KR950000099B1 - 바이너리 코딩(Bianry Coding)법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법 - Google Patents

바이너리 코딩(Bianry Coding)법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

바이너리 코딩(Bianry Coding)법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법
제 1 도 내지 제 3 도는 본 발명 방법에 따른 실시예를 도시한 것으로, (a)는 각각 반도체칩의 인식번호에 대응하는 마스크를 나타낸 것이고, (b)는 (a)에 도시한 마스크를 이용하여 웨이퍼상에 노광시킨 패터닝을 나타낸 것이다.
제 4 도는 본 발명 방법에 따른 반도체칩의 인식번호 부여과정을 나타낸 플로우챠트이다.
본 발명은 웨이퍼내 반도체소자의 위치인식방법에 관한 것으로서, 특히 바이너리 코딩(Binary Coding)법을 이용하여 반도체소자의 제조 및 패캐이지공정 완료후 웨이퍼내 반도체소자의 위치를 인식하는 바이너리 코딩법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법에 관한 것이다.
일반적으로 종래에는 반도체소자의 패캐이지공정후 웨이퍼내 반도체소자의 위치를 인식하여야 할 필요성이 강하게 요구되지 않았고, 그의 도구화가 기술적으로 매우 어려워 현실화될 수 없었다. 뿐만 아니라 종래 반도체소자는 대부분 스탭앤드리피트(Step And Repeat)방식으로 제조되기 때문에 패캐이지공정 완료후에는 웨이퍼내 반도체소자의 위치를 인식한다고 하는 것이 불가능하였다. 그러나 최근에는 반도체소자의 고집적화 및 제조공정의 복잡화에 따라 공정상의 결함분석이 필수불가결하게 요구되고 있는 실정이고, 반도체소자의 고집적화 및 제품의 품질수준의 향상을 위한 제품의 신뢰성평가시 반도체소자의 불량분석 및 고개에 의해 제기된 크레임(Claim)분석시 불량유형의 소오스(Source)가 제품의 조립공정과정에서 웨이퍼의 특정부위 의존성 여부를 확인할 수 있는 방법이 강력히 요구되고 있는 실정이다.
본 발명은 상기한 실정을 감안하여 발명된 것으로, 1X E-빔 다이렉트 마스터마스크(1X E-BEAM DIRECT MASTER MASK) 노광방식을 채용하여 바이너리 코딩방식의 패턴을 반도체소자 제조공정에서 특정층에 형성함으로서 패캐이지공정 완료후 웨이퍼내 반도체소자의 위치를 용이하게 인식할 수 있는 바이너리 코딩법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법을 제공함에 그 목적이 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명 바이너리 코딩법을 이용한 반도체소자의 위치인식방법을 상세하게 설명한다.
제 1 도 내지 제 3 도는 각각 본 발명에 따른 일실시예를 설명하기 위한 도면으로서, (a)는 각각 반도체칩의 인식번호에 따라 제작되는 1X E-빔 다이렉트 마스터마스크, (b)는 (a)에 도시한 마스크를 이용 웨이퍼상에 노광된 패터닝을 도시한 것이다.
제 4 도는 본 발명에 따른 1X E-빔 다이렉트 마스터마스크의 제작과정을 나타낸 플로우챠트로서, 먼저 제 1 단계(S1)에서 본 발명 방법을 적용할 반도체소자를 설정하고, 이어 제 2 단계(S2)에서 데이타를 정의하는데, 데이타의 정의는 칩인식의 시작번호지정(111부터 시작 : 숫자에서 "0"는 제외한다.)과 X, Y축방향 스페이싱(Spacing)지정(칩의 크기지정), 기준좌표지정(원점기준 : Low-Left) 및 X, Y칩의 갯수지정(웨이퍼상 칩배치도 기준)이다.
다음으로 제 3 단계(S3)에서 Y축을 체크하는바, 이 경우는 웨이퍼 맵핑(Wafer Mapping)상의 탑칩체크(Top chip Check)로서, 웨이퍼에 대한 칩의 행번호(Row Number)가 마지막인지의 여부를 체크하여 행번호가 마지막이면 프로그램을 종료하고, 마지막이 아니면 다음 단계인 제 4 단계(S4)를 실행하게 된다.
제 4 단계(S4)에서는 X축을 체크하여 각각의 행에 대한 열번호(Column Number)가 마지막인지의 여부를 체크한다. 이 경우 열번호가 마지막이면 행의 칩을 하나 더하고(열칩은 행의 처음임) 제 3 단계(S3)로 되돌아가 상기 제 3 단계(S3)수행과 마찬가지로 Y축을 체크하며, 열번호가 마지막이 아니면 제 5 단계(S3)로 진행하여 코드카운트(Code Count)를 실행하는데, 코드카운트는 칩각각의 고유인식번호를 부여하는 것으로, "0"숫자를 포함하지 않는 번호 즉, 단단위, 십단위, 백단위 모두 "0"숫자는 제외하며 번호 "111"부터 시작한다. 이어 제 6 단계(S6)에서는 상기 제 5 단계(S5)에서 부여된 칩각각에 부여된 고유인식번호를 데이타베이스상에 레이아웃한다.(Data Put단계)
이상과 같이 하여 웨이퍼내 개개의 독립된 칩에 상이한 고유의 칩 인식번호가 부여되면, 칩의 인식번호에 대응하는 마스크를 바이너리 코딩법을 채용하여 제작하게 된다. 예컨대 칩의 인식번호가 196인 경우 제 1a 도에 도시한 바와같이 100×1+10×(1+8)+1×(2+4)=196을 만족하는 1X E-빔 다이렉트 마스터마스크를 제작하고, 이 마스크를 사용하여 반도체소자의 제조공정중 식각공정이 수반되는 노광공정에 적용하여 해당칩의 웨이퍼상에 제 1b 도와 같이 패터닝한다.
여기서 기준행의 포인트(Point)를 행에 삽입한 것은 웨이퍼내에서 반도체소자의 위치인식을 불량분석시 용이하게 하도록 하기 위한 것이다.
상기한 바와 같이 하여 제조된 반도체소자는 패캐이지공정후에도 제 1b 도에 나타낸 패터닝에 의해 바이너리 코딩법으로 칩의 인식번호가 196임을 손쉽게 해독할 수 있으므로 이 칩이 웨이퍼내 특정위치에 위치하고 있었다는 것을 신뢰성 테스트후 웨이퍼레벨로 피드백(Feed Back)하여 용이하게 알아낼 수 있다.
제 2 도 및 제 3 도는 각각 칩의 인식번호가 132, 397인 경우에 있어서의 1X E-빔 다이렉트 마스터마스크와 이 마스크로 노광시켜 웨이퍼상에 형성된 패터닝을 도시한 것으로, 이 경우도 상기한 칩의 인식번호 196인 경우와 마찬가지 방법으로 바이너리 코딩법으로 패터닝하여 웨이퍼내에서의 반도체소자의 위치를 손쉽게 인식하는 것이므로 그 상세한 설명은 생략한다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명 방법은 바이너리 코딩법을 이용하여 패케이지공정이 끝난 완성된 반도체소자의 웨이퍼내에서의 위치를 손쉽게 인식할 수 있으므로 반도체소자의 불량분석 및 고객의 크레임(Claim)제기시 불량소자의 웨이퍼내에서의 위치의존성을 용이하게 검증하여 불량인원의 제거 및 개선을 통해 제품의 품질수준 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 반도체소자를 설정하고, 칩인식의 시작번호지정과 X, Y축 방향 스페이싱(Spacing)지정(칩의 크기지정), 기준좌표지정 및 X, Y칩의 갯수를 지정하는 데이타를 정의한후 Y축 체크로 칩의 행번호가 마지막인지의 여부를 체크하여, 이어 X축체크로 칩의 열번호가 마지막인지의 여부를 체크한후 코드카운터(Code Count)를 실행하여 각각의 칩에 고유인식번호를 부여하고, 상기 고유인식번호를 데이타베이스상에 레이아웃하여 부여된 칩 각각의 고유인식번호에 대응하는 1XE-빔 다이렉트 마스터마스크(1X E-BRAM DIRECT MASTER MASK)를 바이너리코딩(Binary Coding)법으로 제작하여 반도체소자의 제조공정중식각공정이 수반되는 노광공정에서 특정층을 1X E-빔 마스크를 사용 패터닝한후 패케이지공정후 바이너리 코딩법으로 상기 고유인식번호를 인식함으로써 웨이퍼내 반도체소자의 위치를 용이하게 알아낼 수 있음을 특징으로 하는 바이너리 코딩법을 이용한 반도체소자의 위치 인식방법.
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2755195B2 (ja) * 1994-12-08 1998-05-20 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法及びその装置
TW418215B (en) * 1995-03-13 2001-01-11 Ciba Sc Holding Ag A process for the production of three-dimensional articles in a stereolithography bath comprising the step of sequentially irradiating a plurality of layers of a liquid radiation-curable composition
US6100486A (en) * 1998-08-13 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Method for sorting integrated circuit devices
US5927512A (en) 1997-01-17 1999-07-27 Micron Technology, Inc. Method for sorting integrated circuit devices
US5844803A (en) 1997-02-17 1998-12-01 Micron Technology, Inc. Method of sorting a group of integrated circuit devices for those devices requiring special testing
US5915231A (en) 1997-02-26 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method in an integrated circuit (IC) manufacturing process for identifying and redirecting IC's mis-processed during their manufacture
US5856923A (en) * 1997-03-24 1999-01-05 Micron Technology, Inc. Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing
US7120513B1 (en) 1997-06-06 2006-10-10 Micron Technology, Inc. Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (ICS) have undergone, such as repairs, to select procedures the ICS will undergo, such as additional repairs
US5907492A (en) * 1997-06-06 1999-05-25 Micron Technology, Inc. Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs
US20020084329A1 (en) * 1997-07-16 2002-07-04 Kaye Paul H. Coded items for labeling objects
US6049624A (en) * 1998-02-20 2000-04-11 Micron Technology, Inc. Non-lot based method for assembling integrated circuit devices
US6760472B1 (en) * 1998-12-14 2004-07-06 Hitachi, Ltd. Identification method for an article using crystal defects
US6161213A (en) * 1999-02-17 2000-12-12 Icid, Llc System for providing an integrated circuit with a unique identification
KR100391012B1 (ko) * 1999-12-14 2003-07-12 서일화학 주식회사 저 마찰 초내열 탄성도료
DE10111831A1 (de) 2000-09-07 2002-05-02 Promos Technologies Inc Verfahren zum automatischen Suchen und Sortieren von Fehlersignaturen von Wafern
US7316934B2 (en) * 2000-12-18 2008-01-08 Zavitan Semiconductors, Inc. Personalized hardware
KR100393214B1 (ko) * 2001-02-07 2003-07-31 삼성전자주식회사 패드의 수를 최소화하기 위한 칩 식별 부호 인식 장치 및이를 내장한 반도체 장치
US8765484B2 (en) * 2002-02-07 2014-07-01 The Regents Of The University Of California Optically encoded particles
US6802447B2 (en) * 2002-08-26 2004-10-12 Icid, Llc Method of authenticating an object or entity using a random binary ID code subject to bit drift
DE10241141B4 (de) * 2002-09-05 2015-07-16 Infineon Technologies Ag Halbleiter-Bauelement-Test-Verfahren für ein Halbleiter-Bauelement-Test-System mit reduzierter Anzahl an Test-Kanälen
EP2282338B1 (en) * 2004-04-19 2014-08-06 STMicroelectronics Srl Structures for indexing dice
JP2006351620A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Toshiba Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の情報管理システム
KR100647462B1 (ko) * 2005-12-16 2006-11-23 삼성전자주식회사 반도체 장치에서 사용되는 칩 정보 기호 및 이의 표기방법.
US7684608B2 (en) * 2006-02-23 2010-03-23 Vistech Corporation Tape and reel inspection system
US7787034B2 (en) * 2006-04-27 2010-08-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Identification of integrated circuits using pixel or memory cell characteristics
US7544578B2 (en) * 2007-01-03 2009-06-09 International Business Machines Corporation Structure and method for stochastic integrated circuit personalization
US7953511B1 (en) * 2007-09-21 2011-05-31 National Semiconductor Corporation System and method for reducing processing errors during wafer fabrication employing a 2D wafer scribe and monitoring system
US8754538B2 (en) * 2008-06-24 2014-06-17 Infineon Technologies Ag Semiconductor chip including identifying marks
US9208459B2 (en) * 2009-07-10 2015-12-08 Certicom Corp. System and method for performing serialization of devices
EP2309539B1 (en) 2009-10-09 2018-12-05 STMicroelectronics Srl Indexing of electronic devices using markers with different weightings
CN102509726A (zh) * 2011-11-14 2012-06-20 上海宏力半导体制造有限公司 具有加密结构的ip模块及其制造方法
US10210526B2 (en) * 2015-04-19 2019-02-19 Tower Semiconductor Ltd. Image sensor module and a method for evaluating an image sensor
US10599055B1 (en) * 2018-11-15 2020-03-24 Applied Materials, Inc. Self aligning systems and methods for lithography systems

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5851513A (ja) * 1981-09-22 1983-03-26 Toshiba Corp ウエハ露光方法及びその装置
JPS5850728A (ja) * 1981-09-19 1983-03-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS5850729A (ja) * 1981-09-21 1983-03-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS6247142A (ja) * 1985-08-27 1987-02-28 Nec Corp 半導体装置のマ−キング法
JPS61142734A (ja) * 1985-12-16 1986-06-30 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6414040A (en) * 1987-07-08 1989-01-18 Fujitsu Ltd Page printer control
JPH02312238A (ja) * 1989-05-26 1990-12-27 Seiko Epson Corp 半導体集積回路
US5219765A (en) * 1990-09-12 1993-06-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device including wafer aging, probe inspection, and feeding back the results of the inspection to the device fabrication process

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Publication number Publication date
US5350715A (en) 1994-09-27
KR930011154A (ko) 1993-06-23
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