JP3360733B2 - 連続した、非ロットベースの集積回路の製造方法 - Google Patents
連続した、非ロットベースの集積回路の製造方法Info
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Description
し、特に、IC製造プロセスにおける1つ以上のステップ
により、複数のロットからIC装置のほぼ連続した流れに
おいてIC装置を追跡する方法に関するものである。
いて「製造」と称されるシリコンのような半導体材料の
ウェハの表面に形成される小さい電子回路である。一
旦、製造されると、IC′sは種々の電子特性を評価する
ためにプローブされ、IC′sが形成されているウェハか
ら個別のICダイスまたは「チップ」に切り取られ、そし
て種々の公知なICパッケージング技術を使用して顧客の
利用のために組み立てられる。公知なICパッケージング
技術としてはリードフレーム・パッケージング、チップ
−オン−ボード(COB)・パッケージング、及びフリッ
プ−チップ・パッケージングが含まれる。
後、適切に機能するのを確実にするために、種々の試験
を受ける。典型的な試験は、速度等級付け、バーン−イ
ン、及び最終試験のような種々の公知な試験ステップを
含み、IC′sの欠陥及び機能性を試験し、IC′sの速度
を等級付けする。
び試験ステップを通して典型的に追跡され、試験ステッ
プにおいてIC′sに行われた試験の結果と、IC′sが製
造プロセスを通して取った「経路」との間に相関が見ら
れる。例えば、製造プロセスを通して一群のIC′sを追
跡することにより、特定のワイヤボンディング機械上で
ワイヤ結合されたIC′sは、試験時に異常に高い故障率
を有することが測定されるかもしれない。同様に、試験
機械自体が不相応な数のIC′sを駄目にしていることが
確定されるかもしれない。いずれの場合にも、製造プロ
セスを通してIC′sを追跡すれば、問題の発生源を正確
に定めて処理することが可能となる。
ステップ12を通してIC′sを追跡する従来の手順10は、
IC′sのロットナンバーの使用を含む。ロットナンバー
は製造中にウェハにまず割り当てられる。典型的に、20
〜50のウェハのグループが単一の独特のロットナンバー
を受ける(例えば、36/1/9970)。ウェハのグループが
プローブに進むと、ウェハは典型的にはいくつかのサブ
ロットに分けられ、各サブロットは新しいロットナンバ
ーを割り当てられ(時々、「サブロット」ナンバーと称
される)、新しいロットナンバーはグループの元のロッ
トナンバーの変形である(例えば36/1/9970/0、36/1/99
70/1)。グループは製造プロセスを通じて持続するの
で、グループが典型的に多くのサブロットに分割される
まで、種々の理由のためにサブロットは分割及び再分割
され、全てのサブロットはグループの元のロットナンバ
ーを変形した形の独特のロットナンバーを有する。
テップ12を通して進行するのを待っている入力待ち行列
14から、1つのサブロット(例えばサブロットH)が受
領される。プロセスステップ12は、例えばプローブ、ウ
ェハソー、速度等級付け、バーン−イン、または最終試
験を含むIC製造プロセスにおけるいずれのステップであ
ってもよい。
き、プロセスステップ12に関連したデータ16が作成され
る。このようなデータ16は、例えば以下のようなものを
含む。プロセスステップ12の処理装置及び操作員の識
別;プロセスステップ12のセットアップに関する情報;
サブロットがプロセスステップ12を通して進行した時間
及びデータ;及びプロセスステップ12からの産出高及び
試験結果。
てしまうと、プロセスリポート18が、作成されたデータ
16に基づいて手動でまたは自動的に作成される。リポー
ト18、従ってデータ16をサブロットにおけるIC′sと関
連付け、このようにしてプロセスステップ12を通してI
C′sを追跡するために、リポート18はサブロットにお
けるIC′sのロットナンバー(例えば「H」)を列挙す
る。典型的には、データ16がサブロットにおけるIC′s
と関連付けられるのを確実にするために、リポート18は
また製造プロセスの残りの部分を通してサブロットに物
理的に付随するが、このことは、サブロットにおけるI
C′sのロットナンバーを識別する他のしるしが製造プ
ロセスを通してサブロットに物理的に付随する場合は、
必要でない。
(例えばサブロットH)は、プロセスステップ12と関連
