TWI570874B - 用於追蹤半導體封裝之系統及方法 - Google Patents

用於追蹤半導體封裝之系統及方法 Download PDF

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Description

用於追蹤半導體封裝之系統及方法
本發明技術係關於半導體裝置製造。
對可攜式消費者電子裝置之需求之強勁增長正推動對高容量儲存裝置之需要。諸如快閃記憶體儲存卡之非揮發性半導體記憶體裝置正變得廣泛用於滿足對數位資訊儲存及交換之日益增長之需求。此類記憶體裝置之可攜性、多功能性及堅固設計連同其高可靠性及大容量已使此類記憶體裝置理想地用於各種各樣的電子裝置，包括(例如)數位攝影機、數位音樂播放器、視訊遊戲控制台、PDA及蜂巢式電話。
先前技術圖1及圖2分別展示半導體裝置記憶卡之生產中之步驟之一流程圖及示意圖。考慮到裝配至一記憶卡中之大量組件以及在一半導體製造工廠中生產記憶卡之巨大規模，提供用於在半導體裝置經歷記憶卡生產製程時跟蹤半導體裝置之一方法很重要。已知自製程工具及製造人員即時接收資訊以管理且在一定程度上跟蹤記憶卡生產之製造執行系統(MES)。一MES維持製造製程之一資料庫以使得製造人員能夠在該生產製程期間跟蹤半導體裝置並且可用於萬一在一或多個經裝配半導體裝置中發現一瑕疵的話追蹤問題之根源。一已知MES平台之一項實例係由美國北卡羅萊納州Charlotte市之Camstar公司提供之MES平台。Camstar公司提供名為Camstar Manufacturing之一MES平 台及名為Camstar Quality之一品質管理系統。用於管理一半導體記憶卡工廠中之流程之其他已知平台包括由台灣新竹市之CyberDaemons公司提供之Tango生產監視套件及由美國賓夕法尼亞州Forest Grove市之Kinesys Software公司提供之一裝配線生產(ALPS)管理程式。
參照先前技術圖1及圖2，記憶體晶粒晶圓批量70及控制器晶粒批量72自晶圓片製造商接收於一記憶卡製造工廠中。該等晶圓抵達，上面帶有由晶圓片製造商界定之積體電路以便每一記憶體晶粒晶圓片皆包括複數個記憶體晶粒，且每一控制器晶粒晶圓片包括複數個控制器晶粒。在圖2中所示之實施例中，正在製造包括一對記憶體晶粒之一半導體裝置。因此，展示兩個記憶體晶粒晶圓批量70a及70b。亦已知形成具有一個或兩個以上記憶體晶粒之半導體裝置。用於底部記憶體晶粒之晶圓批量70a可稱作晶圓母批量，而用於底部晶粒上方之記憶體晶粒之晶圓批量可稱作晶圓子批量。基板批量74亦自一基板製造商接收於記憶卡製造工廠中。一基板批量74中之基板可例如係一印刷電路板(PCB)、引線框架或捲帶自動接合(TAB)帶。
為了製備晶圓批量70、72中之晶圓片以貼附至基板批量74中之一基板，每一晶圓片可具有施加至其作用表面(包括積體電路之表面)之一保護帶且隨後在步驟20中將每一晶圓片作用側向下安裝至一夾頭(未展示)。此後，可對該每一晶圓片執行一背向研磨步驟22以薄化該晶圓直到一所期望厚度。在背向研磨步驟22之後，可將該等晶圓片傳送至其中在步驟24中例如藉由表面聲波或雷射來切割該等晶圓片之另一工具以便揀選該等晶圓片並將其置於該基板上。
與該等晶粒製備步驟並列，可在一表面安裝製程中將被動組件安裝於該基板上。可在步驟30中施加焊料膏。可在步驟32中安裝本文中亦稱作被動件之被動組件，且可在步驟34中回流/清洗該焊料。該等被動件可包括例如電阻器及電容器。
在步驟42中，可在一晶粒附著工具76處將該記憶體晶粒及一控制器晶粒安裝於一基板上。工具76利用界定所使用之每一晶圓片之優質及劣質晶粒之一已知優質晶粒(KGD)映射78。特定而言，可以運算方式測試晶圓批量70、72中之每一晶圓片上之每一晶粒並賦予其諸如0,0(無瑕疵)、A,A(優質)或1,1(劣質)之一額度值。KGD映射78由該晶粒附著工具使用以便忽略一晶圓片上之劣質晶粒。在步驟42中，將記憶體晶粒及通常一控制器晶粒安裝於一基板上以形成一半導體裝置。如本文中所使用，術語「裝置」係指一基板、該基板上之一或多個半導體晶粒及可能該基板上之被動組件之一總成。一裝置中之該等各別晶粒、基板及/或被動件可在本文中稱作該半導體裝置之「離散組件」。
在該等晶粒及被動件安裝於一基板上之後，則可在步驟48中線接合所得裝置。線接合步驟48係一費時的製程。因此，可將裝置總成批量分成複數個裝置總成子批量以便複數個線接合工具80(圖2中之線接合工具之數目僅為舉例說明)可同時執行線接合。在線接合步驟48中，可將安裝至一基板之晶粒中之每一者上之晶粒接合墊電耦合至該基板上之接觸墊。
在線接合步驟48之後，可在一或多個工具82中將該等各別裝置總成子批量中之裝置囊封於一模製複合物中(步驟50)，在一或多個工具84中以一識別符來雷射標記該等裝置(步驟54)，且隨後在一或多個工具86中單粒化該等裝置(步驟56)。圖2展示在此等步驟中之每一者期間保持分離開之裝置總成子批量。然而，可在步驟48至56中之每一者之後將該等裝置總成子批量中之一者或多者重新裝配成該裝置總成批量。
雷射標記步驟54可能很重要，因為其使得關於一裝置總成批量或子批量之資訊能夠由管理卡製造工廠中之流程之MES平台上載並跟 蹤。先前技術圖3展示被置於一裝置總成批量或子批量中之裝置上之一習用雷射標記之一實例。該雷射標記可包括例如一標誌及文數字字元。該等文數字字元可包括識別其中製作該半導體裝置之工廠之一工廠碼、指示製作該半導體裝置之時間之一日期碼、指派給每一裝置總成批量或子批量之一MES批量或子批量編號及識別該裝置屬於之半導體封裝類型之一裝置ID碼。來自一裝置總成批量或子批量之資訊由該MES指派並儲存，且用於裝置跟蹤及可追蹤性。
使用此方法之傳統MES平台具有若干限制。首先，該MES平台不唯一地識別特定裝置。至多，該MES總成子批量編號對於經歷一特定組工具之一整個裝置總成子批量係唯一的。此一MES總成子批量中之每一特定裝置將在其表面上具有同一識別碼且藉由儲存於該MES平台中之同一識別碼來加以識別。其次，部分地由於對整個總成子批量之泛用標記，而不存在直接與一特定裝置相關聯之特定離散組件資訊。換句話說，不存在一裝置之識別碼與彼裝置中所使用之半導體晶粒、基板及/或被動組件之間的直接聯繫。
