JPH07335510A

JPH07335510A - 半導体装置およびその識別子付与方法およびその不良解析方法

Info

Publication number: JPH07335510A
Application number: JP12763994A
Authority: JP
Inventors: Masao Sakata; 正雄坂田; Kazuko Ishihara; 和子石原; Sadao Shimosha; 貞夫下社
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-06-09
Filing date: 1994-06-09
Publication date: 1995-12-22

Abstract

(57)【要約】【目的】ウェハとチップとパッケージとにそれぞれＩ
Ｄを持たせ、不良原因の究明などを、短期間で効率よく
行えるようにすること。【構成】ＩＤ管理解析システムに各種のデータベース
１００１〜１０１１を具備させ、必要に応じて適宜ＩＤ
情報をキーにして各種データを引き出し、原因究明をし
たのち、各工程に結果をフィードバックする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置およびその識
別子付与方法およびその不良解析方法に係り、特に、そ
の製造情報を識別子として付与した半導体装置、および
上記識別子の半導体装置への付与方法、および上記識別
子を用いた半導体装置の不良解析方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造は、通常ウェハプロセ
スと呼ばれる製造過程と、組立と呼ばれる製造過程とに
分けられる。ウェハプロセスとは、ウェハと呼ばれるシ
リコンの概略円形の円板の加工であり、ウェハは現在、
例えば直径８インチ（約２００ｍｍ）サイズが用いら
れ、１枚の円板上に１００〜３００個の半導体装置を同
時に製作する方式で生産されている。ウェハプロセスを
終了したウェハは、半導体装置（チップ）に切断され、
組立工程においては、電気的接触用の導体およびチップ
を樹脂やセラミックで封止するようにされる。

【０００３】ところで、上記のような手法で製作される
半導体装置に、製造来歴情報を付与しておくと品質管理
や生産管理等々に大いに役立つことが期待できる。この
ように半導体装置に製造来歴情報を付与するようにした
従来技術としては、特開平５−７４７４８号公報（名
称；「来歴情報記録方式、及び半導体集積回路」）が挙
げられる。この先願公報に開示された技術においては、
ウェハプロセスで大量に生産されるチップ個々に、レー
ザ光で来歴情報を刻印し、これによってウェハ上での半
導体チップの位置、ウェハ番号、ロット番号を記録する
ようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た先願公報による従来技術では、チップ上の来歴情報の
活用が十分に行えない。すなわち、上記従来技術による
来歴の付与方式では、ウェハ上での半導体チップの位
置、ウェハ番号、ロット番号を、情報としてチップに付
与しているが、半導体チップの状態で来歴情報を記録し
ているため、組立工程でパッケージ化された場合には、
記録部分が判読できないという不都合が招来した。ま
た、先願公報による従来技術では、付与される来歴情報
の種類が少なく、不良解析等に際し情報量が不足してい
た。さらに、半導体装置の製造過程では、別ロット間の
ウェハを合わせてロットを作る場合もあるが、上記した
先願公報による従来技術では、この点についても考慮さ
れていなかった。

【０００５】本発明の目的は、半導体装置のチップ状態
でチップに識別子を付与し、さらに同様に、組立工程で
パッケージ化された際にも封止材（パッケージ）に識別
子を付与し、以って、識別子をどの状態でも確実に読み
取れると共に、不良原因を追求する際に確実な情報とな
り得る識別子を付与した半導体装置、および、不良が発
生した場合に、付与した識別子を用いて迅速・詳細に不
良解析を行うことのできる不良解析方法を提供すること
にある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明では、半導体装置
に付与した識別子に応じて半導体装置の製造来歴をトレ
ースできるようにすることで、半導体特有の製造方式
（ウェハプロセス、切断、組立）での不良発生とその原
因究明の期間を短縮し、これにより、歩留りの早期向上
を図り、あるいは、顧客からの不良報告に対して早期に
原因対策の処置を行うことを可能とする。以下、本発明
の概要を簡単に説明する。

【０００７】ウェハプロセスでは、識別子（ＩＤ）は、
ウェハプロセスで多用される写真蝕刻法（ホトエッチン
グ）を用いて、チップ上にチップＩＤとして付与され
る。このチップＩＤには、ロット番号やウェハ番号と関
係付けて、前工程ライン名や前工程カレンダー（日付）
情報等も記録しておく。

