JPH05121521A - 半導体ウエハ製造装置および製造方法 - Google Patents
半導体ウエハ製造装置および製造方法Info
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- JPH05121521A JPH05121521A JP3283241A JP28324191A JPH05121521A JP H05121521 A JPH05121521 A JP H05121521A JP 3283241 A JP3283241 A JP 3283241A JP 28324191 A JP28324191 A JP 28324191A JP H05121521 A JPH05121521 A JP H05121521A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 145
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 abstract description 6
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67282—Marking devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
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- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、各作業工程のいかなる場所におい
ても作業対象となっているウェハが、素材インゴットか
ら何番目に切り出されたものであるかを識別することの
できる方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明では、素材インゴットから切り出され
た順番をウェハの識別番号としてウェハ1枚ごとに与え
て、ウェハがそれぞれの製造工程の中をどのように搬送
されたかという搬送経路をウェハ1枚づつ追跡し、ウェ
ハ情報として記憶するようにしている。
ても作業対象となっているウェハが、素材インゴットか
ら何番目に切り出されたものであるかを識別することの
できる方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明では、素材インゴットから切り出され
た順番をウェハの識別番号としてウェハ1枚ごとに与え
て、ウェハがそれぞれの製造工程の中をどのように搬送
されたかという搬送経路をウェハ1枚づつ追跡し、ウェ
ハ情報として記憶するようにしている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの製造装
置および製造方法にかかり、特に製造履歴の追跡に関す
る。
置および製造方法にかかり、特に製造履歴の追跡に関す
る。
【0002】
【従来の技術】IC、LSIなどの材料となるシリコ
ン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの半導体ウェハに
要求される品質は、デバイスの高集積化に伴い年々高い
ものとなってきている。
ン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの半導体ウェハに
要求される品質は、デバイスの高集積化に伴い年々高い
ものとなってきている。
【0003】半導体ウェハは同じ加工機で加工したとし
ても、ウェハ単位では良品率を左右するほど品質が異な
ることがある。従って、品質改善のためには品質と作業
条件の関係をウェハ単位で対応させたデータを蓄積する
ことが必要である。
ても、ウェハ単位では良品率を左右するほど品質が異な
ることがある。従って、品質改善のためには品質と作業
条件の関係をウェハ単位で対応させたデータを蓄積する
ことが必要である。
【0004】従来、半導体ウェハの生産はロット単位
(20〜300枚程度の同じ特性を要求されるウェハ
群)に行われており、作業実績などの品質情報は、作業
者がロット単位に日報等に記載して管理しているのが常
である。
(20〜300枚程度の同じ特性を要求されるウェハ
群)に行われており、作業実績などの品質情報は、作業
者がロット単位に日報等に記載して管理しているのが常
である。
【0005】しかし、この方法では、あるウェハが素材
インゴットのどの位置から切り出されたか、どの熱処理
装置で処理されたか、洗浄機の槽のどの位置で洗浄され
たか等の重要なウェハ単位の品質情報が管理できないた
め、品質改善に必要となる情報が不足するという問題点
がある。また、品質情報の管理を手作業で行っているの
で、情報の信頼性の低下や管理工数の増大等の問題もあ
る。