作為一個結果，當在製造期間或之後偵測到一裝置之一問題時，習用系統發現該問題之根源之能力有限。當出現一裝置之一問題時，先前技術系統可使得能夠識別該問題裝置來自之一MES總成子批量。根據對該MES總成子批量之瞭解，或許可判定該問題裝置經歷過哪些製程。根據此，進一步研究可揭露一特定晶圓批量，且可能揭露一問題之所在。然而，此研究係費時的且不提供關於形成該半導體裝置之離散組件之任何特定識別或資訊。
重新參照圖1及圖2之流程圖及示意圖，在單粒化之後，可檢查半導體裝置90(步驟60)並隨後在步驟62中使半導體裝置90經歷一或多個測試。此等測試可包括例如高溫或低溫下之老化及記憶體讀取-寫入測試。通常，在該測試步驟中組合來自若干個裝置總成批量之半導 體裝置90。已知對來自複數個裝置總成批量之30,000至50,000個裝置90執行測試。存在成為一單個裝置測試批量之裝置總成批量之一N：1合併，其中N可例如係25個裝置總成批量。
可根據來自各別總成批量之裝置在該等測試操作中之表現來將該等裝置重新混洗成不同分級箱。在一項實例中，已知將該等裝置劃分成七個分級箱(1至7)，其中分類於分級箱1至4中之裝置已令人滿意地通過該等測試操作且被傳遞給下文闡述之一卡測試。分類於分級箱5至7中之裝置由於各種原因未通過該等測試操作，且經歷其中重新測試其之一回收步驟64。該等回收操作將因一裝置被分類於分級箱5、分級箱6中還是分級箱7中而異。若在此等回收製程中之一者或多者之後發現一裝置令人滿意地操作，則可將該裝置重新分類成至分級箱1-4中之一者並將其傳遞給該卡測試。
步驟66中之卡測試可類似於步驟62中之記憶體測試，然而可將內容寫入至每一裝置並測試其能力。儘管圖2中未展示，但該卡測試可具有其中在步驟68中之一回收操作中提交分類於某些分級箱中之裝置供重新測試之一類似分級操作。通過該卡測試之裝置90可經歷一些最後檢查及處理步驟(未展示)且隨後裝運。
在一些半導體記憶卡製造工廠中，將晶粒附著至一基板直到單粒化該等裝置之裝配步驟稱作一54至81製程。該記憶體測試稱作一54至62製程。且該卡測試稱作一54至99製程。考慮到來自54至81中之各種總成批量至54至62中之測試批量之裝置90合併及混洗，且因此對54至99中之卡批量中之裝置之隨後重新混洗，可能的話，使用一習用MES來追蹤在記憶體或卡測試階段識別為成問題之裝置係困難的且費時的。此部分地係因為記記憶體裝置未標有唯一ID，且因此不存在關於一特定半導體裝置在該等測試操作中之表現之記錄之事實。
70b‧‧‧記憶體晶粒晶圓批量
70a‧‧‧記憶體晶粒晶圓批量
72‧‧‧晶圓批量
74‧‧‧基板批量
76‧‧‧晶粒附著工具
78‧‧‧已知優質晶粒(KGD)映射
80‧‧‧線接合工具
82‧‧‧工具
84‧‧‧工具
86‧‧‧工具
90‧‧‧半導體裝置
200‧‧‧條帶
202‧‧‧雷射標記
204‧‧‧引線框架基板
206‧‧‧晶圓片
208‧‧‧晶粒
210‧‧‧半導體裝置
212‧‧‧標誌
214‧‧‧文數字表示形式
218‧‧‧機器可讀碼
300‧‧‧製造執行系統伺服器
302‧‧‧處理器
304‧‧‧系統記憶體
306a‧‧‧可追蹤性資料庫
306b‧‧‧製造執行系統資料庫
308‧‧‧系統匯流排
310‧‧‧唯讀記憶體
312‧‧‧隨機存取記憶體
313‧‧‧作業系統
314‧‧‧製造執行系統軟體平台
316‧‧‧輸入介面
318‧‧‧雷射標記站
320‧‧‧掃描器
322‧‧‧鍵盤
324‧‧‧滑鼠
330‧‧‧視訊介面
332‧‧‧監視器
336‧‧‧周邊介面
338‧‧‧印表機
340‧‧‧網路介面
344‧‧‧遠端電腦
346‧‧‧遠端電腦
348‧‧‧區域連接
350‧‧‧網際網路
圖1係展示一半導體裝置記憶卡之一裝配製程之一先前技術流程圖。
圖2係一半導體裝置記憶卡之一裝配製程之一先前技術示意圖。
圖3係包括一MES標記之一記憶體裝置之一先前技術圖解。
圖4係用於處理一基板條帶之本發明技術之一實施例之一流程圖。
圖5係用於處理一半導體晶圓片之本發明技術之一實施例之一流程圖。
圖6係用於形成一半導體裝置之本發明技術之一實施例之一流程圖。
圖7係根據本發明技術之一實施例包括一標記之一基板之一圖解。
圖8係用於本發明技術之各實施例中之一KGD映射之一圖解。
圖9係包括一唯一識別符之一半導體裝置之一圖解。
圖10係根據本發明技術之一實施例包括關於一半導體裝置及其離散組件之資訊之一表。
圖11係用於測試一半導體裝置之本發明技術之一實施例之一流程圖。
圖12係根據本發明技術之一實施例包括關於一半導體裝置及其製程之資訊之一表。
圖13係用於實施本發明技術之各態樣之一樣本伺服器之一方塊圖。
現將參照圖4至圖13來闡述各實施例，該等實施例係關於一種能夠實現在記憶體及卡測試期間對一半導體裝置製造製程至一單個半導體晶粒或另一離散組件之反向可追蹤性及對個別裝置及組件之前向可 追蹤性之系統。應理解，本發明技術可以許多不同之形式體現，而不應視為僅限於本文所述之實施例。而是，提供此等實施例旨在使本揭示內容透徹和完整並將本發明全面傳達給熟習此項技術者。實際上，本發明系統意欲涵蓋此等實施例之替代、修改及等效形式，此等實施例之替代、修改及等效形式仍歸屬於由隨附申請專利範圍所界定之本發明系統之範疇及精神。
一般而言，本發明技術藉由唯一地識別每一半導體裝置且提供唯一地識別之半導體裝置與用於彼裝置中之離散組件(晶粒、基板及/或被動件)之間的一關聯之方法來提供反向及前向可追蹤性。對一半導體裝置之唯一性識別及標記能夠實現在用於自該半導體裝置生產一記憶卡之每一製程及測試期間跟蹤並追蹤彼裝置及彼裝置中之離散組件。
與一半導體裝置相關之資訊(包括其唯一ID及特定組件識別符)儲存於在本文中稱作一MES資料庫之一資料庫中。在下文說明中，該MES資料庫除其他MES資料以外還儲存反向及前向可追蹤性資料。然而，應理解，與卡製造相關之資料之儲存可以各種方式分佈於一個以上資料庫上。在圖13之方塊圖中所示之一個這樣的實例中，存在兩個資料庫：用於儲存如下文所解釋產生之所有反向及前向可追蹤性資料之一可追蹤性資料庫306a及用於儲存其他MES相關資料之一單獨MES資料庫306b。如所指示，以下說明通常係指儲存反向及前向可追蹤性資料以及其他MES資料之一單個MES資料庫。