した装置から出力待ち行列20へ取り除かれ、他のサブロ
ット(例えばサブロットI)を処理するようプロセスス
テップ12を準備する。処理されたサブロットが一旦取り
除かれると、次のサブロットが処理され得る。この「取
り除き」プロセスは必要である。なぜならば、2つのサ
ブロット(例えばサブロットH及びI)が連続的にプロ
セスステップ12を通して進行する場合、2つのサブロッ
トの各々が進行するときに、作成されたプロセスリポー
ト18とデータ16とを正しいサブロットに相関させること
が従来の追跡手順10ではできないからである。代わり
に、2つのサブロットのデータ16は混合され、従来の追
跡手順10がプロセスステップ12を通して2つのサブロッ
トを独自に追跡するのをできなくしている。
セスリポートが作成されかつ装置が既に処理されたサブ
ロットを取り除いている間、入力待ち行列にサブロット
が「待機された」ままにすることにより、しばしば非常
に高価な製造及び試験装置及び他の資源の使用の効率を
悪くするからである。サブロットを処理するために複数
の機械を並列に使用するプロセスステップにおいて、あ
る機械は使用されていないのに、他の機械は処理された
サブロットからの割当てを完了し、次のサブロットが入
力待ち行列で待機する。さらに、プロセスリポートの作
成、及び処理されたサブロットの装置からの取り除き
は、操作員による困難な手仕事を必要とする。さらに、
製造プロセスを通してサブロットに物理的に付随する必
要のあるプロセスリポートは、失われたり、損傷された
りし得、所望されるようなIC′sを追跡する手段として
の信頼性はない。
3,166号に記載されているように、不良解析をうけるI
C′sをIC′sの出所となるウェハまで戻って追跡する
際に品質管理用員を助けるための、いくつかの方法が考
案されている。IC′sのウェハまで戻ってIC′sを追跡
することにより、IC′sに関連した試験データはウェハ
に関連付けられ、ウェハが有する起こり得る問題を正確
に指摘する。このような方法は、製造ラインを「離れ
て」発生し、IC′sを識別するために各IC′sにプログ
ラム化されたいわゆる「ヒューズID′s」のような、電
気的に検索可能な識別(ID)コードの使用を含む。ヒュ
ーズID′s及び他の電気的に検索可能なIDコードは、I
C′s上の回路における選択されたヒューズまたはアン
チ−ヒューズをとばすことにより、典型的にIC′sにプ
ログラム化され、これにより回路はアクセスされるとID
コードを出力する。不幸にもこれらの方法のいずれも、
前記した従来のロットベースの追跡手順により引き起こ
される効率の悪い問題を扱ってはいない。
ロセスを通してIC′sを追跡する手順のニーズが当該技
術分野において存在する。このような手順は、IC′sが
処理されるのを待つ間に、装置を使用しないままにする
べきでない。さらに、このような手順は、従来の追跡手
順により到達されない高い信頼性を得るべきである。
装置が実質的に独自の識別(ID)コード(例えば、ヒュ
ーズID)を有するタイプの集積回路(IC)装置を追跡す
る本発明の方法は、各IC装置のIDコードを読み取るステ
ップと;ほぼ連続して製造プロセスにおける前記ステッ
プを通してIC装置の複数のロットを進行させるステップ
と;プロセスにおける前記ステップを通して各IC装置の
進行に関連した、処理装置データ、または試験データの
ようなデータを作成するステップと;及び各IC装置に対
して作成されたデータをその関連するIC装置のIDコード
を関連させるステップと;を含む。
は、プロセスにおける前記ステップを通してIC装置が追
跡されることを可能にする。さらに、IC装置の複数のロ
ットが連続して製造プロセスにおける前記ステップを通
して進行できるため、製造資源がより効率的に使用され
る。さらに、本発明の方法を使用して読み取られ、作成
されたIDコード及び関連するデータは、IC′sが製造プ
ロセスを通して進行するとき、物理的にIC′sに付随す
る必要がないため、本発明の方法は従来の追跡手順より
も信頼性がある。
造する方法であり、ウェハを複数のロットで供給するス
テップと;IC′sをウェハ上に製造するステップと;各I
C′sに、ヒューズIDのような実質的に独自の識別IDコ
ードを永久的に蓄積させるステップと;IC′sをウェハ
から分離してICダイスを形成するステップと;ICダイス
をIC装置に組立てるステップと;各IC装置におけるICか
らICコードを読み取るステップと;各IC装置を試験する