インゴットのどの位置から切り出されたか、どの熱処理
装置で処理されたか、洗浄機の槽のどの位置で洗浄され
たか等の重要なウェハ単位の品質情報が管理できないた
め、品質改善に必要となる情報が不足するという問題点
がある。また、品質情報の管理を手作業で行っているの
で、情報の信頼性の低下や管理工数の増大等の問題もあ
る。
【0006】さらにまた、ロット単位での管理を行って
いるため、次工程が洗浄工程や化学処理工程等の一括処
理工程の場合は、1ロットの処理が終了しないと、次工
程に移行できないため、待ち時間が多くなるため、処理
時間に無駄が多く、少量多品種化の流れの中ではこれが
特にコストの低減を阻む問題となっている。
いるため、次工程が洗浄工程や化学処理工程等の一括処
理工程の場合は、1ロットの処理が終了しないと、次工
程に移行できないため、待ち時間が多くなるため、処理
時間に無駄が多く、少量多品種化の流れの中ではこれが
特にコストの低減を阻む問題となっている。
【0007】一般に加工対象物を個々に管理する方法と
して、対象物1個毎にバーコードや刻印等を施し、それ
を識別記号として管理する方法がある。しかし、半導体
ウェハの場合はこのような方法で識別記号を付加するこ
とは品質上好ましくない。
して、対象物1個毎にバーコードや刻印等を施し、それ
を識別記号として管理する方法がある。しかし、半導体
ウェハの場合はこのような方法で識別記号を付加するこ
とは品質上好ましくない。
【0008】例えば、バーコードなどは洗浄の際の重大
な汚染源となる。また、レーザマーキングは刻印をかな
りの深さに施さなければならないため、レーザの高エネ
ルギーによるウェハの特性変化を招きかねない。また、
刻印部に汚染物質がたまりやすくなり、他のウェハに影
響を及ぼすおそれもある。また、製品によっては絶対に
刻印を施せない工程を経るものもある。
な汚染源となる。また、レーザマーキングは刻印をかな
りの深さに施さなければならないため、レーザの高エネ
ルギーによるウェハの特性変化を招きかねない。また、
刻印部に汚染物質がたまりやすくなり、他のウェハに影
響を及ぼすおそれもある。また、製品によっては絶対に
刻印を施せない工程を経るものもある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の方法
では、ウェハ単位の品質情報を容易かつ十分に管理する
ことができないという問題があった。
では、ウェハ単位の品質情報を容易かつ十分に管理する
ことができないという問題があった。
【0010】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、各作業工程のいかなる場所においても作業対象とな
っているウェハが、素材インゴットから何番目に切り出
されたものであるか、そしてそれまでにいかなる条件で
処理を受けてきたものであるかを1枚毎に識別すること
のできる方法および製造装置を提供することを目的とす
る。
で、各作業工程のいかなる場所においても作業対象とな
っているウェハが、素材インゴットから何番目に切り出
されたものであるか、そしてそれまでにいかなる条件で
処理を受けてきたものであるかを1枚毎に識別すること
のできる方法および製造装置を提供することを目的とす
る。
【0011】すなわち、本発明は、いかなるウェハに対
しても1枚ごとに品質情報を容易、かつ十分に管理する
ことのできる方法および製造装置を提供することを目的
とする。
しても1枚ごとに品質情報を容易、かつ十分に管理する
ことのできる方法および製造装置を提供することを目的
とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の方法で
は、半導体ウェハ1枚毎に識別番号を設定し、これを識
別子情報として記憶媒体に記憶させるとともに、さらに
ウェハがどのように搬送され、それぞれの製造工程の中
でどのように処理されたかという処理経路を新しく識別
子情報として前工程での識別子情報に対応づけてウェハ
1枚づつ追跡し、ウェハ情報として前記記憶媒体に追加
記憶し、この記憶されたウェハ情報に基づいてウェハ製
造工程全般にわたって個々のウェハの履歴を管理するよ
うにしている。
は、半導体ウェハ1枚毎に識別番号を設定し、これを識
別子情報として記憶媒体に記憶させるとともに、さらに
ウェハがどのように搬送され、それぞれの製造工程の中
でどのように処理されたかという処理経路を新しく識別
子情報として前工程での識別子情報に対応づけてウェハ
1枚づつ追跡し、ウェハ情報として前記記憶媒体に追加
記憶し、この記憶されたウェハ情報に基づいてウェハ製
造工程全般にわたって個々のウェハの履歴を管理するよ
うにしている。
【0013】また本発明の装置では、半導体ウェハ1枚
毎に識別番号を設定し、これを識別子情報として記憶媒
