JP2001510638A - 連続した、非ロットベースの集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 独自のヒューズ識別（ＩＤ）を有する各種の集積装置（ＩＣ）の、連続した非ロットベースの製造方法（３０）は、各ＩＣ装置のヒューズＩＤを読み取るステップと、連続してステップ（３２）を通してＩＣ装置の複数のロットを進行させるステップと、プロセスにおけるステップ（３２）を通して各ＩＣ装置の進行に関する試験データを作成するステップと、及び、各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置のヒューズＩＤと関連させ、ＩＣ装置がプロセスにおける前記ステップを通して追跡されることを可能にするステップとを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 連続した、非ロットベースの集積回路の製造方法 発明の背景 技術分野： 本発明は一般に集積回路（ＩＣ）の製造に関し、特に、ＩＣ製造 プロセスにおける１つ以上のステップにより、複数のロットからＩＣ装置のほぼ 連続した流れにおいてＩＣ装置を追跡する方法に関するものである。 背景技術： 集積回路（ＩＣ’ｓ）は、ＩＣ製造プロセスにおいて「製造」と 称されるシリコンのような半導体材料のウェハの表面に形成される小さい電子回 路である。一旦、製造されると、ＩＣ’ｓは種々の電子特性を評価するためにプ ローブされ、ＩＣ’ｓが形成されているウェハから個別のＩＣダイスまたは「チ ップ」に切り取られ、そして種々の公知なＩＣパッケージング技術を使用して顧 客の利用のために組み立てられる。公知なＩＣパッケージング技術としてはリー ドフレーム・パッケージング、チップ−オン−ボード(ＣＯＢ)・パッケージング 、及びフリップ−チップ・パッケージングが含まれる。 製造プロセスの間、ＩＣ’ｓは一般に、一旦出荷された後、適切に機能するの を確実にするために、種々の試験を受ける。典型的な試験は、速度等級付け、バ ーン−イン、及び最終試験のような種々の公知な試験ステップを含み、ＩＣ’ｓ の欠陥及び機能性を試験し、ＩＣ’ｓの速度を等級付けする。 ＩＣ’ｓは、前記したような製造、プローブ、組立、及び試験ステップを通し て典型的に追跡され、試験ステップにおいてＩＣ’ｓに行われた試験の結果と、 ＩＣ’ｓが製造プロセスを通して取った「経路」との間に相関が見られる。例え ば、製造プロセスを通して一群のＩＣ’ｓを追跡することにより、特定のワイヤ ボンディング機械上でワイヤ結合されたＩＣ’ｓは、試験時に異常に高い故障率 を有することが測定されるかもしれない。同様に、試験機械自体が不相応な数の ＩＣ’ｓを駄目にしていることが確定されるかもしれない。いずれの場合にも、 製造プロセスを通してＩＣ’ｓを追跡すれば、問題の発生源を正確に定めて処理 することが可能となる。 図１に示すように、ＩＣ製造プロセスにおけるプロセスステップ１２を通して ＩＣ’ｓを追跡する従来の手順１０は、ＩＣ’ｓのロットナンバーの使用を含む 。ロットナンバーは製造中にウェハにまず割り当てられる。典型的に、２０〜５ ０のウェハのグループが単一の独特のロットナンバーを受ける(例えば、３６／ １／９９７０)。ウェハのグループがプローブに進むと、ウェハは典型的にはい くつかのサブロットに分けられ、各サブロットは新しいロットナンバーを割り当 てられ(時々、「サブロット」ナンバーと称される)、新しいロットナンバーはグ ループの元のロットナンバーの変形である(例えば３６／１／９９７０／０、３ ６／１／９９７０／１)。グループは製造プロセスを通じて持続するので、グル ープが典型的に多くのサブロットに分割されるまで、種々の理由のためにサブロ ットは分割及び再分割され、全てのサブロットはグループの元のロットナンバー を変形した形の独特のロットナンバーを有する。 従来の追跡手順１０において、サブロットがプロセスステップ１２を通して進 行するのを待っている入力待ち行列１４から、１つのサブロット（例えばサブロ ットＨ）が受領される。プロセスステップ１２は、例えばプローブ、ウェハソー 、速度等級付け、バーン−イン、または最終試験を含むＩＣ製造プロセスにおけ るいずれのステップであってもよい。 サブロットがプロセスステップ１２を通して進行するとき、プロセスステップ １２に関連したデータ１６が作成される。このようなデータ１６は、例えば以下 のようなものを含む。プロセスステップ１２の処理装置及び操作員の識別；プロ セスステップ１２のセットアップに関する情報；サブロットがプロセスステップ １２を通して進行した時間及びデータ；及びプロセスステップ１２からの産出高 及び試験結果。 一旦サブロットがプロセスステップ１２を通して進行してしまうと、プロセス リポート１８が、作成されたデータ１６に基づいて手動でまたは自動的に作成さ れる。リポート１８、従ってデータ１６をサブロットにおけるＩＣ’ｓと関連付 け、このようにしてプロセスステップ１２を通してＩＣ’ｓを追跡するために、 リポート１８はサブロットにおけるＩＣ’ｓのロットナンバー（例えば「Ｈ」）を 列挙する。典型的には、データ１６がサブロットにおけるＩＣ’ｓと関連付けら れるのを確実にするために、リポート１８はまた製造プロセスの残りの部分を通 してサブロットに物理的に付随するが、このことは、サブロットにおけるＩＣ’ ｓのロットナンバーを識別する他のしるしが製造プロセスを通してサブロットに 物理的に付随する場合は、必要でない。 作成されたリポート１８と共に、処理されたサブロット（例えばサブロットＨ ）は、プロセスステップ１２と関連した装置から出力待ち行列２０へ取り除かれ 、他のサブロット（例えばサブロットＩ）を処理するようプロセスステップ１２ を準備する。