ステップと;IC装置を試験する間に:ほぼ連続して少な
くとも1つの試験ステップを通して、ウェハの複数のロ
ットからIC装置を進行させるステップと;前記試験ステ
ップを通して各IC装置の進行に関連したデータを作成す
るステップと;及び各IC装置に対して作成されたデータ
をその関連するIC装置におけるICのIDコードと関連させ
るステップと;を含む。
するとき、IC製造プロセスに関連するプロセス変数を、
IC装置の性能変数に関連付ける方法は、複数のロットか
ら複数のIC′sの各々に、ヒューズIDのような実質的に
独自のIDコードを永久的に蓄積させるステップと;各IC
装置からIDコードを読み取るステップと;ほぼ連続して
製造プロセスにおける少なくとも1つのステップを通し
て複数のロットからIC装置を進行させるステップと;IC
装置が製造プロセスにおける前記ステップを通して進行
する間に、プロセスにおける前記ステップと関連するプ
ロセス変数に関連するデータを作成するステップと;製
造プロセスにおける少なくとも1つのステップを通して
進行するとき、IC装置の少なくともいくつかの性能変数
に関連するデータを作成するステップと;プロセス変数
を性能変数と関連付けるために、各IC装置に対して作成
されたプロセス変数に関連するデータ及び性能変数に関
連するデータを、データに関連するIC装置のIDコードと
関連させるステップと;を含む。
ロセスにおけるプロセスステップを示すフロー線図であ
る。
のIC製造プロセスにおけるプロセスステップを示すフロ
ー線図である。
32を通して集積回路(IC)装置を追跡するための本発明
の方法30は、多数の混合されたロット36からIC装置を受
領するステップ34を含む。本発明は、ダイナミック ラ
ンダム アクセス メモリ(DRAM′s)、スタティック
ランダム アクセスメモリ(SRAM′s)、同期DRAM′
s(SDRAM′s)、プロセッサ、特定用途向けIC′s(A
SIC′s)、リード オンリー メモリ(ROM)IC′s、
電気的消去可能なプログラマブルROM(EEPROM)IC′s
を含むいずれかのIC装置に、及びIC装置の異なるタイプ
の混合物にも適用できることは、当業者に理解されよ
う。さらにステップ32は、組立及び試験ステップを含む
IC製造プロセスにおけるいずれかのステップであってよ
いことが理解されよう。ステップ32が、単一の機械、機
械の一部、直列または並列に動作する多くの機械、また
はこれらの組合せによる処理を含んでいてもよいことも
理解されよう。さらに、多数の、混合されたロット36か
らIC装置を受領するステップ34が、IC装置が出てくるロ
ットに注意を払うことはなく従って、伝統的なロットベ
ースの手順よりもより効率的な処理装置の使用を可能に
することが理解されよう。本発明は理解を容易にするた
めに単一のプロセスステップ32において実行されるよう
に記載されているが、本発明はオールバック−エンド試
験ステップのような一連のプロセスステップ上で一層典
型的に実行されることも、勿論理解されよう。
独特の識別(ID)コードにより各々プログラム化され
る。簡単に言えば、IC装置上の回路におけるヒューズま
たはアンチヒューズを選択的にとばすことにより、ヒュ
ーズIDはIC装置にプログラム化され、それにより、回路
がアクセスされるとIDコードを出力する。各IC装置にプ
ログラム化されるIDコードは、例えばロットナンバー、
ウェハナンバー、及びIC装置のウェハ位置を特定するこ
とにより独特であることが好ましいが、本発明を実行す
るためには必要なことではない。例えば、IDコードが、
同じ半導体ウェハから、または同じロットから取り出さ
れた全てのIC装置に対して同じであるとしても、本発明
の目的のためには問題がない。
たは後に、IC装置のIDコードが読み取られ、データ38と
してコンピュータに蓄積される。IC装置はプロセスステ
ップ32を通して進行すると、プロセスステップ32に関連
したデータ40が各IC装置のために作成される。このよう
なデータ40は、使用される処理装置、操作員の存在、セ
ットアップ、及びプロセスステップ32の処理の時間及び
日付のようなプロセス変数、及びプロセスステップ32か
らの産出高及び試験結果のような性能変数を例えば含ん
でいてよい。プロセスステップ32のセットアップは、例
えば、標準セットアップまたは技術職員による特殊ワー
クリクエスト(SWR)によるセットアップを含み得る。
と、前のプロセスステップで作成されたIDコードデータ