体に記憶させる識別番号付与手段と、このウェハがどの
ように搬送され、それぞれの製造工程の中でどのように
処理されたかという処理経路を新しく識別子情報として
前工程での識別子情報に対応づけてウェハ1枚づつ追跡
し、ウェハ情報として前記記憶媒体に追加記憶するウェ
ハ情報記憶手段と、この記憶されたウェハ情報に基づい
てウェハ製造工程全般にわたって個々のウェハの履歴を
管理するウェハ履歴管理手段とを具備している。
毎に識別番号を設定し、これを識別子情報として記憶媒
体に記憶させる識別番号付与手段と、このウェハがどの
ように搬送され、それぞれの製造工程の中でどのように
処理されたかという処理経路を新しく識別子情報として
前工程での識別子情報に対応づけてウェハ1枚づつ追跡
し、ウェハ情報として前記記憶媒体に追加記憶するウェ
ハ情報記憶手段と、この記憶されたウェハ情報に基づい
てウェハ製造工程全般にわたって個々のウェハの履歴を
管理するウェハ履歴管理手段とを具備している。
【0014】例えば、素材インゴットから切り出された
順番をウェハの識別番号としてウェハ1枚ごとに与え
て、ウェハがそれぞれの製造工程の中をどのように搬送
されどのように処理されたかという処理経路をウェハ1
枚づつ追跡し、ウェハ情報として記憶する。
順番をウェハの識別番号としてウェハ1枚ごとに与え
て、ウェハがそれぞれの製造工程の中をどのように搬送
されどのように処理されたかという処理経路をウェハ1
枚づつ追跡し、ウェハ情報として記憶する。
【0015】ここで望ましくは、処理経路は、製造装置
の号機、治具等における位置座標で表す。
の号機、治具等における位置座標で表す。
【0016】また、記憶媒体としては、コンピュータお
よびコンピュータネットワークを利用する。
よびコンピュータネットワークを利用する。
【0017】
【作用】本発明によれば、ウェハを1枚ごとに識別する
ことができるためウェハ単位の品質管理が確実にしかも
少ない工数で実現できる。
ことができるためウェハ単位の品質管理が確実にしかも
少ない工数で実現できる。
【0018】さらに、ロット単位での管理が不要とな
り、ウェハ単位で管理することができるため、次工程が
洗浄工程や化学処理工程等の一括処理工程の場合にも、
1処理バッチ毎に、次工程に移行させることができ、処
理時間の無駄を低減することができ、少量多品種化に有
効である。
り、ウェハ単位で管理することができるため、次工程が
洗浄工程や化学処理工程等の一括処理工程の場合にも、
1処理バッチ毎に、次工程に移行させることができ、処
理時間の無駄を低減することができ、少量多品種化に有
効である。
【0019】しかも、ウェハに印字をしたりレーザマー
キングなどの外的な識別情報を付加することなくウェハ
の識別を行うことができるため、それによるウェハの品
質の劣化を防止することもできる。
キングなどの外的な識別情報を付加することなくウェハ
の識別を行うことができるため、それによるウェハの品
質の劣化を防止することもできる。
【0020】また、ウェハ単位で作業実績データを蓄積
できれば、ウェハの不良要因の発見をきめ細かく行うこ
とができ、ひいてはウェハの良品率の向上につながる。
できれば、ウェハの不良要因の発見をきめ細かく行うこ
とができ、ひいてはウェハの良品率の向上につながる。
【0021】また、抵抗値等の物性的特性をウェハ単位
で提示することができるため、デバイスをウェハ上に作
り込む際にも細かな調整を行うことが可能となり、デバ
イス自身の良品率向上につながるものである。
で提示することができるため、デバイスをウェハ上に作
り込む際にも細かな調整を行うことが可能となり、デバ
イス自身の良品率向上につながるものである。
【0022】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【0023】図1は、本発明実施例のシリコンウェハ製
造工程を示す概略構成図である。
造工程を示す概略構成図である。
【0024】シリコンウェハの製造工程は、るつぼ内の
原料(シリコン)融液から円柱状の結晶を育成するCZ
(チョクラルスキー引上げ)法で、素材インゴットを形
成する引上げ工程1と、素材インゴットを1枚単位のウ
ェハに切断するスライス工程2と、結晶欠陥等を除去す
る熱処理工程3と、ウェハ表面を精密な鏡面に加工する
鏡面加工工程4と、鏡面加工されたウェハの表面のごみ
や薬物等の付着物を洗浄除去する洗浄工程5と、これら
の処理工程の状況を検査し、良品不良品のチェックや品
質情報のフィードバックを行う検査工程6とから構成さ
れる。そしてこれら引上げ工程1から検査工程6までの
各工程には、各工程単位でウェハ1枚1枚の搬送経路や
品質情報を管理し、それぞれ他工程に報告する引上げ工
程管理用コンピュータ11、スライス工程管理用コンピ