処理されたサブロットが一旦取り除かれると、次のサブロットが処 理され得る。この「取り除き」プロセスは必要である。なぜならば、２つのサブ ロット（例えばサブロットＨ及びＩ）が連続的にプロセスステップ１２を通して 進行する場合、２つのサブロットの各々が進行するときに、作成されたプロセス リポート１８とデータ１６とを正しいサブロットに相関させることが従来の追跡 手順１０ではできないからである。代わりに、２つのサブロットのデータ１６は 混合され、従来の追跡手順１０がプロセスステップ１２を通して２つのサブロッ トを独自に追跡するのをできなくしている。 前記した従来の追跡手順は問題がある。理由は、プロセスリポートが作成され かつ装置が既に処理されたサブロットを取り除いている間、入力待ち行列にサブ ロットが「待機された」ままにすることにより、しばしば非常に高価な製造及び 試験装置及び他の資源の使用の効率を悪くするからである。サブロットを処理す るために複数の機械を並列に使用するプロセスステップにおいて、ある機械は使 用されていないのに、他の機械は処理されたサブロットからの割当てを完了し、 次のサブロットが入力待ち行列で待機する。さらに、プロセスリポートの作成、 及び処理されたサブロットの装置からの取り除きは、操作員による困難な手仕事 を必要とする。さらに、製造プロセスを通してサブロットに物理的に付随する必 要のあるプロセスリポートは、失われたり、損傷されたりし得、所望されるよう なＩＣ’ｓを追跡する手段としての信頼性はない。 米国特許第５，３０１，１４３号、第５，２９４，８１２号、及び第５，１０ ３，１６６号に記載されているように、不良解析をうけるＩＣ’ｓをＩＣ’ｓの 出所となるウェハまで戻って追跡する際に品質管理用員を助けるための、いくつ かの方法が考案されている。ＩＣ’ｓのウェハまで戻ってＩＣ’ｓを追跡するこ とにより、ＩＣ’ｓに関連した試験データはウェハに関連付けられ、ウェハが有 する起こり得る問題を正確に指摘する。このような方法は、製造ラインを「離れ て」発生し、ＩＣ’ｓを識別するために各ＩＣ’ｓにプログラム化されたいわゆ る「ヒューズＩＤ’ｓ」のような、電気的に検索可能な識別（ＩＤ）コードの使 用を含む。ヒューズＩＤ’ｓ及び他の電気的に検索可能なＩＤコードは、ＩＣ’ ｓ上の回路における選択されたヒューズまたはアンチ−ヒューズをとばすことに より、典型的にＩＣ’ｓにプログラム化され、これにより回路はアクセスされる とＩＤコードを出力する。不幸にもこれらの方法のいずれも、前記した従来のロ ットベースの追跡手順により引き起こされる効率の悪い問題を扱ってはいない。 それゆえ、より効率的に製造資源を使用するＩＣ製造プロセスを通してＩＣ’ ｓを追跡する手順のニーズが当該技術分野において存在する。このような手順は 、ＩＣ’ｓが処理されるのを待つ間に、装置を使用しないままにするべきでない 。さらに、このような手順は、従来の追跡手順により到達されない高い信頼性を 得るべきである。 発明の開示 ＩＣ製造プロセスにおけるあるステップを通して、各ＩＣ装置が実質的に独自 の識別（ＩＤ）コード（例えば、ヒューズＩＤ）を有するタイプの集積回路（Ｉ Ｃ）装置を追跡する本発明の方法は、各ＩＣ装置のＩＤコードを読み取るステッ プと；ほぼ連続して製造プロセスにおける前記ステップを通してＩＣ装置の複数 のロットを進行させるステップと；プロセスにおける前記ステップを通して各Ｉ Ｃ装置の進行に関連した、処理装置データ、または試験データのようなデータを 作成するステップと；及び各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連する ＩＣ装置のＩＤコードと関連させるステップと；を含む。 前記データをＩＤコードと関連することにより、本発明は、プロセスにおける 前記ステップを通してＩＣ装置が追跡されることを可能にする。さらに、ＩＣ装 置の複数のロットが連続して製造プロセスにおける前記ステップを通して進行で きるため、製造資源がより効率的に使用される。さらに、本発明の方法を使用し て読み取られ、作成されたＩＤコード及び関連するデータは、ＩＣ’ｓが製造プ ロセスを通して進行するとき、物理的にＩＣ’ｓに付随する必要がないため、本 発明の方法は従来の追跡手順よりも信頼性がある。 別の実施形態において、半導体ウェハからＩＣ装置を製造する方法であり、ウ ェハを複数のロットで供給するステップと；ＩＣ’ｓをウェハ上に製造するステ ップと；各ＩＣ’ｓに、ヒューズＩＤのような実質的に独自の識別ＩＤコードを 永久的に蓄積させるステップと；ＩＣ’ｓをウェハから分離してＩＣダイスを形 成するステップと；ＩＣダイスをＩＣ装置に組立てるステップと；各ＩＣ装置に おけるＩＣからＩＣコードを読み取るステップと；各ＩＣ装置を試験するステッ プと；ＩＣ装置を試験する間に：ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを 通して、ウェハの複数のロットからＩＣ装置を進行させるステップと；前記試験 ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータを作成するステップと；及 び各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置におけるＩＣの ＩＤコードと関連させるステップと；を含む。 