とに共通なIDコードを参照することにより、IDコードデ
ータ38及びプロセス関連データ40は、プロセスステップ
32の前のプロセスステップからのデータとコンピュータ
により自動的に相関され得る。結果として、使用される
処理機械のようなプロセス変数と、試験結果のような性
能変数との間に、相関関係が見られる。これにより例え
ば、特殊な供給者により供給された半導体ウェハの特定
の部分から取り出されたIC装置は、特定の試験ステップ
で異常に高い故障率を有するということが認められるか
も知れない。相関関係のプロセスは、情報がすぐに役立
つようにリアルタイムで行われるのが好ましいが、後の
時間で相関関係を行うことも本発明の範囲である。
まうと、処理されたIC装置はプロセスステップ32から混
合された出力ロット42へ出力される。ある場合において
は、他のIC装置が処理され得る前に、処理されたIC装置
は処理装置から取り除かれる必要があり、連続供給機械
のような他の場合においては、処理されたIC装置がプロ
セスステップ32から出力されつつある間に、他のIC装置
がプロセスステップ32を通して進行しつつあり、さらに
他のIC装置はプロセスステップ32により受領されつつあ
るということを理解すべきである。これらの場合のいず
れも、本発明の範囲内にある。
を、処理中に作成されたデータと関連させることによ
り、本発明の方法30はロットベースの製造に対する必要
性を完全に避けているのを理解すべきである。入力ロッ
ト36及び出力ロット42は、ロットに注意を払うことなく
混合され得、プロセスステップ32によるIC装置の処理は
ほぼ連続して進行され得、このように処理装置の利用を
劇的に改善している。さらに、本発明の方法を使用して
読み取られ、かつ作成されたIDコード及び関連のデータ
は、IC′sが製造プロセスを通して進行するときに物理
的にIC′sに付随する必要がないため、本発明の方法は
従来の追跡手順よりも信頼性がある。
この説明した実施形態に制限するものではない。例え
ば、本発明はその範囲内に、シングル インライン メ
モリ モジュール(SIMM′s)、デュアル インライン
メモリ モジュール(DIMM′s)、及び前記したIC装
置の製造を含む。従って、本発明は、説明した本発明の
原理に従って作用する全ての均等な方法をその範囲内に
含む、添付された請求の範囲によってのみ制限されるも
のである。
Claims (26)
- 【請求項1】集積回路(IC)装置製造プロセスにおい
て、該プロセスにおけるあるステップを通してIC装置の
複数のロットを追跡する方法であり、 各IC装置に実質的に独自の識別(ID)コードを供給する
ステップと; 複数のロットの各々における各IC装置のIDコードを読み
取るステップと; ほぼ連続して製造プロセスにおける前記ステップを通し
て複数のロットのIC装置を進行させるステップと; プロセスにおける前記ステップを通しての各IC装置の進
行に関連したデータを作成するステップと; IC装置の複数のロットがプロセスにおける前記ステップ
を通して追跡され得るように、各IC装置に対して作成さ
れたデータをその関連するIC装置のIDコードと関連させ
るステップと; 前記読み取られたIDコードのうち共通するIDコードを参
照することにより、前記各IC装置に対して作成されたプ
ロセスステップのデータと以前のプロセスステップのデ
ータとを相関するステップと; を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項2】各IC装置が実質的に独自の、電気的に検索
可能なIDコードによりプログラム化され、各IC装置のID
コードを読み取るステップが各IC装置のIDコードを電気
的に検索することを含むことを特徴とする請求項1に記
載の方法。 - 【請求項3】各IC装置が独自のヒューズIDによりプログ
ラム化され、各IC装置のIDコードを読み取るステップ
が、各IC装置にプログラム化されたヒューズIDを読み取
ることを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項4】IC装置製造プロセスにおける前記ステップ
が組立ステップを含み、IC装置製造プロセスにおける前
記ステップを通して複数のロットのIC装置を進行させる
ステップが、組立ステップを通してIC装置を進行させる
ことを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項5】IC装置製造プロセスにおける前記ステップ
