CN107808831B - 全程可溯源半导体测试数据记录方法 - Google Patents

全程可溯源半导体测试数据记录方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107808831B
CN107808831B CN201711104567.3A CN201711104567A CN107808831B CN 107808831 B CN107808831 B CN 107808831B CN 201711104567 A CN201711104567 A CN 201711104567A CN 107808831 B CN107808831 B CN 107808831B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
test
identification code
data
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711104567.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107808831A (zh
Inventor
邵嘉阳
汤雪飞
王玉龙
王�华
罗斌
凌俭波
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sino IC Technology Co Ltd
Original Assignee
Sino IC Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sino IC Technology Co Ltd filed Critical Sino IC Technology Co Ltd
Priority to CN201711104567.3A priority Critical patent/CN107808831B/zh
Publication of CN107808831A publication Critical patent/CN107808831A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107808831B publication Critical patent/CN107808831B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H01L2223/5444—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information for electrical read out

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种全程可溯源半导体测试数据记录方法，在芯片的非易失存储区写入芯片的唯一识别码；将唯一识别码和测试环节作为数据索引信息，将数据写入数据库中；通过识别码和测试环节可以在数据库中索引所有的测试数据，可以跟踪整个测试过程中产生的数据并加以监控数据的变化。对于同一颗芯片，可以看到晶圆测试时的数据及封装完成后成品测试的数据，快速准确地获取到每个测试环节的数据，以便工程师分析过程数据、筛选最终的合格芯片。