【０００８】組立工程では、上記したチップＩＤを含ん
だパッケージＩＤが、組立後の封止材（パッケージ）上
に印刷等で付与、もしくは、半導体装置内の専用記録領
域に電気的に書き込まれる。このパッケージＩＤには、
ウェハプロセスでの識別子（チップＩＤ情報）や、製品
に組み立てるまでの製造工程を処理する単位、組立工程
ロット番号や、製品の出荷単位、出荷先等の情報も合わ
せて記憶する。

【０００９】また、上述したチップＩＤもしくはパッケ
ージＩＤを用いることによって、製造時の投入から出荷
までの変遷を管理するシステムに記憶しているデータ
（各製造工程での製造装置、製造条件、検査結果等や、
製造したロットの変遷、製造したロットの品質データ等
々）を適宜検索する構成とする。

【００１０】

【作用】上記した手段によれば、半導体装置の製造来歴
を、各製造工程の管理単位と管理単位よりも詳細に管理
する部分とで掌握でき、また、製造条件データ等はシス
テム上にあるデータを用いるて知ることができる。

【００１１】すなわち、不良発生時には識別子から、不
良発生時の製品形態（ロット、ウェハ、チップ、製品）
での検査情報や製造来歴を情報として特定できる。ここ
で、半導体の場合には、不良の原因が前の別形態で製造
された時に作り込まれている場合が多く、本発明におけ
る識別子には前の別形態での製造来歴情報が含まれてい
るので、前の別形態の時の製造状態を特定できて、これ
により早期に原因を解析でき、対策を立案できる。ま
た、最小の単位の管理もできるので、製造工程の管理単
位での解析よりも、より詳細に解析することが可能とな
る。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示した実施例によっ
て説明する。

【００１３】まず、図１を用いて本発明の実施例で用い
られる製品のＩＤ（識別子）について説明する。製品Ｉ
Ｄは、製品の製造来歴等の情報をコード化したものであ
る。このコードをもとにして、生産管理、進捗度管理、
品質管理等が行われるようになっている。

【００１４】上記製品ＩＤの付け方について説明する。
本発明の実施例では、製品ＩＤは、ウェハＩＤ１０１
と、チップＩＤ１０２と、パッケージのＩＤ１０３（以
下、これをマーク１０３と称す）とからなっている。

【００１５】ウェハＩＤ１０１は、品種名、前工程ロッ
トＮＯ、ウェハＮＯ、前工程ライン名より構成する。チ
ップＩＤ１０２は、品種名、前工程ロットＮＯ、ウェハ
ＮＯ、チップＮＯ（ウェハ内チップ座標）、前工程ライ
ン名より構成する。マーク１０３は、品種名、前工程ロ
ットＮＯ、ウェハＮＯ、チップＮＯ、前工程ライン名、
組立ライン名、組立ロットＮＯ、選別ライン名、選別ロ
ットＮＯ、出荷日（週）、出荷日（曜日）より構成す
る。これらのコード形態は、図１に示した通りである。

【００１６】品種名は、アルファベット２文字で表さ
れ、各桁はアルファベットの大文字Ａ〜小文字ｚによっ
て表現する。前工程ロットＮＯは、アルファベット３文
字で表され、初めの１文字は前工程にウェハを投入した
月を示し、アルファベットの大文字Ａ〜Ｊで表現する。
また残りの２文字は、各桁アルファベットＡ〜ｚで表現
する。ウェハＮＯは、アルファベット１文字（Ａ〜ｚ）
で表される。前工程ライン名は、ウェハ製造を行ってい
る工場の生産ラインの名前であり、アルファベット１文
字（Ａ〜ｚ）で表される。

【００１７】チップＮＯは、図２に示すように、ウェハ
２００のオリフラを下にして、Ｘ軸（横軸）、Ｙ軸（縦
軸）を取り、例えば、原点からＸ軸方向に４チップ目、
Ｙ軸方向に３チップ目のチップは、（Ｃ，Ｄ）というよ
うに、アルファベット２文字（Ａ〜ｚ）で表現する。

【００１８】また、組立ライン名は、上記した前工程ラ
イン名と同様のルールで表現する。組立ロットＮＯは、
アルファベット３文字で表し、初めの１文字は組立工程
にチップを投入した月を示し、Ａ〜Ｊで表現する。また
残りの２文字は、各桁アルファベットＡ〜ｚで表現す
る。選別ライン名は、チップをアクセス速度と消費電力
を基にグレード分けする工程のライン名で、アルファベ
ット１文字で表す。選別ロットＮＯは、アルファベット
３文字で表され、初めの１文字は選別工程にチップを投
入した月を示し、Ａ〜Ｊで表現する。また残りの２文字
は、各桁アルファベットＡ〜ｚで表現する。出荷日
（週）は、アルファベット１文字（Ａ〜ｚ）で表現し、
１年を週で表す。例えば、１９９３年２月２０日は、そ
の年の第８週なので、Ｈで表す。また、出荷日（曜日）
は、数字１文字（１〜７）で表現する。例えば水曜日な
らば、３と表現する。