は試験ステップを含み、IC装置製造プロセスにおける前
記ステップを通して複数のロットのIC装置を進行させる
ステップが、試験ステップを通してIC装置を進行させる
ことを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項6】IC装置製造プロセスにおける前記ステップ
を通してIC装置を進行させるステップの前に、各IC装置
のIDコードを読み取るステップが起こることを特徴とす
る請求項1に記載の方法。 - 【請求項7】製造プロセスにおける前記ステップを通し
てIC装置を進行させるステップが、製造プロセスにおけ
る前記ステップと関連した複数の機械を通して連続的に
IC装置を進行させることを含むことを特徴とする請求項
1に記載の方法。 - 【請求項8】製造プロセスにおける前記ステップを通し
てIC装置を進行させるステップが、製造プロセスにおけ
る前記ステップに関連した並列の機械を通してIC装置を
進行させることを含むことを特徴とする請求項1に記載
の方法。 - 【請求項9】プロセスにおける前記ステップを通して各
IC装置の進行に関連したデータを作成するステップが、
処理装置データ、処理用員データ、処理セットアップデ
ータ、時間及び日付データ、産出高データ、及び試験デ
ータを含むグループから選択されるデータを作成するこ
とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項10】さらに各IC装置のIDコードを蓄積するス
テップを含み、各IC装置に対して作成されたデータをそ
の関連するIC装置のIDコードと関連させるステップが、
その関連するIC装置の蓄積されたIDコードに関連させて
各IC装置に対して作成されたデータを蓄積することを含
むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項11】各IC装置が関連するロットIDを有し、各
IC装置に対して作成されたデータをその関連するIC装置
のIDコードと関連させるステップが、その関連するIC装
置のロットIDコードに関連させて、各IC装置に対して作
成されたデータを蓄積することを含むことを特徴とする
請求項1に記載の方法。 - 【請求項12】集積回路(IC)装置製造プロセスにおい
て、プロセスにおけるバック−エンド試験ステップを通
してIC装置の複数のロットを追跡する方法であり、 各IC装置を独自のヒューズ識別(ID)によりプログラム
化するステップと; 各バック−エンド試験ステップに対して、複数の各ロッ
トにおける各IC装置のヒューズIDを読み取るステップ
と; ほぼ連続して製造プロセスにおける前記バック−エンド
試験ステップを通して複数のロットのIC装置を進行させ
るステップと; 前記バック−エンド試験ステップを通して各IC装置の進
行に関連したデータを作成するステップと; IC装置の複数のロットが前記バック−エンド試験ステッ
プを通して追跡され得るように、各IC装置に対して作成
されたデータをその関連するIC装置のヒューズIDと関連
させるステップと; 前記読み取られたヒューズIDのうち共通するヒューズID
を参照することにより、前記各IC装置に対して作成され
た試験ステップのデータと以前の試験ステップのデータ
とを相関するステップと; を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項13】半導体ウェハから集積回路(IC)装置を
製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップ
と; 複数のIC′sを各ウェハ上に製造するステップと; 各ウェハ上の各IC′sに、実質的に独自の識別(ID)コ
ードを永久的に蓄積させるステップと; 各ウェハ上の各IC′sをウェハから分離して複数のICダ
イスの1つを形成するステップと; 各ICダイスをIC装置に組立てるステップと; 各IC装置におけるICからIDコードを読み取るステップ
と; 各IC装置を試験するステップと; IC装置を試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも1つの試験ステップを通して半
導体ウェハの複数のロットからIC装置を進行させるステ
ップと; 前記試験ステップを通して各IC装置の進行に関連したデ
ータを作成するステップと; 複数のロットからIC装置が試験ステップを通して追跡さ
