JPH0480949A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0480949A JPH0480949A JP19577990A JP19577990A JPH0480949A JP H0480949 A JPH0480949 A JP H0480949A JP 19577990 A JP19577990 A JP 19577990A JP 19577990 A JP19577990 A JP 19577990A JP H0480949 A JPH0480949 A JP H0480949A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- frame
- lead
- plating layer
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 42
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims description 13
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000010017 direct printing Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体II!品に使用されるリードフレーム
に関し、特に、半導体製品の製造技術の自動化に有効な
リードフレームに関するものである。
に関し、特に、半導体製品の製造技術の自動化に有効な
リードフレームに関するものである。
DIP構造、sop構造等を採用する樹脂封止型(レジ
ンモールド型)半導体装置は回路システムを搭載する半
導体ペレットを樹脂で気密封止する。
ンモールド型)半導体装置は回路システムを搭載する半
導体ペレットを樹脂で気密封止する。
半導体ペレットはタブ吊りリードで支持されたタブの表
面上に搭載される。半導体ペレットの外部端子(ポンデ
ィングパッド)はボンディングワイヤを介してインナー
リードに接続される。前記タブ、インナーリードの夫々
は半導体ペレットと同様に樹脂で封止される。アウター
リードは、前記インナーリードに一体に構成され、樹脂
の外部に引き呂される。
面上に搭載される。半導体ペレットの外部端子(ポンデ
ィングパッド)はボンディングワイヤを介してインナー
リードに接続される。前記タブ、インナーリードの夫々
は半導体ペレットと同様に樹脂で封止される。アウター
リードは、前記インナーリードに一体に構成され、樹脂
の外部に引き呂される。
前記樹脂封止型半導体装置を構成するタブ、りブ吊りリ
ード、インナーリード、アウターリードの夫々は、組立
工程中の樹脂封止後の切断、成型前において、リードフ
レームの枠体に支持される。
ード、インナーリード、アウターリードの夫々は、組立
工程中の樹脂封止後の切断、成型前において、リードフ
レームの枠体に支持される。
リードフレームは、通常、F e −N i系合金板又
はCu系合金板にエツチング加工或はプレス打抜き加工
を施して形成される。リードフレームは、組立プロセス
の効率化、製品管理の簡略化等を図る目的で、複数個例
えば6個を一体化して形成される(一般的に多連フレー
ムと呼ばれる)。
はCu系合金板にエツチング加工或はプレス打抜き加工
を施して形成される。リードフレームは、組立プロセス
の効率化、製品管理の簡略化等を図る目的で、複数個例
えば6個を一体化して形成される(一般的に多連フレー
ムと呼ばれる)。
このように構成されるリードフレームは、製品名、製造
番号(ロット番号)、数量等の製品管理の識別を人為的
に行っている。つまり、リードフレームは1組立工程中
、保管中等、それと併せて添付されるコントロールカー
ド(又は−貫伝票或は作業伝票)と呼ばれ用紙で管理さ
れる。
番号(ロット番号)、数量等の製品管理の識別を人為的
に行っている。つまり、リードフレームは1組立工程中
、保管中等、それと併せて添付されるコントロールカー
ド(又は−貫伝票或は作業伝票)と呼ばれ用紙で管理さ
れる。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明者は、前述の樹脂封止型半導体装置の組立プロセ