Description

全程可溯源半导体测试数据记录方法
技术领域
本发明涉及一种检测技术，特别涉及一种全程可溯源半导体测试数据记录方法。
背景技术
现有的技术方案是在晶圆测试中，使用LotID+晶圆的WaferID+每个芯片在晶圆上的坐标来定位晶圆测试过程中每颗芯片的数据。这样，如果在晶圆测试中做老化的话，老化后半导体芯片在同一片晶圆上的坐标不会发生变化，因此测试数据还能通过坐标来定位。在成品测试过程中，常规的做法是对成品芯片进行编号并打印或者手工写在芯片表面，这样在多次测试过程中可以通过芯片编号进行数据溯源。但是，在多次测试过程中的老化会使得芯片表面的油墨变得模糊，如果多次老化甚至可能会导致编号不可辨识。而且在成品芯片封装过程中会丢失芯片在晶圆上的位置，因此成品测试数据无法溯源到晶圆测试数据。
在半导体测试过程中，会经历晶圆测试->封装->成品测试的过程。其中晶圆测试或者成品测试的过程中还有可能经历多次测试、老化等过程。现在生产管理需要，在整个测试过程中把每个成品的测试数据从晶圆开始到成品都有记录并溯源。使用现在的检测记录手段，是无法满足要求的。
发明内容
本发明是针对从晶圆测试到成品测试的过程中数据无法追溯的问题，提出了一种全程可溯源半导体测试数据记录方法,对于同一颗芯片，可以看到晶圆测试时的数据及封装完成后成品测试的数据，便于跟踪整个测试过程，提供数据来改进生产过程。
本发明的技术方案为：一种全程可溯源半导体测试数据记录方法，具体包括如下步骤：
1)晶圆首次测试的过程中，在被测芯片的非易失存储区域内写入该芯片的唯一识别码，识别码中包括批量编号LotID、晶圆编号WaferID、此被测芯片在原晶圆上的XY坐标、流水号及校验码，识别码加上测试环节标识作为此被测芯片数据文件的索引信息，将测试数据存储在数据库中；
2)之后进行老化后的再次测试晶圆测试，从被测芯片的非易失存储区读取该芯片的识别码，与数据库中对应的索引信息进行比对，如果发生任何信息错误，则该芯片为不合格芯片；如果所有信息均正确，证明在老化过程中信息没有丢失，继续使用该识别码加上更新后测试环节标识作为数据库索引信息将此次测试数据存入数据库中；
3)在封装后，进行成品测试，读取该芯片的识别码，与数据库中对应的索引信息进行比对，如果信息不对，即验证不通过，则该芯片为不合格芯片，如果验证通过则认为识别码正确，并用此识别码及更新后测试环节标识作为芯片的索引条件将测试数据存入数据库，成品测试索引信息比对不包括此被测芯片在原晶圆上的XY坐标；
4)在被测芯片的所有测试都完成后，使用芯片的识别码获得该芯片从晶圆开始每个环节的所有测试数据，分析整个测试过程中数据的变化，完成最终的数据分析。
本发明的有益效果在于：本发明全程可溯源半导体测试数据记录方法,可以在每个半导体芯片完成最终测试后，快速准确地获取到每个测试环节的数据，以便工程师分析过程数据、筛选最终的合格芯片。
附图说明
图1为本发明全程可溯源半导体测试数据记录方法流程图。
具体实施方式
晶圆测试CP：使用测试设备测试在晶圆上的待测芯片；成品测试FT：使用测试设备测试封装完成后的半导体芯片；老化：通过高温烘烤的方式加速半导体芯片损坏的方法；测试的详细数据，包含被测器件的在原晶圆上的坐标、测试项名称、测试值、测试条件、判断条件等。
本发明在晶圆首次测试的过程中，在被测芯片的非易失存储区域内写入该芯片的唯一识别码，包括但不限于LotID(批量编号)、WaferID(晶圆编号)、此被测芯片在原晶圆上的XY坐标、流水号、校验码等，同时，用这个识别码加上测试环节标识(如晶圆第一次测试等)作为此被测芯片数据文件的索引信息，存储在数据库中。之后所有的测试晶圆环节中，每次都从被测芯片的非易失存储区读取该芯片的识别码，与索引信息进行比对，如果发生错误，则该芯片为不合格芯片。如果所有信息均正确，则该芯片在当前测试环节合格。在封装后，通过芯片的信息并和校验码进行校验通过后即可获得该芯片在原来晶圆上的位置，即可在数据库中查找到原来晶圆测试时该芯片的测试数据。
测试流程如图1所示，该图中有2次晶圆测试及2次成品测试，首次晶圆测试将芯片唯一识别码写入芯片的非易失存储区中，第二次晶圆测试验证写入的内容是否正确，即在老化过程中是否有数据丢失。在每次成品测试过程中，验证唯一识别码的内容和校验码是否匹配，如果不匹配则为封装或者老化过程中有数据丢失，则该芯片为失效芯片。
本发明使用芯片的非易失存储区记录芯片的唯一识别码，使该芯片在封装前后都能被准确的定位到。
以2次晶圆测试、2次成品测试及在每次晶圆测试及成品测试中插入一次老化实验为例。第一次晶圆测试时在非易失存储区写入芯片的唯一识别码(包括芯片的LotID、WaferID、XY坐标生成及通过唯一识别码运算得到的校验码)，将唯一识别码加上测试环节标识作为数据的索引信息将测试数据存入数据库中。在所有的芯片都测试完成后，将晶圆进行高温烘烤来完成老化，之后进行第二次晶圆测试。此时，读取非易失存储区的数据，并和该芯片对应数据库中的索引信息(LotID、WaferID、XY坐标)进行比对，并计算校验码是否正确，如果都无误，则该信息在老化过程中没有丢失，继续使用该识别码加上更新的测试环节标识作为数据库索引信息将此次测试数据存入数据库中。在晶圆测试完成后对晶圆进行切割封装，完成后进行成品测试。成品测试时由于没有晶圆测试时的XY坐标等信息，因此只能通过唯一识别码来确定芯片编号，在每次测试时都需要读取唯一识别码并进行验证来生成数据索引信息，如果验证不通过，则该芯片为不合格芯片，如果验证通过则认为识别码正确，并用此识别码及测试环节标识作为芯片的索引条件将测试数据存入数据库。
在芯片的所有测试都完成后，工程师可以使用芯片的识别码获得该芯片从晶圆开始每个环节的所有测试数据，可以分析整个测试过程中数据的变化，以便更好的完成最终的数据分析。
本技术方案的关键点一是在芯片的非易失存储区写入芯片的唯一识别码；关键点二是将唯一识别码和测试环节作为数据索引信息，将数据写入数据库中；关键点三是通过识别码和测试环节可以在数据库中索引所有的测试数据，可以跟踪整个测试过程中产生的数据并加以监控数据的变化。