【００１９】以上のルールで、各ＩＤ１０１〜１０３の
詳細を表現する。各項目の並べ方は、図１の「コードの
意味の欄」に示す。また各項目は、単にアルファベット
等で表現してあるだけで、その詳細は、各項目毎に対応
表があり、その内容は、データベースに登録されてい
る。例えば、品種名の場合は、図３に示すような対応表
になる。

【００２０】次に、ＩＤの付与方式として、レーザや電
子ビーム等を用いてウェハやチップの表面に刻印する方
法、パッケージの表面に印刷する方法、および、チップ
（もしくは製品）内に専用記憶領域を持たせ、その領域
内にＩＤ等の必要な情報を電気的に書き込む方法につい
て説明する。

【００２１】レーザマーキングの場合、例えば、炭酸ガ
スやＹＡＧレーザ（イットリウムアルミニウムガーネッ
トレーザ）等を用いて行うと効果的である。また、レー
ザ等によるＩＤの刻印は、図４に示すように、文字マス
クを用いて行なうか（図示の例では、レーザビーム４０
１を、ガラスマスク４０２およびイメージレンズ４０３
を介してチップ４００に照射している）、あるいは、図
示していないが、マスクを用いずスキャンしながら刻印
する。マスクを用いる方法は、量産製品に適しており、
スキャンして刻印する方法は、多品種少量製品に対して
有効である。なお、製造工程中に、製造工程中の写真蝕
刻法を用いてＩＤを刻印する際に、露光装置のマスクに
液晶のマスク形成装置を用いれば、チップ個々で異なる
ＩＤの記号の形成が容易に行える。

【００２２】また、電気的にＩＤ情報を記憶させる場
合、半導体ウェハの周辺部（チップが刻まれていない部
分）や各チップにＥＥＰＲＯＭ（Electoric Erasible R
ead Only Memory ）等の専用メモリを設け、そこに情報
を記憶させる。この方法は、専用メモリに情報を記憶さ
せるので、ＩＤ以外にも必要な情報を保持することがで
きる。例えば、各チップの電気的特性の検査後、この検
査結果情報等を含めてＩＤ情報とともにチップの識別子
専用記憶領域に情報を書き込むことも可能である。ある
いは、パッケージ化した製品の出荷前最終電気特性検査
時に、この検査と同時に、製品の識別子専用記憶領域
へ、ＩＤ情報とともに最終電気特性検査情報等を書き込
むことも可能である。

【００２３】なお、電気的にＩＤ情報を記憶させた場合
には、書き込んだＩＤ情報は、読み出し専用ピン、また
は、読み出し専用命令（半導体装置の動作状態に関与し
ない特殊な命令）によって、読み出されるようにされ
る。

【００２４】次に、各ＩＤの刻印位置と刻印するタイミ
ングについて説明する。

【００２５】前記ウェハＩＤ１０１の場合、図５の
（ａ）に示すように、ウェハ２００の表面のパターンが
刻まれている部位の周辺部分（ウェハ表面周辺のパター
ンを形成していない領域）５０１、または、図５の
（ｂ）に示すように、ウェハ２００の側面部分５０２に
ＩＤ１０１を刻む（印す）。ＩＤを刻む時期は、前工程
ラインにロットを投入し、ウェハにおける第一処理を行
う直前のタイミングとすることが望ましい。この時期に
ウェハＩＤ１０１を入れることで、以後ウェハとして処
理された時の情報を枚葉で管理することができる。

【００２６】また、前記チップＩＤ１０２の場合、図６
の（ａ）に示すように、チップ４００の裏面（成膜等の
処理がされていない側の面）６０１、あるいは、図６の
（ｂ）に示すように、チップ４００の側面６０２、ある
いは、図６の（ｃ）に示すように、チップ４００の表面
における周辺回路が作りこまれている部分の外側部分
（チップ表面の回路を形成していない領域）５０３に、
チップＩＤ１０２を刻む（印す）。チップＩＤ１０２を
刻む時期としては、プローブ検査の直前のタイミングと
することが望ましい。こうする所以は、プローブ検査
は、ウェハ内の全チップに対して電気的に特性を測定す
るので、これ以後は、チップ単位の管理が必要になるか
らである。