ュータ21、熱処理工程管理用コンピュータ31、鏡面
加工工程管理用コンピュータ41、洗浄工程管理用コン
ピュータ51、検査工程管理用コンピュータ61が接続
されており、これら各工程管理用コンピュータは、LA
Nと呼ばれているコンピュータネットワーク網8を介し
てホストコンピュータ7に接続され、ここでウェハ単位
に報告されてくる品質情報とウェハの対応をとりデータ
ベース化を行うように構成されている。
原料(シリコン)融液から円柱状の結晶を育成するCZ
(チョクラルスキー引上げ)法で、素材インゴットを形
成する引上げ工程1と、素材インゴットを1枚単位のウ
ェハに切断するスライス工程2と、結晶欠陥等を除去す
る熱処理工程3と、ウェハ表面を精密な鏡面に加工する
鏡面加工工程4と、鏡面加工されたウェハの表面のごみ
や薬物等の付着物を洗浄除去する洗浄工程5と、これら
の処理工程の状況を検査し、良品不良品のチェックや品
質情報のフィードバックを行う検査工程6とから構成さ
れる。そしてこれら引上げ工程1から検査工程6までの
各工程には、各工程単位でウェハ1枚1枚の搬送経路や
品質情報を管理し、それぞれ他工程に報告する引上げ工
程管理用コンピュータ11、スライス工程管理用コンピ
ュータ21、熱処理工程管理用コンピュータ31、鏡面
加工工程管理用コンピュータ41、洗浄工程管理用コン
ピュータ51、検査工程管理用コンピュータ61が接続
されており、これら各工程管理用コンピュータは、LA
Nと呼ばれているコンピュータネットワーク網8を介し
てホストコンピュータ7に接続され、ここでウェハ単位
に報告されてくる品質情報とウェハの対応をとりデータ
ベース化を行うように構成されている。
【0025】まず、引上げ工程では、図2に示すような
シリコンインゴットが形成されると、スライス工程2で
ウェハに切断されるが、このとき切り出された順番にウ
ェハに番号を設定していく。切断されたウェハは、1枚
毎に図3に示すような搬送治具(ボート)に格納され
る。ここでは搬送治具の溝の番号、ウェハの番号そして
治具の番号を対応させて記録し他の工程にコンピュータ
ネットワーク網8を介して報告する。ここではウェハの
番号、溝の番号、そして治具の番号を対応させて記録し
他工程にコンピュータネットワークを介して報告する。
これにより、図4に識別データ例を示すように、ウェハ
の識別は搬送治具の溝位置で表現することができる。ウ
ェハが自動的に搬送治具の溝に格納される場合、ウェハ
との対応は自動的に行われる。また、ウェハを搬送治具
へ移載する作業を人間が行う場合は、バーコードや画像
認識装置等で読み取ることができる。
シリコンインゴットが形成されると、スライス工程2で
ウェハに切断されるが、このとき切り出された順番にウ
ェハに番号を設定していく。切断されたウェハは、1枚
毎に図3に示すような搬送治具(ボート)に格納され
る。ここでは搬送治具の溝の番号、ウェハの番号そして
治具の番号を対応させて記録し他の工程にコンピュータ
ネットワーク網8を介して報告する。ここではウェハの
番号、溝の番号、そして治具の番号を対応させて記録し
他工程にコンピュータネットワークを介して報告する。
これにより、図4に識別データ例を示すように、ウェハ
の識別は搬送治具の溝位置で表現することができる。ウ
ェハが自動的に搬送治具の溝に格納される場合、ウェハ
との対応は自動的に行われる。また、ウェハを搬送治具
へ移載する作業を人間が行う場合は、バーコードや画像
認識装置等で読み取ることができる。
【0026】このようにしてスライス工程2で切断され
たウェハは、搬送治具に格納されて熱処理用の治具に移
し替えられるが、熱処理後再び搬送治具に格納される
際、初期の格納位置が維持された状態で戻されるように
移載されれば、ウェハは識別可能な状態のままである。
たウェハは、搬送治具に格納されて熱処理用の治具に移
し替えられるが、熱処理後再び搬送治具に格納される
際、初期の格納位置が維持された状態で戻されるように
移載されれば、ウェハは識別可能な状態のままである。
【0027】さらに鏡面加工工程では、熱処理工程から
搬送治具に格納されて搬送されてきたウェハを鏡面加工
用の治具に1枚単位ではりつけて加工される。この工程
では図5に示すようにマーカMの刻印された円形のプレ
ートに例えば4枚〜10枚程度のウェハを1枚づつ張り
付けていく。このウェハが張り付けれらたプレートを4
個程度まとめて回転させながら、ウェハ面側を研磨布に
摺動させ、そこに研磨剤を加えウェハを研磨加工してい
くようにする。従って、マーカMの刻印位置から順番に
ウェハを張り付けておくようにすれば、回転した後であ
っても容易に識別可能である。
搬送治具に格納されて搬送されてきたウェハを鏡面加工
用の治具に1枚単位ではりつけて加工される。この工程
では図5に示すようにマーカMの刻印された円形のプレ