れ得るように、各IC装置に対して作成されたデータをそ
の関連するIC装置におけるICのIDコードと関連させるス
テップと; 前記読み取られたIDコードのうち共通するIDコードを参
照することにより、前記各IC装置に対して作成された試
験ステップのデータと以前の試験ステップのデータとを
相関するステップと; を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項14】複数のIC′sを各ウェハ上に製造するス
テップが、ダイナミック ランダム アクセス メモリ
(DRAM)IC′s、スタティック ランダム アクセス
メモリ(SRAM)IC′s、同期DRAM(SDRAM)IC′s、プ
ロセッサIC′s、特定用途向けIC′s(ASIC′s)、リ
ード オンリー メモリ(ROM)IC′s、及び電気的消
去可能なプログラマブルROM(EEPROM)IC′sを含むグ
ループから選択される異なるタイプのIC′sを製造する
ことを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 【請求項15】各ウェハ上の各IC′sに、実質的に独自
のIDコードを永久的に蓄積させるステップが、独自のヒ
ューズIDを永久的に蓄積するために各ウェハ上の各IC′
sをプログラム化することを含むことを特徴とする請求
項13に記載の方法。 - 【請求項16】独自のヒューズIDを永久的に蓄積するた
めに、各ウェハ上の各IC′sをプログラム化するステッ
プが、ロットID、ウェハID、及びダイ位置を示す独自の
ヒューズIDを永久的に蓄積するために各ウェハ上の各I
C′sにおけるヒューズ及びアンチ−ヒューズの少なく
とも1つをプログラム化することを含むことを特徴とす
る請求項15に記載の方法。 - 【請求項17】各ICダイスをIC装置に組立てるステップ
が、各ICダイスを、リードフレームIC装置、チップ−オ
ン−ボード(COB)IC装置、及びフリップ−チップIC装
置を含むグループから選択されるIC装置に組立てること
を含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 【請求項18】各IC装置を試験するステップが、速度等
級付け、バーン−イン、及び最終の試験ステップを含む
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 【請求項19】前記試験ステップを通して各IC装置の進
行に関連したデータを作成するステップが、IC装置が進
行した試験ステップを識別するデータ、及びそれら試験
ステップの合格/不合格結果を識別するデータを作成す
ることを含み、さらに、当該方法は、IC装置がほぼ連続
的に進行する前記の少なくとも1つの試験ステップの
後、少なくとも1つの試験ステップを通してIC装置を進
行させる前に、IC装置が進行してしまって、識別された
試験ステップを合格したことを確認するステップを含む
ことを特徴とする請求項13に記載の方法。 - 【請求項20】さらに、IDコードに関するいくつかのIC
装置を保持するステップを含むことを特徴とする請求項
13に記載の方法。 - 【請求項21】集積回路(IC)装置製造プロセスにおい
て、プロセスを通して進行するとき、プロセス変数をIC
装置の性能変数に関連付ける方法であり、 永久的に蓄積された実質的に独自の識別(ID)コードを
有する複数のロットから複数のIC装置を供給するステッ
プと; 各IC装置からIDコードを読み取るステップと; ほぼ連続して製造プロセスにおける少なくとも1つのス
テップを通して複数のロットからIC装置を進行させるス
テップと; IC装置が製造プロセスにおける前記ステップを通して進
行する間に、 プロセスにおける前記ステップと関連するプロセス変数
に関連するデータを作成するステップと; 製造プロセスにおける少なくとも1つのステップを通し
て進行するとき、IC装置の少なくともいくつかの性能変
数に関連するデータを作成するステップと; プロセス変数を性能変数と関連付けるために、各IC装置
に対して作成されたプロセス変数に関連するデータ及び
性能変数に関連するデータを、データに関連するIC装置
のIDコードと関連させるステップと; 前記読み取られたIDコードのうち共通するIDコードを参
照することにより、前記各IC装置に対して作成されたプ
ロセス変数データ及び性能変数データと以前のプロセス
ステップのプロセス変数データ及び性能変数データとを