【００２７】例えばチップＩＤ１０２は、最終パッシベ
ーションの際、液晶マスク等を用いて、各チップ４００
にＩＤ１０２を刻印する。この場合には、図７に示すよ
うに、保護膜７０１をつけた後にチップＩＤ１０２を入
れるので、ボンディングパッド７０２以外の領域なら
ば、保護膜７０１の下に回路パタ−ンが存在していて
も、製品特性に何の影響も受けない。したがって、最終
パッシベーションの際にチップＩＤ１０２を印すように
なすと、図６の（ｃ）以外のチップ６００の表面領域で
もチップＩＤ１０２の刻印が可能となり、これによりチ
ップＩＤ１０２の文字を大きく書き入れることができる
ので、ＩＤ認識を容易に行えるようになる。

【００２８】また前記マーク１０３は、図８に示すよう
に、製品８００のパッケージ（封止材）８０１の表面に
印刷によって付与する。このマーク１０３の印刷の時期
は、各製品８００のアクセス速度や消費電力（パワ−）
によって製品８００を選別した後の、適宜時点とする。
印刷は公知の適宜手法が採用可能である。なお、マーク
１０３の付与は、印刷以外にも、場合によってはレーザ
ビーム等を用いたＩＤ付与手法も採用可能である。

【００２９】このマーク１０３には、前記したように組
立ロットＮＯ、選別ライン名、選別ロットＮＯが含まれ
ているので、異なるロット間のウェハにまたがって新た
にロットを作っても容易に対処可能であり、しかもこの
際、同一の選別ロットＮＯ等の製品であっても、前工程
の情報が併せてマーク１０３に含まれているため、不良
解析等に際し確実・充分な情報を持つものとなってい
る。

【００３０】また、ＩＤ情報を電気的に記憶させる場
合、専用の記憶領域に書き込むが、このときパッケ−ジ
後のマーク情報を入力可能にするため、パッケージ化さ
れた製品のテスタのテストプログラムに専用ピンを用い
て、ＩＤ情報（マーク情報）を書き込みするプログラム
を追加すれば、ＩＤ情報（マーク情報）の書き込みとテ
ストとが同時に行える。また、書き込んだ情報を読み出
す場合、図９に示すように、ＩＤ情報の書き込み専用ピ
ン９０１と読み出し専用ピン９０２とを１本づつ設け
る。そして、電気的に書き込んだＩＤ情報（マーク情
報）の内容を参照する場合、この読み出し専用ピン９０
２より情報を呼び出し、内容を表示装置９０４に出力す
る。このときの出力は、専用のプロ−ブ９０３等を用い
て読み出し、表示装置９０４に出力する。なお、各チッ
プの識別子専用記憶領域に前記チップＩＤ情報を書き込
むことも、勿論可能である。

【００３１】次に、本発明の実施例で用いられる前記し
た製品ＩＤの管理解析システムの構成について説明す
る。図１０は本発明の実施例に係る製品ＩＤの管理解析
システムの構成図である。

【００３２】図１０に示した本システムは、製造条件デ
ータベース（以下、ＤＢと略す）１００１と、設備条件
ＤＢ１００２と、検査規格値のＤＢ１００３と、製造仕
様書の情報が入ったＤＢ１００４と、各工程で測定した
データが蓄積されているＤＢ１００５と、設計情報ＤＢ
１００６と、各製造ラインの記号と実際のライン名の対
応をとるための情報が入ったＤＢ１００７と、各品種名
と品種名を表す記号の対応をとるための情報が入ったＤ
Ｂ１００８と、各ロットを示す記号と実際のロットＮＯ
の対応をとるための情報が入ったＤＢ１００９と、各ウ
ェハを示す記号と実際のウェハＮＯの対応をとるための
情報が入ったＤＢ１０１０と、解析した結果を蓄積して
おくノウハウＤＢ１０１１と、各情報とＩＤを対応付け
かつ各種の解析を行うＩＤ管理システム１０１２とから
なる。各種情報は、図１０に示すように、おたがいのや
り取りが可能である。