さらに別の実施形態において、プロセスを通して進行するとき、ＩＣ製造プロ セスに関連するプロセス変数を、ＩＣ装置の性能変数に関連付ける方法は、複数 のロットから複数のＩＣ’ｓの各々に、ヒューズＩＤのような実質的に独自のＩ Ｄコードを永久的に蓄積させるステップと；各ＩＣ装置からＩＤコードを読み取 るステップと；ほぼ連続して製造プロセスにおける少なくとも１つのステップを 通して複数のロットからＩＣ装置を進行させるステップと；ＩＣ装置が製造プロ セスにおける前記ステップを通して進行する間に、プロセスにおける前記ステッ プと関連するプロセス変数に関連するデータを作成するステップと；製造プロセ スにおける少なくとも１つのステップを通して進行するとき、ＩＣ装置の少なく ともいくつかの性能変数に関連するデータを作成するステップと；プロセス変数 を性能変数と関連付けるために、各ＩＣ装置に対して作成されたプロセス変数に 関連するデータ及び性能変数に関連するデータを、データに関連するＩＣ装置の ＩＤコードと関連させるステップと；を含む。図面の簡単な説明 図１は、従来のロットベースの集積回路（ＩＣ）製造プロセスにおけるプロセ スステップを示すフロー線図である。 図２は、本発明による、ほぼ連続した非ロットベースのＩＣ製造プロセスにお けるプロセスステップを示すフロー線図である。 本発明を実施するための最適な形態 図２に示すように、ＩＣ製造プロセスにおけるステップ３２を通して集積回路 （ＩＣ）装置を追跡するための本発明の方法３０は、多数の混合されたロット３ ６からＩＣ装置を受領するステップ３４を含む。本発明は、ダイナミック ラン ダム アクセス メモリ(ＤＲＡＭ’ｓ)、スタティック ランダム アクセス メモリ(ＳＲＡＭ’ｓ)、同期ＤＲＡＭ'ｓ(ＳＤＲＡＭ'ｓ)、プロセッサ、特定用 途向けＩＣ'ｓ(ＡＳＩＣ’ｓ)、リード オンリー メモリ（ＲＯＭ）ＩＣ’ｓ 、電気的消去可能なプログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）ＩＣ’ｓを含むいず れかのＩＣ装置に、及びＩＣ装置の異なるタイプの混合物にも適用できることは 、当業者に理解されよう。さらにステップ３２は、組立及び試験ステップを含む ＩＣ製造プロセスにおけるいずれかのステップであってよいことが理解されよう 。ステップ３２が、単一の機械、機械の一部、直列または並列に動作する多くの 機械、またはこれらの組合せによる処理を含んでいてもよいことも理解されよう 。さらに、多数の、混合されたロット３６からＩＣ装置を受領するステップ３４ が、ＩＣ装置が出てくるロットに注意を払うことはなく従って、伝統的なロット ベースの手順よりもより効率的な処理装置の使用を可能にすることが理解されよ う。本発明は理解を容易にするために単一のプロセスステップ３２において実行 されるように記載されているが、本発明はオールバック−エンド試験ステップの ような一連のプロセスステップ上で一層典型的に実行されることも、勿論理解さ れよう。 ＩＣ装置は、各々、前記した公知のヒューズＩＤのような独特の識別（ＩＤ） コードにより各々プログラム化される。簡単に言えば、ＩＣ装置上の回路におけ るヒューズまたはアンチヒューズを選択的にとばすことにより、ヒューズＩＤは ＩＣ装置にプログラム化され、それにより、回路がアクセスされるとＩＤコード を出力する。各ＩＣ装置にプログラム化されるＩＤコードは、例えばロットナン バー、ウェハナンバー、及びＩＣ装置のウェハ位置を特定することにより独特で あることが好ましいが、本発明を実行するためには必要なことではない。例えば 、ＩＤコードが、同じ半導体ウェハから、または同じロットから取り出された全 てのＩＣ装置に対して同じであるとしても、本発明の目的のためには問題がない 。 ＩＣ装置がプロセスステップ３２を通して進行する前にまたは後に、ＩＣ装置 のＩＤコードが読み取られ、データ３８としてコンピュータに蓄積される。ＩＣ 装置はプロセスステップ３２を通して進行すると、プロセスステップ３２に関連 したデータ４０が各ＩＣ装置のために作成される。このようなデータ４０は、使 用される処理装置、操作員の存在、セットアップ、及びプロセスステップ３２の 処理の時間及び日付のようなプロセス変数、及びプロセスステップ３２からの産 出高及び試験結果のような性能変数を例えば含んでいてよい。プロセスステップ ３２のセットアップは、例えば、標準セットアップまたは技術職員による特殊ワ ークリクエスト（ＳＷＲ）によるセットアップを含み得る。 プロセスステップ３２で作成されたＩＤコードデータ３８と、前のプロセスス テップで作成されたＩＤコードデータとに共通なＩＤコードを参照することによ り、ＩＤコードデータ３８及びプロセス関連データ４０は、プロセスステップ３ ２の前のプロセスステップからのデータとコンピュータにより自動的に相関され 得る。結果として、使用される処理機械のようなプロセス変数と、試験結果のよ うな性能変数との間に、相関関係が見られる。これにより例えば、特殊な供給者 により供給された半導体ウェハの特定の部分から取り出されたＩＣ装置は、特定 の試験ステップで異常に高い故障率を有するということが認められるかも知れな い。相関関係のプロセスは、情報がすぐに役立つようにリアルタイムで行われる のが好ましいが、後の時間で相関関係を行うことも本発明の範囲である。 一旦ＩＣ装置がプロセスステップ３２を通して進行してしまうと、処理された ＩＣ装置はプロセスステップ３２から混合された出力ロット４２へ出力される。 ある場合においては、他のＩＣ装置が処理され得る前に、処理されたＩＣ装置は 処理装置から取り除かれる必要があり、連続供給機械のような他の場合において は、処理されたＩＣ装置がプロセスステップ３２から出力されつつある間に、他 のＩＣ装置がプロセスステップ３２を通して進行しつつあり、さらに他のＩＣ装 置はプロセスステップ３２により受領されつつあるということを理解すべきであ る。