JPH0715927B2 - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
- Publication number
- JPH0715927B2 JPH0715927B2 JP27488187A JP27488187A JPH0715927B2 JP H0715927 B2 JPH0715927 B2 JP H0715927B2 JP 27488187 A JP27488187 A JP 27488187A JP 27488187 A JP27488187 A JP 27488187A JP H0715927 B2 JPH0715927 B2 JP H0715927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- semiconductor wafer
- printing
- semiconductor
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイス
に探針を接触させて試験測定を行うプローブ装置に関す
る。
に探針を接触させて試験測定を行うプローブ装置に関す
る。
(従来の技術) 一般にプローブ装置は、半導体ウエハ上に形成された半
導体デバイスに、次々とプローブカードの探針を接触さ
せるよう構成されており、このプローブ装置に接続され
たテスタから上記探針を介して半導体デバイスに測定信
号を供給し、試験測定を行う。そして、測定した半導体
デバイスに不良があった場合は、インカーによってイン
キングを行い、例えばダイボンダー、ピックアンドトレ
ーサ等の後工程では、このインクの有無によって良品、
不良品の識別を行っている。
導体デバイスに、次々とプローブカードの探針を接触さ
せるよう構成されており、このプローブ装置に接続され
たテスタから上記探針を介して半導体デバイスに測定信
号を供給し、試験測定を行う。そして、測定した半導体
デバイスに不良があった場合は、インカーによってイン
キングを行い、例えばダイボンダー、ピックアンドトレ
ーサ等の後工程では、このインクの有無によって良品、
不良品の識別を行っている。
(発明が解決しようとする問題点) 一般に、半導体ウエハには、識別用の記号、例えば文
字、数字、バーコード等が印字されているが、半導体デ
バイスの製造工程においては、周知の通り半導体ウエハ
上に複数層の膜を形成するため識別用の記号の上にも複
数層の膜が形成され、プローブ装置によって試験測定を
行う最終測定工程においては、このような識別用の記号
を光学的処理で読取ることは困難な状態である。
字、数字、バーコード等が印字されているが、半導体デ
バイスの製造工程においては、周知の通り半導体ウエハ
上に複数層の膜を形成するため識別用の記号の上にも複
数層の膜が形成され、プローブ装置によって試験測定を
行う最終測定工程においては、このような識別用の記号
を光学的処理で読取ることは困難な状態である。
このように半導体ウエハの識別が困難なため、プローブ
装置による試験測定の際に、良品および不良品半導体デ
バイスの半導体ウエハ上の位置を表すマップがデータと
して得られるにもかかわらず、後工程においてこのマッ
プと半導体ウエハとの付き合せが困難となりインクをウ
エハ上に打たずに後工程における良品選別を行うという
半導体製造における効率化が難しいため、従来は、不良
品半導体デバイスにインキングを行い、このインクの有
無によって良品、不良品の識別を行っている。
装置による試験測定の際に、良品および不良品半導体デ
バイスの半導体ウエハ上の位置を表すマップがデータと
して得られるにもかかわらず、後工程においてこのマッ
プと半導体ウエハとの付き合せが困難となりインクをウ
エハ上に打たずに後工程における良品選別を行うという
半導体製造における効率化が難しいため、従来は、不良
品半導体デバイスにインキングを行い、このインクの有
無によって良品、不良品の識別を行っている。
しかしながら、一枚の半導体ウエハに形成された数百個
のICチップについて検査該当のチップにインキングを行
うと、インクが飛散して良品半導体デバイスに付着する
ことがあるという問題や、インクを乾燥させるためのベ
ーキングが必要となり、工程数が増加し、生産性が悪化
する等の問題がある。
のICチップについて検査該当のチップにインキングを行
うと、インクが飛散して良品半導体デバイスに付着する
ことがあるという問題や、インクを乾燥させるためのベ
ーキングが必要となり、工程数が増加し、生産性が悪化
する等の問題がある。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、インクの飛散を減少させ良品チップの不良化を防止
したプローブ装置を提供しようとするものである。
で、インクの飛散を減少させ良品チップの不良化を防止
したプローブ装置を提供しようとするものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) すなわち本発明は、半導体ウエハ上に形成された半導体
デバイスに探針を接触させて試験測定を行うプローブ装
