻液酸当量为0.5～3.0N，氯酸钠浓度为15～60g/L，S3步骤中退膜所使用的退膜液为3～7wt％氢氧化钠溶液，水洗采用常温纯水。
3.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S6步骤中蚀刻所用的蚀刻液盐酸氯酸钠体系，所述蚀刻液酸当量为0.5～3.0N，氯酸钠浓度为15～60g/L，退膜所使用的退膜液为3～7wt％氢氧化钠溶液，水洗采用常温纯水。
4.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S3步骤中，陶瓷覆铜板显影时显影缸的温度为30±10℃，蚀刻时蚀刻缸的温度为50±10℃，退膜时退膜缸的温度为45±10℃，烘干温度为90±20℃。
5.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S6步骤中，陶瓷覆铜板蚀刻时蚀刻缸的温度为50±10℃，退膜时退膜缸的温度为45±10℃，烘干温度为90±20℃。
6.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S3步骤中，显影、蚀刻、退膜、水洗、烘干在同一条线体一次性完成，均采用喷淋的方式喷淋药液。
7.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S5步骤中，进行UV全板曝光所使用丝网为不锈钢网。
8.根据权利要求1所述的一种蚀刻制备高可靠陶瓷覆铜的方法，其特征在于，所述S2步骤中，采用LDI曝光其曝光能量为400±20MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在8～11级范围内；采用UV曝光其曝光能量为40±5MJ/cm2，21级曝光尺显影后格数在6～9级范围内，步骤5采用UV全板曝光，曝光能量为40±5MJ/cm2。
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