【００３３】本発明では、前記のＩＤを用いることによ
り、以下の作業が可能となる。

【００３４】まず、プローブ検査の結果より、不良発生
工程および不良原因の究明を行う方法について説明す
る。

【００３５】プローブ検査における歩留りが急激に低下
するなど異常が発生した場合、まず異常が発生したウェ
ハのプローブ検査で、どのような不良が発生しているか
等を確認する。

【００３６】プローブ検査の場合、図１１に示すよう
な、メモリチップ内のメモリセル１つ１つの動作を確認
した結果を示すフェイルビットマップ１１００と、図１
２に示すような、チップの電気特性を調べた結果を示す
カテゴリマップ１２００とが、検査結果データとされ
る。そして、この両マップを用いて、不良内容や不良発
生位置を確認し、不良原因の推定を行う。

【００３７】例えば、フェイルビットマップ１１００に
よって、異物や外観起因の不良と推定した場合、作業者
は前記図１０のシステムにおいて、前記ウェハＩＤをキ
ーにして、どの工程でそれぞれの検査が行われたか、異
物検査データ、外観検査データそれぞれのＤＢ（データ
ベース）を検索し、所望のデータをシステムの表示装置
上に呼び出す。

【００３８】すると、図１３に示すような、検査工程の
一覧表１３００が表示装置上に表示される。同図におい
て、横軸は工程名１３０１、縦軸は検査名１３０２であ
る。一覧表１３００の中で○印１３０３が付いている工
程は、その検査名欄の検査を行ったことを意味してい
る。例えば、異物検査は、「Ａ工程」１３０４、「Ｃ工
程」１３０５、・・・で行われている。

【００３９】そして、作業者がマウス等で○印の付いて
いる欄をピックし、画面上で「グラフ」１３０６、「マ
ップ」１３０７、「データ」１３０８の何れかのボタン
を選択すれば、所望のデータが表示される。

【００４０】例えば、異物の「Ａ工程」の欄１３０４を
ピックし、「マップ」１３０７と表示されたボタンを選
択すると、図１４に示すような、異物マップ１４００が
表示される。この異物マップ１４００により、作業者は
異物の発生状況を確認することができる。

【００４１】また、異物がどこの行程で発生したかを統
計的に解析する場合には、図１３の一覧表１３００で異
物検査を行った全ての工程を選択し、「グラフ」１３０
６のボタンをピックすると、図１５に示すような、異物
の発生来歴グラフ１５００が表示される。この異物の発
生来歴グラフ１５００より、何処の工程でどのような異
物がどのくらい発生したかを、即時に把握できる。そし
てこの後、発生した異物の位置を確認する場合には、図
１４の異物マップ１４００を用いて解析すればよいこと
になる。

【００４２】また、図１３の一覧表１３００で、異なる
検査のデータを複数選択して、マップ表示させることに
より、異なるデータの発生位置の比較を容易に行えるよ
うにもなっている。

【００４３】例えば、異物検査の「Ａ工程」の欄１３０
４と外観検査の「Ｂ工程」の欄１３０９とを選択し、
「マップ」１３０６のボタンをピックすると、図１６に
示すような、異物検査データと外観検査データとを同一
ウェハ上に併せて表示させたマップ１６００が出力され
る。このとき、マップ１６００中の例えばチップ領域１
６０１のように、異物と外観（外観不良）のデータが重
なって表示されている場合には、その位置の外観不良
は、「Ａ工程」以前の工程で、同位置に異物が付着した
ために発生したと、容易に不良原因の推定および不良発
生工程の絞り込みが可能となる。

【００４４】次に、組立工程で異常が発生した場合の、
原因究明方法について説明する。

【００４５】例えば、エージング工程、つまり熱劣化試
験を行う工程で、不良が発生した場合、その不良の大半
は、前工程に原因がある考えられている。ウェハをダイ
シングして作られたチップの原因究明方法としては、以
下の方法がある。

【００４６】まず、作業者は前記図１０のシステムにお
いて、チップＩＤをキーとして、ＤＢ（データベース）
を検索し、当該チップが含まれているウェハの製造来歴
情報を、一覧表としてシステムの表示装置上に呼び出
す。そして、表示された一覧表を基に、作業者は、エー
ジング工程で良品となったチップの製造来歴と不良とな
ったチップの製造来歴とを比較し、相違点を抽出し、原
因究明を行うようにされる。

【００４７】また、上記で行った解析結果はノウハウと
して、前記ノウハウＤＢ１０１１に蓄積される。以後は
このノウハウを用いて、前工程の時点で組立工程のエー
ジング不良率の予測が可能となる。従って、後工程の投
入量の制御が可能となるので、余剰品の削減および効率
的な生産が行える。

【００４８】また、選別工程では、アクセス速度や消費
電力によってチップのグレード分けを行っている。顧客
の注文するグレードの製品を効率良く生産するための方
法としては、以下の方法がある。

【００４９】まず、前記図１０のシステムにおいて、前
記チップＩＤをキーとして、高グレード品と低グレード
品の製造来歴情報をＤＢより呼び出し、一覧表としてシ
ステムの表示装置上に表示させる。そして、この表示さ
れた一覧表をもとに、相違点の抽出および解析を行い、
原因となる項目の適正化を図るようにされる。

【００５０】斯様に、システムの表示装置上には製造来
歴情報として、製造条件、設備条件、測定結果といった
ような、同じ表に条件とその条件に従って製造した結果
とが併せて表示されるので、試作時期や量産立ち上げ時
期において、ある条件を設定して製造した場合、その結
果を即時に確認できるので、各条件の値を決定する期間
（時間）を大幅に短縮することが可能となる。

【００５１】また、製造途中で不良が発生した場合、例
えば、後工程で発生した不良で、その不良を引き起こし
た原因が前工程にあった場合には、製造来歴の一覧表を
確認することで、即時に不良原因を摘出できるので、解
析時間の大幅な短縮が図れることになる。

【００５２】次に、顧客に渡った製品に不良が発生した
場合など、顧客クレームを対処する方法について説明す
る。

【００５３】まず、顧客より不良となった製品およびク
レーム内容を回収し、製品のパッケージ上に記載された
前記マークを手がかりに、前記図１０のシステムにおい
て、当該チップの後工程製造来歴情報を、ＤＢから検索
して呼び出し、表示装置上に一覧表として表示させる。
そして、呼び出した後工程の製造来歴情報より、不良原
因と思われる工程の諸項目を抽出し、原因究明を行うよ
うにされる。

【００５４】また、前工程に不良原因があると判断した
場合は、前記図１０のシステムにおいて、前記チップＩ
Ｄをキーとして、前工程の製造来歴情報をＤＢから検索
して呼び出し、表示装置上に一覧表として表示させる。
そして、呼び出された情報より不良発生工程および諸項
目を抽出し、詳細解析を行い、不良原因および不良発生
工程の特定をするようにされる。

【００５５】また、不良原因を早期に見つける方法とし
て、クレームのあったチップと同一品種および同一ロッ
ト／同一ウェハ内で良品チップがあるかを調べ、この良
品チップの製造来歴情報とクレームのあったチップの製
造来歴情報とを呼び出して、両者を比較することで相違
点の摘出をし、不良原因の究明をすることもできる。

【００５６】また、顧客からクレームのあったチップの
ウェハＩＤをキーに、当該チップと同一ウェハおよび同
一ロット、更には、当該チップとほぼ同一時期に製造し
た同一品種で別ロット内にあるチップについて、異常が
発生する恐れがないかどうかを調べ、異常が発生する可
能性があるチップについては、ＩＤ情報を手がかりに異
常が発生する可能性があるチップが渡った顧客を検索
し、異常が発生したこともしくは発生する可能性がある
ことを、顧客に警告ないしは通知することができる。こ
れにより、顧客に対する信用度を上げることができる。

【００５７】上述したように、本実施例のシステムを用
いることによって、前記したＩＤをキーとして、組立製
造ライン、組立条件、組立時期、ウェハプロセス製造ラ
イン、製造時期、製造ロット、製造ウェハ、製造ウェハ
位置の情報を順次検索でき、この検索情報から、不良と
なった製品の製造来歴である処理工程、製造装置、製造
条件、製造結果、検査結果を順次検索できる。また、こ
の検索情報から、同一製造ロットの販売先を検索・特定
して、不良発生状況を販売先に知らせることができる。

【００５８】また、本実施例のシステムを用いることに
よって、製造途中の工程での検査において不良となった
製品のＩＤをキーとして、検査工程の前に製造した工程
の処理工程、製造装置、製造条件、製造結果、検査結果
を検索できる。さらに、これと同時に、不良製品が処理
された時と略同時に処理した別製品の製造装置、製造条
件、製造結果、検査結果を合わせて検索できる。