現將參照圖4至6之流程圖來闡述本發明技術之一實施例。在各實施例中，關於離散組件(基板、半導體晶粒及/或被動組件)之資訊可在其裝配至一半導體裝置中之前儲存於該MES資料庫中。如下文所述解釋，當該等離散組件被裝配到一半導體裝置中時，該等離散組件之此資訊可在該MES資料庫中與該裝置相關聯。然而，作為此關聯一前 導，可識別並儲存關於該等離散組件之資訊。
該製造製程可藉由界定用於生產一給定數量或類型之記憶卡之一工序而開始。此可例如在實際製造開始之前的幾天或幾周進行。每一記憶卡皆由一特定類型之基板、記憶體晶粒、控制器晶粒及其他離散組件製成。當界定一工序時，亦指定將被用於該工序之離散組件並將其儲存於該MES資料庫中。當在製造工廠中接收諸如基板批量及晶圓批量之離散組件時，以諸如組件製造商、製造日期與地點及指派給彼組件批量之一批量編號之資訊來標記該等離散組件。在接收之後(或在用於一工序中之前的某一時刻)掃描此資訊並將其上載至該MES資料庫。因此，當界定一工序時，亦指定將用於彼工序之離散組件之特定批量編號。
當欲開始一工序時，在一步驟100中掃描一基板批量以驗證其係一適於彼工序之基板批量。然後可處理來自彼基板批量之個別基板條帶。應理解，各種不同基板可適用於本發明技術，包括例如一PCB、一引線框架及/或一TAB帶。圖7之實例展示一條帶200之引線框架基板204(其中一者標記於圖7中)。儘管可使用各種各樣的基板中之任一者，但圖7中所示之條帶200可例如係針對具有呈一4×20陣列之八十個基板204之MicroSD記憶卡。所展示之條帶200僅為舉例說明且條帶200可具有其他形狀、大小及組態。雖然下文闡述一條帶之基板，但應理解，該等個別基板可係其他基板且可做為選擇由一板、一卷或另一分組之基板形成。
在步驟102中，可以每一條帶200(或另一分組之基板204)之基板批量編號及對於彼條帶200係唯一之一特定ID來雷射標記彼條帶200。在各實施例中，該MES系統包括一控制程式，該控制程式自卡製造工廠中之各種工具及組件接收資料及回蝕並將該資訊儲存於該MES資料庫中。向該MES控制程式提供資料及回蝕之兩個組件係雷射標記站 318(圖13)及掃描器320。
在步驟102中，與基板處理相關聯之雷射標記站318可產生並為每一基板條帶200指派一唯一ID。作為一項實例，該雷射標記站可在處理連續基板條帶200時指派連續條帶識別符。雷射標記站318然後以該已知基板批量編號及其產生之基板條帶ID來雷射標記每一基板。應理解，每一基板條帶200之唯一條帶識別符可由該MES系統中之另一組件產生。該組件隨後可將該唯一基板條帶ID傳遞至該雷射標記站，該雷射標記站以該基板編號及基板條帶識別符來標記每一基板條帶200。
一基板條帶200之每一例項可包括一雷射標記202，該雷射標記包括一基板批量編號(其為彼基板批量中之所有條帶所共有)及對於彼特定條帶係唯一之一基板條帶識別符。該基板批量編號及唯一條帶識別符在圖7中展示為一對二位數文數字字元。應理解，在進一步實施例中，該基板批量編號及/或該唯一條帶識別符可以更多個位數或以不同於圖7中所示之方式來表示。
在一非限制性實例中，二位數文數字識別符(該基板批量編號及/或該唯一條帶識別符)之每一位數可具有33個可能值。該33個可能值來自10個數值(0至9)及字母表中之23個字母(A至Z，減去字母B、O及I，因為此等字母可分別與8、0及1混淆)。因此，一位數可係每一位數之33個可能字元中之任一者。因此，二位數字因此可表示一基板子批量之33×33=1089個可能唯一識別碼及每一基板子批量之1089個可能唯一條帶識別符。應理解，在進一步實施例中，二位數字可由具有多於或少於33個可能值之位數組成。
雷射標記202可進一步包括具有呈可由一電腦掃描器讀取之一形式之基板批量編號及唯一條帶識別符資訊之一機器可讀碼。圖7中所示之機器可讀碼係二維矩陣碼，但應理解，該電腦可讀碼可係一維條 碼或其中可以這樣一種方式編碼該基板批量編號及唯一條帶識別符以致為一計算裝置所理解之任何其他標記。在各實施例中，可以設想一電腦可讀取文數字文字。在此等實施例中，可省略除該文字以外的單獨矩陣或另一碼。
步驟102之標記可藉由雷射或另一已知印刷操作來製作。代替標記，可將包括上述資訊之黏著劑標籤貼附至每一基板條帶200。圖7展示基板條帶200之左上角中之雷射標記202。應理解，在進一步實施例中，雷射標記202可提供於基板條帶200上之其他位置處。
在步驟104中，產生該唯一條帶ID之雷射標記站318可將指派給每一基板條帶之唯一ID上載至該MES資料庫。藉助該已知基板批量編號及該所接收到之唯一條帶ID，可針對每一基板條帶200在該MES資料庫中創建一單獨記錄。每一記錄可包括該基板批量、基板批量歷史、唯一條帶ID及一條帶200上之每一基板之一唯一基板ID。如上文所提到，當一基板批量首先進入卡製造工廠時，可掃描彼批量之一ID以及彼批量之一歷史並將其上載至該MES資料庫。基板批量歷史可包括諸如該基板批量之製作商、製作時間及製作地點之資訊。在進一步實施例中，歷史資訊可包括其他資訊。該基板批量ID及歷史可在除當接收於卡製造工廠中時(諸如例如當選擇一基板批量供使用時)以外的一時間上載至該MES資料庫。
如所提到，除儲存每一基板條帶200之一條帶ID以外，步驟104進一步包括儲存條帶200上之一基板204之每一例項之一唯一ID。由於已知用於一工序中之基板類型，因此該MES系統之該控制程式或另一態樣可使用基於個別基板於一基板條帶200上之位置來識別該等個別基板之某一預定義規約來產生一條帶200上之每一基板204之唯一ID。
例如，對於圖7之條帶200上所展示之該80個基板204，該MES控制程式可採用其中從底部開始為該等列指派一字母A至D並從左側開 始為該等行指派一數字1至20之一規約。因此，可將列2、行4中之基板識別為B-4。作為一替代形式，可界定連續地給每一位置編號(例如從底部起第一列編號為1至20，從底部起第二列編號為21至40，等等)之一規約。應理解，在進一步實施例中，可藉由其他規約來為第一基板指派一唯一識別符。此外，如所指示，在進一步實例中，不同基板條帶可具有不同形狀及不同數量之基板。