これらの場合のいずれも、本発明の範囲内にある。 処理されるＩＣ装置のＩＤコードを読み、これらのコードを、処理中に作成さ れたデータと関連させることにより、本発明の方法３０はロットベースの製造に 対する必要性を完全に避けているのを理解すべきである。入力ロット３６及び出 力ロット４２は、ロットに注意を払うことなく混合され得、プロセスステップ３ ２によるＩＣ装置の処理はほぼ連続して進行され得、このように処理装置の利用 を劇的に改善している。さらに、本発明の方法を使用して読み取られ、かつ作成 されたＩＤコード及び関連のデータは、ＩＣ’ｓが製造プロセスを通して進行す るときに物理的にＩＣ’ｓに付随する必要がないため、本発明の方法は従来の追 跡手順よりも信頼性がある。 本発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、この説明した実施形態に 制限するものではない。例えば、本発明はその範囲内に、シングル インライン メモリ モジュール(ＳＩＭＭ’ｓ)、デュアル インライン メモリ モジュ ール(ＤＩＭＭ’ｓ)、及び前記したＩＣ装置の製造を含む。従って、本発明は、 説明した本発明の原理に従って作用する全ての均等な方法をその範囲内に含む、 添付された請求の範囲によってのみ制限されるものである。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年１０月２６日（１９９８．１０．２６） 【補正内容】 請求の範囲 １．集積回路（ＩＣ）装置製造プロセスにおいて、該プロセスにおけるあるステ ップを通してＩＣ装置の複数のロットを追跡する方法であり、 各ＩＣ装置に実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを供給するステップと； 複数のロットの各々における各ＩＣ装置のＩＤコードを読み取るステップと； ほぼ連続して製造プロセスにおける前記ステップを通して複数のロットのＩＣ 装置を進行させるステップと； プロセスにおける前記ステップを通しての各ＩＣ装置の進行に関連したデータ を作成するステップと； ＩＣ装置の複数のロットがプロセスにおける前記ステップを通して追跡され得 るように、各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置のＩＤ コードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 ２．各ＩＣ装置が実質的に独自の、電気的に検索可能なＩＤコードによりプログ ラム化され、各ＩＣ装置のＩＤコードを読み取るステップが各ＩＣ装置のＩＤコ ードを電気的に検索することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ３．各ＩＣ装置が独自のヒューズＩＤによりプログラム化され、各ＩＣ装置のＩ Ｄコードを読み取るステップが、各ＩＣ装置にプログラム化されたヒューズＩＤ を読み取ることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ４．ＩＣ装置製造プロセスにおける前記ステップが組立ステップを含み、ＩＣ装 置製造プロセスにおける前記ステップを通して複数のロットのＩＣ装置を進行さ せるステップが、組立ステップを通してＩＣ装置を進行させることを含むことを 特徴とする請求項１に記載の方法。 ５．ＩＣ装置製造プロセスにおける前記ステップは試験ステップを含み、ＩＣ装 置製造プロセスにおける前記ステップを通して複数のロットのＩＣ装置を進行さ せるステップが、試験ステップを通してＩＣ装置を進行させることを含むことを 特徴とする請求項１に記載の方法。 １２．集積回路（ＩＣ）装置製造プロセスにおいて、プロセスにおけるバック− エンド試験ステップを通してＩＣ装置の複数のロットを追跡する方法であり、 各ＩＣ装置を独自のヒューズ識別(ＩＤ)によりプログラム化するステップと； 各バック−エンド試験ステップに対して、複数の各ロットにおける各ＩＣ装置 のヒューズＩＤを読み取るステップと； ほぼ連続して製造プロセスにおける前記バック−エンド試験ステップを通して 複数のロットのＩＣ装置を進行させるステップと； 前記バック−エンド試験ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータ を作成するステップと； ＩＣ装置の複数のロットが前記バック−エンド試験ステップを通して追跡され 得るように、各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置のヒ ューズＩＤと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 １３．半導体ウェハから集積回路（ＩＣ）装置を製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップと； 複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを永久的に蓄 積させるステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓをウェハから分離して複数のＩＣダイスの１つを形成 するステップと； 各ＩＣダイスをＩＣ装置に組立てるステップと； 各ＩＣ装置におけるＩＣからＩＤコードを読み取るステップと； 各ＩＣ装置を試験するステップと； ＩＣ装置を試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを通して半導体ウェハの複数の ロットからＩＣ装置を進行させるステップと； 前記試験ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータを作成するス テップと； 複数のロットからＩＣ装置が試験ステップを通して追跡され得るように、各 ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置におけるＩＣのＩＤ コードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 １４．