Claims (1)

1.一种全程可溯源半导体测试数据记录方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
1）晶圆首次测试的过程中，在被测芯片的非易失存储区域内写入该芯片的唯一识别码，识别码中包括批量编号LotID、晶圆编号WaferID、此被测芯片在原晶圆上的XY坐标、流水号及校验码，识别码加上测试环节标识作为此被测芯片数据文件的索引信息，将测试数据存储在数据库中；
2）之后进行老化后的再次测试晶圆测试，从被测芯片的非易失存储区读取该芯片的识别码，与数据库中对应的索引信息进行比对，如果发生任何信息错误，则该芯片为不合格芯片；如果所有信息均正确，证明在老化过程中信息没有丢失，继续使用该识别码加上更新后测试环节标识作为数据库索引信息将此次测试数据存入数据库中；
3）在封装后，进行成品测试，读取该芯片的识别码，与数据库中对应的索引信息进行比对，如果信息不对，即验证不通过，则该芯片为不合格芯片，如果验证通过则认为识别码正确，并用此识别码及更新后测试环节标识作为芯片的索引条件将测试数据存入数据库，成品测试索引信息比对不包括此被测芯片在原晶圆上的XY坐标；
4）在被测芯片的所有测试都完成后，使用芯片的识别码获得该芯片从晶圆开始每个环节的所有测试数据，分析整个测试过程中数据的变化，完成最终的数据分析。
CN201711104567.3A 2017-11-10 2017-11-10 全程可溯源半导体测试数据记录方法 Active CN107808831B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711104567.3A CN107808831B (zh) 2017-11-10 2017-11-10 全程可溯源半导体测试数据记录方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711104567.3A CN107808831B (zh) 2017-11-10 2017-11-10 全程可溯源半导体测试数据记录方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107808831A CN107808831A (zh) 2018-03-16
CN107808831B true CN107808831B (zh) 2021-03-16

Family

ID=61590697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711104567.3A Active CN107808831B (zh) 2017-11-10 2017-11-10 全程可溯源半导体测试数据记录方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107808831B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108766905A (zh) * 2018-04-27 2018-11-06 江苏澳芯微电子有限公司 一种验证晶圆老化的烘烤装置、系统及其方法
CN110082666B (zh) * 2019-04-10 2022-02-22 杭州微纳核芯电子科技有限公司 芯片测试分析方法、装置、设备及存储介质
CN110162433A (zh) * 2019-04-10 2019-08-23 浙江省北大信息技术高等研究院 芯片失效分析方法、装置、设备及存储介质
CN110349887A (zh) * 2019-07-16 2019-10-18 沛顿科技（深圳）有限公司 基于二维码的追溯单颗ic生产情况的系统
CN113362489A (zh) * 2020-03-06 2021-09-07 联合汽车电子有限公司 车辆测量文件的创建方法、电子设备和存储介质
CN111863649B (zh) * 2020-06-23 2021-02-09 深圳米飞泰克科技有限公司 芯片的成品测试方法、装置、终端设备和存储介质
CN112200278A (zh) * 2020-09-25 2021-01-08 杭州加速科技有限公司 芯片测试数据溯源方法和装置
CN112271147A (zh) * 2020-10-22 2021-01-26 上海华岭集成电路技术股份有限公司 一种芯片信息校验的方法
CN112331251A (zh) * 2020-12-03 2021-02-05 深圳市博业诚电子有限公司 一种半导体存储器的测试方法
CN112685237B (zh) * 2020-12-31 2023-06-13 海光信息技术股份有限公司 一种芯片测试数据跟踪查询方法、系统及电子设备
CN112732586B (zh) * 2021-01-20 2024-06-07 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 一种芯片调试方法、系统、设备及计算机可读存储介质
CN113407531B (zh) * 2021-05-24 2023-07-25 芯天下技术股份有限公司 晶圆测试数据的分析方法、平台、电子设备及存储介质
CN113492114B (zh) * 2021-09-08 2021-11-16 苏州贝克微电子有限公司 一种用于集成电路的半导体芯片测试方法及其测试装置
CN114632710B (zh) * 2022-02-16 2023-01-13 深圳米飞泰克科技股份有限公司 芯片的不良品筛选方法、装置、终端及服务器
CN114724985B (zh) * 2022-04-02 2022-12-06 安徽钜芯半导体科技有限公司 一种光伏模块芯片的封装传动控制系统
CN117650088B (zh) * 2024-01-30 2024-05-03 合肥康芯威存储技术有限公司 一种存储芯片物料批次的定位系统及定位方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102394111A (zh) * 2011-08-03 2012-03-28 珠海天威技术开发有限公司 耗材芯片的测试方法
CN102640253A (zh) * 2010-10-04 2012-08-15 晟碟半导体（上海）有限公司 分立组件后向可追溯性和半导体装置前向可追溯性