スの自動化を検討した結果、下記の問題点を見出した。
スの自動化を検討した結果、下記の問題点を見出した。
前述のリードフレームの人為的な管理方法は組立プロセ
スのFAシステム化或は自動化の妨げになる。すなわち
、組立プロセスのラインに流すリードフレーム毎に、そ
れに添付されるコントロールカードに基づき作業者がリ
ードフレームを識別し、この識別の結果に基づき作業者
が組立プロセスのラインを制御する必要が生じる。
スのFAシステム化或は自動化の妨げになる。すなわち
、組立プロセスのラインに流すリードフレーム毎に、そ
れに添付されるコントロールカードに基づき作業者がリ
ードフレームを識別し、この識別の結果に基づき作業者
が組立プロセスのラインを制御する必要が生じる。
そこで、リードフレーム自体に識別記号を設け、この識
別記号を自動的に読取り、リードフレーム毎に組立プロ
セスのラインを自動的に制御する技術が有効である。リ
ードフレームに形成する識別記号としては、太さの異な
るバーとこのバー間のスペースとの組合せにより識別情
報を構成するバーコード表示が最適である。バーコード
表示は、数字、アルファベット、記号等幅広い情報を表
示でき、しかもバーコードリーダ(読取り装りでの誤読
率が極めて低い特徴がある。
別記号を自動的に読取り、リードフレーム毎に組立プロ
セスのラインを自動的に制御する技術が有効である。リ
ードフレームに形成する識別記号としては、太さの異な
るバーとこのバー間のスペースとの組合せにより識別情
報を構成するバーコード表示が最適である。バーコード
表示は、数字、アルファベット、記号等幅広い情報を表
示でき、しかもバーコードリーダ(読取り装りでの誤読
率が極めて低い特徴がある。
前記バーコードは一般的に粘着剤が塗布されたラベルに
バーコードプリンタ(印刷装置)で印刷される。しかし
ながら、リードフレームは幅寸法が狭すぎるので、リー
ドフレームにバーコードが印刷されたラベルを貼付るこ
とかできないという問題があった。
バーコードプリンタ(印刷装置)で印刷される。しかし
ながら、リードフレームは幅寸法が狭すぎるので、リー
ドフレームにバーコードが印刷されたラベルを貼付るこ
とかできないという問題があった。
また、前記ラベルを無理にリードフレームに貼付るには
リードフレームの形状の変更が必要になる。基本的に、
リードフレームは、インナーリード側が最小加工寸法で
微細化されているので、外側にしか広げられず、全体形
状が大型化される。
リードフレームの形状の変更が必要になる。基本的に、
リードフレームは、インナーリード側が最小加工寸法で
微細化されているので、外側にしか広げられず、全体形
状が大型化される。
このため1組立プロセスのラインに配置された各組立装
置のリードフレームの搬送部はリードフレームの大型化
に対応してそのすべてを改造しなくてはならないという
問題が生じる。
置のリードフレームの搬送部はリードフレームの大型化
に対応してそのすべてを改造しなくてはならないという
問題が生じる。
また、リードフレーム自体に直接バーコードを印刷する
ことが考えられるが、リードフレームは金属で形成され
ているのでインクが載りづらく、直接印刷できないとい
う問題がある。この問題点を解決するには特殊なインク
材を開発する必要性がある。
ことが考えられるが、リードフレームは金属で形成され
ているのでインクが載りづらく、直接印刷できないとい
う問題がある。この問題点を解決するには特殊なインク
材を開発する必要性がある。
なお、バーコード表示技術については、応用技術出版株
式会社、表面実装型LSIパッケージの実装技術とその
信頼性向上、1988年11月6日、第256頁及び第
257頁に記載されている。
式会社、表面実装型LSIパッケージの実装技術とその
信頼性向上、1988年11月6日、第256頁及び第
257頁に記載されている。
本発明の目的は、組立プロセスの自動化に最適なリード
フレームを提供することにある。
フレームを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記目的を達成すると共に、リー
ドフレームの形成工程を低減することが可能な技術を提
供することにある。
ドフレームの形成工程を低減することが可能な技術を提