在步驟106中，可在連接該等被動組件之前處理基板條帶200，包括例如焊料施加、清洗及檢查。在步驟108中，任何此類製程步驟可由該MES控制程式與基板條帶200及/或特定基板204相關聯地儲存於該MES資料庫中。亦可與條帶200及/或特定基板204相關聯地儲存與該等製程相關之額外資訊，包括例如執行該等製程之時間及地點，使用之該特定工具、彼工具之一維護記錄及/或與該製程相關聯之製造人員。
在同一時間或在一不同時間，亦可執行對欲用於生產該等半導體裝置之晶圓片之類似識別、儲存及處理。如背景章節中所解釋，一單獨晶圓批量可用於欲貼附至該半導體裝置之晶粒堆疊中之每一晶粒。在步驟110中，可識別每一晶圓批量中之每一晶圓片。在各實施例中，一唯一ID可由晶圓製造商或在卡製造工廠中例如使用上文對於基板條帶所述之一標記製程標在每一晶圓片上。在一進一步實施例中，代替標記每一晶圓片，可藉由一晶圓片相對於一晶圓子批量中之其他晶圓片之垂直位置來唯一地識別該晶圓片(例如，從該子批量之頂部起第九個晶圓片)。
在步驟112中，可針對一晶圓上之每一晶粒在該MES資料庫中創建一記錄，包括該子批量中之每一晶圓片之晶圓子批量、晶圓批量歷史、晶圓片ID及一晶圓片上之每一晶粒之一晶粒ID。此操作針對用於一裝置製造製程中之每一晶圓批量(包括該一或多個記憶體晶粒晶圓 子批量/母批量及該控制器晶粒晶圓批量)進行。在各實施例中，如上文所指示，當一晶圓批量首先進入卡製造工廠時，可掃描彼批量之一MES晶圓批量ID以及彼批量之一歷史並將其上載至該MES資料庫。晶圓批量歷史可包括諸如該晶圓批量之製作商、製作時間及製作地點之資訊。在進一步實施例中，歷史資訊可包括其他資訊。該MES晶圓批量ID及歷史可在除當接收於卡製造工廠中時(諸如例如當選擇一晶圓子批量以使用時)以外的一時間上載至該MES資料庫。
步驟112進一步包括一晶圓片ID及晶粒ID。如在步驟110中所述，該MES控制程式藉助一唯一ID或藉由其於一所識別晶圓子批量中之位置來識別每一晶圓片。該MES控制程式亦可在產生該晶圓片識別符時儲存該晶圓片識別符。至於對一晶圓片上之特定晶粒之識別，該MES控制程式可使用根據(x、y)座標來描述一晶圓片上之所有晶粒之位置之一預定義規約來儲存此等識別符。可做為選擇使用球面座標(r、□)來界定晶粒於一晶圓片上之位置。涵蓋識別一晶圓片上之特定晶粒之其他方法，包括藉由該晶圓片上之位置或指派給一晶圓片上之每一晶粒之一唯一ID。
在步驟114中，可處理一晶圓片，包括例如背向研磨、切割、檢查及清洗。在步驟116中，任何此類製程步驟可由該MES控制程式與該晶圓片及/或該晶圓片上之晶粒相關聯地儲存於該MES資料庫中。亦可與該晶圓片及/或該晶圓片上之晶粒相關聯地儲存與該等製程相關之額外資訊，包括例如執行該等製程之時間及地點、使用之該特定工具或該等特定工具、該(該等)工具之一維護記錄及/或與該等製程相關聯之製造人員。
上文對於圖4及圖5所述之實施例能夠實現關於用於一半導體裝置中之離散組件之反向可追蹤性之最大解析度，如下文所解釋。在進一步實施例中，當不需要最大解析度時，可省略上文所述之離散組件 識別及儲存步驟中之一者或多者。此外，上文對於圖4及圖5所述之步驟中之至少一些步驟可在該製造製程中稍後執行，諸如例如當該等離散組件共同裝配至一半導體裝置中時，如現將對於圖6之流程圖闡述。
在步驟120中，選擇用以接收一條帶200上之被動件及晶粒之下一個基板204。若尚未選擇，則此基板204之基板批量編號、條帶ID及位置由該MES控制程式儲存於該MES資料庫中。在步驟122中，欲安裝於該選定基板204上之每一被動組件之一唯一識別符與該選定基板204相關聯地儲存於該MES資料庫中。該等被動件(包括例如電阻器及/或電容器)可具有被掃描到或者由製造人員在該MES資料庫中輸入成與欲在其上安裝該等被動件之基板204相關聯之其自身的唯一識別符。然後可在步驟124中將該等被動組件表面安裝於該選定基板204上並使其回流。
在步驟126中，基於一KGD映射來選擇晶粒以在基板204上安裝。一KGD映射之一表示形式針對來自一MES晶圓子批量之一單個晶圓片展示於圖8中。如所提到，半導體裝置可包括不同數量之半導體晶粒，且其可係用於欲安裝於基板204上之一晶粒堆疊中之每一晶粒之一單獨晶圓子批量。因此，當存在例如欲安裝於基板204上之2個、4個或8個記憶體晶粒時，可分別存在將晶粒饋給至該基板之2個、4個或8個MES晶圓子批量。可存在每一MES晶圓子批量中之每一晶圓片之一KGD映射，該等KGD映射係由晶圓片製造商基於在該製造商處所進行之測試而提供。
圖8展示具有複數個半導體晶粒208(其中一者編號於圖8中)之一晶圓片206之一實例。一晶粒之優度可由與晶圓片206上之每一晶粒208相關聯之文數字碼表示於該KGD映射中。在此實例中，0,0可表示沒有所偵測到之瑕疵之一晶粒；A,A可係具有最少瑕疵之一優質晶 粒；且1,1可表示不應選擇一劣質晶粒以在該等基板204中之任一者上安裝。應理解，各種其他方案中之任一者可由一KGD映射用來表示一特定晶圓片204上之一晶粒之優度。
可基於若干個不同準則來選擇在步驟126中自不同MES晶圓批量中之晶圓片選擇之晶粒。在一項實施例中，可首先選擇來自該等各別MES晶圓子批量中之晶圓片之無瑕疵晶粒(0,0)並將其共同附著於基板204上。具有唯獨無瑕疵晶粒之基板有可能產生最高品質半導體裝置。如下文所解釋，本發明技術之一個態樣使得能夠識別並分離具有最高品質半導體晶粒之半導體裝置。然後可將此等裝置裝運至OEM製造商或其他製造商以獲得一溢價。選擇唯獨無瑕疵晶粒以在一單個半導體裝置中安裝可優化彼裝置具有最高品質之機會。若已用完來自各別子批量中之一或多個晶圓片之無瑕疵晶粒，則可使用下一最佳晶粒(A,A)。應理解，在進一步實施例中，可基於各種其他準則來選擇該等晶粒以在一給定半導體裝置中附著。