複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップが、ダイナミック ラン ダム アクセス メモリ（ＤＲＡＭ）ＩＣ’ｓ、スタティック ランダム アク セス メモリ（ＳＲＡＭ）ＩＣ’ｓ、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）ＩＣ’ｓ、プ ロセッサＩＣ’ｓ、特定用途向けＩＣ’ｓ(ＡＳＩＣ’ｓ)、リード オンリーメ モリ（ＲＯＭ）ＩＣ’ｓ、及び電気的消去可能なプログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰ ＲＯＭ）ＩＣ’ｓを含むグループから選択される異なるタイプのＩＣ’ｓを製造 することを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 １５．各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自のＩＤコードを永久的に蓄積さ せるステップが、独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために各ウェハ上の各 ＩＣ’ｓをプログラム化することを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方 法。 １６．独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために、各ウェハ上の各ＩＣ’ｓ をプログラム化するステップが、ロットＩＤ、作動週、ウェハＩＤ、ダイ位置、 を特徴とする請求項１５に記載の方法。 １６．独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために、各ウェハ上の各ＩＣ’ｓ をプログラム化するステップが、ロットＩＤ、作動週、ウェハＩＤ、ダイ位置、 及び製造設備ＩＤを示す独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために各ウェハ 上の各ＩＣ’ｓにおけるヒューズ及びアンチ−ヒューズの少なくとも１つをプロ グラム化することを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 １７．各ＩＣダイスをＩＣ装置に組立てるステップが、各ＩＣダイスを、リード フレームＩＣ装置、チップ−オン−ボード（ＣＯＢ）ＩＣ装置、及びフリップ− チップＩＣ装置を含むグループから選択されるＩＣ装置に組立てることを含むこ とを特徴とする請求項１３に記載の方法。 １８．各ＩＣ装置を試験するステップが、速度等級付け、バーン−イン、及び最 終の試験ステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 １９．前記試験ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータを作成する ステップが、ＩＣ装置が進行した試験ステップを識別するデータ、及びそれら試 験ステップの合格／不合格結果を識別するデータを作成することを含み、さらに 、当該方法は、ＩＣ装置がほぼ連続的に進行する前記の少なくとも１つの試験ス テップの後、少なくとも１つの試験ステップを通してＩＣ装置を進行させる前に 、ＩＣ装置が進行してしまって、識別された試験ステップを合格したことを確認 するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 ２３．製造プロセスにおける少なくとも１つのステップを通して進行するとき、 ＩＣ装置の少なくともいくつかの性能変数に関するデータを作成するステップが 、産出高及び試験結果を含むグループから選択される性能変数に関するデータを 作成することを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２４．永久的に蓄積された実質的に独自のＩＤコードを有する複数のロットから 複数のＩＣ装置の各々を供給するステップが、ＩＣ装置のロットＩＤ、作動週、 ウェハＩＤ、ダイ位置、及び製造設備ＩＤを特定する独自のヒューズＩＤを永久 的に蓄積するために、複数のＩＣ装置の各々をプログラム化することを含むこと を特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２５．半導体ウェハからシングル インライン メモリ モジュール(ＳＩＭＭ ’ｓ)を製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップと； 複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを永久的に蓄 積させるステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓをウェハから分離して複数のＩＣダイスの１つを形成 するステップと； ＩＣダイスから複数のＳＩＭＭ’ｓを組立てるステップと； 各ＳＩＭＭ’ｓにおけるＩＣダイスからＩＤコードを読み取るステップと； 各ＳＩＭＭ’ｓにおける各ＩＣダイスを試験するステップと； ＩＣダイスを試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを通してＩＣダイス及びＳＩＭ Ｍ’ｓを進行させるステップと； 前記試験ステップを通してＩＣダイスの進行に関連したデータを作成するス テップと； 複数のロットからのＩＣダイスが試験ステップを通して追跡され得るように 、各ＩＣダイスに対して作成されたデータを関連するＩＣダイにおけるＩＣのＩ Ｄコードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 ２６．