供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)外枠及び内枠で周囲を規定された領域内に前記外
枠又は内枠に一体化された複数本のリードを有するリー
ドフレームにおいて、前記外枠、内枠の少なくともいず
れか一方の表面に、識別記号としてのバーコードをメッ
キ層で構成する。
枠又は内枠に一体化された複数本のリードを有するリー
ドフレームにおいて、前記外枠、内枠の少なくともいず
れか一方の表面に、識別記号としてのバーコードをメッ
キ層で構成する。
(2)外枠及び内枠で周囲を規定された領域内に前記外
枠又は内枠に一体化されたタブ吊りリードで支持される
タブを有するリードフレームにおいて、前記タブの半導
体ペレットの搭載面と対向する裏面に識別記号としての
バーコードをメッキ層で構成する。
枠又は内枠に一体化されたタブ吊りリードで支持される
タブを有するリードフレームにおいて、前記タブの半導
体ペレットの搭載面と対向する裏面に識別記号としての
バーコードをメッキ層で構成する。
(3)前記手段(1)のリードのアウターリードの表面
、又は手段(2)のタブの表面には半田メッキ層が構成
され、前記バーコードは前記半田メッキ層と同一メッキ
層で構成される。
、又は手段(2)のタブの表面には半田メッキ層が構成
され、前記バーコードは前記半田メッキ層と同一メッキ
層で構成される。
上述した手段(1)によれば、メッキ層は金属性のリー
ドフレームの表面への接着性が高く、又メッキ層はりソ
グラフィ技術の解像度で決定される微細加工ができるの
で、バーコードをリードフレームに簡単に構成できる。
ドフレームの表面への接着性が高く、又メッキ層はりソ
グラフィ技術の解像度で決定される微細加工ができるの
で、バーコードをリードフレームに簡単に構成できる。
この結果、製品名、製造番号、数量等の情報をバーコー
ドとしてリードフレームに記憶できるので、半導体装置
の組立プロセス、具体的にはペレット付は工程、ワイヤ
ボンディング工程、樹脂モールド工程、各種試験工程、
リードフレームの枠体の切断及び成型工程の夫々におい
て、自動化を図ることができ、半導体装置の組立プロセ
スでの省力化を図れる。
ドとしてリードフレームに記憶できるので、半導体装置
の組立プロセス、具体的にはペレット付は工程、ワイヤ
ボンディング工程、樹脂モールド工程、各種試験工程、
リードフレームの枠体の切断及び成型工程の夫々におい
て、自動化を図ることができ、半導体装置の組立プロセ
スでの省力化を図れる。
上述した手段(2)によれば、前記手段(1)と同様の
作用効果を奏することができる。
作用効果を奏することができる。
上述した手段(3)によれば、前記バーコードを構成す
るメッキ層は半田メッキ層と同一メッキ工程で形成でき
るので、メッキ工程で使用されるマスクのパターンを変
更するだけですみ、前記バーコードを構成するメッキ層
を形成する工程に相当する分、リードフレームの製造工
程数を低減できる。
るメッキ層は半田メッキ層と同一メッキ工程で形成でき
るので、メッキ工程で使用されるマスクのパターンを変
更するだけですみ、前記バーコードを構成するメッキ層
を形成する工程に相当する分、リードフレームの製造工
程数を低減できる。
以下、本発明の構成について、樹脂封止型半導体装置を
構成するリードフレームに本発明を適用した一実施例と
ともに説明する。
構成するリードフレームに本発明を適用した一実施例と
ともに説明する。
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
(実施例■)
本発明の実施例Iである樹脂封止型半導体装置を構成す
るリードフレームを第1図(平面図)及び第2図(要部
断面図)で示す。
るリードフレームを第1図(平面図)及び第2図(要部
断面図)で示す。
第1図に示すように+ DIP構造を採用する樹脂封止
型半導体装置で使用されるリードフレーム1は複数個連
結された多連フレーム構造で構成される。この数に限定
されないが、リードフレーム1は例えば6個連結される
(6個の樹脂封止型半導体装置を構成できる)。
型半導体装置で使用されるリードフレーム1は複数個連
結された多連フレーム構造で構成される。この数に限定