【００５９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、顧客のク
レームに対して迅速に不良原因を報告できるので、顧客
へのサービスが向上する。また、製造工程内で発生した
不良に対しても、早期に原因を解析し対策できるので、
歩留りを早期に向上できる。さらに、解析した結果はノ
ウハウとして蓄積できるので、前の工程で製造した途中
の検査データや製造データから、最終の歩留りを予測で
き、生産量に合わせて製造量を制御できる。総じて、本
発明によれば、生産効率の高い製造が可能となり、その
産業的価値は多大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例で用いられる製品（半導体装
置）のＩＤ（識別子）のコード内容を示す説明図であ
る。

【図２】ウェハ上に配列されたチップの位置座標（チッ
プＮＯたるウェハ内チップ座標）を示す説明図である。

【図３】本発明の実施例で用いられる製品（半導体装
置）の品種名記号とその内容との対応関係の１例を示す
説明図である。

【図４】本発明の実施例で用いられるレーザマーキング
によるＩＤの付与手法の１例を示す説明図である。

【図５】本発明の実施例によるウェハにおけるウェハＩ
Ｄの付与領域の例を示す説明図である。

【図６】本発明の実施例によるチップにおけるチップＩ
Ｄの付与領域の例を示す説明図である。

【図７】本発明の実施例による保護膜形成後のチップに
おけるチップＩＤの付与領域の１例を示す説明図であ
る。

【図８】本発明の実施例によるパッケージ化された製品
におけるパッケージＩＤ（マーク）の付与領域の１例を
示した図である。

【図９】本発明の実施例で用いられる、専用の記憶領域
に電気的にＩＤ情報を書き込んだ製品から、ＩＤ情報を
読み出して表示する構成の概要を示す説明図である。

【図１０】本発明の実施例で用いられる製品ＩＤの管理
解析システムの構成を示す説明図である。

【図１１】プローブ検査によるフェイルビットマップの
１例を示す説明図である。

【図１２】プローブ検査によるカテゴリマップの１例を
示す説明図である。

【図１３】図１０のシステムの表示装置上に表示され
た、検査工程の一覧表の１例を示す説明図である。

【図１４】図１０のシステムの表示装置上に表示され
た、異物マップの１例を示す説明図である。

【図１５】図１０のシステムの表示装置上に表示され
た、異物の発生来歴グラフの１例を示す説明図である。

【図１６】図１０のシステムの表示装置上に表示され
た、異物検査データと外観検査データとを同一ウェハ上
に併せて表示させたマップの１例を示す説明図である。

【符号の説明】

１０１ウェハＩＤ１０２チップＩＤ１０３マーク（パッケージのＩＤ）２００ウェハ４００チップ４０１レーザビーム４０２ガラスマスク４０３イメージレンズ５０１、５０２ウェハにおけるＩＤ付与領域６０１、６０２、６０３チップにおけるＩＤ付与領域７０１保護膜７０２ボンディングパッド８００製品８０１パッケージ（封止材）９０１ＩＤ情報の書き込み専用ピン９０２ＩＤ情報の読み出し専用ピン９０４表示装置１００１製造条件データベース１００２設備条件データベース１００３検査規格値のデータベース１００４製造仕様書の情報が入ったデータベース１００５各工程で測定したデータが蓄積されているデ
ータベース１００６設計情報データベース１００７各製造ラインの記号と実際のライン名の対応
をとるための情報が入ったデータベース１００８各品種名と品種名を表す記号の対応をとるた
めの情報が入ったデータベース１００９各ロットを示す記号と実際のロットＮＯの対
応をとるための情報が入ったデータベース１０１０各ウェハを示す記号と実際のウェハＮＯの対
応をとるための情報が入ったデータベース１０１１解析した結果を蓄積しておくノウハウデータ
ベース１０１２ＩＤ管理システム１１００フェイルビットマップ１２００カテゴリマップ１３００検査工程の一覧表１４００異物マップ１５００異物の来歴グラフ１６００異物検査データと外観検査データとを同一ウ
ェハ上に併せて表示させたマップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも半導体装置の製造順を示す情
報を含む識別子を、半導体装置自身に付与したことを特
徴とした半導体装置。
【請求項２】請求項１記載において、前記識別子には、製造カレンダー情報、製造ライン名情
報が含まれることを特徴とした半導体装置。
【請求項３】請求項１記載において、前記識別子には、半導体装置の製造プロセス中の半導体