半導体ウェハからデュアル インライン メモリ モジュール(ＤＩＭＭ ’ｓ)を製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップと； 複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを永久的に蓄 積させるステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓをウェハから分離して複数のＩＣダイスの１つを形成 するステップと； ＩＣダイスから複数のＤＩＭＭ’ｓを組立てるステップと； 各ＤＩＭＭ’ｓにおけるＩＣダイスからＩＤコードを読み取るステップと； 各ＤＩＭＭ’ｓにおける各ＩＣダイスを試験するステップと； ＩＣダイスを試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを通してＩＣダイス及びＤＩＭ Ｍ’ｓを進行させるステップと； 前記試験ステップを通してＩＣダイスの進行に関連したデータを作成するス テップと； 複数のロットからＩＣダイスが試験ステップを通して追跡され得るように、 各ＩＣダイスに対して作成されたデータを関連するＩＣダイにおけるＩＣのＩＤ コードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．集積回路（ＩＣ）装置製造プロセスにおいて、該プロセスにおけるあるステ ップを通してＩＣ装置の複数のロットを追跡する方法であり、各ＩＣ装置は実質 的に独自の識別（ＩＤ）コードを有し、 複数のロットの各々における各ＩＣ装置のＩＤコードを読み取るステップと； ほぼ連続して製造プロセスにおける前記ステップを通して複数のロットのＩＣ 装置を進行させるステップと； プロセスにおける前記ステップを通しての各ＩＣ装置の進行に関連したデータ を作成するステップと； ＩＣ装置の複数のロットがプロセスにおける前記ステップを通して追跡され得 るように、各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置のＩＤ コードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 ２．各ＩＣ装置が実質的に独自の、電気的に検索可能なＩＤコードによりプログ ラム化され、各ＩＣ装置のＩＤコードを読み取るステップが各ＩＣ装置のＩＤコ ードを電気的に検索することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ３．各ＩＣ装置が独自のヒューズＩＤによりプログラム化され、各ＩＣ装置のＩ Ｄコードを読み取るステップが、各ＩＣ装置にプログラム化されたヒューズＩＤ を読み取ることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ４．ＩＣ装置製造プロセスにおける前記ステップが組立ステップを含み、ＩＣ装 置製造プロセスにおける前記ステップを通して複数のロットのＩＣ装置を進行さ せるステップが、組立ステップを通してＩＣ装置を進行させることを含むことを 特徴とする請求項１に記載の方法。 ５．ＩＣ装置製造プロセスにおける前記ステップは試験ステップを含み、ＩＣ装 置製造プロセスにおける前記ステップを通して複数のロットのＩＣ装置を進行さ せるステップが、試験ステップを通してＩＣ装置を進行させることを含むことを 特徴とする請求項１に記載の方法。 ６．ＩＣ装置製造プロセスにおける前記ステップを通してＩＣ装置を進行させる ステップの前に、各ＩＣ装置のＩＤコードを読み取るステップが起こることを特 徴とする請求項１に記載の方法。 ７．製造プロセスにおける前記ステップを通してＩＣ装置を進行させるステップ が、製造プロセスにおける前記ステップと関連した複数の機械を通して連続的に ＩＣ装置を進行させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ８．製造プロセスにおける前記ステップを通してＩＣ装置を進行させるステップ が、製造プロセスにおける前記ステップに関連した並列の機械を通してＩＣ装置 を進行させることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ９．プロセスにおける前記ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータ を作成するステップが、処理装置データ、処理用員データ、処理セットアップ データ、時間及び日付データ、産出高データ、及び試験データを含むグループか ら選択されるデータを作成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方 法。 １０．さらに各ＩＣ装置のＩＤコードを蓄積するステップを含み、各ＩＣ装置に 対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置のＩＤコードと関連させるステ ップが、その関連するＩＣ装置の蓄積されたＩＤコードに関連させて各ＩＣ装置 に対して作成されたデータを蓄積することを含むことを特徴とする請求項１に記 載の方法。 １１．各ＩＣ装置が関連するロットＩＤを有し、各ＩＣ装置に対して作成された データをその関連するＩＣ装置のＩＤコードと関連させるステップが、その関連 するＩＣ装置のロットＩＤコードに関連させて、各ＩＣ装置に対して作成された データを蓄積することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 １２．集積回路（ＩＣ）装置製造プロセスにおいて、プロセスにおけるバック− エンド試験ステップを通してＩＣ装置の複数のロットを追跡する方法であり、各 ＩＣ装置は独自のヒューズ識別（ＩＤ）によりプログラム化され、 各バック−エンド試験ステップに対して、複数の各ロットにおける各ＩＣ装置 のヒューズＩＤを読み取るステップと； ほぼ連続して製造プロセスにおける前記バック−エンド試験ステップを通して 複数のロットのＩＣ装置を進行させるステップと； 前記バック−エンド試験ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータ を作成するステップと； ＩＣ装置の複数のロットが前記バック−エンド試験ステップを通して追跡され 得るように、各ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置のヒ ューズＩＤと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 １３．半導体ウェハから集積回路（ＩＣ）装置を製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップと； 複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを永久的に蓄 積させるステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓをウェハから分離して複数のＩＣダイスの１つを形成 するステップと； 各ＩＣダイスをＩＣ装置に組立てるステップと； 各ＩＣ装置におけるＩＣからＩＤコードを読み取るステップと； 各ＩＣ装置を試験するステップと； ＩＣ装置を試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを通して半導体ウェハの複数の ロットからＩＣ装置を進行させるステップと； 前記試験ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータを作成するス テップと； 複数のロットからＩＣ装置が試験ステップを通して追跡され得るように、各 ＩＣ装置に対して作成されたデータをその関連するＩＣ装置におけるＩＣのＩＤ コードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 １４．複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップが、ダイナミック ラン ダム アクセス メモリ（ＤＲＡＭ）ＩＣ’ｓ、スタティック ランダム アク セス メモリ（ＳＲＡＭ）ＩＣ’ｓ、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）ＩＣ’ｓ、プ ロセッサＩＣ’ｓ、特定用途向けＩＣ’ｓ(ＡＳＩＣ’ｓ)、リード オンリーメ モリ（ＲＯＭ）ＩＣ’ｓ、及び電気的消去可能なプログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰ ＲＯＭ）ＩＣ’ｓを含むグループから選択される異なるタイプのＩＣ’ｓを製造 することを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 １５．各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自のＩＤコードを永久的に蓄積さ せるステップが、独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために各ウェハ上の各 ＩＣ’ｓをプログラム化することを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方 法。 １６．独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために、各ウェハ上の各ＩＣ’ｓ をプログラム化するステップが、ロットＩＤ、作動週、ウェハＩＤ、ダイ位置、 及び製造設備ＩＤを示す独自のヒューズＩＤを永久的に蓄積するために各ウェハ 上の各ＩＣ’ｓにおけるヒューズ及びアンチ−ヒューズの少なくとも１つをプロ グラム化することを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 １７．各ＩＣダイスをＩＣ装置に組立てるステップが、各ＩＣダイスを、リード フレームＩＣ装置、チップ−オン−ボード（ＣＯＢ）ＩＣ装置、及びフリップ− チップＩＣ装置を含むグループから選択されるＩＣ装置に組立てることを含むこ とを特徴とする請求項１３に記載の方法。 １８．各ＩＣ装置を試験するステップが、速度等級付け、バーン−イン、及び最 終の試験ステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 １９．