在步驟128中，可與欲在其上安裝選定晶粒之基板204相關聯地儲存該晶圓片上之MES晶圓子批量、晶圓片ID及選定晶粒位置。此操作可針對欲在該基板上安裝之來自不同批量之每一晶粒進行。在已識別欲安裝於一給定基板上之所有晶粒並在步驟128中將其與彼基板相關聯地儲存之後，可在步驟130中將該等晶粒安裝於該基板上。在替代實施例中，可顛倒步驟128及130之次序。可例如在一已知黏合或共熔晶粒接合製程中經由一晶粒附著黏著劑將該等晶粒安裝至該基板。
一旦已將該等晶粒及/或被動件安裝於一基板上，則可將彼總成視為一半導體裝置(儘管在彼總成成為一製成封裝之前執行進一步處理步驟，如下文所解釋)。這時，可為每一半導體裝置指派一唯一裝置ID。然而，如下文所解釋，對一唯一裝置ID之指派可做為選擇在該製程中稍後執行，例如與雷射標記步驟142相關。
在步驟136中，形成於基板上之半導體裝置可經歷用於將每一裝置半導體晶粒208上之晶粒接合墊線接合至形成於基板204上之接觸墊之一線接合製程。如背景章節中所提到，此製程係相對費時的。因此，可將一MES總成批量細分成若干MES總成子批量。可在該MES資料庫中更新每一裝置之資訊以反映向其傳送每一裝置之特定總成子批量及製程工具。
在線接合步驟136之後，可在步驟138中將該等各別總成子批量中之裝置囊封於一模製複合物中，在步驟140中為該等裝置指派一唯一裝置ID，在步驟142(步驟140及142更詳細解釋於下文中)中以一識別符來雷射標記該等裝置，在步驟144中將該等裝置單粒化成單獨半導體裝置並在步驟148中檢查該等裝置。如背景章節中所闡述，該等各別子批量可在步驟138、140、142、144及/或148期間保持分離開。另一選擇係，在此等步驟中之一者處，該等總成子批量中之一個子批量或一些子批量可重組，或所有總成子批量可重組成原始總成批量。
給每一裝置指派一唯一裝置ID之步驟140及雷射標記一裝置上之彼唯一裝置ID之步驟142皆可由與裝置標記相關聯之一雷射標記站318執行。圖9展示在囊封、單粒化及雷射標記之後半導體裝置210之一俯視圖。該雷射標記可包括一標誌212及與該裝置相關聯之唯一ID之一文數字表示形式214。在各實施例中，可省略標誌212。裝置唯一ID表示形式214可具有如下之格式：YWWDMLLXXX，其中：Y表示一年之最後位數；WW表示該年內之周數；D表示該周內之天(1至7)；M表示卡製造工廠；LL表示用以標示每一MES總成子批量之一文數字2位數ID；及 XXX表示用以區別製作有相同日期、位置及MES總成子批量資訊之每一裝置之一文數字3位數唯一ID。
唯一ID表示形式214中之前七個位數表示為每一裝置之MES系統所知。後三個位數可例如由該雷射標記站在其標記每一裝置時產生並指派。作為一項實例，該雷射標記站可在處理連續裝置210時指派連續裝置識別符。該唯一十位數ID隨後可由該MES控制程式儲存於該MES資料庫中作為一種唯一地識別該資料庫中之特定裝置210之手段。代替後三個位數由該雷射標記站產生，應理解，每一裝置210之唯一裝置識別符可由該MES系統中之另一組件產生。該組件然後可將該唯一裝置ID傳遞至該雷射標記站，該雷射標記站以該十位數裝置識別符來標記每一裝置210。
根據需要多少位數來唯一地識別彼日期、位置及MES總成子批量之每一裝置，在唯一ID表示形式214之結尾可存在多於或少於三個位數。在一非限制性實例中，該等位數(諸如例如子批量編號LL及經指派位數XXX)中之任一者可具有如上文所述之33個可能值(10個數值及字母表中之23個字母(A-Z，減去字母B、O及I))。因此，例如子批量編號LL可唯一地識別1089個子批量中之任一者且經指派三位數碼可唯一地識別一給定子批量中之將近36,000個裝置中之任一者。應理解，在進一步實施例中，一給定位數可表示更多或更少值。應進一步理解，在進一步實施例中，唯一ID表示形式214中可包括額外或替代資訊，但條件是該表示形式唯一地識別帶有該表示形式之半導體裝置210。例如，應瞭解，該日期資訊可在表示形式中214中以不同方式表示。
該標記進一步包括具有相同於文數字表示形式214，但呈機器可讀形式之資訊的一碼218。機器可讀碼218可係二維矩陣碼，但應理解，該電腦可讀碼可係一維條碼或其中可以這樣一種方式編碼該唯一 裝置ID以致為一計算裝置所理解之任何其他標記。在其中一電腦可讀取文數字文字之實施例中，可省略除該文字以外的單獨矩陣或另一碼。
標誌212、表示形式214及/或碼218可藉由雷射或另一已知印刷操作製作。代替標記，可將包括上述資訊之黏著劑標籤貼附至每一半導體裝置210。圖10中所示之標誌212、表示形式214及碼218之位置僅為舉例說明，且可將每一者之位置移至不同位置。在進一步實施例中，可將標誌212、表示形式214及碼218中之一者或多者置於半導體裝置210之一背面上。
雖然在裝置210之一表面上提供文數字表示形式214及碼218兩者係有益的，但應理解，在進一步實施例，可省略這兩者中之一者或另一者。如上文所提到，當一電腦裝置能夠讀取並理解該文數字表示形式時，可省略碼218。另一選擇係，不過更費時，可省略碼218且製造人員可經由與該MES控制程式相關聯之一鍵盤或另一輸入裝置輸入該文數字表示形式。類似地，雖然使得人們能夠讀取文數字表示形式214係有益的，但可省略文數字表示形式214，在此情況下，一旦掃描碼218，人們便可識別該唯一ID。
在一雷射標記站給一裝置指派三位數碼XXX之後，該雷射標記站隨後可上載該三位數碼以使得該MES系統隨後具有每一裝置之一唯一十位數識別符。然後可將該唯一十位數識別符儲存於該MES資料庫中以使得能夠在該製程中唯一地識別每一特定裝置。
現在參照圖10，該MES資料庫可具有一表220，該表具有與所有經處理裝置相關之所有相關資訊之反向可追蹤性需要之所有資料。此資訊可包括例如每一裝置中包括之特定離散組件(相對於一晶圓批量、基板批量或被動組件批量)。如圖10中所示，該MES資料庫可儲存一裝置之唯一ID連同與彼唯一裝置ID相關聯之以下資訊： ˙該裝置屬於之MES總成子批量；˙該經識別條帶上之基板批量編號、條帶ID及位置；˙第一晶粒之晶圓片上之MES晶圓批量編號、晶圓片ID及晶粒位置；˙第二晶粒之晶圓片上之MES晶圓批量編號、晶圓片ID及晶粒位置；˙晶粒n(於一n晶粒堆疊中)之晶圓片上之MES晶圓子批量編號、晶圓片ID及晶粒位置。