相関するステップと; を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項22】プロセスにおける前記ステップと関連す
るプロセス変数に関するデータを作成するステップが、
処理装置、処理用員、処理セットアップ、時間及び日付
を含むグループから選択されるプロセス変数に関するデ
ータを作成することを含むことを特徴とする請求項21に
記載の方法。 - 【請求項23】製造プロセスにおける少なくとも1つの
ステップを通して進行するとき、IC装置の少なくともい
くつかの性能変数に関するデータを作成するステップ
が、産出高及び試験結果を含むグループから選択される
性能変数に関するデータを作成することを含むことを特
徴とする請求項21に記載の方法。 - 【請求項24】永久的に蓄積された実質的に独自のIDコ
ードを有する複数のロットから複数のIC装置の各々を供
給するステップが、IC装置のロットID、ウェハID、及び
ダイ位置を特定する独自のヒューズIDを永久的に蓄積す
るために、複数のIC装置の各々をプログラム化すること
を含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 【請求項25】半導体ウェハからシングル インライン
メモリ モジュール(SIMM′s)を製造する方法であ
り、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップ
と; 複数のIC′sを各ウェハ上に製造するステップと; 各ウェハ上の各IC′sに、実質的に独自の識別(ID)コ
ードを永久的に蓄積させるステップと; 各ウェハ上の各IC′sをウェハから分離して複数のICダ
イスの1つを形成するステップと; ICダイスから複数のSIMM′sを組立てるステップと; 各SIMM′sにおけるICダイスからIDコードを読み取るス
テップと; 各SIMM′sにおける各ICダイスを試験するステップと; ICダイスを試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも1つの試験ステップを通してIC
ダイス及びSIMM′sを進行させるステップと; 前記試験ステップを通してICダイスの進行に関連したデ
ータを作成するステップと; 複数のロットからのICダイスが試験ステップを通して追
跡され得るように、各ICダイスに対して作成されたデー
タを関連するICダイにおけるICのIDコードと関連させる
ステップと; 前記読み取られたIDコードのうち共通するIDコードを参
照することにより、前記各IC装置に対して作成された試
験ステップのデータと以前の試験ステップのデータとを
相関するステップと; を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項26】半導体ウェハからデュアル インライン
メモリ モジュール(DIMM′s)を製造する方法であ
り、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップ
と; 複数のIC′sを各ウェハ上に製造するステップと; 各ウェハ上の各IC′sに、実質的に独自の識別(ID)コ
ードを永久的に蓄積させるステップと; 各ウェハ上の各IC′sをウェハから分離して複数のICダ
イスの1つを形成するステップと; ICダイスから複数のDIMM′sを組立てるステップと; 各DIMM′sにおけるICダイスからIDコードを読み取るス
テップと; 各DIMM′sにおける各ICダイスを試験するステップと; ICダイスを試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも1つの試験ステップを通してIC
ダイス及びDIMM′sを進行させるステップと; 前記試験ステップを通してICダイスの進行に関連したデ
ータを作成するステップと; 複数のロットからICダイスが試験ステップを通して追跡
され得るように、各ICダイスに対して作成されたデータ
を関連するICダイにおけるICのIDコードと関連させるス
テップと; 前記読み取られたIDコードのうち共通するIDコードを参
照することにより、前記各IC装置に対して作成された試
験ステップのデータと以前の試験ステップのデータとを
相関するステップと; を含むことを特徴とする方法。
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