されないが、リードフレーム1は例えば6個連結される
(6個の樹脂封止型半導体装置を構成できる)。
1つの樹脂封止型半導体装置を構成するリードフレーム
1は互いに(第1図中上下に)対向する2個の外枠17
、互いに(第1図中左右に)対向する2個の内枠16及
びそれらで周囲を規定された領域内において構成される
。前記互いに対向する外枠17の夫々の中央部には内側
に伸びるタブ吊りリード12が一体化される。このタブ
吊りリード12は、半導体ペレットを搭載するタブ11
の平面長方形状の短辺に一体化され、このタブ11を支
持する。
1は互いに(第1図中上下に)対向する2個の外枠17
、互いに(第1図中左右に)対向する2個の内枠16及
びそれらで周囲を規定された領域内において構成される
。前記互いに対向する外枠17の夫々の中央部には内側
に伸びるタブ吊りリード12が一体化される。このタブ
吊りリード12は、半導体ペレットを搭載するタブ11
の平面長方形状の短辺に一体化され、このタブ11を支
持する。
前記タブ11の方形状の長辺の周囲に沿った領域には複
数本のインナーリード13が配列される。この複数本の
インナーリード13は夫々複数本のアウターリード14
に一体化される。この構造に限定されないが、複数本の
アウターリード14の夫々は内枠16に一体化される。
数本のインナーリード13が配列される。この複数本の
インナーリード13は夫々複数本のアウターリード14
に一体化される。この構造に限定されないが、複数本の
アウターリード14の夫々は内枠16に一体化される。
前記インナーリード13、アウターリード14の夫々は
両者が一体化された領域においてタイバー15に一体化
される。このタイバー15は外枠17に一体化されそれ
に支持される。
両者が一体化された領域においてタイバー15に一体化
される。このタイバー15は外枠17に一体化されそれ
に支持される。
前記外枠17には、樹脂封止型半導体装置の組立プロセ
スにおいて、各組立装置での搬送穴又は位置決め穴とし
て使用される貫通穴18が配列される。
スにおいて、各組立装置での搬送穴又は位置決め穴とし
て使用される貫通穴18が配列される。
このように構成されるリードフレーム1は外枠17の延
在する方向(第1図中左右方向)に複数個連結される。
在する方向(第1図中左右方向)に複数個連結される。
リードフレーム1は例えばFe−Ni系合金(例えばN
i含有量42又は50[%])、CU系合金等の金属材
料で構成する。リードフレーム1は前記金属材料の板材
にエツチング加工又はプレス打抜き加工を施すことによ
り形成する。
i含有量42又は50[%])、CU系合金等の金属材
料で構成する。リードフレーム1は前記金属材料の板材
にエツチング加工又はプレス打抜き加工を施すことによ
り形成する。
前記リードフレーム1は、第1図及び第2図に示すよう
に、先付は半田メッキ層2が構成される。
に、先付は半田メッキ層2が構成される。
この先付は半田メッキ層2は樹脂封止型半導体装置をP
CB基板等の実装基板に実装する際の導電性接着金属と
して使用される。先付は半田メッキ層2は、半田浸漬法
と異なり、組立プロセスの樹脂モールド前、具体的には
エツチング加工又はプレス打抜き加工でリードフレーム
1を形成後、ペレット付は工程前に形成される。先付は
半田メッキ層2は、第1図に符号2を付は一点鎖線で囲
まれた領域(樹脂モールド部分に相当する領域)外にお
いて形成される。つまり、先付は半田メッキ層2は、少
なくともアウターリード14、タイバー15内枠16.
外枠17の夫々の表面に形成される。また先付は半田メ
ッキ層2は、アウターリード14と樹脂モールドとの位
置ずれ量を考慮し、このずれ量に相当する分、インナー
リード13側に形成してもよい。
CB基板等の実装基板に実装する際の導電性接着金属と
して使用される。先付は半田メッキ層2は、半田浸漬法
と異なり、組立プロセスの樹脂モールド前、具体的には
エツチング加工又はプレス打抜き加工でリードフレーム
1を形成後、ペレット付は工程前に形成される。先付は
半田メッキ層2は、第1図に符号2を付は一点鎖線で囲
まれた領域(樹脂モールド部分に相当する領域)外にお
いて形成される。つまり、先付は半田メッキ層2は、少
なくともアウターリード14、タイバー15内枠16.