在圖10之實施例中，與該等被動組件相關之特定資訊未展示於表220中，但在進一步實施例中可包括此資訊。
藉助一特定離散組件(晶粒、基板及/或被動件)與一特定唯一裝置ID之關聯，關於該等離散組件之所有上述儲存資訊可藉由一特定半導體裝置之唯一裝置ID與該特定半導體裝置相關聯。如上文所提到，在離散組件裝配至一半導體裝置中之前產生大量資訊並將其與該等離散組件相關地儲存。一旦針對一半導體裝置產生一唯一裝置ID，則彼裝置中之離散組件之所有儲存資訊可在該MES資料庫中與彼唯一裝置ID相關聯。因此，例如，使用一裝置之唯一ID，可快速且容易自該MES資料庫存取以下資訊：˙對於用於該裝置中之記憶體晶粒(記憶體及控制器)：○製造商；○製造時間及地點；○接收於裝置製造工廠處之時間；○執行背向研磨、切割及其他處理步驟之時間及地點(當仍屬於一晶圓處之一部分時或此後)以及人員；○該晶粒於該晶圓上之位置(如上文所述)。
˙對於用於該裝置中之基板： ○製造商；○製造時間及地點；○接收於裝置製作工廠處之時間；○執行表面安裝及其他處理步驟之時間及地點(當仍屬於一條帶之一部分時或此後)以及人員；○該基板於該條帶上之位置(如上文所述)。
˙對於用於該裝置中之被動件：○製造商；○製造時間及地點；○接收於裝置製造工廠處之時間；○執行表面安裝及其他處理步驟之時間、地點及人員。
關於該等離散組件之上述資訊可與圖10中所示之資訊儲存在一起，或者其可在該MES資料庫中與圖10中所示之資訊相互對照。藉助上述資訊，該MES資料庫可提供相對於一給定半導體裝置中之所有離散組件之完整反向可追蹤性。此資訊可藉由知道一裝置之如上文所解釋直接印刷在該裝置上之唯一ID(呈人類可讀及機器可讀兩種格式)來加以存取。圖10中所示及上文所述之資訊並非意欲作為可儲存於該MES資料庫中之關於一半導體裝置及其離散組件之資訊之一詳盡清單。在進一步實施例中，額外及/或替代資訊亦可與一唯一裝置ID相關聯地儲存。
除反向可追蹤性之外，唯一地識別每一裝置210亦能夠實現前向可追蹤性。每一製程工具(或與每一此類製程工具相關聯之人員)可具有與該MES控制程式通信之一掃描器320。一給定工具處之掃描器掃描一裝置210之矩陣碼218，該MES控制程式更新該MES資料庫以指示裝置210正經歷彼工具處之製程或測試。該掃描器可每次掃描一個裝置210，或者該掃描器可能一次性地掃描若干個裝置210之碼218。
在掃描一給定製程工具(製造或測試)處之一裝置之後，該MES控制程式可將該製程步驟以及關於該製程步驟之資訊記錄成與該裝置之唯一ID編號相關聯。此所記錄資訊可包括例如該裝置經歷一製程之一日期與時間、與執行該製程之工具相關聯之人員、該製程工具之一維護記錄及各種各樣的其他資訊。因此，該唯一裝置ID連同在該裝置經歷之所有製程期間對彼ID之掃描提供裝置210在其經過該等製造及測試製程時之完整前向可追蹤性。
現在參照圖11，在單粒化並標記裝置210之後，裝置210可經歷記憶體測試及卡測試。對於記憶體測試，可在一N對1合併中將若干總成子批量組合為一較大測試批量以達成高效測試及設備利用。作為一項實例，可將25個總成子批量組合成一單個測試批量，但在進一步實例中該單個測試批量可係更多個或更少個總成子批量。在步驟150中，一經合併測試批量可經歷一記憶體測試。該記憶體測試可包括可能在高溫及低溫下對該測試批量中之每一裝置210之多個讀取/寫入操作。步驟150中之記憶體測試可包括其他或替代測試，諸如例如老化。
如背景章節中所解釋，記憶體測試150產生該測試批量中之半導體裝置之其中將該等裝置實體分離成不同分級箱之一分級。在一項實例中，可存在7個分級箱，其中分級箱1-4中之裝置被視為已令人滿意地通過該(該等)測試操作，而分級箱5-7中之裝置未通過。7個分級箱(其中1-4通過而5-7需要重新測試)之實施例僅為舉例說明。可使用其中區別令人滿意地執行該記憶體測試之裝置與不令人滿意地執行該記憶體測試之彼等裝置之各種其他分級及分類。
在步驟156中，若任一裝置結束於分級箱5-7中，則在步驟158中掃描該裝置ID，並將彼裝置於該MES資料庫中之記錄移至一不同邏輯分割區(仍屬於該MES資料庫，但屬於一不同組儲存記錄)。因此，識 別劣質裝置及將該等劣質裝置之記錄移至一新的位置之步驟156、158及160產生兩個不同整體分類之裝置。通過該記憶體測試之裝置之資料庫記錄在該資料庫中保持不變。如下文所述，將此等裝置(在本文中稱作一主要測試批量)輸送至該卡測試。
另一方面，掃描結束於分級箱5、6及7中之裝置之記錄以記錄其分級箱，並將彼等裝置之記錄移至新的資料庫位置。亦可將其他資訊與該等記錄一起儲存於該等新位置中，包括例如日期與時間、測試人員等等。個別裝置之記錄可如上文所解釋藉由其唯一ID編號來加以識別。藉助成為不同資料庫位置之分離，可容易瞭解哪些裝置在該等測試步驟中表現良好且哪些裝置表現不佳。
在步驟162中，結束於分級箱5-7中之彼等裝置可經歷其中在步驟150中重新測試其之回收。如背景章節中所指示，重新測試類型可視一裝置被分類至的分級箱而定。在重新測試之後，再次分級該等裝置，並掃描劣質裝置。可再次將第二次未通過分級之此等裝置之資料庫記錄移至一新的資料庫位置。藉由此系統，該MES資料庫將具有一給定裝置在測試步驟150中之表現之一表達記錄。當一裝置多次未通過時，將把每一例項及所得分級與彼裝置相關聯地儲存。本發明系統使得該MES控制程式能夠提供各種即時資料。在一個態樣中，該MES控制程式可指示一裝置何時未通過測試步驟150達一預定次數，在此情況下，可將彼裝置移離進一步測試。
在步驟150至162之系統中，僅掃描未通過測試之彼等裝置。此提供優點，因為不需要掃描通常將係大量裝置之通過之裝置。然而，在進一步實施例中，可在測試之後掃描所有裝置，且亦可將關於其分級之資訊添加至該資料庫。在各實施例中，代替移除劣質裝置記錄，可使所有記錄留在其於該資料庫中之原始位置中，但更新其記錄以反映測試結果。此外，可僅掃描劣質裝置並更新其記錄，或者可掃描所 有裝置並更新其記錄。
對於通過測試步驟150之裝置210(分級箱1-4)，可將該等裝置組合成一卡測試批量以在步驟166中進行一卡測試。該等卡測試步驟可類似於該等記憶體測試步驟，但運行額外或不同測試，諸如例如參見裝置210處置所下載內容之方式。在步驟166中使裝置210經受一卡測試並在步驟168中根據該等裝置之表現來分級該等裝置。此分級可藉由與在該記憶體測試步驟中相同或不同之程序。可在步驟170中掃描劣質裝置，並在步驟174將其記錄連同該分級資訊移至一新的資料庫位置。可在步驟178中回收此等裝置，並重複該製程。每當一裝置210經歷回收時，可在失常之後將其記錄連同該回收資訊移至一新的位置。
通過該卡測試之彼等裝置210可在步驟176中經歷最後加標籤及處置，此時裝置210係準備裝運之製成半導體封裝。本發明技術之一個態樣使得能夠識別最佳裝置。換句話說，考慮到對每一裝置之跟蹤及對關於該裝置之資訊之儲存，該MES控制程式可識別例如具有唯獨無瑕疵半導體晶粒(該KGD映射上之0,0)之裝置及/或通過該記憶體測試及卡測試而無任何回收之彼等裝置。可在步驟180中分離此等裝置以供出售給需要更高效能之客戶。剩下的優質裝置可在別處出售。類似地，可分離在若干回收之後通過該記憶體測試及/或卡測試之裝置，例如以降價出售。在進一步實施例中，可省略分離步驟180。
圖12展示進一步包括一半導體裝置所經歷之所有製程工具之記錄及該半導體裝置所經歷之所有測試程序之表220。(表220亦可包括為清楚起見而自圖12省略之圖9之表220中所示之所有離散組件資訊)。表220可進一步具有一半導體裝置在一測試操作期間所經歷之每一回收製程之記錄。如同上述，圖12之表220展示僅為舉例說明，且在進一步實施例中可包括額外或不同資訊。
本發明系統提供對一半導體裝置及其離散組件在該半導體裝置穿過該製作製程時之完整反向及前向可追蹤性，且本發明系統即時提供此可追蹤性。此一系統提供較在習用跟蹤及追蹤性系統之情況下可提供為佳之解析度。如背景章節中所述，習用可追蹤性系統不具有與每一裝置相關聯之唯一ID，且不具有追溯及跟蹤用於一裝置中之特定離散組件(晶粒、基板及/或被動件)之能力。因此當在製造之後偵測到一裝置之一問題時，習用系統發現該問題之能力有限。先前技術系統使得能夠識別根據其判定一給定裝置經歷過哪些製程之MES總成批量。根據此MES總成批量，進一步研究可揭露一晶圓批量，且可能揭露一問題之所在。然而，此研究係費時的且不提供關於形成該半導體裝置之離散組件之任何特定識別或資訊。
此等問題在本發明系統中得到解決。當偵測到一裝置之一問題時，對該MES資料庫之一查詢可即刻揭露該裝置經歷過之所有製程以及與所使用之特定晶粒、基板及/或被動件相關之一識別碼、製程步驟及資訊。此不僅更容易達成對一問題之根源之識別，而且其可快速揭露問題趨勢。分析少量問題裝置可快速且容易識別其之間的一共同因素，無論是在裝置層面上還是在離散組件層面上。例如，可碰巧，對問題裝置之一取樣揭露每一問題裝置係使用來自一特定晶圓製造商之一特定晶圓子批量或若干批量之半導體晶粒製作。對一問題之根源進行精確定位(甚至當出現在離散組件層面上時)之能力提供相對於習用MES平台之一顯著進步。
此外，由於可即時提供可追蹤性，因此一發現一問題就可識別並糾正一問題之根源。例如，若在記憶體或卡測試期間對半導體裝置之一取樣中之一問題將一特定批量或若干批量識別為該問題，則可停止該製造運行，並在將來自此等晶圓之進一步晶粒併入至裝置中之前自該製程移除該成問題批量或該等成問題批量。
雖然上文已就諸如一記憶卡之一非揮發性記憶體封裝闡述了本發明系統，但應理解，本文中所述之技術可用於其他半導體封裝技術中之完整反向及前向可追蹤性。
該MES控制程式及MES資料庫可係現在參照圖13所述之一項實例之一MES伺服器300之一部分。MES伺服器300之組件可包括但不限於一處理器302、一系統記憶體304、可追蹤性資料庫306a、MES資料庫306b、各種系統介面及耦合各種系統組件之一系統匯流排308。如上文所提到，可追蹤性資料庫306a及MES資料庫306b可組合成一單個資料庫或分佈於多個資料庫上。系統匯流排308可系幾種類型之匯流排結構中之任一者，包括一記憶體匯流排或記憶體控制器、一周邊匯流排及使用各種匯流排架構中之任一者之區域匯流排。
系統記憶體304包括呈諸如ROM 310及RAM 312之揮發性及/或非揮發性記憶體之形式之電腦儲存媒體。RAM 312可含有MES伺服器300之一作業系統313及MES軟體平台314之程式模組。此等程式模組中之一者可係上述所提及之MES控制程式。該MES控制程式可係該MES平台之指揮MES伺服器300之各種組件擷取與半導體裝置210及半導體裝置210之離散組件相關之資料之彼部分。該MES控制程式可進一步負責產生如上文所述之識別符。該MES控制程式可具有進一步責任。
可追蹤性資料庫306a及MES資料庫306b可各自例如係一關係資料庫，該關係資料庫包括共同儲存包括上文所述之與半導體裝置210及半導體裝置210之離散散件相關之資料之所有MES資料之電腦可讀媒體。資料庫306a及/或306b亦可儲存其他類型之資料及資訊。儘管展示為MES伺服器300之一部分，但可追蹤性資料庫306a及/或MES資料306b可遠離伺服器300，且甚至可遠離該MES伺服器可位於其中之卡製造工廠。在各實施例中，可存在可追蹤性資料庫306a及MES資料 306b中之一者或兩者之冗餘或備份版本。儘管未展示，但MES伺服器300亦可包括各種其他電腦可讀媒體，包括可抽換式及/不可抽換式、揮發性/非揮發性電腦儲存媒體。
MES伺服器300可包括用於資料及資訊之輸入及輸出之各種介面。輸入介面316接收來自複數個掃描器320及諸如一鍵盤322及滑鼠324之輸入裝置之資料。掃描器320可提供於製程及測試工具處以讀取上文所述之機器可讀碼，諸如半導體裝置210上之矩陣碼218。掃描器320亦可讀取該等離散組件上之機器可讀碼。圖13中所示之掃描器之數目僅為舉例說明。
可提供一視訊介面330以與一監視器332介接。監視器332可例如用於為製造人員提供一圖形使用者介面，並顯示來自各種製程及測試工具以及其他工廠操作之資料。可提供一周邊介面336以支援周邊裝置，包括例如一印表機338。
MES伺服器300可使用至一或多個遠端電腦344、346之邏輯連接經由一網路介面340在一聯網環境下操作。至電腦344之邏輯連接可係一區域連接(LAN)348，且至電腦346之邏輯連接可經由網際網路350。亦可提供其他類似之聯網連接。因此，除與資料庫306a及/或306b介接以獲得卡製造工廠中之可追蹤性資訊以外，本發明系統還使得能夠連接至MES伺服器300以自具有至該MES伺服器之一網路連接之任一位置獲得此資訊。
應理解，對MES伺服器300之以上說明僅為舉例說明，且可包括各種各樣的其他組件以補充或代替上文所述之彼等組件。
總之，本發明技術之一項實施例係關於一種用於跟蹤半導體封裝之系統。該系統包括一半導體裝置，該半導體裝置具有一基板及安裝於該基板上之一或多個半導體晶粒。該系統進一步包括與該半導體裝置相關聯之一識別符，該識別符唯一地區別該半導體裝置與所有其 他半導體裝置。
在另一實施例中，本發明技術係關於一種用於跟蹤半導體封裝之系統。該系統包括一半導體裝置，該半導體裝置具有一基板及安裝於該基板上之一或多個半導體晶粒。該系統進一步包括與該半導體裝置相關聯之一識別符，該識別符將用於該半導體裝置中之特定半導體晶粒與該半導體裝置相關聯。
在一進一步實施例中，本發明技術係關於一種用於跟蹤半導體封裝之系統。該系統包括一半導體裝置，該半導體裝置具有一基板及安裝於該基板上之一或多個半導體晶粒。該系統進一步包括與該半導體裝置相關聯之一識別符，該識別符亦將如下各項與該半導體裝置相關聯：i)對該半導體裝置執行之製造製程，ii)對該半導體裝置執行之測試操作，及iii)該半導體裝置在該等測試操作中之表現。
在另一實施例中，本發明技術係關於一種用於跟蹤半導體封裝之系統。該系統包括一半導體裝置，該半導體裝置具有一基板、安裝於該基板上之一或多個半導體晶粒及若干被動組件。該系統進一步包括一電腦可讀媒體，該電腦可讀媒體包括識別如下各項中之至少一者之所儲存資訊：i)用於該半導體裝置中之該基板，ii)用於該半導體裝置中之該一或多個半導體晶粒，iii)用於該半導體裝置中之該等被動組件，iv)在其處理該半導體之工具，v)在其處測試該半導體裝置之工具，vi)在測試該半導體裝置之後該半導體裝置之分級，及vii)在一測試操作之後該半導體裝置是否且多少次經歷一回收操作。
出於例示及說明之目的，上文已對本發明進行了詳細說明。本說明並非意欲包羅無遺或將本發明限制於所揭示之特定形式。根據上述教示亦可作出許多種修改及變動。選取所述各實施例以便最佳地解釋本發明之原理及其實際應用，藉此使其他熟習此項技術者能夠以適於預期特定用途之各種實施例形式及使用各種修改來最佳地利用本發 明。本發明之範疇意欲由隨附申請專利範圍界定。

Claims (15)

  1. 一種半導體裝置，其包含：若干離散組件，該等離散組件包含：一基板，安裝於該基板上之一或多個半導體晶粒，及安裝於該基板上之一或多個被動組件；及一識別符，其係提供於該半導體裝置之一外部表面上且可見於該半導體裝置之該外部表面上，該識別符允許反向可追蹤性以識別該半導體裝置中所使用之該等離散組件，且該識別符藉由實現處理該半導體裝置之該等離散組件之製程工具之識別而允許前向可追蹤性。
  2. 如請求項1之半導體裝置，該識別符唯一地區別該半導體裝置。
  3. 如請求項1之半導體裝置，該識別符實現i)處理該半導體裝置之製程工具及ii)測試該半導體裝置之測試工具中之至少一者之識別。
  4. 如請求項1之半導體裝置，其中該識別符係印刷在該模製複合物之該外部表面上。
  5. 如請求項1之半導體裝置，其中該識別符係一文數字碼。
  6. 如請求項1之半導體裝置，其中該識別符係一機器可讀碼。
  7. 如請求項1之半導體裝置，其中該識別符進一步識別用於該半導體裝置中之該半導體晶粒之一製造商、製作該半導體晶粒之一時間及地點、以及在併入至該半導體裝置中之前對該半導體晶粒執行之製程中之至少一者。
  8. 如請求項1之半導體裝置，其中該識別符包括：製作該半導體裝置之一時間及地點， 該半導體裝置所來自的一裝置總成子批量，及區別製作有相同時間及地點資訊以及相同裝置總成子批量資訊之每一裝置之一ID。
  9. 如請求項1之半導體裝置，其中該識別符具有YWWDMLLXXX之格式，其中：Y表示一年之最後位數；WW表示該年內之周數；D表示該周內之天；M表示半導體封裝製造工廠；LL表示用以標示每一裝置總成子批量之一文數字2位數ID；且XXX表示用以區別製作有相同日期、位置及裝置總成子批量資訊之每一裝置之一文數字3位數唯一ID。
  10. 如請求項1之半導體裝置，其中該半導體裝置係一非揮發性記憶體封裝。
  11. 一種電子裝置，其包含：一半導體裝置，其包含一外表面且進一步包含：一基板，安裝於該基板上之一或多個半導體晶粒，及可見於該半導體裝置之該外表面上之一識別符，該識別符允許反向可追蹤性以識別該半導體裝置中所使用之該一或多個之半導體晶粒且識別該半導體裝置中所使用之該基板，且該識別符藉由實現對於i)處理該一或多個半導體晶粒之製程工具及ii)處理該基板之製程工具之識別而允許前向可追蹤性。
  12. 如請求項11之電子裝置，其中該識別符藉由於製程及/或測試工具處之掃描器以掃描於製程及/或測試工具處之該識別符而允許前向 可追蹤性。
  13. 如請求項11之電子裝置，其中該識別符包括：製作該半導體裝置之一時間及地點，該半導體裝置所來自的一裝置總成子批量，及區別製作有相同時間及地點資訊以及相同裝置總成子批量資訊之每一裝置之一ID。
  14. 如請求項11之電子裝置，其中該識別符具有YWWDMLLXXX之格式，其中：Y表示一年之最後位數；WW表示該年內之周數；D表示該周內之天；M表示半導體封裝製造工廠；LL表示用以標示每一裝置總成子批量之一文數字2位數ID；且XXX表示用以區別製作有相同日期、位置及裝置總成子批量資訊之每一裝置之一文數字3位數唯一ID。
  15. 如請求項11之電子裝置，其中該半導體裝置係一非揮發性記憶體封裝，且該電子裝置係一數位攝影機、數位音樂播放器、視訊遊戲控制台、個人數位助理(PDA)及蜂巢式電話中之一者。
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