装置の製造位置の情報が含まれることを特徴とした半導
体装置。
【請求項４】請求項１記載において、前記識別子を、製造工程中の写真蝕刻法を用いて、半導
体装置のチップ上に付与したことを特徴とした半導体装
置。
【請求項５】請求項１記載において、前記識別子を、製造工程中の写真蝕刻法を用いて、半導
体装置の製造工程途中の最終保護膜形成後の該保護膜上
に付与したことを特徴とした半導体装置。
【請求項６】請求項１記載において、半導体装置の製造プロセス中の識別子と、半導体装置の
組立工程の識別子とを、半導体装置の組立後の封止材
（パッケージ）上に付与したことを特徴とした半導体装
置。
【請求項７】請求項１記載において、前記識別子は、半導体装置内部の記憶領域に識別子情報
として記憶させ、この識別子情報は、半導体装置の動作
状態に関与しない特殊な命令により読み出せるようにし
たことを特徴とした半導体装置。
【請求項８】半導体装置にその製造情報を示す識別子
を付与する識別子付与方法であって、半導体装置の製造工程途中の最終保護膜形成後の保護膜
上に、写真蝕刻法で前記識別子を形成し、この識別子は
半導体装置単位に異なるように形成することを特徴とし
た半導体装置の識別子付与方法。
【請求項９】請求項８記載において、露光装置のマスク、に液晶のマスクパターン形成装置を
用いることを特徴とした半導体装置の識別子付与方法。
【請求項１０】半導体装置にその製造情報を示す識別
子を付与する識別子付与方法であって、半導体装置の電気的特性の検査後、該検査結果を踏まえ
て当該半導体装置の組立前に、当該半導体装置に光もし
くは電子エネルギを制御して前記識別子を付与すること
を特徴とした半導体装置の識別子付与方法。
【請求項１１】半導体装置にその製造情報を示す識別
子を付与する識別子付与方法であって、半導体装置の組立後の出荷前最終電気特性検査時に、こ
の検査と同時に当該半導体装置の識別子を、当該半導体
装置内の識別子専用記憶領域に電気的に書き込むことを
特徴とした半導体装置の識別子付与方法。
【請求項１２】請求項１１記載において、前記識別子の情報は、読み出し専用ピンまたは読み出し
専用命令によって読み出し、読み出したデータは表示装
置に表示可能とされたことを特徴とした半導体装置の識
別子付与方法。
【請求項１３】その製造情報を示す識別子が付与され
た半導体装置の不良解析方法であって、不良を発生した半導体装置の識別子から、組立製造ライ
ン、組立条件、組立時期、ウェハプロセス製造ライン、
製造時期、製造工程順、製造装置、製造ウェハ、製造ウ
ェハ位置の情報を順次検索できるようになし、不良の原
因となった工程、製造装置、製造条件を特定できるよう
にしたことを特徴とする半導体装置の不良解析方法。
【請求項１４】その製造情報を示す識別子が付与され
た半導体装置の不良解析方法であって、不良を発生した半導体装置の識別子から、組立製造ライ
ン、組立条件、組立時期、ウェハプロセス製造ライン、
製造時期、製造ロット、製造ウェハ、製造ウェハ位置の
情報を順次検索できるようになし、この検索情報から、
不良となった製品の製造来歴である処理工程、製造装
置、製造条件、製造結果、検査結果を順次検索できるよ
うにしたことを特徴とする半導体装置の不良解析方法。
【請求項１５】その製造情報を示す識別子が付与され
た半導体装置の不良解析方法であって、不良を発生した半導体装置の識別子から、組立製造ライ
ン、組立条件、組立時期、ウェハプロセス製造ライン、
製造時期、製造ロット、製造ウェハ、製造ウェハ位置の
情報を順次検索できるようになし、この検索情報から、
同一製造ロットの販売先を検索・特定して、不良発生状
況を販売先に知らせることを可能としたことを特徴とす
る半導体装置の不良解析方法。
【請求項１６】その製造情報を示す識別子が付与され
た半導体装置の不良解析方法であって、製造途中の工程での検査において不良となった製品の識
別子から、該検査工程の前に製造した工程の処理工程、
製造装置、製造条件、製造結果、検査結果を検索できる
ようになすと共に、前記不良製品が処理された時と略同
時に処理した別製品の製造装置、製造条件、製造結果、
検査結果を合わせて検索できる手段を設け、前記不良製
品による検索結果と前記別製品による検索結果とを比較
し、同一条件で結果の異なるものを抽出するようにした
ことを特徴とする半導体装置の不良解析方法。
【請求項１７】請求項１６記載において、前記別製品となる検索対象は、前記不良製品と同一工程
順で製造した製品群とされることを特徴とする半導体装
置の不良解析方法。