ートに例えば4枚〜10枚程度のウェハを1枚づつ張り
付けていく。このウェハが張り付けれらたプレートを4
個程度まとめて回転させながら、ウェハ面側を研磨布に
摺動させ、そこに研磨剤を加えウェハを研磨加工してい
くようにする。従って、マーカMの刻印位置から順番に
ウェハを張り付けておくようにすれば、回転した後であ
っても容易に識別可能である。
【0028】この処理について説明する。図6に示すよ
うに、プレート位置決め機構401によってマーカMの
位置を検出すると共に、最初にウェハ張り付け位置にこ
のマーカMが来るように位置修正を行う。
うに、プレート位置決め機構401によってマーカMの
位置を検出すると共に、最初にウェハ張り付け位置にこ
のマーカMが来るように位置修正を行う。
【0029】このようにして1番目のウェハを張る位置
が張り付け機402側に来るようにプレートを位置修正
した状態で、張り付け機402を用いて順番にウェハを
張り付けていく、図7に示すようにプレートの回転方向
に順次識別番号を設定しておくそれとウェハ番号とを対
応させるようにする。そして、プレートの番号をバーコ
ードリーダもしくは画像認識装置等を利用して読取り、
ウェハ番号とプレート番号との対応をとるようにする。
そしてバーコードリーダもしくは画像読取装置406を
用いてプレート番号を読取りウェハ番号とプレート番号
との対応をとるようにする。そして研磨機403を用い
てウェハの貼着されたプレートを複数個(ここでは4
個)一緒に回転させ研磨加工を行う。研磨加工が終了す
るとプレート位置決め機構404によってマーカMの位
置を検出するとともに、最初に張り付けられたウェハが
最初に剥がす位置に来るようにマーカMの位置を基準に
して位置修正を行う。そしてこのようにして一番目に張
り付けられたウェハが剥離機構405側に来るようにプ
レートを位置修正した状態で剥離機構405を用いてプ
レートにはりつけられた順番にウェハを剥がしていく。
そして剥がしたウェハを搬送治具の番号、溝の位置とウ
ェハ番号とを対応させる。この剥離工程でも、バーコー
ドリーダもしくは画像読取装置407を用いてプレート
番号を読取りウェハ番号とプレート番号との対応をと
る。このようにして、プレートの位置決めを行ってから
張り付けた順番にウェハを1枚づつ剥がし、搬送治具に
格納していく。この格納に際しても搬送治具の番号、溝
の位置とウェハ番号を対応させながら1枚づつ格納して
いく。
が張り付け機402側に来るようにプレートを位置修正
した状態で、張り付け機402を用いて順番にウェハを
張り付けていく、図7に示すようにプレートの回転方向
に順次識別番号を設定しておくそれとウェハ番号とを対
応させるようにする。そして、プレートの番号をバーコ
ードリーダもしくは画像認識装置等を利用して読取り、
ウェハ番号とプレート番号との対応をとるようにする。
そしてバーコードリーダもしくは画像読取装置406を
用いてプレート番号を読取りウェハ番号とプレート番号
との対応をとるようにする。そして研磨機403を用い
てウェハの貼着されたプレートを複数個(ここでは4
個)一緒に回転させ研磨加工を行う。研磨加工が終了す
るとプレート位置決め機構404によってマーカMの位
置を検出するとともに、最初に張り付けられたウェハが
最初に剥がす位置に来るようにマーカMの位置を基準に
して位置修正を行う。そしてこのようにして一番目に張
り付けられたウェハが剥離機構405側に来るようにプ
レートを位置修正した状態で剥離機構405を用いてプ
レートにはりつけられた順番にウェハを剥がしていく。
そして剥がしたウェハを搬送治具の番号、溝の位置とウ
ェハ番号とを対応させる。この剥離工程でも、バーコー
ドリーダもしくは画像読取装置407を用いてプレート
番号を読取りウェハ番号とプレート番号との対応をと
る。このようにして、プレートの位置決めを行ってから
張り付けた順番にウェハを1枚づつ剥がし、搬送治具に
格納していく。この格納に際しても搬送治具の番号、溝
の位置とウェハ番号を対応させながら1枚づつ格納して
いく。
【0030】このようにしてウェハの識別番号は正しく
保持される。
保持される。
【0031】図8にウェハ番号とプレートおよび搬送治
具に対応データの一例を示す。このようにして工程管理
用のコンピュータ41に品質情報とウェハ番号の対応が
取られた状態で、コンピュータ7へと情報が伝達され
る。
具に対応データの一例を示す。このようにして工程管理
用のコンピュータ41に品質情報とウェハ番号の対応が
取られた状態で、コンピュータ7へと情報が伝達され
る。
【0032】そして洗浄工程では、搬送治具から洗浄治
具、洗浄治具から搬送治具にウェハを移し替えるという
作業がある。図9に洗浄治具を示す。図9に示すように
搬送治具と同様の溝構造をもった治具を洗浄治具として
用いることにより、移し変えに際しては治具番号、溝番
号の対応をとれば、ウェハの移し替えの履歴は管理でき
る。従って、この工程でもウェハの識別番号は搬送治具
位置という形で維持される。
具、洗浄治具から搬送治具にウェハを移し替えるという
作業がある。図9に洗浄治具を示す。図9に示すように
搬送治具と同様の溝構造をもった治具を洗浄治具として
用いることにより、移し変えに際しては治具番号、溝番
号の対応をとれば、ウェハの移し替えの履歴は管理でき
る。従って、この工程でもウェハの識別番号は搬送治具
位置という形で維持される。
【0033】さらに検査工程では図10に示すように、
搬送治具同志のウェハの移し替えを行うが、治具の番号
と溝番号を対応させて管理するようにすれば移し替えの
際にもウェハの識別番号を維持することができる。治具
の番号の読み取りは、ここでも画像読取装置を用いれば
良い。また治具の番号の表示にはバーコードを用いても
よい。
搬送治具同志のウェハの移し替えを行うが、治具の番号
と溝番号を対応させて管理するようにすれば移し替えの
際にもウェハの識別番号を維持することができる。治具
の番号の読み取りは、ここでも画像読取装置を用いれば
良い。また治具の番号の表示にはバーコードを用いても
よい。
【0034】このようにして管理されるウェハ単位の品
質情報は、図1にも示されるようにコンピュータネット
ワークを利用してホストコンピュータで一括管理するよ
うにすれば、情報の維持や情報の効率的な再利用等に極
めて有効である。
質情報は、図1にも示されるようにコンピュータネット
ワークを利用してホストコンピュータで一括管理するよ
うにすれば、情報の維持や情報の効率的な再利用等に極
めて有効である。
【0035】そしてロット単位での管理ではなくウェハ
1枚1枚の管理がなされるため、例えば熱処理工程にお
ける治具の端部と中央部とでの処理条件の差等に起因す
る不良等を容易に発見することができ、細部の補正が容
易となり緻密な管理を行うことができる。
1枚1枚の管理がなされるため、例えば熱処理工程にお
ける治具の端部と中央部とでの処理条件の差等に起因す
る不良等を容易に発見することができ、細部の補正が容
易となり緻密な管理を行うことができる。
【0036】また本発明ではウェハの品質管理に主眼を
おいているが、ウェハ単位の物流管理や原価管理にも利
用することが可能である。
おいているが、ウェハ単位の物流管理や原価管理にも利
用することが可能である。
【0037】また、1工程終了毎に履歴情報を得ること
ができ、不良が検出された場合に、それまでの工程での
条件の見直しおよび調整を行い修正を行うことができる
ため、早期に条件変更を行うことができ、不良の多発を
防ぐことができる。
ができ、不良が検出された場合に、それまでの工程での
条件の見直しおよび調整を行い修正を行うことができる
ため、早期に条件変更を行うことができ、不良の多発を
防ぐことができる。
【0038】さらにロット単位での管理不要となるた
め、次工程が洗浄工程や化学処理工程等の一括処理工程
の場合にも、1キャリア毎に、次工程に移行させること
ができ、処理時間の無駄を低減することができ、少量多
品種化に有効である。
め、次工程が洗浄工程や化学処理工程等の一括処理工程
の場合にも、1キャリア毎に、次工程に移行させること
ができ、処理時間の無駄を低減することができ、少量多
品種化に有効である。
【0039】なお、前記実施例のように全処理行程で管
理を行う場合に限定されることなく、一部の処理工程で
のみ管理をおこなうようにしてもよい。
理を行う場合に限定されることなく、一部の処理工程で
のみ管理をおこなうようにしてもよい。
【0040】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、スライス工程で切り出されたウェハは最終工程まで
ウェハ単位に識別することが可能であり、各工程での作
業条件をウェハ単位に対応した形で蓄積していくことが
でき、ウェハの品質を劣化させることなく管理を行うこ
とができ、きめ細かな管理をおこなうことができる。
ば、スライス工程で切り出されたウェハは最終工程まで
ウェハ単位に識別することが可能であり、各工程での作
業条件をウェハ単位に対応した形で蓄積していくことが
でき、ウェハの品質を劣化させることなく管理を行うこ
とができ、きめ細かな管理をおこなうことができる。
【図1】本発明実施例の管理装置を概要を示す図。
【図2】本発明のシリコン単結晶を示す図。
【図3】本発明実施例の搬送装置を示す図。
【図4】本発明実施例の識別データを示す図。
【図5】本発明実施例の円形プレートを示す図。
【図6】本発明実施例の鏡面加工装置を示すブロック
図。
図。
【図7】本発明実施例の円形プレートへのウェハ搭載例
を示す図。
を示す図。