前記試験ステップを通して各ＩＣ装置の進行に関連したデータを作成する ステップが、ＩＣ装置が進行した試験ステップを識別するデータ、及びそれら試 験ステップの合格／不合格結果を識別するデータを作成することを含み、さらに 、当該方法は、ＩＣ装置がほぼ連続的に進行する前記の少なくとも１つの試験ス テップの後、少なくとも１つの試験ステップを通してＩＣ装置を進行させる前に 、ＩＣ装置が進行してしまって、識別された試験ステップを合格したことを確認 するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 ２０．さらに、ＩＤコードに関するいくつかのＩＣ装置を保持するステップを含 むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。 ２１．集積回路（ＩＣ）装置製造プロセスにおいて、プロセスを通して進行する とき、プロセス変数をＩＣ装置の性能変数に関連付ける方法であり、 永久的に蓄積された実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを有する複数のロット から複数のＩＣ装置を供給するステップと； 各ＩＣ装置からＩＤコードを読み取るステップと； ほぼ連続して製造プロセスにおける少なくとも１つのステップを通して複数の ロットからＩＣ装置を進行させるステップと； ＩＣ装置が製造プロセスにおける前記ステップを通して進行する間に、 プロセスにおける前記ステップと関連するプロセス変数に関連するデータを作 成するステップと； 製造プロセスにおける少なくとも１つのステップを通して進行するとき、ＩＣ 装置の少なくともいくつかの性能変数に関連するデータを作成するステップと； プロセス変数を性能変数と関連付けるために、各ＩＣ装置に対して作成された プロセス変数に関連するデータ及び性能変数に関連するデータを、データに関連 するＩＣ装置のＩＤコードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 ２２．プロセスにおける前記ステップと関連するプロセス変数に関するデータを 作成するステップが、処理装置、処理用員、処理セットアップ、時間及び日付を 含むグループから選択されるプロセス変数に関するデータを作成することを含む ことを特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２３．製造プロセスにおける少なくとも１つのステップを通して進行するとき、 ＩＣ装置の少なくともいくつかの性能変数に関するデータを作成するステップが 、産出高及び試験結果を含むグループから選択される性能変数に関するデータを 作成することを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２４．永久的に蓄積された実質的に独自のＩＤコードを有する複数のロットから 複数のＩＣ装置の各々を供給するステップが、ＩＣ装置のロットＩＤ、作動週、 ウェハＩＤ、ダイ位置、及び製造設備ＩＤを特定する独自のヒューズＩＤを永久 的に蓄積するために、複数のＩＣ装置の各々をプログラム化することを含むこと を特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２５．半導体ウェハからシングル インライン メモリ モジュール(ＳＩＭＭ ’ｓ)を製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップと； 複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを永久的に蓄 積させるステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓをウェハから分離して複数のＩＣダイスの１つを形成 するステップと； ＩＣダイスから複数のＳＩＭＭ’ｓを組立てるステップと； 各ＳＩＭＭ’ｓにおけるＩＣダイスからＩＤコードを読み取るステップと； 各ＳＩＭＭ’ｓにおける各ＩＣダイスを試験するステップと； ＩＣダイスを試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを通してＩＣダイス及びＳＩＭ Ｍ’ｓを進行させるステップと； 前記試験ステップを通してＩＣダイスの進行に関連したデータを作成するス テップと； 複数のロットからのＩＣダイスが試験ステップを通して追跡され得るように 、各ＩＣダイスに対して作成されたデータを関連するＩＣダイにおけるＩＣのＩ Ｄコードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。 ２６．半導体ウェハからデュアル インライン メモリ モジュール(ＤＩＭＭ ’ｓ)を製造する方法であり、 複数の半導体ウェハを複数のロットで供給するステップと； 複数のＩＣ’ｓを各ウェハ上に製造するステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓに、実質的に独自の識別（ＩＤ）コードを永久的に蓄 積させるステップと； 各ウェハ上の各ＩＣ’ｓをウェハから分離して複数のＩＣダイスの１つを形成 するステップと； ＩＣダイスから複数のＤＩＭＭ’ｓを組立てるステップと； 各ＤＩＭＭ’ｓにおけるＩＣダイスからＩＤコードを読み取るステップと； 各ＤＩＭＭ’ｓにおける各ＩＣダイスを試験するステップと； ＩＣダイスを試験する間に、 ほぼ連続して少なくとも１つの試験ステップを通してＩＣダイス及びＤＩＭ Ｍ’ｓを進行させるステップと； 前記試験ステップを通してＩＣダイスの進行に関連したデータを作成するス テップと； 複数のロットからＩＣダイスが試験ステップを通して追跡され得るように、 各ＩＣダイスに対して作成されたデータを関連するＩＣダイにおけるＩＣのＩＤ コードと関連させるステップと； を含むことを特徴とする方法。