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3430015B2 (ja) * 1998-05-20 2003-07-28 東京エレクトロン株式会社 信頼性試験システム
JP2002280276A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Kawasaki Microelectronics Kk 半導体装置およびそのマーキング方法
CN101739408A (zh) * 2008-11-18 2010-06-16 和舰科技(苏州)有限公司 一种基于半导体测试数据的数据处理方法
CN104597392B (zh) * 2015-01-09 2018-02-09 上海华岭集成电路技术股份有限公司 测试数据深度溯源的方法
CN105117750B (zh) * 2015-08-20 2018-07-31 广州建设工程质量安全检测中心有限公司 钻芯法检测混凝土强度的标识贴、采集溯源系统及其方法
CN105067992B (zh) * 2015-08-25 2018-06-05 无锡中微腾芯电子有限公司 通过测试数据实现芯片追溯的方法
CN106528208A (zh) * 2016-10-17 2017-03-22 惠州市蓝微电子有限公司 一种加密产品的扫描和集成校验比对方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640253A (zh) * 2010-10-04 2012-08-15 晟碟半导体（上海）有限公司 分立组件后向可追溯性和半导体装置前向可追溯性
CN102394111A (zh) * 2011-08-03 2012-03-28 珠海天威技术开发有限公司 耗材芯片的测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107808831A (zh) 2018-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107808831B (zh) 全程可溯源半导体测试数据记录方法
CN102169846B (zh) 一种在集成电路晶圆测试过程中实现多维变量密码并行写入的方法
US20150370685A1 (en) Defect localization in software integration tests
US9384117B2 (en) Machine and methods for evaluating failing software programs
CN111863649B (zh) 芯片的成品测试方法、装置、终端设备和存储介质
CN111611172A (zh) 项目测试缺陷分析方法、装置、设备及存储介质
US7474979B1 (en) Integrated circuit device test system and method
CN115032523A (zh) 芯片自动测试方法、系统、计算机设备和存储介质
CN104123212A (zh) Usb芯片的系统测试方法
CN112420535A (zh) 一种芯片制作方法及系统
US10656204B2 (en) Failure detection for wire bonding in semiconductors
CN112463620B (zh) 安卓软件集成测试中的覆盖率测试方法、装置
CN106971757A (zh) 一种检验Nand Flash质量的方法及系统
CN111143211B (zh) 离线快速检测测试设置准确性的方法
CN117170948A (zh) 主板内存故障的定位方法、装置、电子设备及存储介质
US9312030B2 (en) Apparatus and method for acquiring data of fast fail memory
CN113611348B (zh) 打点方法、装置、电子设备及存储介质
CN101901185A (zh) 一种按类组织执行轨迹的面向对象程序缺陷定位方法
US10338137B1 (en) Highly accurate defect identification and prioritization of fault locations
CN110704252A (zh) 一种基于云端动态管理的自动测试装置和测试方法
CN104572433A (zh) 一种金融信息系统测试方法和装置
CN112557881A (zh) 管控集成电路测试质量的方法
CN107340487A (zh) 一种查看测试系统处于稳定状态下实际加工能力的方法
CN102650941A (zh) 影像离线编程系统及方法
JP2021047139A (ja) 試験装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant