JPH04352314A - 半導体ウェハの識別方法 - Google Patents

半導体ウェハの識別方法

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JPH04352314A
JPH04352314A JP15221891A JP15221891A JPH04352314A JP H04352314 A JPH04352314 A JP H04352314A JP 15221891 A JP15221891 A JP 15221891A JP 15221891 A JP15221891 A JP 15221891A JP H04352314 A JPH04352314 A JP H04352314A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
identification number
semiconductor
wafer
identification
Prior art date
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Pending
Application number
JP15221891A
Other languages
English (en)
Inventor
Chiaki Matsumoto
千明 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
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Publication of JPH04352314A publication Critical patent/JPH04352314A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、集積回路のような半
導体装置を作製する半導体ウェハを、半導体装置の作製
工程の間にわたって管理するのに有利な識別方法に関す
るものである。
【0002】半導体装置の製造ラインにおいては、鏡面
かつ清浄に準備された半導体ウェハに対して洗浄、酸化
、堆積、エッチング、フォトリソグラフィ等、幾多の工
程を施して半導体装置を作製する。その後この半導体装
置の全品についてプローバを介し特性を検査するテスト
を行った後、半導体ウェハをダイシングして各チップを
分離する。このようなダイシング工程までの一連の工程
にわたって、各半導体ウェハを認識することは、多品種
を生産する際に欠かすことができず、また歩留まり管理
のような生産管理や半導体装置の製品特性の把握のため
にも重要である。
【0003】
【従来の技術】このように各半導体ウェハを認識するた
めに、従来は半導体装置の作製工程前の清浄な各半導体
ウェハ表面の周辺部に個別の識別番号をレーザーマーカ
ーにより刻印して、この識別番号を目視して管理してい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では半導体装置の作製工程前の半導体ウェハ表面に
識別番号を刻印することから、この識別番号が半導体装
置を作製するための各種工程を経るにつれて、酸化膜や
パッシベーション膜に覆われたり、ごみが付着したりし
てぼやけてしまい、半導体ウェハのテスト時には識別番
号を認識し難く、最悪の場合は判読不可能となるという
問題があった。ここに半導体ウェハテストにて得られた
チップの製品特性によって歩留まり管理、製品特性の評
価を行うため、半導体ウェハのテスト時に識別番号が読
み取れないとテストデータと半導体ウェハとを対応させ
ることができない。
【0005】また上記のような識別番号の刻印において
は、刻印位置精度が良くなく、たとえ刻印されていたと
しても、その識別番号の位置が変化するので、識別番号
の読み取りが不正確であるばかりでなく、読み取りを機
械で行って自動化を図ろうとしても困難であるという問
題があった。
【0006】上述した半導体ウェハ上の識別番号の読み
取り不良問題を有利に解決し、特に各半導体ウェハの認
識を確実かつ簡便に行うことのできる半導体ウェハの識
別方法を提案することがこの発明の目的である。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、半導体ウェ
ハに一連の製造工程を施してその主表面上に半導体装置
を作製し、次いでプローバを介したこの半導体装置の検
査を経て、この半導体装置をチップとして半導体ウェハ
から切り出すまでの間にわたって、それぞれの半導体ウ
ェハ毎に対応させた符号により各半導体ウェハを識別す
る方法であって、プローバを用いる検査工程前は、上記
符号として複数枚の半導体ウェハを収容するカセットの
個別番号及びこのカセットのスロットル番号を用いる一
方、この検査工程において識別番号印字装置をそなえる
プローバにより、半導体ウェハ主表面上の半導体装置を
検査し、かつ該半導体ウェハの周辺部に識別番号を印字
することで、その後は上記符号としてこの識別番号を用
いることを特徴とする半導体ウェハの識別方法である。
【0008】
【作用】この発明では、識別番号を半導体ウェハに付与
する時期がプローバを用いるテスト時としたため、半導
体装置の作製処理は終了しているから識別番号を覆って
酸化膜やパッシベーション膜がその後に生成することは
なく、識別番号がこれら酸化膜やパッシベーション膜、
さらにはごみでぼやけることがない。またプローバを用
いるテスト時に識別番号を付与することにより、位置精
度も良好に識別番号を付与することができる。
【0009】
【実施例】以下図面を用いてこの発明を具体的に説明す
る。図1に、この発明の半導体ウェハの識別方法の一例
をブロック図で示す。オートプローバ1には、テスタ例
えばロジックテスタ2を接続する。このオートプローバ
1は、複数枚のウェーハを保持するカセットを搬送装置
から受けるカセット授受部3と、このカセット授受部に
載置したウェハカセットからウェーハを一枚ずつ取りだ
してテストステージ5上に移載するローダ4と、このロ
ーダ4にて移載したウェハをエアにて吸引保持するテス
トステージ5と、このテストステージ5での試験を完了
したウェハをステージからカセットへ移載するアンロー
ダ6と、このアンローダ6からカセットを搬送装置へ渡
すカセット授受部7とを設ける。
【0010】かかるオートプローバ1において、半導体
ウェハの識別番号印字装置、具体的にはレーザマーカ8
を例えばアンローダ6に設ける。このように半導体ウェ
ハに対する識別番号の付与を、オートプローバ内にて行
うので、識別番号は酸化膜やパッシベーション膜さらに
はごみの影響を受けることがなく、識別が困難になるこ
とがない。かかる識別番号の入力は、中央制御装置から
テスタ2を経てらオンラインで行う場合と、オートプロ
ーバ1へ直接行う場合とがある。
【0011】この発明においては、プローバによる検査
前の、半導体装置を作製する一連の製造工程の間は、半
導体ウェハに識別番号を刻印しないが、かかる製造工程
は自動化が進んでいるため、複数枚の半導体ウェハを収
容するカセットの個別番号及びこのカセットのスロット
ル番号を用いれば、各半導体ウェハの識別は十分可能で
ある。一方、検査後の組立て工程では、自動化は困難で
あり、かかる個別番号及びこのカセットのスロットル番
号では識別できない。そこでこの発明に従いプローバに
よる検査時に識別番号を付与することが最も有利である
【0012】上述した半導体ウェハの識別番号印字装置
8を例えばアンローダ6に設けた場合でも、十分な位置
精度を得ることができるので、この点でも識別が困難に
なることはないが、かかる識別番号印字装置8を、テス
トステージ5上に配設されたテストヘッドに設けた場合
には、ウェハテスト用の位置合わせ精度(数μm オー
ダー)で識別番号を印字することができる。この他、識
別番号の印字を、ウェハテスト後に移送する不良チップ
のマーキングステージ上で行っても、高い位置合わせ精
度で識別番号を印字することができる。
【0013】半導体ウェハに対する識別番号の付与は、
オートプローバでのウェハテスト前またテスト中でもよ
いが、ウェハテスト後に行うのがより有利である。とい
うのは、ウェハテストの後に行うことによって、半導体
ウェハに対して識別番号ばかりでなく、ウェハテストの
結果についても同時に符号として印字することができる
からである。
【0014】
【発明の効果】この発明の半導体ウェハの識別方法は、
プローバを用いる検査工程において、識別番号印字装置
をそなえるプローバにより、半導体ウェハ主表面上の半
導体装置を検査し、かつ該半導体ウェハの周辺部に識別
番号を印字することにより、識別番号が酸化膜やパッシ
ベーション膜、さらにはごみでぼやけることがなく明瞭
な番号の認識を行うことができる。また位置精度も良好
に識別番号を付与することができる。さらにウェハの検
査と同時に識別番号の付与を行うことができるため、ウ
ェハの検査前には識別番号の刻印といった工程を省略す
ることができ、生産効率の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の半導体ウェハの識別方法の
一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1  オートプローバ 2  テスタ 3  カセット授受部 4  ローダ 5  テストステージ 6  アンローダ 7  カセット授受部 8  識別番号印字装置

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  半導体ウェハに一連の製造工程を施し
    てその主表面上に半導体装置を作製し、次いでプローバ
    を介したこの半導体装置の検査を経て、この半導体装置
    をチップとして半導体ウェハから切り出すまでの間にわ
    たって、それぞれの半導体ウェハ毎に対応させた符号に
    より各半導体ウェハを識別する方法であって、プローバ
    を用いる検査工程前は、上記符号として複数枚の半導体
    ウェハを収容するカセットの個別番号及びこのカセット
    のスロットル番号を用いる一方、この検査工程において
    識別番号印字装置をそなえるプローバにより、半導体ウ
    ェハ主表面上の半導体装置を検査し、かつ該半導体ウェ
    ハの周辺部に識別番号を印字することで、その後は上記
    符号としてこの識別番号を用いることを特徴とする半導
    体ウェハの識別方法。
JP15221891A 1991-05-29 1991-05-29 半導体ウェハの識別方法 Pending JPH04352314A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5837963A (en) * 1995-08-02 1998-11-17 Tdk Corporation Method of manufacturing a thin film magnetic head with identification marks
JP2009267199A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法

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JP4586878B2 (ja) * 2008-04-28 2010-11-24 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法

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