【図8】本発明実施例の識別データを示す図。
【図9】本発明実施例の洗浄装置を示す図。
【図10】本発明実施例の検査装置を示す図。
1 引上げ工程 2 スライス工程 3 熱処理工程 4 鏡面加工工程 5 洗浄工程 6 検査工程 7 ホストコンピュータ 8 ネットワーク
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体ウェハ1枚毎に識別番号を設定
し、これを識別子情報として記憶媒体に記憶させる識別
番号付与手段と、 前記ウェハがどのように搬送され、それぞれの製造工程
の中でどのように処理されたかという処理経路を新しく
識別子情報として前工程での識別子情報に対応づけてウ
ェハ1枚づつ追跡し、ウェハ情報として前記記憶媒体に
追加記憶するウェハ情報記憶手段とこの記憶されたウェ
ハ情報に基づいてウェハ製造工程全般にわたって個々の
ウェハの履歴を管理するウェハ履歴管理手段とを具備す
るようにしたことを特徴とする半導体ウェハ製造装置。 - 【請求項2】 前記識別子情報は、各工程でウェハを収
納する治具におけるウェハの位置座標で構築されるもの
であることを特徴とする請求項(1) に記載の半導体ウェ
ハ製造装置。 - 【請求項3】 半導体ウェハ1枚毎に識別番号を設定
し、これを識別子情報として記憶媒体に記憶させる識別
番号付与工程と、 前記ウェハがどのように搬送され、それぞれの製造工程
の中でどのように処理されたかという処理経路を新しく
識別子情報として前工程での識別子情報に対応づけてウ
ェハ1枚づつ追跡し、ウェハ情報として前記記憶媒体に
追加記憶するウェハ情報追加記憶工程とを有しこの記憶
されたウェハ情報に基づいてウェハ製造工程全般にわた
って個々のウェハの履歴を管理するようにしたことを特
徴とする半導体ウェハ製造方法。 - 【請求項4】 前記識別子情報は、各工程でウェハを収
納する治具におけるウェハの位置座標で構築されるもの
であることを特徴とする請求項(3) に記載の半導体ウェ
ハ製造方法
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3283241A JPH05121521A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 半導体ウエハ製造装置および製造方法 |
US08/232,198 US5537325A (en) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | Apparatus for and method of manufacturing semiconductor wafer |
PCT/JP1992/001401 WO1993009565A1 (fr) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | Appareil et procede pour la fabrication de tranches de semi-conducteur |
EP92922598A EP0616364A1 (en) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | Apparatus for and method of manufacturing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3283241A JPH05121521A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 半導体ウエハ製造装置および製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05121521A true JPH05121521A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17662921
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3283241A Pending JPH05121521A (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 半導体ウエハ製造装置および製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5537325A (ja) |
EP (1) | EP0616364A1 (ja) |
JP (1) | JPH05121521A (ja) |
WO (1) | WO1993009565A1 (ja) |
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