外枠17の夫々の表面に形成される。また先付は半田メ
ッキ層2は、アウターリード14と樹脂モールドとの位
置ずれ量を考慮し、このずれ量に相当する分、インナー
リード13側に形成してもよい。
前記リードフレーム1の外枠17の表面にはバーコード
3が構成される。バーコード3はリードフレーム1の製
品名、製造番号(ロフト番号)、数量等の情報を記憶す
る識別記号として形成される。
3が構成される。バーコード3はリードフレーム1の製
品名、製造番号(ロフト番号)、数量等の情報を記憶す
る識別記号として形成される。
バーコード3は、基本的にリードフレーム1中において
最つども幅寸法が広い領域で、しかも樹脂封止型半導体
装置になんら特性の変動を与えない外枠17の貫通穴1
8間の空領域に構成される。
最つども幅寸法が広い領域で、しかも樹脂封止型半導体
装置になんら特性の変動を与えない外枠17の貫通穴1
8間の空領域に構成される。
このバーコード3は前記先付は半田メッキ層2で形成さ
れる。つまり、バーコード2は、リードフレーム1の表
面の光反射率に比べて先付は半田メッキ層2の表面の光
反射率が低い性質を利用し、先付は半田メッキ層2にパ
ターンニングを施し、下地のリードフレーム1の表面を
露出することにより形成される。
れる。つまり、バーコード2は、リードフレーム1の表
面の光反射率に比べて先付は半田メッキ層2の表面の光
反射率が低い性質を利用し、先付は半田メッキ層2にパ
ターンニングを施し、下地のリードフレーム1の表面を
露出することにより形成される。
次に、前述のリードフレーム1及びそれを使用した樹脂
封止型半導体装置の組立プロセスについて、第3図(組
立プロセスフロー図)を使用し、簡単に説明する。
封止型半導体装置の組立プロセスについて、第3図(組
立プロセスフロー図)を使用し、簡単に説明する。
まず、金属材料で形成された板状のリードフレーム板を
用意する<20>。
用意する<20>。
次に、前記リードフレーム板にエツチング加工又はプレ
ス打抜き加工を施しく21〉、タブ11、インナーリー
ド13、アウターリード14、内枠16、外枠17等が
パターンニングされたリードフレームlを形成する。
ス打抜き加工を施しく21〉、タブ11、インナーリー
ド13、アウターリード14、内枠16、外枠17等が
パターンニングされたリードフレームlを形成する。
次に、前記リードフレーム1に先付は半田メッキ層2を
形成すると共に、この先付は半田メッキ層2で外枠17
にバーコード3を形成する〈22)。バーコード3は、
先付は半田メッキ層2をメッキする際にタブ11、イン
ナーリード13の夫々を被覆するソルダーレジスト膜を
兼用し、先付は半田メッキ層2をパターンニングするこ
とにより形成される。この先付は半田メッキ層2を形成
することにより、リードフレーム1が完成する。
形成すると共に、この先付は半田メッキ層2で外枠17
にバーコード3を形成する〈22)。バーコード3は、
先付は半田メッキ層2をメッキする際にタブ11、イン
ナーリード13の夫々を被覆するソルダーレジスト膜を
兼用し、先付は半田メッキ層2をパターンニングするこ
とにより形成される。この先付は半田メッキ層2を形成
することにより、リードフレーム1が完成する。
次に、リードフレームlのタブ11の表面上に半導体ペ
レットを搭載する〈23〉。この後、前記半導体ペレッ
トの外部端子(ポンディングパッド)、リードフレーム
1のインナーリード13の夫々をボンディングワイヤで
接続する<24>。
レットを搭載する〈23〉。この後、前記半導体ペレッ
トの外部端子(ポンディングパッド)、リードフレーム
1のインナーリード13の夫々をボンディングワイヤで
接続する<24>。
次に、前記半導体ペレット、タブ11、インナーリード
13等を樹脂(例えばエポキシ系樹脂)でモールドしく
25)、ベータ処理を施す(26)、この後、温度サイ
クル試験を行う(27)。
13等を樹脂(例えばエポキシ系樹脂)でモールドしく
25)、ベータ処理を施す(26)、この後、温度サイ
クル試験を行う(27)。
次に、樹脂モールド部分にマーキングを行い、リードフ
レーム1の切断及び成型を行う(28〉。このリードフ
レーム1の切断及び成型が行われると、リードフレーム
1の外枠17、内枠16の夫々からアウターリード14
、インナーリード13、タブ吊りリード12の夫々が切
り離される。
レーム1の切断及び成型を行う(28〉。このリードフ
レーム1の切断及び成型が行われると、リードフレーム
1の外枠17、内枠16の夫々からアウターリード14
、インナーリード13、タブ吊りリード12の夫々が切
り離される。
前記リードフレームlのタブ11に半導体ペレットを搭
載する工程から、このリードフレーム1の切断及び成型
工程までは、リードフレーム1の外枠17に構成される
バーコード3を使用した、組立プロセスのラインの自動
化が行える。この組立プロセスのラインの各工程が行わ
れる組立装置の前段にはバーコードリーダが備えられ、
リードフレーム1が搬送される毎に識別記号が自動的に
読取られ、自動的に組立装置が制御される。
載する工程から、このリードフレーム1の切断及び成型
工程までは、リードフレーム1の外枠17に構成される
バーコード3を使用した、組立プロセスのラインの自動
化が行える。この組立プロセスのラインの各工程が行わ
れる組立装置の前段にはバーコードリーダが備えられ、
リードフレーム1が搬送される毎に識別記号が自動的に
読取られ、自動的に組立装置が制御される。
前記リードフレーム1の切断及び成型が行われた後、エ
ージング〈29〉、テスティング(30〉、すべての樹
脂封止型半導体装置の外観検査〈31〉、選別工程〈3
2〉の夫々が順次行われる。
ージング〈29〉、テスティング(30〉、すべての樹
脂封止型半導体装置の外観検査〈31〉、選別工程〈3
2〉の夫々が順次行われる。
そして、選別された良品の樹脂封止型半導体装置は、防
湿梱包がなされ〈33)、製品として8荷される(34
>。
湿梱包がなされ〈33)、製品として8荷される(34
>。
このように、外枠17及び内枠16で周囲を規定された
領域内に前記内枠16(又は外枠17)に一体化された
複数本のり−ド13及び14を有するリードフレーム1
において、前記外枠17(又は内枠16)の表面に、識
別記号としてのバーコード3を先付は半田メッキ層2で
構成する。この構成により、先付は半田メッキ層2は金
属性のリードフレーム1の表面への接着性が高く、又先
付は半田メッキ層2はリソグラフィ技術の解像度で決定
される微細加工ができるので、バーコード3をリードフ
レーム1に簡単に構成できる。この結果、製品名、製造
番号、数量等の情報をバーコード3としてリードフレー
ム1に記憶できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセス、具体的にはペレット付は工程、ワイヤボンディ
ング工程、樹脂モールド工程、各種試験工程、リードフ
レーム1の枠体の切断及び成型工程の夫々において、自
動化を図ることができ、樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセスでの省力化を図れる。
領域内に前記内枠16(又は外枠17)に一体化された
複数本のり−ド13及び14を有するリードフレーム1
において、前記外枠17(又は内枠16)の表面に、識
別記号としてのバーコード3を先付は半田メッキ層2で
構成する。この構成により、先付は半田メッキ層2は金
属性のリードフレーム1の表面への接着性が高く、又先
付は半田メッキ層2はリソグラフィ技術の解像度で決定
される微細加工ができるので、バーコード3をリードフ
レーム1に簡単に構成できる。この結果、製品名、製造
番号、数量等の情報をバーコード3としてリードフレー
ム1に記憶できるので、樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセス、具体的にはペレット付は工程、ワイヤボンディ
ング工程、樹脂モールド工程、各種試験工程、リードフ
レーム1の枠体の切断及び成型工程の夫々において、自
動化を図ることができ、樹脂封止型半導体装置の組立プ
ロセスでの省力化を図れる。
また、前記リードフレーム1のアウターリード14の表
面には先付は半田メッキ層2が構成され、前記バーコー
ド3は前記先付は半田メッキ層2と同一メッキ層で構成
される。この構成により、前記バーコード3を構成する
メッキ層は先付は半田メッキ層2と同一メッキ工程で形
成できるので、先付は半田メッキ工程で使用されるソル
ダーレジスト(マスク)のパターンを変更するだけです
み、前記バーコード3を構成するメッキ層を形成する工
程に相当する分、リードフレーム1の製造工程数を低減
できる。
面には先付は半田メッキ層2が構成され、前記バーコー
ド3は前記先付は半田メッキ層2と同一メッキ層で構成
される。この構成により、前記バーコード3を構成する
メッキ層は先付は半田メッキ層2と同一メッキ工程で形
成できるので、先付は半田メッキ工程で使用されるソル
ダーレジスト(マスク)のパターンを変更するだけです
み、前記バーコード3を構成するメッキ層を形成する工
程に相当する分、リードフレーム1の製造工程数を低減
できる。
(実施例■)
本実施例■は、リードフレーム1の外枠17の他に内枠
16にもバーコード3を設けた、本発明の第2実施例で
ある。
16にもバーコード3を設けた、本発明の第2実施例で
ある。
本発明の実施例■である樹脂封止型半導体装置を構成す
るリードフレームを第4図(平面図)で示す。
るリードフレームを第4図(平面図)で示す。
第4図に示すように、本実施例■のリードフレーム1は
、外枠17の他に内枠16の表面にもバーコード3が構
成され、はぼ枠体の全周にバーコード3が構成される。
、外枠17の他に内枠16の表面にもバーコード3が構
成され、はぼ枠体の全周にバーコード3が構成される。
前記実施例■と同様に、バーコード3は先付は半田メッ
キ層2で構成される。
キ層2で構成される。
このように構成されるリードフレーム1は、前記実施例
Iとほぼ同様の効果を奏することができる。
Iとほぼ同様の効果を奏することができる。
(実施例■)
本実施例■は、リードフレーム1のタブ11の裏面にバ
ーコード3を設けた、本発明の第3実施例である。
ーコード3を設けた、本発明の第3実施例である。
本発明の実施例■である樹脂封止型半導体装置を構成す
るリードフレームを第5図(平面図)で示す。
るリードフレームを第5図(平面図)で示す。
第5図に示すように、本実施例■のリードフレーム1は
タブ11の裏面にバーコード3が構成される。前記実施
例I、■の夫々と同様に、先付は半田メッキ層2はタブ
11の表面にも形成され、バーコード3は先付は半田メ
ッキ層2で構成される。
タブ11の裏面にバーコード3が構成される。前記実施
例I、■の夫々と同様に、先付は半田メッキ層2はタブ
11の表面にも形成され、バーコード3は先付は半田メ
ッキ層2で構成される。
このように構成されるリードフレーム1は、前記実施例
1とほぼ同様の効果を奏することができる。
1とほぼ同様の効果を奏することができる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
例えば、本発明は、リードフレーム1のインナーリード
13の表面に形成される。ボンダビリティを向上するA
gメッキ層でバーコード3を構成してもよい。
13の表面に形成される。ボンダビリティを向上するA
gメッキ層でバーコード3を構成してもよい。
また、本発明は、リードフレーム1の表面と光反射率の
異なる堆積金属膜、樹脂膜等でバーコードを構成しても
よい。
異なる堆積金属膜、樹脂膜等でバーコードを構成しても
よい。
また、本発明は、DIP構造に限らず、SOP構造等の
他の構造を採用する樹脂封止型半導体装置や、リードフ
レームを使用するセラミック封止型半導体装置に適用す
ることができる。
他の構造を採用する樹脂封止型半導体装置や、リードフ
レームを使用するセラミック封止型半導体装置に適用す
ることができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
半導体製品の自動化に最適なリードフレームを提供でき
る。
る。
前記効果を奏するためのリードフレームの製造工程数を
低減できる。
低減できる。
第1図は、本発明の実施例Iである樹脂封止型半導体装
置を構成するリードフレームの平面図、第2図は、前記
リードフレームの要部断面図、第3図は、前記樹脂封止
型半導体装置の組立プロセスを説明するための組立プロ
セスフロー図、第4図は、本発明の実施例■である樹脂
封止型半導体装置を構成するリードフレームの平面図、
第5図は1本発明の実施例■である樹脂封止型半導体装
置を構成するリードフレームの平面図である。 図中、1・・・リードフレーム、2・・・先付は半田メ
ッキ層、3・・・バーコード、11・・・タブ、12・
・・タブ吊りリード、13・・・インナーリード、14
・・・アウターリード、16・・・内枠、17・・・外
枠である。
置を構成するリードフレームの平面図、第2図は、前記
リードフレームの要部断面図、第3図は、前記樹脂封止
型半導体装置の組立プロセスを説明するための組立プロ
セスフロー図、第4図は、本発明の実施例■である樹脂
封止型半導体装置を構成するリードフレームの平面図、
第5図は1本発明の実施例■である樹脂封止型半導体装
置を構成するリードフレームの平面図である。 図中、1・・・リードフレーム、2・・・先付は半田メ
ッキ層、3・・・バーコード、11・・・タブ、12・
・・タブ吊りリード、13・・・インナーリード、14
・・・アウターリード、16・・・内枠、17・・・外
枠である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、外枠及び内枠で周囲を規定された領域内に前記外枠
又は内枠に一体化された複数本のリードを有するリード
フレームにおいて、前記外枠、内枠の少なくともいずれ
か一方の表面に、識別記号としてのバーコードをメッキ
層で構成したことを特徴とするリードフレーム。 2、外枠及び内枠で周囲を規定された領域内に前記外枠
又は内枠に一体化されたタブ吊りリードで支持されるタ
ブを有するリードフレームにおいて、前記タブの半導体
ペレットの搭載面と対向する裏面に識別記号としてのバ
ーコードをメッキ層で構成したことを特徴とするリード
フレーム。 3、前記リードのアウターリードの表面、又は前記タブ
の表面には半田メッキ層が構成され、前記バーコードは
前記半田メッキ層と同一メッキ層で構成されることを特
徴とする請求項1又は請求項2に記載のリードフレーム
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19577990A JPH0480949A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19577990A JPH0480949A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0480949A true JPH0480949A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16346828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19577990A Pending JPH0480949A (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0480949A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007221033A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7555358B2 (en) | 1997-03-24 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Process and method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing |
US9490679B2 (en) | 2012-01-23 | 2016-11-08 | Ntn Corporation | Wheel driving device |
CN111863774A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-30 | 英飞凌科技股份有限公司 | 包括载体上和/或中的标识符的封装 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19577990A patent/JPH0480949A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7555358B2 (en) | 1997-03-24 | 2009-06-30 | Micron Technology, Inc. | Process and method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing |
JP2007221033A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US9490679B2 (en) | 2012-01-23 | 2016-11-08 | Ntn Corporation | Wheel driving device |
CN111863774A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-30 | 英飞凌科技股份有限公司 | 包括载体上和/或中的标识符的封装 |
US11239176B2 (en) * | 2019-04-17 | 2022-02-01 | Infineon Technologies Ag | Package comprising identifier on and/or in carrier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101015268B1 (ko) | 리드프레임 기반 플래시 메모리 카드 | |
KR100275660B1 (ko) | 리드프레임, 반도체 장치의 제조방법 및 연속조립 시스템 | |
US5639694A (en) | Method for making single layer leadframe having groundplane capability | |
US5882955A (en) | Leadframe for integrated circuit package and method of manufacturing the same | |
US5994767A (en) | Leadframe for integrated circuit package and method of manufacturing the same | |
US5541447A (en) | Lead frame | |
KR20040007244A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
EP0118237A2 (en) | Lead frame for a semiconductor element | |
US6078099A (en) | Lead frame structure for preventing the warping of semiconductor package body | |
JPH0480949A (ja) | リードフレーム | |
US6610924B1 (en) | Semiconductor package | |
US5347709A (en) | Method of making lead frame | |
GB2247988A (en) | Lead frame for semiconductor device | |
JP3431993B2 (ja) | Icパッケージの組立方法 | |
JP2983229B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2666789B2 (ja) | 樹脂封止型tab半導体装置の製造方法及びtabテープ構造体 | |
JPH0653399A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JP2504194B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH06104314A (ja) | フィルムキャリア | |
JPH10308479A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH03102859A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08116013A (ja) | リードフレームとこれを用いて組み立てられた半導体装置 | |
KR20000020481A (ko) | 패키지 제조방법 | |
JPH04164357A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
JPH03173165A (ja) | フラットパッケージ |