置において、前記半導体ウエハのチップの形成されてい
ない表面に識別用の記号を印字する機構を備えたことを
特徴とする。
デバイスに探針を接触させて試験測定を行うプローブ装
置において、前記半導体ウエハのチップの形成されてい
ない表面に識別用の記号を印字する機構を備えたことを
特徴とする。
(作 用) 本発明のプローブ装置は、半導体ウエハに、例えば文
字、数字、バーコード等の識別用の記号を印字する機構
を備えている。この印字機構によって半導体ウエハに識
別用の記号を、印字しておけば、例えばダイボンダー、
ピックアンドトレーサ等の後工程において、例えば光学
的な読み取り装置等で半導体ウエハを識別することがで
きる。したがって、プローブ装置によって作成された前
述のマップをこれらの装置に転送しておけば、このマッ
プと半導体ウエハとの付き合せを行うことができ、マッ
プに従って処理を行うことができる。このため、インキ
ングは不要となる。また、リダンダンシー工程でもマッ
プとデータの付き合せができ人間による誤操作を防止で
きる。
字、数字、バーコード等の識別用の記号を印字する機構
を備えている。この印字機構によって半導体ウエハに識
別用の記号を、印字しておけば、例えばダイボンダー、
ピックアンドトレーサ等の後工程において、例えば光学
的な読み取り装置等で半導体ウエハを識別することがで
きる。したがって、プローブ装置によって作成された前
述のマップをこれらの装置に転送しておけば、このマッ
プと半導体ウエハとの付き合せを行うことができ、マッ
プに従って処理を行うことができる。このため、インキ
ングは不要となる。また、リダンダンシー工程でもマッ
プとデータの付き合せができ人間による誤操作を防止で
きる。
(実施例) 以下本発明のプローブ装置を図面を参照して一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
筐体1の上部には顕微鏡2が配置されており、この顕微
鏡2の下部には開口3が形成されている。
鏡2の下部には開口3が形成されている。
また、第2図に示すように、この開口3には多数の探針
4を有するプローブカード5が配置され、筐体1内の開
口3下部には、例えば真空チャック等により半導体ウエ
ハ6を保持し、X−Y方向に移動させるX−Yテーブル
7が配置されている。このX−Yテーブル7の上方で、
開口3より前面側には、例えばレーザ光等により半導体
ウエハ6のX−Yテーブル7上での位置合せを行うアラ
イメント装置8が配置されている。
4を有するプローブカード5が配置され、筐体1内の開
口3下部には、例えば真空チャック等により半導体ウエ
ハ6を保持し、X−Y方向に移動させるX−Yテーブル
7が配置されている。このX−Yテーブル7の上方で、
開口3より前面側には、例えばレーザ光等により半導体
ウエハ6のX−Yテーブル7上での位置合せを行うアラ
イメント装置8が配置されている。
そして、この実施例のプローブ装置では、例えば上記開
口3と上記アライメント装置8との間に、例えばレーザ
光等で半導体ウエハ6に印字を行う印字装置9が配置さ
れている。レーザ光としては工業用レーザであれば良
く、CO2レーザ、Arレーザ、TWDレーザなど印字用レーザ
を用いれば良い。レーザも直接的印字方法やマスクを介
して印字するなどいずれでも適用できる。なお、レーザ
ではなく、傷を付けてマークするスクラッチマーカ、フ
ェルトペンを使用したマーカ、速乾性インクを使用した
マーカなども適用できる。
口3と上記アライメント装置8との間に、例えばレーザ
光等で半導体ウエハ6に印字を行う印字装置9が配置さ
れている。レーザ光としては工業用レーザであれば良
く、CO2レーザ、Arレーザ、TWDレーザなど印字用レーザ
を用いれば良い。レーザも直接的印字方法やマスクを介
して印字するなどいずれでも適用できる。なお、レーザ
ではなく、傷を付けてマークするスクラッチマーカ、フ
ェルトペンを使用したマーカ、速乾性インクを使用した
マーカなども適用できる。
上記構成のこの実施例のプローブ装置では、筐体1の側
方部に形成されたウエハ収容部1aに図示しないウエハカ
セットが複数収容されており、図示しない搬送装置によ
り、このウエハカセットからX−Yテーブル7に半導体
ウエハ6をロード・アンロードする。
方部に形成されたウエハ収容部1aに図示しないウエハカ
セットが複数収容されており、図示しない搬送装置によ
り、このウエハカセットからX−Yテーブル7に半導体
ウエハ6をロード・アンロードする。
そして、アライメント装置8により、半導体ウエハ6の
X−Yテーブル7上での位置合せを行い、この後、X−
Yテーブル7がプローブカード5の下方に移動して、半
導体ウエハ6上に形成された多数の半導体デバイスの電
極と、プローブカード5の探針4とを次々と接触させて
半導体デバイスの試験測定を行う。
X−Yテーブル7上での位置合せを行い、この後、X−
Yテーブル7がプローブカード5の下方に移動して、半
導体ウエハ6上に形成された多数の半導体デバイスの電
極と、プローブカード5の探針4とを次々と接触させて
半導体デバイスの試験測定を行う。
なお、この時の試験測定用信号の供給および半導体デバ
イス出力の測定は、プローブ装置に接続されたテスタ
(図示せず)によって行われる。そして、テスタには、
識別コードとともにこの測定データが前述のマップとし
て格納される。
イス出力の測定は、プローブ装置に接続されたテスタ
(図示せず)によって行われる。そして、テスタには、
識別コードとともにこの測定データが前述のマップとし
て格納される。
上記測定が終了すると、X−Yテーブル7が印字装置9
の下方に移動し、印字装置9により、例えば半導体ウエ
ハ6周辺部の余白部分等に上記識別コードに対応した識
別用の記号、例えば文字、数字、バーコード等を印字す
る。
の下方に移動し、印字装置9により、例えば半導体ウエ
ハ6周辺部の余白部分等に上記識別コードに対応した識
別用の記号、例えば文字、数字、バーコード等を印字す
る。
上記印字が終了すると、前述の搬送装置により半導体ウ
エハ6をX−Yテーブル7上からアンロードし、ウエハ
収容部1a内のウエハカセットに収容する。そして、必要
により上記操作を繰返す。
エハ6をX−Yテーブル7上からアンロードし、ウエハ
収容部1a内のウエハカセットに収容する。そして、必要
により上記操作を繰返す。
上記印字工程はウエハの測定の前に実行してもよい。こ
の場合は印字のための位置合せを行った後印字し、さら
に測定のための位置合せを必要に応じて実行するとよ
い。さらにこれらのウエハ記号は、各ウエハ測定データ
と共にメモリに記憶する。
の場合は印字のための位置合せを行った後印字し、さら
に測定のための位置合せを必要に応じて実行するとよ
い。さらにこれらのウエハ記号は、各ウエハ測定データ
と共にメモリに記憶する。
すなわち、この実施例のプローブ装置は、半導体ウエハ
6に識別用の記号を印字する印字装置9を備えているの
で、半導体ウエハ6に、この半導体ウエハ6のマップの
識別コードに対応した識別用の記号を印字することによ
り、例えばリダンダンシー工程、ダイホンダー工程、ピ
ックアンドトレーサ等の工程において、このマップと半
導体ウエハとの付き合せを行うことができ、マップに従
って処理を行うことができる。このため、インキングは
不要となる。
6に識別用の記号を印字する印字装置9を備えているの
で、半導体ウエハ6に、この半導体ウエハ6のマップの
識別コードに対応した識別用の記号を印字することによ
り、例えばリダンダンシー工程、ダイホンダー工程、ピ
ックアンドトレーサ等の工程において、このマップと半
導体ウエハとの付き合せを行うことができ、マップに従
って処理を行うことができる。このため、インキングは
不要となる。
なお、上記実施例では、印字装置9を開口3とアライメ
ント装置8との間に配置したが、印字装置9は、他の部
位に配置してもよい。また、印字装置9による印字は、
測定後ではなく、測定前に行ってもよい。
ント装置8との間に配置したが、印字装置9は、他の部
位に配置してもよい。また、印字装置9による印字は、
測定後ではなく、測定前に行ってもよい。
さらに、印字装置9による半導体ウエハ6上の印字位置
はどの場所でもよいが、ダイシング工程でスクライブラ
イン(図示せず)に沿って1チップずつバラバラにされ
スクライブライン上にあった識別コードが良めなくなる
ため、印字は半導体ウエハ6のスクライブライン上また
はその延長上にないことが望ましい。
はどの場所でもよいが、ダイシング工程でスクライブラ
イン(図示せず)に沿って1チップずつバラバラにされ
スクライブライン上にあった識別コードが良めなくなる
ため、印字は半導体ウエハ6のスクライブライン上また
はその延長上にないことが望ましい。
また、プローブ装置のみに限らずプローブ工程の検査デ
ータを確実に転送できたプローブ工程とダイボンダー工
程の間の工程で不良品にマーキングする場合にも適用で
きる。
ータを確実に転送できたプローブ工程とダイボンダー工
程の間の工程で不良品にマーキングする場合にも適用で
きる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明のプローブ装置によれば、
インキングおよびインキングにともなうベーキング工程
を削除することができる。したがって、インクが飛散し
て良品半導体デバイスに付着することがなく、また、工
程削減により生産性の向上を図ることができる。
インキングおよびインキングにともなうベーキング工程
を削除することができる。したがって、インクが飛散し
て良品半導体デバイスに付着することがなく、また、工
程削減により生産性の向上を図ることができる。
第1図は本発明の一実施例のプローブ装置を示す斜視
図、第2図は第1図の要部を示す縦断面図である。 1……筐体、2……顕微鏡、3……開口、4……探針、
5……プローブカード、6……半導体ウエハ、7……X
−Yテーブル、8……アライメント装置、9……印字装
置。
図、第2図は第1図の要部を示す縦断面図である。 1……筐体、2……顕微鏡、3……開口、4……探針、
5……プローブカード、6……半導体ウエハ、7……X
−Yテーブル、8……アライメント装置、9……印字装
置。
Claims (3)
- 【請求項1】半導体ウエハ上に形成された半導体デバイ
スに探針を接触させて試験測定を行うプローブ装置にお
いて、前記半導体ウエハのチップの形成されていない表
面に識別用の記号を印字する機構を備えたことを特徴と
するプローブ装置。 - 【請求項2】前記印字機構は、レーザである特許請求の
範囲第1項記載のプローブ装置。 - 【請求項3】前記印字機構は、不良品に印をつけるマー
キング装置である特許請求の範囲第1項記載のプローブ
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27488187A JPH0715927B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27488187A JPH0715927B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | プローブ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01117335A JPH01117335A (ja) | 1989-05-10 |
JPH0715927B2 true JPH0715927B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=17547840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27488187A Expired - Fee Related JPH0715927B2 (ja) | 1987-10-30 | 1987-10-30 | プローブ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0715927B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2195786B1 (es) * | 2002-05-16 | 2005-03-16 | Consejo Sup. Investigaciones Cientificas | Sistema de alineamiento de obleas y de lectura de microcodigos de barras y de marcas en chips con laser. |
-
1987
- 1987-10-30 JP JP27488187A patent/JPH0715927B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01117335A (ja) | 1989-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6341209B2 (ja) | ||
JP2008539085A (ja) | レーザマーキングシステムにおけるウェハ処理システムを位置合わせするためのシステムおよび方法 | |
JPH01253247A (ja) | ダイの位置決め方法と装置 | |
US4928002A (en) | Method of recording test results of die on a wafer | |
JPH0715927B2 (ja) | プローブ装置 | |
JP2913609B2 (ja) | プロービング装置、プロービング方法およびプローブカード | |
JP2604556B2 (ja) | 半導体ウエハおよびその識別方法 | |
JPH0669053B2 (ja) | プロービングマシン | |
JP2595962B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2952882B2 (ja) | Icウェハ及びicの良否識別方法 | |
JPS6184029A (ja) | 半導体検査装置 | |
JPS6024031A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ | |
JPS59136942A (ja) | 良品チツプ選別装置 | |
JPH0831431B2 (ja) | 検査方法 | |
JPH04352314A (ja) | 半導体ウェハの識別方法 | |
JPS621247B2 (ja) | ||
JPS6399541A (ja) | 半導体ウエハプロ−バ装置 | |
JPS61100942A (ja) | 不良チツプ識別方法 | |
JPS6049643A (ja) | ウエハ検査装置 | |
JP2000091275A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JPH0287540A (ja) | 半導体ウェハーの検査方法 | |
JPH0312463B2 (ja) | ||
JPH04174529A (ja) | ウェハーマーキング装置 | |
KR100493990B1 (ko) | 반도체웨이퍼의식별자각인장치및그각인방법 | |
JPH0346246A (ja) | 検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |