JP3143829B2 - 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製法 - Google Patents
7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製法Info
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D501/00—Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
- C07D501/14—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
- C07D501/16—Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
- C07D501/20—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
- C07D501/24—7-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with hydrocarbon radicals, substituted by hetero atoms or hetero rings, attached in position 3
- C07D501/26—Methylene radicals, substituted by oxygen atoms; Lactones thereof with the 2-carboxyl group
- C07D501/34—Methylene radicals, substituted by oxygen atoms; Lactones thereof with the 2-carboxyl group with the 7-amino radical acylated by carboxylic acids containing hetero rings
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- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は医薬として優れた作用を
有する新規な抗菌剤である3−置換カルバモイルオキシ
−3−セフェム誘導体及びその製造方法に関する。
有する新規な抗菌剤である3−置換カルバモイルオキシ
−3−セフェム誘導体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】特開昭53−34794号公報には、
式:
式:
【0003】
【化26】
【0004】(ここでYは水素または求核性化合物残基
である)
である)
【0005】で表わされる無置換または低級アルキル基
で置換された3−カルバモイルオキシ−3−セフェム誘
導体が開示されている。
で置換された3−カルバモイルオキシ−3−セフェム誘
導体が開示されている。
【0006】また特公平1−44714号公報には下記
一般式で示される化合物が開示されている。
一般式で示される化合物が開示されている。
【0007】
【化27】
【0008】(ここで、R6はアミノ基またはアシルア
ミノ基、R7はカルボキシル基または保護されたカルボ
キシル基、式:
ミノ基、R7はカルボキシル基または保護されたカルボ
キシル基、式:
【0009】
【化28】
【0010】で示される基は、ジ(低級)アルキルアミ
ノ(低級)アルキルアミノ基、低級アルキルて置換され
ていてもよい1〜4個の窒素原子を含有する飽和5もし
くは6員複素環式(低級)アルキルアミノ基または低級
アルキルもしくはヒドロキシ(低級)アルキルで置換さ
れていてもよい2〜4個の窒素原子を含有する飽和5も
しくは6員複素環式基、X1は−S−または
ノ(低級)アルキルアミノ基、低級アルキルて置換され
ていてもよい1〜4個の窒素原子を含有する飽和5もし
くは6員複素環式(低級)アルキルアミノ基または低級
アルキルもしくはヒドロキシ(低級)アルキルで置換さ
れていてもよい2〜4個の窒素原子を含有する飽和5も
しくは6員複素環式基、X1は−S−または
【0011】
【化29】
【0012】点線は2もしくは3−セフェム環をそれぞ
れ意味する。)
れ意味する。)
【0013】さらに特公平3−46474号公報には下
記一般式:
記一般式:
【0014】
【化30】
【0015】(式中、R1は保護されていてもよいアミ
ノ基または水酸基を、R3は水素を、R5はヒドロキシ
基または置換されていてもよいアルコキシ基を、R8は
水素を、Qは3−置換−3−セフェム−4−カルボン酸
を構成するための炭素−炭素結合を、Rはエステル残基
を示す。)
ノ基または水酸基を、R3は水素を、R5はヒドロキシ
基または置換されていてもよいアルコキシ基を、R8は
水素を、Qは3−置換−3−セフェム−4−カルボン酸
を構成するための炭素−炭素結合を、Rはエステル残基
を示す。)
【0016】で表わされるセフェム化合物などの報告が
ある。
ある。
【0017】現在、幾つかの種類の半合成セファロスポ
リンが感染症の治療に利用されているが、抗菌力にすぐ
れ、特に経口投与可能な抗菌剤としては満足なものがな
い。
リンが感染症の治療に利用されているが、抗菌力にすぐ
れ、特に経口投与可能な抗菌剤としては満足なものがな
い。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は抗菌力
にすぐれ、さらに経口投与可能な抗菌剤を提供すること
にある。
にすぐれ、さらに経口投与可能な抗菌剤を提供すること
にある。
【0019】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、新規な3−置換カルバモイルオキシ−3−セフェ
ム誘導体が種々の病原菌に対しすぐれた抗菌活性を有
し、さらに薬理学的に保護された誘導体は消化管からす
みやかに吸収され、吸収後ただちに非エステル体を生じ
て経口投与用の抗菌剤として有用であることを見い出
し、本発明を完成するに到った。
結果、新規な3−置換カルバモイルオキシ−3−セフェ
ム誘導体が種々の病原菌に対しすぐれた抗菌活性を有
し、さらに薬理学的に保護された誘導体は消化管からす
みやかに吸収され、吸収後ただちに非エステル体を生じ
て経口投与用の抗菌剤として有用であることを見い出
し、本発明を完成するに到った。
【0020】即ち、本発明は、下記一般式(1):
【0021】
【化31】
【0022】(式中、Aは−CH=または−N=を示
し、R1は水酸基、低級アルコキシ基、フッ素置換低級
アルコキシ基または保護基で保護された水酸基を示す。
R2及びR3は同一または異なって低級アルキル基、水
酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置換低級アルキ
ル基、またはシアノ置換低級アルキル基を示すか、R2
は水素原子であってR3は低級アルコキシ基又はハロゲ
ン原子で置換されてもよい低級アルキル基を示すか、あ
るいは式:
し、R1は水酸基、低級アルコキシ基、フッ素置換低級
アルコキシ基または保護基で保護された水酸基を示す。
R2及びR3は同一または異なって低級アルキル基、水
酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置換低級アルキ
ル基、またはシアノ置換低級アルキル基を示すか、R2
は水素原子であってR3は低級アルコキシ基又はハロゲ
ン原子で置換されてもよい低級アルキル基を示すか、あ
るいは式:
【0023】
【化32】
【0024】で示される基は、窒素原子1個を含有する
飽和の4〜5員複素環式を示し、それらは低級アルキル
基、水酸基または水酸基置換低級アルキル基で置換され
ていてもよい。R4はカルボキシル基または保護基で保
護されたカルボキシル基を示す。)
飽和の4〜5員複素環式を示し、それらは低級アルキル
基、水酸基または水酸基置換低級アルキル基で置換され
ていてもよい。R4はカルボキシル基または保護基で保
護されたカルボキシル基を示す。)
【0025】で表される7−アシル−3−置換カルバモ
イルオキシセフェム化合物またはその医薬として許容さ
れる塩、その製造法並びにそれからなる抗菌剤および中
間体に関するものである。但し、Aが−CH=て、R1
が水酸基、メトキシ基またはアセトキシ基で、R2及び
R3が共にメチル基で、R4がカルボキシル基、または
低級アルカノイルオキシ低級アルキル基、低級アルコキ
シカルボニルオキシ低級アルキル基、カルボキシ低級ア
ルキル基、複素環基、置換基を有していてもよいベンゾ
イルオキシ低級アルキル基、(置換ジオキシレン)低級
アルキル基、シクロアルカノイル置換低級アルカノイル
低級アルキル基、シクロアルキルオキシカルボニルオキ
シ低級アルキル基から選ばれる基で保護されたカルボキ
シル基は除く。
イルオキシセフェム化合物またはその医薬として許容さ
れる塩、その製造法並びにそれからなる抗菌剤および中
間体に関するものである。但し、Aが−CH=て、R1
が水酸基、メトキシ基またはアセトキシ基で、R2及び
R3が共にメチル基で、R4がカルボキシル基、または
低級アルカノイルオキシ低級アルキル基、低級アルコキ
シカルボニルオキシ低級アルキル基、カルボキシ低級ア
ルキル基、複素環基、置換基を有していてもよいベンゾ
イルオキシ低級アルキル基、(置換ジオキシレン)低級
アルキル基、シクロアルカノイル置換低級アルカノイル
低級アルキル基、シクロアルキルオキシカルボニルオキ
シ低級アルキル基から選ばれる基で保護されたカルボキ
シル基は除く。
【0026】一般式(1)において、R1で示される低
級アルコキシ基、またはフッ素置換された低級アルコキ
シ基としてはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ
ロポキシ、ブトキシ、モノフルオロメトキシ、ジフルオ
ロメトキシ、2−モノフルオロエトキシ、2,2−ジフ
ルオロエトキシ、2,2,2−トリフルオロエトキシな
どの炭素数1〜4のアルコキシ基またはフッ素置換アル
コキシ基が挙げられる。
級アルコキシ基、またはフッ素置換された低級アルコキ
シ基としてはメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプ
ロポキシ、ブトキシ、モノフルオロメトキシ、ジフルオ
ロメトキシ、2−モノフルオロエトキシ、2,2−ジフ
ルオロエトキシ、2,2,2−トリフルオロエトキシな
どの炭素数1〜4のアルコキシ基またはフッ素置換アル
コキシ基が挙げられる。
【0027】R1で示される保護された水酸基における
保護基とは、脱離容易な水酸基保護基であり、たとえば
ホルミル、アセチル、クロロアセチル、メトキシアセチ
ル、フェノキシアセチル、ベンゾイル、エトキシカルボ
ニル、p−ニトロフェノキシカルボニル、テトラヒドロ
ピラニル、テトラヒドロチオフラニル、トリチル、メト
キシメチル、エトキシメチル、トリメチルシリル、t−
ブチルジメチルシリル、t−ブチルなどの比較的緩和な
条件下で脱離可能な保護基などで保護された水酸基を意
味し好ましい保護基としてはアセチル、トリチルなどが
挙げられる。
保護基とは、脱離容易な水酸基保護基であり、たとえば
ホルミル、アセチル、クロロアセチル、メトキシアセチ
ル、フェノキシアセチル、ベンゾイル、エトキシカルボ
ニル、p−ニトロフェノキシカルボニル、テトラヒドロ
ピラニル、テトラヒドロチオフラニル、トリチル、メト
キシメチル、エトキシメチル、トリメチルシリル、t−
ブチルジメチルシリル、t−ブチルなどの比較的緩和な
条件下で脱離可能な保護基などで保護された水酸基を意
味し好ましい保護基としてはアセチル、トリチルなどが
挙げられる。
【0028】一般式(1)においてR2、R3で示され
る低級アルキル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバ
モイル置換低級アルキル基、シアノ置換低級アルキル基
としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロ
キシプロピル、2−ヒドロキシプロピル、4−ヒドロキ
シブチル、カルバモイルメチル、2−カルバモイルエチ
ル、3−カルバモイルプロピル、2−カルバモイルプロ
ピル、シアノメチル、2−シアノエチル、3−シアノプ
ロピル、2−シアノプロピルなどが挙げられる。R2が
水素原子であって、R3が低級アルコキシ基またはハロ
ゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基において、
低級アルキル基とは上記記載のアルキル基などが挙げら
れ、好ましくはメチル基、エチル基などが挙げられる。
低級アルコキシ基とはR1で定義された基と同様であ
り、ハロゲン原子とはフッ素、塩素、ヨウ素などが挙げ
られ、好ましくはフッ素原であり置換されてもよい数は
1〜3である。
る低級アルキル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバ
モイル置換低級アルキル基、シアノ置換低級アルキル基
としてはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、イソブチル、2−ヒドロキシエチル、3−ヒドロ
キシプロピル、2−ヒドロキシプロピル、4−ヒドロキ
シブチル、カルバモイルメチル、2−カルバモイルエチ
ル、3−カルバモイルプロピル、2−カルバモイルプロ
ピル、シアノメチル、2−シアノエチル、3−シアノプ
ロピル、2−シアノプロピルなどが挙げられる。R2が
水素原子であって、R3が低級アルコキシ基またはハロ
ゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基において、
低級アルキル基とは上記記載のアルキル基などが挙げら
れ、好ましくはメチル基、エチル基などが挙げられる。
低級アルコキシ基とはR1で定義された基と同様であ
り、ハロゲン原子とはフッ素、塩素、ヨウ素などが挙げ
られ、好ましくはフッ素原であり置換されてもよい数は
1〜3である。
【0029】また、式:
【0030】
【化33】
【0031】で示される、置換されてもよい窒素原子1
個を含有する飽和の4〜5員複素環式基としては次に示
す基を挙げることができる。
個を含有する飽和の4〜5員複素環式基としては次に示
す基を挙げることができる。
【0032】
【化34】
【0033】
【化35】
【0034】式中、R10は水素、低級アルキル基、水
酸基、水酸基置換低級アルキル基を示し、低級アルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル基、ヒドロキシ置
換低級アルキル基としてはヒドロキシメチル基、2−ヒ
ドロキシエチル基などが挙げられる。
酸基、水酸基置換低級アルキル基を示し、低級アルキル
基としてはメチル、エチル、プロピル基、ヒドロキシ置
換低級アルキル基としてはヒドロキシメチル基、2−ヒ
ドロキシエチル基などが挙げられる。
【0035】
【化36】
【0036】として好ましい基としては、
【0037】
【化37】
【0038】−NHCH3、−N(CH3)2などが挙
げられ、さらに好ましい基としては−N(CH3)2が
挙げられる。
げられ、さらに好ましい基としては−N(CH3)2が
挙げられる。
【0039】R4のカルボキシル基の保護基としては、
メチル、エチル、t−ブチルなどの低級アルキル基;p
−メトキシベンジル、p−ニトロベンジル、3,4−ジ
メトキシベンジル、ジフェニルメチル、トリチル、フェ
ネチルなどの置換基を有していてもよいフェニル基で置
換された低級アルキル基;2,2,2−トリクロロニチ
ル、2−ヨードエチルなどのハロゲン化低級アルキル
基;ピバロイルオキシメチル、アセトキシメチル、プロ
ピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、バレリ
ルオキシメチル、1−アセトキシエチル、2−アセトキ
シエチル、1−ピバロイルオキシエチル、2−ピバロイ
ルオキシエチルなどの低級アルカノイルオキシ低級アル
キル基;パルミトイルオキシエチル、ヘプタベカノイル
オキシメチル、1−パルミトイルオキシエチルなどの高
級アルカノイルオキシ低級アルキル基;メトキシカルボ
ニルオキシメチル、1−(ブトキシカルボニルオキシ)
エチル、1−(t−ブトキシカルボニルオキシ)エチ
ル、1−(エトキシカルボニルオキシ)エチル、1−
(イソプロポキシカルボニルオキシ)エチルなどの低級
アルコキシカルボニルオキシ低級アルキル基;カルボキ
シメチル、2−カルボキシエチルなどのカルボキシ低級
アルキル基;3−フタリジルなどの複素環基;4−グリ
シルオキシベンゾイルオキシメチル、4−〔N−(t−
ブトキシカルボニル)グリシルオキシ〕ベンゾイルオキ
シメチルなどの置換基を有していてもよいベンゾイルオ
キシ低級アルキル基;(5−メチル−2−オキソ−1,
3−ジオキソレン−4−イル)メチルなどの(置換ジオ
キソレン)低級アルキル基;1−(シクロヘキシルアセ
チルオキシ)エチルなどのシクロアルキル置換低級アル
カノイルオキシ低級アルキル基、1−(シクロヘキシル
オキシカルボニルオキシ)エチルなどのシクロアルキル
オキシカルボニルオキシ低級アルキル基等が挙げられ
る。
メチル、エチル、t−ブチルなどの低級アルキル基;p
−メトキシベンジル、p−ニトロベンジル、3,4−ジ
メトキシベンジル、ジフェニルメチル、トリチル、フェ
ネチルなどの置換基を有していてもよいフェニル基で置
換された低級アルキル基;2,2,2−トリクロロニチ
ル、2−ヨードエチルなどのハロゲン化低級アルキル
基;ピバロイルオキシメチル、アセトキシメチル、プロ
ピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、バレリ
ルオキシメチル、1−アセトキシエチル、2−アセトキ
シエチル、1−ピバロイルオキシエチル、2−ピバロイ
ルオキシエチルなどの低級アルカノイルオキシ低級アル
キル基;パルミトイルオキシエチル、ヘプタベカノイル
オキシメチル、1−パルミトイルオキシエチルなどの高
級アルカノイルオキシ低級アルキル基;メトキシカルボ
ニルオキシメチル、1−(ブトキシカルボニルオキシ)
エチル、1−(t−ブトキシカルボニルオキシ)エチ
ル、1−(エトキシカルボニルオキシ)エチル、1−
(イソプロポキシカルボニルオキシ)エチルなどの低級
アルコキシカルボニルオキシ低級アルキル基;カルボキ
シメチル、2−カルボキシエチルなどのカルボキシ低級
アルキル基;3−フタリジルなどの複素環基;4−グリ
シルオキシベンゾイルオキシメチル、4−〔N−(t−
ブトキシカルボニル)グリシルオキシ〕ベンゾイルオキ
シメチルなどの置換基を有していてもよいベンゾイルオ
キシ低級アルキル基;(5−メチル−2−オキソ−1,
3−ジオキソレン−4−イル)メチルなどの(置換ジオ
キソレン)低級アルキル基;1−(シクロヘキシルアセ
チルオキシ)エチルなどのシクロアルキル置換低級アル
カノイルオキシ低級アルキル基、1−(シクロヘキシル
オキシカルボニルオキシ)エチルなどのシクロアルキル
オキシカルボニルオキシ低級アルキル基等が挙げられ
る。
【0040】要するに、何らかの手段で分解されてカル
ボン酸となり得る保護基であればいかなる基でもよく、
好ましくは1−(イソプロピルオキシカルボニルオキ
シ)エチル基、1−(エトキシカルボニルオキシ)エチ
ル基、1−(シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ)
エチル基、ピバロイルオキシメチル基又はイソプロピル
オキシカルボニルオキシメチル基などが挙げられる。さ
らに好ましい基としては1−(イソプロピルオキシカル
ボニルオキシ)エチル基である。
ボン酸となり得る保護基であればいかなる基でもよく、
好ましくは1−(イソプロピルオキシカルボニルオキ
シ)エチル基、1−(エトキシカルボニルオキシ)エチ
ル基、1−(シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ)
エチル基、ピバロイルオキシメチル基又はイソプロピル
オキシカルボニルオキシメチル基などが挙げられる。さ
らに好ましい基としては1−(イソプロピルオキシカル
ボニルオキシ)エチル基である。
【0041】また、医薬として許容される塩としては、
例えばナトリウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属
塩;アンモニウム塩;テトラエチルアンモニウム塩、ベ
タイン塩などの4級アンモニウム塩;カルシウム塩、マ
グネシウム塩などのアルカリ土類金属塩;塩酸塩、臭化
水素酸塩、沃化水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩な
どの無機酸塩;酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸
塩などの有機カルボン酸塩;メタンスルホン酸塩、ヒド
ロキシメタンスルホン酸塩、ヒドロキシエタンスルホン
酸塩、タウリン塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンス
ルホン酸塩などの有機スルホン酸塩;アルギニン塩、リ
ジン塩、セリン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸
塩、グリシン塩などのアミノ酸塩;トリメチルアミン
塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、プロカイン塩、
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N,N−ジベ
ンジルエチレンジアミン塩、N−メチルグルカミン塩、
ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、トリ
ス(ヒドロキシメチルアミノ)メタン塩、フェネチルベ
ンジルアミン塩などのアミン塩などが挙げられる。
例えばナトリウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属
塩;アンモニウム塩;テトラエチルアンモニウム塩、ベ
タイン塩などの4級アンモニウム塩;カルシウム塩、マ
グネシウム塩などのアルカリ土類金属塩;塩酸塩、臭化
水素酸塩、沃化水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩な
どの無機酸塩;酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸
塩などの有機カルボン酸塩;メタンスルホン酸塩、ヒド
ロキシメタンスルホン酸塩、ヒドロキシエタンスルホン
酸塩、タウリン塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンス
ルホン酸塩などの有機スルホン酸塩;アルギニン塩、リ
ジン塩、セリン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸
塩、グリシン塩などのアミノ酸塩;トリメチルアミン
塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、プロカイン塩、
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N,N−ジベ
ンジルエチレンジアミン塩、N−メチルグルカミン塩、
ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、トリ
ス(ヒドロキシメチルアミノ)メタン塩、フェネチルベ
ンジルアミン塩などのアミン塩などが挙げられる。
【0042】本発明化合物(1)は、例えば次に示す方
法によって製造することができる。
法によって製造することができる。
【0043】1)製法1
【0044】一般式(2)
【0045】
【化38】
【0046】(式中、R2、R3、R4および
【0047】
【化39】
【0048】は、前記と同じ意味を示す。)
【0049】で表わされる化合物またはその塩を、一般
式(3)
式(3)
【0050】
【化40】
【0051】(式中、A及びR1は前記と同じ意味を示
し、そしてR6はアミノ基または保護されたアミノ基を
示す。)
し、そしてR6はアミノ基または保護されたアミノ基を
示す。)
【0052】で表わされる化合物またはその反応性酸誘
導体またはそれらの塩と反応させ、必要によりアミノ
基、カルボキシル基または水酸基の保護基を離脱し、あ
るいはカルボキシル基を保護基で保護することにより一
般式(1)で表わされる化合物またはその塩を得る。
導体またはそれらの塩と反応させ、必要によりアミノ
基、カルボキシル基または水酸基の保護基を離脱し、あ
るいはカルボキシル基を保護基で保護することにより一
般式(1)で表わされる化合物またはその塩を得る。
【0053】R6におけるアミノ基の保護基としては、
カルバモイル基、脂肪族アシル基、芳香環または複素環
を含むアシル基、スルホニル基あるいはベンジリデン基
が挙げられる。
カルバモイル基、脂肪族アシル基、芳香環または複素環
を含むアシル基、スルホニル基あるいはベンジリデン基
が挙げられる。
【0054】アシル基およびスルホニル基の例としては
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブ
チリル、バレリル、イソバレリル、オキサリル、サクシ
ニル、ピバロイル等のアルカノイル基、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、1
−シクロプロピルエトキシカルボニル、イソプロポキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル、第3級ブトキシカル
ボニル、ペンチルオキシカルボニル、第3級ペンチルオ
キシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等のアルコ
キルカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル、フェネ
チルオキシカルボニル等のアラルコキシカルボニル基、
メシル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル、イソ
プロパンスルホニル、ブタンスルホニル等のアルカンス
ルホニル基、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル
等のアレーンスルホニル基、ベンゾイル、トルオイル、
ナフトイル、フタロイル、インダンカルボニル等のアロ
イル基、フェニルアセチル、フェニルプロピオニル等の
アラルカノイル基、フェノキシアセチル、フェノキシプ
ロピオニル等のアリールオキシアルカノイル基、フロイ
ル、テノイル、ニコチノイル等の複素環カルボニル基、
チエニルグリオキシロイル、チアゾリルグリオキシロイ
リル等の複素環グリオキシロイル基、チエニルアセチ
ル、チアゾリルアセチル等の複素環アルカノイル基等が
挙げられる。これらの基は、例えば塩素、臭素、沃素、
弗素を含むハロゲン、ニトロ基、アミノ基、ホルミルア
ミノ、アセチルアミノ等のアルカノイルアミノ基、シア
ノ基、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル等のアルキル基、ビニル、アリル等のアルケニル基、
式=N−OR5(式中R5は水素、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等
のアルキル基、ビニル、プロペニル等のアルケニル基、
エチニル、プロピニル等のアルキニル基を意味する)て
示される基等の適当な置換分を1個以上有してもよい。
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブ
チリル、バレリル、イソバレリル、オキサリル、サクシ
ニル、ピバロイル等のアルカノイル基、メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、1
−シクロプロピルエトキシカルボニル、イソプロポキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル、第3級ブトキシカル
ボニル、ペンチルオキシカルボニル、第3級ペンチルオ
キシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等のアルコ
キルカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル、フェネ
チルオキシカルボニル等のアラルコキシカルボニル基、
メシル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル、イソ
プロパンスルホニル、ブタンスルホニル等のアルカンス
ルホニル基、ベンゼンスルホニル、トルエンスルホニル
等のアレーンスルホニル基、ベンゾイル、トルオイル、
ナフトイル、フタロイル、インダンカルボニル等のアロ
イル基、フェニルアセチル、フェニルプロピオニル等の
アラルカノイル基、フェノキシアセチル、フェノキシプ
ロピオニル等のアリールオキシアルカノイル基、フロイ
ル、テノイル、ニコチノイル等の複素環カルボニル基、
チエニルグリオキシロイル、チアゾリルグリオキシロイ
リル等の複素環グリオキシロイル基、チエニルアセチ
ル、チアゾリルアセチル等の複素環アルカノイル基等が
挙げられる。これらの基は、例えば塩素、臭素、沃素、
弗素を含むハロゲン、ニトロ基、アミノ基、ホルミルア
ミノ、アセチルアミノ等のアルカノイルアミノ基、シア
ノ基、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル等のアルキル基、ビニル、アリル等のアルケニル基、
式=N−OR5(式中R5は水素、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等
のアルキル基、ビニル、プロペニル等のアルケニル基、
エチニル、プロピニル等のアルキニル基を意味する)て
示される基等の適当な置換分を1個以上有してもよい。
【0055】さらにベンジリデン基の例としては、ベン
ジリデン基、p−ニトロベンジリデン基、m−ニトロベ
ンジリデン基、3,4−メチレンジオキシベンジリデン
基、m−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
ジリデン基、p−ニトロベンジリデン基、m−ニトロベ
ンジリデン基、3,4−メチレンジオキシベンジリデン
基、m−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
【0056】化合物(3)は縮合剤〔カルボジイミド
(N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミドなど)、
カルボニル化合物(カルボニルジイミダゾールなど)、
イソキサゾリウム塩、アシルアミノ化合物(2−エトキ
シ−1−エトキシカルボニル−1,2−ジヒドロキシキ
ノリンなど)〕の存在下に反応させてもよい。またその
反応性酸誘導体としては酸無水物{対称酸無水物、混合
酸無水物〔鉱酸(リン酸、硫酸、炭酸半エステルな
ど)、有機酸(アルカン酸、アラルカン酸、スルホン酸
など)との混合酸無水物など〕}、酸ハロゲン化物、活
性エステル〔N−ヒドロキシ化合物とのエステル(N−
ヒドロキシスクシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミ
ドなどとのエステル)〕、チオールエステル(アラルキ
ルチオールエステル、異項環チオールエステルなど)、
アリールエステル(フェニルエステル、ハロフェニルエ
ステル、ニトロフェニルエステルなど)を用いる。
(N,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミドなど)、
カルボニル化合物(カルボニルジイミダゾールなど)、
イソキサゾリウム塩、アシルアミノ化合物(2−エトキ
シ−1−エトキシカルボニル−1,2−ジヒドロキシキ
ノリンなど)〕の存在下に反応させてもよい。またその
反応性酸誘導体としては酸無水物{対称酸無水物、混合
酸無水物〔鉱酸(リン酸、硫酸、炭酸半エステルな
ど)、有機酸(アルカン酸、アラルカン酸、スルホン酸
など)との混合酸無水物など〕}、酸ハロゲン化物、活
性エステル〔N−ヒドロキシ化合物とのエステル(N−
ヒドロキシスクシンイミド、N−ヒドロキシフタルイミ
ドなどとのエステル)〕、チオールエステル(アラルキ
ルチオールエステル、異項環チオールエステルなど)、
アリールエステル(フェニルエステル、ハロフェニルエ
ステル、ニトロフェニルエステルなど)を用いる。
【0057】上記反応はジクロロメタン、クロロホル
ム、テトラハイドロフラン、アセトン、酢酸エチル、メ
タノール、エタノール、ジメチルスルホキシド、N,N
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、ヘキサ
ン等の不活性溶媒中、反応温度−50℃〜+50℃で行
うことができる。
ム、テトラハイドロフラン、アセトン、酢酸エチル、メ
タノール、エタノール、ジメチルスルホキシド、N,N
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、ヘキサ
ン等の不活性溶媒中、反応温度−50℃〜+50℃で行
うことができる。
【0058】保護基の離脱、カルボキシル基を保護基で
の保護、造塩反応は常法により行なうことができる。
の保護、造塩反応は常法により行なうことができる。
【0059】保護されたカルボキシル基の脱保護は酸の
存在下、加水分解によりなしえる。好適な酸としては、
例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸、蟻酸、酢
酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、p−トルエ
ンスルホン酸等の有機酸、三フッ化ホウ素、三塩化アル
ミニウム、塩化第二スズ、塩化第二鉄、四塩化チタン、
塩化亜鉛等のルイス酸があげられる。必要に応じて、ア
ニソール等の陽イオン捕捉剤の存在化に反応を行なうの
が好ましい。
存在下、加水分解によりなしえる。好適な酸としては、
例えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸、蟻酸、酢
酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、p−トルエ
ンスルホン酸等の有機酸、三フッ化ホウ素、三塩化アル
ミニウム、塩化第二スズ、塩化第二鉄、四塩化チタン、
塩化亜鉛等のルイス酸があげられる。必要に応じて、ア
ニソール等の陽イオン捕捉剤の存在化に反応を行なうの
が好ましい。
【0060】加水分解は通常、水、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、テトラハイドロフラン、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジオキサン、塩化メチレン等の
不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で行なわれる。ま
た、上記酸を溶媒として用いてもよい。反応は、通常−
78℃〜80℃で行なうことができるが、好ましくは氷
冷下から室温下で行なわれる。
ール、プロパノール、テトラハイドロフラン、N,N−
ジメチルホルムアミド、ジオキサン、塩化メチレン等の
不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で行なわれる。ま
た、上記酸を溶媒として用いてもよい。反応は、通常−
78℃〜80℃で行なうことができるが、好ましくは氷
冷下から室温下で行なわれる。
【0061】R4がカルボキシル基またはその塩の場合
保護基で保護する方法は、常法により行えばよく、例え
ばエステル化の方法は必要に応じてアルカリ金属塩化、
または有機アミン塩化し、アルコール反応誘導体と反応
させることにより行ないえる。
保護基で保護する方法は、常法により行えばよく、例え
ばエステル化の方法は必要に応じてアルカリ金属塩化、
または有機アミン塩化し、アルコール反応誘導体と反応
させることにより行ないえる。
【0062】アルカリ金属塩化は、酢酸ソーダ、酢酸カ
リウム、2−エチルヘキサン酸ソーダ、2−エチルヘキ
サン酸カリウム等の有機酸アルカリ金属塩、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の
アルカリ金属炭酸塩などを用いて行なわれる。有機アミ
ン塩化はトリメチルアミン、トリエチルアミン、ジクロ
ロヘキシルアミン、ピリジンなどを用いて行なわれる。
リウム、2−エチルヘキサン酸ソーダ、2−エチルヘキ
サン酸カリウム等の有機酸アルカリ金属塩、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭
酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の
アルカリ金属炭酸塩などを用いて行なわれる。有機アミ
ン塩化はトリメチルアミン、トリエチルアミン、ジクロ
ロヘキシルアミン、ピリジンなどを用いて行なわれる。
【0063】反応は通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、テトラハイドロフラン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジオキサン、塩化メチレン、酢酸
エチル、酢酸メチル、アセトニトリル等の不活性溶媒ま
たはそれらの混合溶媒で行なわれる。
ル、プロパノール、テトラハイドロフラン、N,N−ジ
メチルホルムアミド、ジオキサン、塩化メチレン、酢酸
エチル、酢酸メチル、アセトニトリル等の不活性溶媒ま
たはそれらの混合溶媒で行なわれる。
【0064】アルコール反応誘導体との反応は通常、
水、メタノール、エタノール、プロパノール、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、アセトン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、塩
化メチレン、酢酸エチル、酢酸メチル、アセトニトリ
ル、ベンゼン、トルエン等の不活性溶媒またはそれらの
混合溶媒で行なわれる。また、反応は、通常−78℃〜
80℃で行なうことができるが、好ましくは氷冷下から
室温下で行なわれる。
水、メタノール、エタノール、プロパノール、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、アセトン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、塩
化メチレン、酢酸エチル、酢酸メチル、アセトニトリ
ル、ベンゼン、トルエン等の不活性溶媒またはそれらの
混合溶媒で行なわれる。また、反応は、通常−78℃〜
80℃で行なうことができるが、好ましくは氷冷下から
室温下で行なわれる。
【0065】保護されたアミノ基の脱保護は通常の方法
に従い酸の存在下に行ないえる。好適な酸としては、例
えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸、蟻酸、酢酸、
トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、p−トルエンス
ルホン酸等の有機酸があげられる。
に従い酸の存在下に行ないえる。好適な酸としては、例
えば塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸、蟻酸、酢酸、
トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、p−トルエンス
ルホン酸等の有機酸があげられる。
【0066】反応は通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、アセトン、テトラハイ
ドロフラン、ジオキサン、塩化メチレン等の不活性溶媒
またはそれらの混合溶媒で行なわれる。また、反応は、
通常−50℃〜50℃で行なうことができるが、好まし
くは氷冷下から室温下で行なわれる。
ル、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、アセトン、テトラハイ
ドロフラン、ジオキサン、塩化メチレン等の不活性溶媒
またはそれらの混合溶媒で行なわれる。また、反応は、
通常−50℃〜50℃で行なうことができるが、好まし
くは氷冷下から室温下で行なわれる。
【0067】2)製法2
【0068】一般式(4)
【0069】
【化41】
【0070】(式中、R2、R3、R4および
【0071】
【化42】
【0072】は前記と同じ意味を示す。Xはハロゲン原
子を示す。)
子を示す。)
【0073】で表わされる化合物またはその塩とチオ尿
素を反応させ、必要によりカルボキシル基の保護基を離
脱し、あるいはカルボキシル基を保護基で保護すること
により一般式(5):
素を反応させ、必要によりカルボキシル基の保護基を離
脱し、あるいはカルボキシル基を保護基で保護すること
により一般式(5):
【0074】
【化43】
【0075】(式中、R2、R3、R4および
【0076】
【化44】
【0077】は、前記と同じ意味を示す。)
【0078】で表わされる化合物またはその塩を製造す
ることができる。
ることができる。
【0079】反応は通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、蟻酸、酢酸、アセト
ン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、塩化メチレ
ン、酢酸エチル、酢酸メチル、アセトニトリル、ベンゼ
ン、トルエン等の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で
行なわれる。また、反応は、通常−78℃〜80℃で行
なうことができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行
なわれる。
ル、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、蟻酸、酢酸、アセト
ン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、塩化メチレ
ン、酢酸エチル、酢酸メチル、アセトニトリル、ベンゼ
ン、トルエン等の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で
行なわれる。また、反応は、通常−78℃〜80℃で行
なうことができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行
なわれる。
【0080】上記の本発明化合物の製法1〜2におい
て、製造原料化合物(2)、(4)に代えて、それぞれ
のセフェム環のスルホキシド体を用いて反応後、還元す
ることにより、それぞれの目的化合物(1)、および
(5)を得ることもできる。
て、製造原料化合物(2)、(4)に代えて、それぞれ
のセフェム環のスルホキシド体を用いて反応後、還元す
ることにより、それぞれの目的化合物(1)、および
(5)を得ることもできる。
【0081】次に本発明化合物の製造に利用される中間
体は例えば以下に示す方法によって製造することができ
る。
体は例えば以下に示す方法によって製造することができ
る。
【0082】a)製法A
【0083】一般式(9)
【0084】
【化45】
【0085】(式中、R5はアミノ基または保護された
アミノ基、Yは水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原
子またはニトロ基を示す。Yはこれらの基で同一または
異なって1〜5個置換されていてもよい。)
アミノ基、Yは水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原
子またはニトロ基を示す。Yはこれらの基で同一または
異なって1〜5個置換されていてもよい。)
【0086】で表わされる化合物またはその塩と式:
【0087】
【化46】
【0088】(式中、R2、R3および
【0089】
【化47】
【0090】は、前記と同じ意味を示す。)
【0091】で表わされる化合物またはその塩とを適当
な不活性溶媒中で反応させ、必要によりカルボキシル基
を保護することにより一般式(8)
な不活性溶媒中で反応させ、必要によりカルボキシル基
を保護することにより一般式(8)
【0092】
【化48】
【0093】(式中、R2、R3、R4、R5および
【0094】
【化49】
【0095】は、前記と同じ意味を示す。)
【0096】で表わされる化合物またはその塩を製造す
ることができる。
ることができる。
【0097】反応は通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、テ
トラハイドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、ベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム等の
不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行なわれる。
ル、プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、テ
トラハイドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、ベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム等の
不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行なわれる。
【0098】反応は、通常−78℃〜80℃で行なうこ
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る、反応時間は通常10分から1時間行なうだけで十分
である。
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る、反応時間は通常10分から1時間行なうだけで十分
である。
【0099】R5におけるアミノ基の保護基としては前
記のR6におけるアミノ基の保護基と同じである。
記のR6におけるアミノ基の保護基と同じである。
【0100】目的に応じてアミノ基の保護基を離脱し、
あるいはカルボキシル基を保護基で保護することにより
本発明化合物(1)の中間体として使用することができ
る。アミノ基の脱保護、カルボキシル基の保護化は製法
1の項に記載した常法により行なうことができる。
あるいはカルボキシル基を保護基で保護することにより
本発明化合物(1)の中間体として使用することができ
る。アミノ基の脱保護、カルボキシル基の保護化は製法
1の項に記載した常法により行なうことができる。
【0101】b)製法B
【0102】一般式(12)
【0103】
【化50】
【0104】(式中、R4およびR5は前記と同じ意味
を示す。)
を示す。)
【0105】で表わされる化合物またはその塩と塩基の
存在下にホスゲンまたはホスゲン誘導体を反応させ一般
式(7)で表わされる化合物を得る。
存在下にホスゲンまたはホスゲン誘導体を反応させ一般
式(7)で表わされる化合物を得る。
【0106】
【化51】
【0107】(式中、R4およびR5は前記と同じ意味
を示す。)
を示す。)
【0108】続いて、式
【0109】
【化52】
【0110】(式中、R2、R3および
【0111】
【化53】
【0112】は、前記と同じ意味を示す。)
【0113】で表わされる化合物またはその塩と反応さ
せ、一般式(8)
せ、一般式(8)
【0114】
【化54】
【0115】(式中、R2、R3、R4、R5および
【0116】
【化55】
【0117】は、前記と同じ意味を示す。)
【0118】で表わされる化合物を製造することができ
る。
る。
【0119】上記反応において、好適な塩基としては、
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリ
ウム、水酸化マグネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属、アルカ
リ土類金属水酸化物、炭酸塩、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン、N−メチルモルホリン、ピリジン、トル
イジン、ルチジン、N,N−ジメチルアミノピリジンな
どの三級アミンがあげられる。
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリ
ウム、水酸化マグネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属、アルカ
リ土類金属水酸化物、炭酸塩、トリエチルアミン、トリ
ブチルアミン、N−メチルモルホリン、ピリジン、トル
イジン、ルチジン、N,N−ジメチルアミノピリジンな
どの三級アミンがあげられる。
【0120】ホスゲンあるいはホスゲン誘導体として
は、トリクロロメチルクロロフォルメート、ビス(トリ
クロロメチル)カーボネートがあげられる。
は、トリクロロメチルクロロフォルメート、ビス(トリ
クロロメチル)カーボネートがあげられる。
【0121】これら反応の溶媒としては、通常、N,N
−ジメチルホルムアミド、アセトン、アセトニトリル、
テトラハイドロフラン、ジクロロメタン、クロロホル
ム、酢酸エチルなどの不活性溶媒またはそれらの混合液
が使用される。また反応は、通常−100℃から30℃
で行なうことができるが、好ましくは−78℃から0℃
で行なわれる。
−ジメチルホルムアミド、アセトン、アセトニトリル、
テトラハイドロフラン、ジクロロメタン、クロロホル
ム、酢酸エチルなどの不活性溶媒またはそれらの混合液
が使用される。また反応は、通常−100℃から30℃
で行なうことができるが、好ましくは−78℃から0℃
で行なわれる。
【0122】目的に応じて、アミノ基またはカルボキシ
ル基の保護基を離脱し、あるいはカルボキシル基を保護
基で保護することにより本発明化合物(1)の中間体と
して使用できる。脱保護等は製法1の項に記載した常法
により行なうことができる。
ル基の保護基を離脱し、あるいはカルボキシル基を保護
基で保護することにより本発明化合物(1)の中間体と
して使用できる。脱保護等は製法1の項に記載した常法
により行なうことができる。
【0123】c)製法C
【0124】一般式(13)
【0125】
【化56】
【0126】(式中、R4は前記と同じ意味を示し、R
5 aは保護されたアミノ基を示す。)
5 aは保護されたアミノ基を示す。)
【0127】で表わされる化合物あるいはそれらの塩と
N,N′−カルボニルジイミダゾールを反応させ活性誘
導体へと導いた後、式
N,N′−カルボニルジイミダゾールを反応させ活性誘
導体へと導いた後、式
【0128】
【化57】
【0129】(式中、R2、R3および
【0130】
【化58】
【0131】は、前記と同じ意味を示す。)
【0132】で表わされる化合物またはその塩と反応さ
せ、必要によりアミノ基を脱保護することにより、一般
式(8)
せ、必要によりアミノ基を脱保護することにより、一般
式(8)
【0133】
【化59】
【0134】(式中、R2、R3、R4、R5および
【0135】
【化60】
【0136】は、前記と同じ意味を示す。)
【0137】で表わされる化合物を製造することができ
る。
る。
【0138】反応は通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、テ
トラハイドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、ベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム等の
不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行なわれる。
ル、プロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、テ
トラハイドロフラン、ジオキサン、アセトニトリル、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、ベンゼン、塩化メチレン、クロロホルム等の
不活性溶媒またはそれらの混合溶媒中で行なわれる。
【0139】目的に応じて、アミノ基またはカルボキシ
ル基の保護基を離脱し、あるいはカルボキシル基を保護
基で保護することにより本発明化合物(1)の中間体と
して使用すればよい。脱保護等は製法1の項に記載した
常法により行なうことができる。
ル基の保護基を離脱し、あるいはカルボキシル基を保護
基で保護することにより本発明化合物(1)の中間体と
して使用すればよい。脱保護等は製法1の項に記載した
常法により行なうことができる。
【0140】d)製法D
【0141】一般式(2)の化合物またはその塩と、
式:
式:
【0142】XCH2COCH2COOH
【0143】(式中、Xはハロゲン原子を示す。)
【0144】で表わされる化合物、その塩またはそのカ
ルボキシル基反応性誘導体を反応させることにより一般
式(14)
ルボキシル基反応性誘導体を反応させることにより一般
式(14)
【0145】
【化61】
【0146】(式中、R2、R3、R4、Xおよび
【0147】
【化62】
【0148】は、前記と同じ意味を示す。)
【0149】で表される化合物を得ることができる。
【0150】反応性誘導体としては、酸塩化物、酸臭化
物等のような酸ハロゲン化物が挙げられ、これらの酸ハ
ロゲン化物はジケテンとハロゲンとの反応によって得ら
れる。
物等のような酸ハロゲン化物が挙げられ、これらの酸ハ
ロゲン化物はジケテンとハロゲンとの反応によって得ら
れる。
【0151】反応は通常、水、メタノール、エタノー
ル、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、アセトン、テトラハイ
ドロフラン、ジオキサン、塩化メチレン、酢酸エチル、
酢酸メチル、アセトニトリル、ベンゼン、トルエン、ピ
リジン等の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で行なわ
れる。また、反応は、通常−78℃〜80℃で行なうこ
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る。
ル、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、アセトン、テトラハイ
ドロフラン、ジオキサン、塩化メチレン、酢酸エチル、
酢酸メチル、アセトニトリル、ベンゼン、トルエン、ピ
リジン等の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で行なわ
れる。また、反応は、通常−78℃〜80℃で行なうこ
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る。
【0152】次いで一般式(14)の化合物またはその
塩とニトロソ化剤を反応させることにより一般式
(4):
塩とニトロソ化剤を反応させることにより一般式
(4):
【0153】
【化63】
【0154】(式中、R2、R3、R4、Xおよび
【0155】
【化64】
【0156】は前記と同じ意味を示す。)
【0157】で表わされる化合物またはその塩を製造す
ることができる。
ることができる。
【0158】ニトロソ化剤としては、亜硝酸およびその
誘導体、例えば亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等の
亜硝酸アルカリ金属、亜硝酸ブチル、亜硝酸ペンチル、
亜硝酸アミル等の亜硝酸アルキル等が挙げられる。亜硝
酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等の亜硝酸アルカリ金属
を使用する場合には、塩酸、硫酸、蟻酸、酢酸等の無機
あるいは有機酸の存在化で行なうのが好ましい。
誘導体、例えば亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等の
亜硝酸アルカリ金属、亜硝酸ブチル、亜硝酸ペンチル、
亜硝酸アミル等の亜硝酸アルキル等が挙げられる。亜硝
酸ナトリウム、亜硝酸カリウム等の亜硝酸アルカリ金属
を使用する場合には、塩酸、硫酸、蟻酸、酢酸等の無機
あるいは有機酸の存在化で行なうのが好ましい。
【0159】この反応は通常、水、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
アセトン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、塩化メ
チレン等の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で行なわ
れる。また、反応は、通常−78℃〜80℃で行なうこ
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る。
ール、プロパノール、N,N−ジメチルホルムアミド、
アセトン、テトラハイドロフラン、ジオキサン、塩化メ
チレン等の不活性溶媒またはそれらの混合溶媒で行なわ
れる。また、反応は、通常−78℃〜80℃で行なうこ
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る。
【0160】e)製法E
【0161】一般式(15)
【0162】
【化65】
【0163】(式中、R5は前記と同じ意味を示し、R
4 aは保護されたカルボキシル基を示す。)
4 aは保護されたカルボキシル基を示す。)
【0164】で表わされる化合物またはその塩と、一般
式(16)
式(16)
【0165】
【化66】
【0166】(式中、XおよびYは前記と同じ意味を示
す。)
す。)
【0167】で表わされる化合物とを塩基の存在下に反
応させることにより一般式(17):
応させることにより一般式(17):
【0168】
【化67】
【0169】(式中、R4 a、R5およびYは前記と同
じ意味を示す。)
じ意味を示す。)
【0170】で表わされる化合物またはその塩が高収率
で得られる。
で得られる。
【0171】次いでカルボキシル基の保護基を脱保護す
ることにより一般式(9):
ることにより一般式(9):
【0172】
【化68】
【0173】(式中、R5およびYは前記と同じ意味を
示す。)
示す。)
【0174】で表わされる化合物またはその塩を製造す
ることができる。カルボキシル基の脱保護法は製法1に
記載した常法により行なうことができる。
ることができる。カルボキシル基の脱保護法は製法1に
記載した常法により行なうことができる。
【0175】一般式(15)で表わされる化合物の塩類
としては例えばアルカリ金属塩(ナトリウム塩、カリウ
ム塩など)アルカリ土類金属塩(カルシウム塩、マグネ
シウム塩など)アンモニウム塩、有機アミン塩(トリメ
チルアミン塩、トリエチルアミン塩など)、有機酸塩
(ギ酸塩、トリフルオロ酢酸塩、トルエンスルホン酸塩
など)無機酸塩(塩酸塩、硫酸塩など)があげられる。
としては例えばアルカリ金属塩(ナトリウム塩、カリウ
ム塩など)アルカリ土類金属塩(カルシウム塩、マグネ
シウム塩など)アンモニウム塩、有機アミン塩(トリメ
チルアミン塩、トリエチルアミン塩など)、有機酸塩
(ギ酸塩、トリフルオロ酢酸塩、トルエンスルホン酸塩
など)無機酸塩(塩酸塩、硫酸塩など)があげられる。
【0176】好適な塩基としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化マグネ
シウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属塩またはア
ルカリ土類金属塩、或は酢酸ナトリウム、酢酸カリウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム等の有機酸アルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、或はトリエチルアミ
ン、トリブチルアミン、N−メチルモルホリン、ピリジ
ン、トルイジン、ルチジン、N,N−ジメチルアミノピ
リジンなどの三級アミンがあげられる。
ウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化マグネ
シウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナト
リウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属塩またはア
ルカリ土類金属塩、或は酢酸ナトリウム、酢酸カリウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム等の有機酸アルカ
リ金属塩、アルカリ土類金属塩、或はトリエチルアミ
ン、トリブチルアミン、N−メチルモルホリン、ピリジ
ン、トルイジン、ルチジン、N,N−ジメチルアミノピ
リジンなどの三級アミンがあげられる。
【0177】反応は通常、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、アセトン、アセトニトリル、テトラハイドロフラ
ン、ジオキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸
エチル、酢酸メチル、ベンゼン、トルエン、ヘキサンな
どの不活性溶媒またはそれらの混合液中で行なわれる。
ド、アセトン、アセトニトリル、テトラハイドロフラ
ン、ジオキサン、ジクロロメタン、クロロホルム、酢酸
エチル、酢酸メチル、ベンゼン、トルエン、ヘキサンな
どの不活性溶媒またはそれらの混合液中で行なわれる。
【0178】反応は、通常−78℃〜80℃で行なうこ
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る。
とができるが、好ましくは氷冷下から室温下で行なわれ
る。
【0179】上記の中間体化合物の製法A〜Eにおいて
製造原料化合物(9)、(12)、(13)、(14)
および(15)に代えて、それぞれのスルホキシド体を
用いて反応後還元することによりそれぞれの目的化合物
(8)、(4)および(9)を得ることもできる。
製造原料化合物(9)、(12)、(13)、(14)
および(15)に代えて、それぞれのスルホキシド体を
用いて反応後還元することによりそれぞれの目的化合物
(8)、(4)および(9)を得ることもできる。
【0180】上記中間体のうち、化合物(2)に含まれ
る下記化合物(6)
る下記化合物(6)
【0181】
【化69】
【0182】(式中、R2a及びR3aは同一または異
なって低級アルキル基、ヒドロキシ置換低級アルキル
基、またはシアノ置換低級アルキル基を示すか、あるい
は式:
なって低級アルキル基、ヒドロキシ置換低級アルキル
基、またはシアノ置換低級アルキル基を示すか、あるい
は式:
【0183】
【化70】
【0184】で示される基は、窒素原子1個を含有する
飽和の4〜5員複素環式を示し、それらは低級アルキル
基、水酸基または水酸基置換低級アルキル基で置換され
ていてもよい。R4はカルボキシル基または保護基で保
護されたカルボキシル基であり、そしてR5はアミノ基
または保護されたアミノ基を示す。)
飽和の4〜5員複素環式を示し、それらは低級アルキル
基、水酸基または水酸基置換低級アルキル基で置換され
ていてもよい。R4はカルボキシル基または保護基で保
護されたカルボキシル基であり、そしてR5はアミノ基
または保護されたアミノ基を示す。)
【0185】で表わされる化合物、化合物(4)および
化合物(9)は新規化合物てある。
化合物(9)は新規化合物てある。
【0186】
【発明の効果】次に本発明化合物の効果を、下記実施例
で得られた代表的な化合物について、各種細菌に対する
最小発育阻止濃度(MIC)を示す。
で得られた代表的な化合物について、各種細菌に対する
最小発育阻止濃度(MIC)を示す。
【0187】a)各種細菌に対するMICを常法により
測定した結果を表1に示す。
測定した結果を表1に示す。
【0188】
【表1】
【0189】表1において、化合物Aは次のとおりであ
る。
る。
【0190】化合物A 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−カ
ルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−カ
ルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸
【0191】表1に示す如く、本発明の化合物は優れた
抗菌活性を示し、特にヘモフィルス・インフルエンザ菌
に強い抗菌力を有する有用な化合物である。
抗菌活性を示し、特にヘモフィルス・インフルエンザ菌
に強い抗菌力を有する有用な化合物である。
【0192】以上の如く、本発明化合物は優れた経口抗
菌剤としての性格を有するものである。
菌剤としての性格を有するものである。
【0193】本発明化合物の急性毒性値〔LD50(マ
ウス、経口)〕はいずれも2g/kg以上であった。
ウス、経口)〕はいずれも2g/kg以上であった。
【0194】本発明化合物を抗菌剤として使用する際に
は、通常1日100mg〜5gを1〜4回にわけて経口
あるいは非経口的に投与することができる。なお、その
投与量は年齢、症状により増減される。
は、通常1日100mg〜5gを1〜4回にわけて経口
あるいは非経口的に投与することができる。なお、その
投与量は年齢、症状により増減される。
【0195】製剤としては、錠剤、顆粒剤、散剤、カプ
セル剤、シロップ剤、液剤などが挙げられる。これら
は、公知の製剤担体を加え、常法により製造することが
できる。
セル剤、シロップ剤、液剤などが挙げられる。これら
は、公知の製剤担体を加え、常法により製造することが
できる。
【0196】
【0197】次に実施例を示し、本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【0198】なお、本発明化合物を製造する際の出発物
質は製造例として掲げた。
質は製造例として掲げた。
【0199】本文中の簡略表示は次のとおりである。
【0200】 Tr:(C6H5)3C− 基 BH:(C6H5)2CH− 基 Me:メチル基
【0201】参考例1 7−チエニルアセトアミド−3−N,N−ジメチルカル
バモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリル−1−オキシド
バモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリル−1−オキシド
【0202】
【化71】
【0203】7−チエニルアセトアミド−3−ハイドロ
キシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リル30g(0.058モル)のテトラハイドロフラン
600ml溶液を氷冷下に攪拌し、N,N′−カルボニ
ルジイミダゾール11.25g(0.069モル)を加
え、さらに氷冷下で3時間攪拌した。反応混合物に酢酸
エチル1リットルを加え、水400mlで洗浄した。有
機層を氷冷下に攪拌し50%ジメチルアミン水溶液12
g(0.075モル)を加え1時間反応させた。反応液
を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して、7−チエ
ニルアセトアミド−3−N,N−ジメチルカルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルと7−チエニルアセトアミド−3−N,N−ジメ
チルカルバモイルオキシメチル−2−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルの混合物24gを得た。
キシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒド
リル30g(0.058モル)のテトラハイドロフラン
600ml溶液を氷冷下に攪拌し、N,N′−カルボニ
ルジイミダゾール11.25g(0.069モル)を加
え、さらに氷冷下で3時間攪拌した。反応混合物に酢酸
エチル1リットルを加え、水400mlで洗浄した。有
機層を氷冷下に攪拌し50%ジメチルアミン水溶液12
g(0.075モル)を加え1時間反応させた。反応液
を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮して、7−チエ
ニルアセトアミド−3−N,N−ジメチルカルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリルと7−チエニルアセトアミド−3−N,N−ジメ
チルカルバモイルオキシメチル−2−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリルの混合物24gを得た。
【0204】この混合物のテトラハイドロフラン400
ml溶液に、m−クロロ過安息香酸20g(0.116
モル)を溶かしたテトラハイドロフラン100ml溶液
を数回に分けて加え、氷冷下1時間半攪拌した。この反
応混合物を減圧濃縮し、残留物をエーテルで洗浄した。
再度、減圧濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、目的物を7.5g得た。(収率21%)
ml溶液に、m−クロロ過安息香酸20g(0.116
モル)を溶かしたテトラハイドロフラン100ml溶液
を数回に分けて加え、氷冷下1時間半攪拌した。この反
応混合物を減圧濃縮し、残留物をエーテルで洗浄した。
再度、減圧濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにて精製し、目的物を7.5g得た。(収率21%)
【0205】 NMR(CDCl3,δ) 2.84(3H,s),2.92(3H,s), 3.23,3.88(2H,ABq,J=18Hz), 3.88(2H,s),4.48(2H,d,J=4Hz), 4.78,5.34(2H,ABq,J=8Hz), 6.15(1H,dd,J=4Hz,8Hz), 6.90〜7.10(2H,m),6.97(1H,s), 7.2〜7.6(11H,m)
【0206】参考例27−チエニルアセトアミド−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0207】
【化72】
【0208】前記操作で得た7−チエニルアセトアミド
−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキ
シド5g(8.2ミリモル)のN,N−ジメチルホルム
アミド50ml溶液を氷冷下に攪拌し、三塩化リン2.
5g(18ミリモル)を加え、30分攪拌した。酢酸エ
チル500mlを加え、水、次いで飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムを加えた。有機層を減圧濃縮
後、アセトンとイソプロピルエーテルで固化し、ろ取し
て目的物3.8g(収率79%)を得た。
−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキ
シド5g(8.2ミリモル)のN,N−ジメチルホルム
アミド50ml溶液を氷冷下に攪拌し、三塩化リン2.
5g(18ミリモル)を加え、30分攪拌した。酢酸エ
チル500mlを加え、水、次いで飽和食塩水で洗浄
後、無水硫酸マグネシウムを加えた。有機層を減圧濃縮
後、アセトンとイソプロピルエーテルで固化し、ろ取し
て目的物3.8g(収率79%)を得た。
【0209】NMR(CDCl3,δ) 2.82(3H,s),2.90(3H,s), 3.40,3.55(2H,ABq,J=18Hz), 3.84(2H,s), 4.81,5.06(2H,ABq,J=12Hz), 4.98(1H,d,J=4Hz), 5.84(1H,dd,J=4Hz,8Hz), 6.27(1H,d,J=8Hz),6.94(1H,s), 6.98〜7.02(2H,m),7.25〜7.43(11H,m)
【0210】参考例3 7−アミノ−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
塩酸塩
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
塩酸塩
【0211】
【化73】
【0212】五塩化リン2.8g(13ミリモル)、ピ
リジン1.04g(13ミリモル)の塩化メチレン80
ml溶液を−10℃に冷却し、前記操作で得た7−チエ
ニルアセトアミド−3−N,N−ジメチルカルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル1.6g(2.7ミリモル)を加え、同温度で1
時間攪拌した。−20℃まで冷却後、1,3−プロパン
ジオール1mlを加え、同温度で1時間攪拌した。メタ
ノール10mlを加え、室温まで上昇させた後、水50
mlを加え洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮後、残留物をエーテルとイソプロピル
エーテルで固化して目的物1.0g(収率74%)を得
た。
リジン1.04g(13ミリモル)の塩化メチレン80
ml溶液を−10℃に冷却し、前記操作で得た7−チエ
ニルアセトアミド−3−N,N−ジメチルカルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル1.6g(2.7ミリモル)を加え、同温度で1
時間攪拌した。−20℃まで冷却後、1,3−プロパン
ジオール1mlを加え、同温度で1時間攪拌した。メタ
ノール10mlを加え、室温まで上昇させた後、水50
mlを加え洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥した。減圧濃縮後、残留物をエーテルとイソプロピル
エーテルで固化して目的物1.0g(収率74%)を得
た。
【0213】NMR(CDCl3,δ) 2.83(3H,s),2.90(3H,s), 3.43,3.58(2H,ABq,J=18Hz), 4.80,5.06(2H,ABq,J=12Hz), 4.8(1H,m),4.97(1H,d,J=4Hz), 6.98(1H,s),7.25〜7.50(10H,m)
【0214】上記操作で得た塩酸塩1.0gを酢酸エチ
ルに溶かし、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え中和し、
有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧濃縮して、7−アミノ−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル0.9gを得た。
ルに溶かし、炭酸水素ナトリウム水溶液を加え中和し、
有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥後、減圧濃縮して、7−アミノ−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル0.9gを得た。
【0215】参考例4 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0216】
【化74】
【0217】(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾ
ール−4−イル)−2−トリチルオキシイミノ酢酸1.
9g(2.8ミリモル)と1−ヒドロキシ−1H−ベン
ズトリアゾール0.4g(2.9ミリモル)、ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド0.6g(2.9ミリモル)の
ジメチルホルムアミド溶液20mlを室温で30分攪拌
後、前記操作で得た7−アミノ−3−N,N−ジメチル
カルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル1.3g(2.8ミリモル)を加え
3時間攪拌した。反応液に酢酸エチル300mlを加
え、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧濃縮し、シリカゲルカラムグラフィーにて
精製を行い、目的物1.4g(収率45%)を得た。
ール−4−イル)−2−トリチルオキシイミノ酢酸1.
9g(2.8ミリモル)と1−ヒドロキシ−1H−ベン
ズトリアゾール0.4g(2.9ミリモル)、ジシクロ
ヘキシルカルボジイミド0.6g(2.9ミリモル)の
ジメチルホルムアミド溶液20mlを室温で30分攪拌
後、前記操作で得た7−アミノ−3−N,N−ジメチル
カルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル1.3g(2.8ミリモル)を加え
3時間攪拌した。反応液に酢酸エチル300mlを加
え、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、減圧濃縮し、シリカゲルカラムグラフィーにて
精製を行い、目的物1.4g(収率45%)を得た。
【0218】NMR(CDCl3,δ) 2.82(3H,s),2.91(3H,s), 3.36,3.48(2H,ABq,J=18Hz), 4.81,5.14(2H,ABq,J=12Hz), 5.05(1H,d,J=4Hz), 6.08(1H,dd,J=4Hz,8Hz), 6.43(1H,s),6.80(1H,s),6.97(1H,s), 7.18〜7.50(42H,m)
【0219】製造例1 7−チエニルアセトアミド−3−N−エチル−N−メチ
ルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
ルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
【0220】
【化75】
【0221】参考例1と同様にして上記化合物を得た。 (収率9%)
【0222】NMR(CDCl3,δ) 1.0〜1.18(3H,m),3.80(3/2H,s), 3.86(3/2H,s),3.18〜3.5(3H,m), 3.80〜3.90(2H,m),3.85(2H,s), 4.44〜4.46(1H,m),4.74(1H,d,J=13Hz), 5.24〜5.38(1H,m), 6.07(1H,dd,J=5Hz,8Hz), 6.9〜7.02(4H,m),7.23〜7.50(11H,m)
【0223】製造例2 7−チエニルアセトアミド−3−N−エチル−N−メチ
ルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル
ルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル
【0224】
【化76】
【0225】参考例2と同様にして上記化合物を得た。 (収率66%)
【0226】NMR(CDCl3,δ) 1.0〜1.15(3H,m),2.8(3/2H,s), 2.87(3/2H,s),3.18〜3.35(2H,m), 3.40,3.55(2H,ABq,J=18Hz), 3.86(2H,s),4.8(1H,d,J=14Hz), 4.97(1H,d,J=5Hz),5.05〜5.15(1H,m), 5.87(1H,dd,J=5Hz,8Hz), 6.28(1H,d,J=8Hz),6.93(1H,s), 6.95〜7.02(2H,m),7.2〜7.5(11H,m)
【0227】製造例3 7−アミノ−3−N−エチル−N−メチルカルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル塩酸塩
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル塩酸塩
【0228】
【化77】
【0229】参考例3と同様にして上記化合物を得た。 (収率81%)
【0230】NMR(CDCl3,δ) 1.0〜1.15(3H,m),2.78(3/2H,s), 2.85(3/2H,s),3.1〜3.35(2H,m), 3.40,3.62(2H,ABq,J=18Hz), 4.87(1H,d,J=12Hz), 4.92(1H,d,J=5Hz),4.98(1H,m), 5.17〜5.23(1H,m),6.93(1H,s), 7.15〜7.40(10H,m)
【0231】製造例4 7−〔2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−イ
ル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕−3−
N−エチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
ル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕−3−
N−エチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0232】
【化78】
【0233】参考例4と同様にして上記化合物を得た。 (収率72%)
【0234】NMR(CDCl3,δ) 1.1〜1.2(3H,m),2.79(3/2H,s), 2.87(3/2H,s),3.18〜3.35(3H,m), 3.48(1H,d,J=18Hz), 4.82(1H,d,J=12Hz), 5.06(1H,d,J=5Hz),5.07〜5.15(1H,m), 6.07(1H,dd,J=5Hz,8Hz),6.43(1H,s), 6.83(1H,s),6.95(1H,s), 7.1〜7.4(40H,m),7.47(1H,d,J=8Hz)
【0235】参考例5 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0236】
【化79】
【0237】五塩化りん(3.4g)とピリジン(1.
3g)のジクロロメタン(100ml)溶液に氷冷下で
7−チエニルアセタミド−3−N,N−ジメチルカルバ
モイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル(2g)のN,N−ジメチルホルムアミド
(6ml)とジクロロメタン(100ml)溶液を加
え、同温度で30分間攪拌する。次いで反応液にドライ
アイス−メタノール(−50℃)冷却下1,3−ブタン
ジオール(4ml)を加え、同温度て50分間攪拌す
る。反応液に同温度でメタノール(4ml)を加え、ド
ライアイス−メタノール浴をはずし、室温に戻るまで放
置する。反応液に水、ジクロロメタンを加え、ジクロロ
メタン層を分取し、さらに水層をジクロロメタンで抽出
する。ジクロロメタン層を水、飽和塩化ナトリウム水溶
液で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶
媒を減圧下に留去する。残渣を酢酸エチルに溶解させ、
希炭酸水素ナトリウム水溶液(原料に対し1.1当量の
炭酸水素ナトリウムを含む)で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下に留去する。残渣を
N,N−ジメチルホルムアミド(15ml)に溶解さ
せ、これに(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾー
ル−4−イル)−2−メトキシイミノ酢酸、(1.53
g)、1−ヒドロキシ−1H−ベンズトリアゾール
(0.55g)、ジシクロヘキシルカルボジイミド
(0.78g)を加え室温で2時間40分攪拌する。反
応液に酢酸エチル、水を加え、酢酸エチル層を分取し、
さらに水層を酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を合
し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後硫酸マ
グネシウムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下に留去する。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(1.46g、4
8.2%)を得る。
3g)のジクロロメタン(100ml)溶液に氷冷下で
7−チエニルアセタミド−3−N,N−ジメチルカルバ
モイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル(2g)のN,N−ジメチルホルムアミド
(6ml)とジクロロメタン(100ml)溶液を加
え、同温度で30分間攪拌する。次いで反応液にドライ
アイス−メタノール(−50℃)冷却下1,3−ブタン
ジオール(4ml)を加え、同温度て50分間攪拌す
る。反応液に同温度でメタノール(4ml)を加え、ド
ライアイス−メタノール浴をはずし、室温に戻るまで放
置する。反応液に水、ジクロロメタンを加え、ジクロロ
メタン層を分取し、さらに水層をジクロロメタンで抽出
する。ジクロロメタン層を水、飽和塩化ナトリウム水溶
液で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶
媒を減圧下に留去する。残渣を酢酸エチルに溶解させ、
希炭酸水素ナトリウム水溶液(原料に対し1.1当量の
炭酸水素ナトリウムを含む)で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下に留去する。残渣を
N,N−ジメチルホルムアミド(15ml)に溶解さ
せ、これに(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾー
ル−4−イル)−2−メトキシイミノ酢酸、(1.53
g)、1−ヒドロキシ−1H−ベンズトリアゾール
(0.55g)、ジシクロヘキシルカルボジイミド
(0.78g)を加え室温で2時間40分攪拌する。反
応液に酢酸エチル、水を加え、酢酸エチル層を分取し、
さらに水層を酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を合
し、水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後硫酸マ
グネシウムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下に留去する。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(1.46g、4
8.2%)を得る。
【0238】NMR(CDCl3,δ) 2.83(3H,s),2.89(3H,s), 3.36,3.50(2H,ABq,J=18.8Hz), 4.04(3H,s), 4.84,5.10(2H,ABq,J=13.7Hz), 5.04(1H,d,J=4.9Hz), 5.92〜5 96(1H,m),6.76(1H,s), 6.94(1H,s),7.20〜7.45(25H,m)
【0239】製造例5 7−〔(Z)−2−(5−トリチルアミノ−1,2,4
−チアジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノア
セタミド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
−チアジアゾール−3−イル)−2−メトキシイミノア
セタミド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0240】
【化80】
【0241】参考例5と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率71%)
た。 (収率71%)
【0242】NMR(CD3OD,δ) 2.65〜2.87(6H,m), 3.47,3.72(2H,ABq,J=18.5Hz), 4.07(3H,s), 5.18(1H,d,J=5.1Hz), 5.94(1H,d,J=5.1Hz),6.93(1H,s), 7.25〜7.45(25H,m)
【0243】製造例6 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−モノフルオロメトキシイミノアセタミ
ド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−モノフルオロメトキシイミノアセタミ
ド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0244】
【化81】
【0245】参考例5と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率64%)
た。 (収率64%)
【0246】NMR(CDCl3,δ) 2.82(3H,s),2.86(3H,s), 3.43,3.56(2H,ABq,J=18.7Hz), 4.82,5.09(2H,ABq,J=13.9Hz), 5.05(1H,d,J=4.9Hz), 5.72,5.86(2H,ABq,d,J=3.6Hz,55Hz), 5.94(1H,dd,J=4.9Hz,8.4Hz), 6.81(1H,s),6.93(1H,s), 7.03(1H,d,J=8.4Hz),7.28〜7.45(25H,m)
【0247】参考例6 7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニル)カルボニ
ルオキシメチル−2−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
ルオキシメチル−2−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
【0248】
【化82】
【0249】7−ホルムアミド−3−ヒドロキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(4.
24g)のテトラヒドロフラン(80ml)溶液にN,
N′−カルボニルジイミダゾール(1.62g)を氷冷
下加え、同温度で1時間25分間攪拌する。次いでこれ
にピペリジン(0.85g)のテトラヒドロフラン(1
0ml)溶液を加え同温度で1時間20分間、さらに室
温で1時間攪拌する。これにピペリジン(0.17g)
を加え、室温で11時間10分間攪拌し、反応液を減圧
下濃縮する。残渣を酢酸エチルに溶解させ、1規定塩
酸、水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後、硫酸
マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下に留去す
る。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
すると、7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニル)
カルボニルオキシメチル−2−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリル(2.3g,43.0%)を得た。
−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル(4.
24g)のテトラヒドロフラン(80ml)溶液にN,
N′−カルボニルジイミダゾール(1.62g)を氷冷
下加え、同温度で1時間25分間攪拌する。次いでこれ
にピペリジン(0.85g)のテトラヒドロフラン(1
0ml)溶液を加え同温度で1時間20分間、さらに室
温で1時間攪拌する。これにピペリジン(0.17g)
を加え、室温で11時間10分間攪拌し、反応液を減圧
下濃縮する。残渣を酢酸エチルに溶解させ、1規定塩
酸、水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後、硫酸
マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下に留去す
る。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
すると、7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニル)
カルボニルオキシメチル−2−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリル(2.3g,43.0%)を得た。
【0250】NMR(CDCl3,δ) 1.20〜1.40(6H,m),3.30〜3.40(4H,m), 4.57,4.66(2H,ABq,J=12.8Hz), 5.13(1H,s),5.22(1H,d,J=4.0Hz), 5.70〜5.75(1H,m),6.44(1H,s), 6.89(1H,s),7.25〜7.40(10H,m), 8.23(1H,s)
【0251】参考例7 7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニル)カルボニ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル−1−オキサイド
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル−1−オキサイド
【0252】
【化83】
【0253】7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニ
ル)カルボニルオキシメチル−2−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル(3.4g)の酢酸エチル(20
ml)溶液にm−クロロ過安息香酸(1.53g)を氷
冷下加え、同温度で55分間攪拌する。次いでこれにm
−クロロ過安息香酸(0.15g)を加え氷冷下35分
間攪拌する。析出結晶をろ取する。母液は減圧濃縮し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
析出結晶とあわせて7−ホルムアミド−3−(1−ピペ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキサイド(1.5
3g、43.7%)を得た。
ル)カルボニルオキシメチル−2−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル(3.4g)の酢酸エチル(20
ml)溶液にm−クロロ過安息香酸(1.53g)を氷
冷下加え、同温度で55分間攪拌する。次いでこれにm
−クロロ過安息香酸(0.15g)を加え氷冷下35分
間攪拌する。析出結晶をろ取する。母液は減圧濃縮し、
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、
析出結晶とあわせて7−ホルムアミド−3−(1−ピペ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキサイド(1.5
3g、43.7%)を得た。
【0254】NMR(DMSO−d6,δ) 1.35〜1.55(6H,m),3.23〜3.30(4H,m), 3.65,4.01(2H,ABq,J=18.7Hz), 4.58,5.11(2H,ABq,J=13.6Hz), 4.98(1H,d,J=3.7Hz),6.05(1H,m), 6.93(1H,s),7.25〜7.55(10H,m), 8.15(1H,s),8.43(1H,d,J=9.5Hz)
【0255】参考例8 7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニル)カルボニ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
【0256】
【化84】
【0257】7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニ
ル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル−1−オキサイド(2.07g)
のN,N−ジメチルホルムアミド(25ml)溶液に三
塩化リン(1ml)をドライアイス−エタノールで冷却
下(−60℃)加え、35分間攪拌する。ドライアイス
−エタノール冷却下に反応液に酢酸エチル、水を順次加
え、次いで室温まで戻す。酢酸エチル層を分取し、水層
はさらに酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を合し、
水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後硫酸マグネ
シウムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下留去する。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、7−ホ
ルムアミド−3−(1−ピペリジニル)カルボニルオキ
シメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル(1.87g,93.0%)を得た。
ル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル−1−オキサイド(2.07g)
のN,N−ジメチルホルムアミド(25ml)溶液に三
塩化リン(1ml)をドライアイス−エタノールで冷却
下(−60℃)加え、35分間攪拌する。ドライアイス
−エタノール冷却下に反応液に酢酸エチル、水を順次加
え、次いで室温まで戻す。酢酸エチル層を分取し、水層
はさらに酢酸エチルで抽出する。酢酸エチル層を合し、
水、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後硫酸マグネ
シウムで乾燥し、次いで溶媒を減圧下留去する。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、7−ホ
ルムアミド−3−(1−ピペリジニル)カルボニルオキ
シメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル(1.87g,93.0%)を得た。
【0258】NMR(CDCl3,δ) 1.35〜1.55(6H,m),3.20〜3.35(4H,m), 3.35,3.46(2H,ABq,J=18.7Hz), 4.76,5.03(2H,ABq,J=13.9Hz), 4.90(1H,d,J=3.5Hz), 5.80〜5.85(1H,m),6.86(1H,s), 7.14〜7.40(10H,m), 7.84(1H,d,J=9.2Hz),8.15(1H,s)
【0259】参考例9 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセタミド〕−
3−(1−ピペリジニル)カルボニルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセタミド〕−
3−(1−ピペリジニル)カルボニルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0260】
【化85】
【0261】7−ホルムアミド−3−(1−ピペリジニ
ル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル(1.87g)のテトラヒドロフ
ラン−メタノール(1:1、20ml)溶液に36%塩
酸(2ml)を加え室温で2時間10分攪拌する。次い
で溶媒を減圧下に留去し、残渣に酢酸エチル、水を加え
る。酢酸エチル層を分取し、水層はさらに酢酸エチルて
抽出する。酢酸エチル層を合し、これを飽和塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで
溶媒を減圧下に留去する。残渣をN,N−ジメチルホル
ムアミド(18ml)に溶解し、これに(Z)−2−
(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−ト
リチルオキシイミノ酢酸(2.35g)、1−ヒドロキ
シ−1H−ベンズトリアゾール(0.56g)、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド(0.79g)を加え、室温
で1時間5分攪拌する。反応液に酢酸エチル、水を加
え、酢酸エチル層を分取し、水層はさらに酢酸エチルで
抽出する。酢酸エチル層を合し、水、飽和塩化ナトリウ
ム水溶液で順次洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥し、次い
で溶媒を減圧下に留去する。残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し、7−〔(Z)−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−トリチル
オキシイミノアセタミド〕−3−(1−ピペリジニル)
カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリル(1.4g、33.7%)を得た。
ル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル(1.87g)のテトラヒドロフ
ラン−メタノール(1:1、20ml)溶液に36%塩
酸(2ml)を加え室温で2時間10分攪拌する。次い
で溶媒を減圧下に留去し、残渣に酢酸エチル、水を加え
る。酢酸エチル層を分取し、水層はさらに酢酸エチルて
抽出する。酢酸エチル層を合し、これを飽和塩化ナトリ
ウム水溶液で洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで
溶媒を減圧下に留去する。残渣をN,N−ジメチルホル
ムアミド(18ml)に溶解し、これに(Z)−2−
(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−ト
リチルオキシイミノ酢酸(2.35g)、1−ヒドロキ
シ−1H−ベンズトリアゾール(0.56g)、ジシク
ロヘキシルカルボジイミド(0.79g)を加え、室温
で1時間5分攪拌する。反応液に酢酸エチル、水を加
え、酢酸エチル層を分取し、水層はさらに酢酸エチルで
抽出する。酢酸エチル層を合し、水、飽和塩化ナトリウ
ム水溶液で順次洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥し、次い
で溶媒を減圧下に留去する。残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製し、7−〔(Z)−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−トリチル
オキシイミノアセタミド〕−3−(1−ピペリジニル)
カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸ベンズヒドリル(1.4g、33.7%)を得た。
【0262】NMR(CDCl3,δ) 1.42〜1.64(6H,m),3.25〜3.43(4H,m), 3.26,3.48(2H,ABq,J=18.6Hz), 4.82,5.12(2H,ABq,J=13.9Hz), 5.05(1H,d,J=4.9Hz),6.05〜6.12(1H,m), 6.44(1H,s),6.96(1H,s), 7.15〜7.43(40H,m)
【0263】製造例7 7−ホルムアミド−3−(1−アゼチジニル)カルボニ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
【0264】
【化86】
【0265】参考例6 と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率58%)
た。 (収率58%)
【0266】NMR(CDCl3,δ) 2.15〜2.25(2H,m),3.90〜4.00(4H,m), 4.55,4.61(2H,ABq,J=12.7Hz), 5.13(1H,s),5.21(1H,d,J=4.0Hz), 5.69(1H,dd,J=4.0Hz,9.2Hz), 6.44(1H,s),6.82(1H,d,J=9.2Hz), 6.90(1H,s),7.28〜7.40(10H,m), 8.22(1H,s)
【0267】製造例8 7−ホルムアミド−3−(1−アゼチジニル)カルボニ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル−1−オキサイド
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル−1−オキサイド
【0268】
【化87】
【0269】参考例7 と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率44%)
た。 (収率44%)
【0270】NMR(CDCl3,δ) 2.15〜2.25(2H,m), 3.20,3.82(2H,ABq,J=18.9Hz), 3.90〜4.05(4H,m),4.45(1H,d,J=4.8Hz), 4.72,5.24(2H,ABq,J=14.3Hz), 6.07(1H,m),6.93(1H,s), 7.20〜7.50(10H,m),8.21(1H,s)
【0271】製造例9 7−ホルムアミド−3−(1−アゼチジニル)カルボニ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル
【0272】
【化88】
【0273】参考例8 と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率97%)
た。 (収率97%)
【0274】NMR(CDCl3,δ) 2.15〜2.25(2H,m), 3.44,3.57(2H,ABq,J=18.7Hz), 3.85〜4.10(4H,m), 4.83,5.06(2H,ABq,J=13.9Hz), 4.99(1H,d,J=4.9Hz), 5.93(1H,dd,J=4.9Hz,9.2Hz), 6.39(1H,d,J=9.2Hz),6.95(1H,s), 7.25〜7.45(10H,m),8.25(1H,s)
【0275】製造例10 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセタミド〕−
3−(1−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセタミド〕−
3−(1−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3
−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0276】
【化89】
【0277】参考例9 と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率94%)
た。 (収率94%)
【0278】NMR(CDCl3,δ) 2.15〜2.27(2H,m), 3.26,3.50(2H,ABq,J=18.5Hz), 3.85〜4.10(4H,m), 4.82,5.08(2H,ABq,J=13.8Hz), 5.05(1H,d,J=4.9Hz), 6.11(1H,dd,J=4.9Hz,8.8Hz), 6.47(1H,s),6.99(1H,s), 7.15〜7.53(40H,m)
【0279】製造例11 7−ホルムアミド−3−〔N−(2−ハイドロキシエチ
ル)−N−メチルカルバモイルオキシメチル〕−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルと7−ホルムア
ミド−3−〔N−(2−ハイドロキシエチル)−N−メ
チルカルバモイルオキシメチル〕−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルの混合物
ル)−N−メチルカルバモイルオキシメチル〕−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルと7−ホルムア
ミド−3−〔N−(2−ハイドロキシエチル)−N−メ
チルカルバモイルオキシメチル〕−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリルの混合物
【0280】表48/化90】
【0281】参考例6 と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率51%)
た。 (収率51%)
【0282】NMR(CDCl3,δ) 2.90〜2.97(3H,m),3.24〜3.35(2H,m), 3.49,3.59(10/12H,ABq,J=19Hz), 3.61〜3.70(2H,m),4.57〜4.76(14/12H,m) , 4.86〜4.90,5.09〜5.18(10/12H,m), 4.99(5/12H,d,J=5Hz),5.18(7/12H,s), 5.24(7/12H,d,J=5Hz), 5.65〜5.68(7/12H,m), 5.93(5/12H,dd,J=5Hz,9Hz), 6.47〜6.50(7/12H,m),6.91 (7/12H,s), 6.99(5/12H,s),7.15〜7.20(10H,m), 8.22(1H,s)
【0283】製造例12 7−ホルムアミド−3−〔N−(2−ハイドロキシエチ
ル)−N−メチルカルバモイルオキシメチル〕−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
ル)−N−メチルカルバモイルオキシメチル〕−3−セ
フェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
【0284】
【化91】
【0285】参考例7 と同様にして、上記化合物を得
た。 (収率49%)
た。 (収率49%)
【0286】NMR(CDCl3,δ) 2.87(3/2H,s),2.90(3/2H,s), 3.22〜3.29(1H,m),3.36〜3.41(1H,m), 3.59〜3.62(1H,m),3.69〜3.71(1H,m), 3.94,4.09(2H,ABq,J=20Hz), 4.46〜4.56(1H,m),4.77〜4.81(1H,m), 5.23〜5 29(1H,m),6.08〜6.10(1H,m), 6.94(1H,s),8.22(1H,s)
【0287】製造例13 7−〔2−トリチルオキシイミノ−2−(2−トリチル
アミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕−3−
〔N−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバ
モイルオキシメチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリル
アミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕−3−
〔N−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバ
モイルオキシメチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
ベンズヒドリル
【0288】
【化92】
【0289】参考例9 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率12%)
た。(収率12%)
【0290】NMR(CDCl3,δ) 2.94〜2.97(3H,m),3.24〜3.30(3H,m), 3.43〜3.52(3H,m),4.80〜4.83(1H,m), 5.06(1H,d,J=5Hz),5.10〜5.15(1H,m), 6.11(1H,dd,J=5Hz,9Hz),6.44(1H,s), 6.96(1H,s),7.2〜7.4(40H,m)
【0291】製造例14 7−ホルムアミド−3−N−カルバモイルメチル−N−
メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−
カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
【0292】
【化93】
【0293】7−ホルムアミド−3−(1−イミダゾリ
ル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド(5.4g)のテ
トラヒドロフラン(90ml)及び水(18ml)混合
液に、ザルコシナミド塩酸塩(1.9g)と、ピリジン
(1.23ml)を加え、ついで室温で15時間、45
℃で12時間攪拌した。反応混合液を濃縮し残渣に水と
酢酸エチルを加えた。酢酸エチル層を1N塩酸、水、飽
和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃
縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製し目的物(750mg)を得た。(収率15.0
%)
ル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド(5.4g)のテ
トラヒドロフラン(90ml)及び水(18ml)混合
液に、ザルコシナミド塩酸塩(1.9g)と、ピリジン
(1.23ml)を加え、ついで室温で15時間、45
℃で12時間攪拌した。反応混合液を濃縮し残渣に水と
酢酸エチルを加えた。酢酸エチル層を1N塩酸、水、飽
和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濃
縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに
て精製し目的物(750mg)を得た。(収率15.0
%)
【0294】NMR(CDCl3,δ) 2.78(3H,m),3.78(2H,m), 3.5〜4.1(2H,m),4.95(1H,m), 4.5〜5.1(2H,m),6.03(1H,m),6.9(1H,m), 7.2〜7.5(10H,m),8.14(1H,s), 8.42(1H,d,J=8Hz)
【0295】製造例15 7−ホルムアミド−3−N−シアノメチル−N−メチル
カルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル
カルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸ベンズヒドリル
【0296】
【化94】
【0297】参考例8 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率66%)
た。(収率66%)
【0298】NMR(CDCl3,δ) 2.94(3H,s),3.4〜4.3(4H,m), 4.87,5.15(2H,ABq,J=18Hz), 5.08(1H,d,J=4Hz), 5.96(1H,dd,J=4Hz,8Hz), 6.45(1H,br.s),6.94(1H,s), 7.2〜7.45(10H,m),8.26(1H,s)
【0299】製造例16 7−〔(Z)−2−トリチルオキシイミノ−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−N−シアノメチル−N−メチルカルバモイルオキ
シメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−N−シアノメチル−N−メチルカルバモイルオキ
シメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル
【0300】
【化95】
【0301】7−ホルムアミド−3−N−シアノメチル
−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリル(430mg)のメタ
ノール(6ml)及びテトラヒドロフラン(6ml)の
混合液に氷冷下、濃塩酸(0.8ml)を滴下し、室温
で2時間攪拌した。反応液を濃縮し、酢酸エチルを加え
水、飽和重ソウ水、飽和食塩水で順次洗浄し硫酸マグネ
シウムで乾燥し濃縮した。
−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリル(430mg)のメタ
ノール(6ml)及びテトラヒドロフラン(6ml)の
混合液に氷冷下、濃塩酸(0.8ml)を滴下し、室温
で2時間攪拌した。反応液を濃縮し、酢酸エチルを加え
水、飽和重ソウ水、飽和食塩水で順次洗浄し硫酸マグネ
シウムで乾燥し濃縮した。
【0302】得られた残渣(410mg)のN,N−ジ
メチルホルムアミド(8ml)溶液に、(Z)−2−
(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−ト
リチルオキシイミノ酢酸(610mg)、ジシクロヘキ
シルカルボジイミド(197mg)、1−ヒドロキシ−
1H−ベンズトリアゾール(123mg)を加えて室温
で10時間攪拌した。反応混合液に水、酢酸エチルを加
え、酢酸エチル層を水、1N塩酸、飽和重ソウ水、飽和
食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮し
た。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し目
的物(460mg)を得た。(収率44.5%)
メチルホルムアミド(8ml)溶液に、(Z)−2−
(2−トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−ト
リチルオキシイミノ酢酸(610mg)、ジシクロヘキ
シルカルボジイミド(197mg)、1−ヒドロキシ−
1H−ベンズトリアゾール(123mg)を加えて室温
で10時間攪拌した。反応混合液に水、酢酸エチルを加
え、酢酸エチル層を水、1N塩酸、飽和重ソウ水、飽和
食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し濃縮し
た。残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し目
的物(460mg)を得た。(収率44.5%)
【0303】NMR(CDCl3,δ) 2.87(0.6H,br.s),2.96(0.4H,br.s), 3.08〜3.48(2H,m),3.8〜4.3(2H,m), 4.7〜5.2(2H,m),5.04(1H,d,J=5Hz), 6.10(1H,dd,J=5Hz,8Hz),6.45(1H,s), 6.96(1H,s),7.1〜7.5(40H,m)
【0304】製造例17 7−ホルムアミド−3−(3−ハイドロキシ−1−ピロ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルおよび前記の2−セフェム
体
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリルおよび前記の2−セフェム
体
【0305】
【化96】
【0306】参考例6 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率28%)
た。(収率28%)
【0307】NMR(CDCl3,δ) 1.9(2H,m),3.2〜3.6(4H,m), 4.4〜4.8(3H,m),5.01(0.3H,d,J=5Hz), 5.17(0.7H,s),5.23(0.7H,s), 5.70(0.7H,m),5.94(0.3H,m), 6.48(1H,m),6.91(0.7H,s), 6.95(0.3H,s),7.25〜7.45(10H,m), 8.25(1H,m)
【0308】製造例18 7−ホルムアミド−3−(3−ハイドロキシ−1−ピロ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オキシド
【0309】
【化97】
【0310】参考例7 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率68%)
た。(収率68%)
【0311】NMR(DMSO−d6,δ) 1.6〜1.95(2H,m),3.1〜3.4(4H,m), 3.84(2H,m),4.86(2H,m),4.98(2H,m), 6.05(1H,dd,J=9.8Hz,5Hz),6,93(1H,s), 7.24〜7.53(10H,m),8.15(1H,s), 8.42(1H,d,J=9,8Hz)
【0312】製造例19 7−ホルムアミド−3−(3−ハイドロキシ−1−ピロ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリル
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ベンズヒドリル
【0313】
【化98】
【0314】参考例8 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率78%)
た。(収率78%)
【0315】NMR(CDCl3,δ) 2.16(2H,m),3.3〜3.7(6H,m), 4.99(1H,d,J=5Hz),4.8〜5.2(2H,m), 5.48(1H,br.s), 5.93(1H,dd,J=9Hz,5Hz), 6.48(1H,d,J=9Hz),6.95(1H,s), 7.2〜7.4(1H,s),8.24(1H,s),
【0316】製造例20 7−〔(Z)−2−トリチルオキシイミノ−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(3−ハイドロキシ−1−ピロリジニル)カルボ
ニルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリル
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(3−ハイドロキシ−1−ピロリジニル)カルボ
ニルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベン
ズヒドリル
【0317】
【化99】
【0318】参考例9 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率6%)
た。(収率6%)
【0319】NMR(CDCl3,δ) 1.97(2H,m),3.1〜3.5(6H,m), 4.26(1H,b),4.98(1H,d,J=5Hz), 4.7〜5.2(2H,m), 6.05(1H,dd,J=9Hz,5Hz), 6.46(1H,s),6.94(1H,s), 7.1〜7.5(40H,m)
【0320】製造例21 7−ホルムアミド−3−〔((S)−(+)−2−ハイ
ドロキシメチル−1−ピロリジニル)カルボニルオキシ
メチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルおよび前記の2−セフェム体
ドロキシメチル−1−ピロリジニル)カルボニルオキシ
メチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ルおよび前記の2−セフェム体
【0321】
【化100】
【0322】参考例6 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率16%)
た。(収率16%)
【0323】NMR(CDCl3,δ) 1.7〜2.1(4H,m),3.2〜4.0(4.4H,m), 4.65(1H,m),4.6〜5.3(1.2H,m), 4.86,5.15(0.8H,ABq,J=14Hz), 5.01(0.4H,d,J=5Hz),5.18(0.6H,s), 5.25(0.6H,m),5.72(0.6H,m), 5.94(0.4H,dd,J=9Hz,5Hz), 6.45(0.6H,m),6.91(1H,s), 7.2〜7.5(10H,m),8.25(1H,s)
【0324】製造例22 7−ホルムアミド−3−((S)−(+)−2−ハイド
ロキシメチル−1−ピロリジニル)カルボニルオキシメ
チル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−
1−オキシド
ロキシメチル−1−ピロリジニル)カルボニルオキシメ
チル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−
1−オキシド
【0325】
【化101】
【0326】参考例7 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率59%)
た。(収率59%)
【0327】NMR(CDCl3,δ) 1.5〜2.1(4H,m),3.2〜4.0(6H,m), 4.53(1H,m), 4.80,5.34(2H,ABq,J=14Hz), 5.25(1H,m),6.15(1H,dd,J=9Hz,15Hz), 7.97(1H,s),7.2〜7.5(10H,m), 8.27(1H,s)
【0328】製造例23 7−ホルムアミド−3−〔((S)−(+)−2−ハイ
ドロキシメチル−1−ピロリジニル)カルボニルオキシ
メチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル
ドロキシメチル−1−ピロリジニル)カルボニルオキシ
メチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリ
ル
【0329】
【化102】
【0330】参考例8 と同様にして、上記化合物を得
た。(収率74%)
た。(収率74%)
【0331】NMR(CDCl3,δ) 1.80〜2.10(4H,m),3.27〜3.56(6H,m), 3.90(1H,m),4.97(1H,d,J=4.8Hz), 5.01(2H,ABq,J=14Hz), 5.90(1H,dd,J=4.8Hz,8.9Hz), 6.94(1H,s),7.23〜7.44(10H,m), 8.18(1H,s)
【0332】製造例24 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセタミド〕−
3−〔(S)−(+)−2−ハイドロキシメチルピロリ
ジノ〕カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセタミド〕−
3−〔(S)−(+)−2−ハイドロキシメチルピロリ
ジノ〕カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4−カ
ルボン酸ベンズヒドリル
【0333】
【化103】
【0334】参考例9 と同様にして、上記化合物を得
た。
た。
【0335】NMR(CDCl3,δ) 1.80〜2.00(4H,m),3.21〜3.60(6H,m), 3.90(1H,m),5.02(1H,d,J=4.8Hz), 5.08(2H,ABq,J=14Hz), 6.07(1H,dd,J=4.8Hz,8.8Hz), 6.45(1H,s),6.95(1H,s), 7.20〜7.40(40H,m)
【0336】製造例25 7−〔(Z)−2−トリチルオキシイミノ−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルと7−
〔2−トリチルオキシイミノ−2−(2−トリチルアミ
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕−3−(1−
ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−2−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルの混合物
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリルと7−
〔2−トリチルオキシイミノ−2−(2−トリチルアミ
ノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕−3−(1−
ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−2−セフェム
−4−カルボン酸ベンズヒドリルの混合物
【0337】
【化104】
【0338】2−(2−トリチルアミノチアゾール−4
−イル)−2−トリチルオキシイミノ酢酸(20g)、
1−ハイドロキシ−1H−ベンズトリアゾール(6
g)、ジシクロヘキシルカルボジイミド(9.2g)を
テトラヒドロフラン(200ml)に溶かし室温で1時
間15分攪拌する(A液)。
−イル)−2−トリチルオキシイミノ酢酸(20g)、
1−ハイドロキシ−1H−ベンズトリアゾール(6
g)、ジシクロヘキシルカルボジイミド(9.2g)を
テトラヒドロフラン(200ml)に溶かし室温で1時
間15分攪拌する(A液)。
【0339】一方、7−アミノ−3−ハイドロキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸(10.3g)をア
セトニトリル(500ml)に懸濁させ、室温で、N−
メチル−N−(トリメチルシリル)トリフルオロアセタ
ミド(24.8ml)を加える。室温で20分間攪拌す
る(B液)。
ル−3−セフェム−4−カルボン酸(10.3g)をア
セトニトリル(500ml)に懸濁させ、室温で、N−
メチル−N−(トリメチルシリル)トリフルオロアセタ
ミド(24.8ml)を加える。室温で20分間攪拌す
る(B液)。
【0340】次に、A液をろ過し溶媒を減圧下留去し得
られた残渣をn−ヘキサン、イソプロピルエーテルで粉
末状結晶にする。これをテトラヒドロフラン(50m
l)に溶かしB液に室温で加え1時間15分攪拌する。
られた残渣をn−ヘキサン、イソプロピルエーテルで粉
末状結晶にする。これをテトラヒドロフラン(50m
l)に溶かしB液に室温で加え1時間15分攪拌する。
【0341】次に反応液をろ過し、母液にジフェニルジ
アゾメタン(11.6g)、メタノール(8.6g)を
加え室温で2時間攪拌する。反応液を減圧下留去し、得
られた残渣をテトラヒドロフラン(120ml)に溶か
し室温でN,N′−カルボニルジイミダゾール(4.9
g)を加え、同温で2時間攪拌する。
アゾメタン(11.6g)、メタノール(8.6g)を
加え室温で2時間攪拌する。反応液を減圧下留去し、得
られた残渣をテトラヒドロフラン(120ml)に溶か
し室温でN,N′−カルボニルジイミダゾール(4.9
g)を加え、同温で2時間攪拌する。
【0342】次に反応液にピロリジン(3.49g)を
加え2時間20分攪拌する。反応液を減圧下で留去し得
られた残渣をカラムクロマトグラフィー(SiO225
0g、ベンゼン:酢酸エチル=8:1)で精製すると目
的物(6.94g)が得られた。(収率20%)
加え2時間20分攪拌する。反応液を減圧下で留去し得
られた残渣をカラムクロマトグラフィー(SiO225
0g、ベンゼン:酢酸エチル=8:1)で精製すると目
的物(6.94g)が得られた。(収率20%)
【0343】NMR(CDCl3,δ) 1.80〜1.95(4H,m),3.25〜3.30(4H,m), 4.60(6/5H,s), 4.82,5.10(2H,ABq,J=13Hz), 5.05(2/5H,d,J=5Hz),5 18(3/5H,s), 5.25(3/5H,d,J=5Hz), 5.85(3/5H,dd,J=5Hz,9Hz), 6.15(2/5H,dd,J=5Hz,9Hz), 6.22(3/5H,s),6.42(3/5H,s), 6.44(2/5H,s),7.01,7.03(1H,s), 7.25〜7.40(40H,m)
【0344】製造例26 7−〔(Z)−2−トリチルオキシイミノ−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オ
キシド
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル−1−オ
キシド
【0345】
【化105】
【0346】製造例25で得られた混合物(3.7g)
のテトラヒドロフラン(40ml)溶液に氷冷下、m−
クロロ安息香酸(834mg)を加え、同温で1.5時
間攪拌する。反応液を減圧下留去し、得られた残渣をカ
ラムクロマトグラフィー(SiO250g、ベンゼン:
酢酸エチル=6:1)で精製すると目的物(1.44
g)が得られた。(収率38%)
のテトラヒドロフラン(40ml)溶液に氷冷下、m−
クロロ安息香酸(834mg)を加え、同温で1.5時
間攪拌する。反応液を減圧下留去し、得られた残渣をカ
ラムクロマトグラフィー(SiO250g、ベンゼン:
酢酸エチル=6:1)で精製すると目的物(1.44
g)が得られた。(収率38%)
【0347】NMR(CDCl3,δ) 1.83〜1.90(4H,m), 3.00,3.62(2H,ABq,J=18Hz), 3.21〜3.25(2H,m),3.5〜3.39(2H,m), 4.41〜4.43(1H,m), 4.72,5.32(2H,ABq,J=13Hz), 6.30(1H,dd,J=5Hz,9Hz),6.2(1H,s), 6.93(1H,s),7.35〜7.40(40H,m)
【0348】製造例27 7−〔(Z)−2−トリチルオキシイミノ−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
トリチルアミノチアゾール−4−イル)アセトアミド〕
−3−(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0349】
【化106】
【0350】製造例26で得られた化合物(1.44
g)のN,N−ジメチルホルムアミド(15ml)溶液
に−30℃で、三塩化リン(0.43ml)を加え、同
温で30分間攪拌する。
g)のN,N−ジメチルホルムアミド(15ml)溶液
に−30℃で、三塩化リン(0.43ml)を加え、同
温で30分間攪拌する。
【0351】反応液を−78℃に冷やした酢酸エチルに
注ぎ、水を加える。酢酸エチル層を分取し、水、飽和食
塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を
減圧下留去し、得られた残渣を酢酸エチルに溶かしこれ
をイソプロピルエーテルに加える。沈殿物をろ取しイソ
プロピルエーテルで洗浄すると目的物(895mg)が
得られた。(収率63%)
注ぎ、水を加える。酢酸エチル層を分取し、水、飽和食
塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後溶媒を
減圧下留去し、得られた残渣を酢酸エチルに溶かしこれ
をイソプロピルエーテルに加える。沈殿物をろ取しイソ
プロピルエーテルで洗浄すると目的物(895mg)が
得られた。(収率63%)
【0352】NMR(CDCl3,δ) 1.84〜1.87(4H,m), 3.28,3.50(2H,ABq,J=18Hz), 3.20〜3.24(2H,m),3.35〜3.38(2H,m), 4.82,5.10(2H,ABq,J=13Hz), 5.05(1H,d,J=5Hz), 6.09(1H,dd,J=5Hz,9Hz),6.42(1H,s), 6.94(1H,s),7.35〜7.40(40H,m)
【0353】参考例10 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−カルボン酸ナトリウム塩
【0354】
【化107】
【0355】製造例4で得た2−〔((Z)−2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)−2−トリチルオキ
シイミノアセトアミド〕−3−N,N−ジメチルカルバ
モイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル1.4g(1.3ミリモル)をトリフルオ
ロ酢酸3ml、アニソール2mlの混合液に加え、1時
間攪拌した。イソプロピルエーテル100mlを加え、
生じた沈殿を濾別して集め、次にギ酸10ml中に加え
室温で2時間反応した。ギ酸を減圧留去後エチルエーテ
ルを加え生じた沈殿を濾集した。これを逆相カラムクロ
マトグラフィーによって精製をし、目的物240mg
(収率39%)を得た。
チルアミノチアゾール−4−イル)−2−トリチルオキ
シイミノアセトアミド〕−3−N,N−ジメチルカルバ
モイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル1.4g(1.3ミリモル)をトリフルオ
ロ酢酸3ml、アニソール2mlの混合液に加え、1時
間攪拌した。イソプロピルエーテル100mlを加え、
生じた沈殿を濾別して集め、次にギ酸10ml中に加え
室温で2時間反応した。ギ酸を減圧留去後エチルエーテ
ルを加え生じた沈殿を濾集した。これを逆相カラムクロ
マトグラフィーによって精製をし、目的物240mg
(収率39%)を得た。
【0356】NMR(D2O,δ) 2.7(6H,br.s), 3.42,3.69(2H,ABq,J=19Hz), 4.67,4.91(2H,ABq,J=12.6Hz), 5.22(1H,d,J=4.8Hz), 5.85(1H,d,J=4.8Hz),7.00(1H,s)
【0357】実施例1 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−エチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−エチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0358】
【化108】
【0359】製造例4で得た化合物を、参考例10と同
様に処理して上記化合物を得た。(収率15%)
様に処理して上記化合物を得た。(収率15%)
【0360】NMR(D2O,δ) 1.05〜1.15(27/10H,m), 1.25〜1.35(3/10H,m), 2.72(3/10H,br.s),2.90(27/10H,br.s), 3.05〜3.15(2/10H,m), 3.25〜3.40(18/10H,m), 3.4〜3.5(1H,m),3.7〜3.78(1H,m), 4.70〜4.78(1H,m),4.90〜5.00(1H,m), 5.24〜5.27(1H,m),5.85〜5.90(1H,m), 7.02(1H,s)
【0361】参考例11 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−3−N,N−
ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−3−N,N−
ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ナトリウム塩
【0362】
【化109】
【0363】参考例5で得た7−〔(Z)−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシ
イミノアセタミド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル(1.46g)のアニソール(10ml)溶液
にトリフルオロ酢酸(20ml)を氷冷下滴下し、同温
度で2時間20分攪拌する。反応液を減圧下濃縮し、残
渣をメタノールに溶解し、ジイソプロピルエーテルを加
え結晶を析出させる。析出結晶をろ取しメタノールに溶
解させ、これに酢酸ナトリウム(600mg)を溶解さ
せ、さらにジイソ プロピルエーテルを加え結晶析出さ
せる。析出結晶をろ取しジイソプロピルエーテルで洗浄
後風乾させる。得られた結晶を逆相カラムクロマトグラ
フィーで精製し7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−
3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ナトリウム(71mg,8.
5%)を得た。
トリチルアミノチアゾール−4−イル)−2−メトキシ
イミノアセタミド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズ
ヒドリル(1.46g)のアニソール(10ml)溶液
にトリフルオロ酢酸(20ml)を氷冷下滴下し、同温
度で2時間20分攪拌する。反応液を減圧下濃縮し、残
渣をメタノールに溶解し、ジイソプロピルエーテルを加
え結晶を析出させる。析出結晶をろ取しメタノールに溶
解させ、これに酢酸ナトリウム(600mg)を溶解さ
せ、さらにジイソ プロピルエーテルを加え結晶析出さ
せる。析出結晶をろ取しジイソプロピルエーテルで洗浄
後風乾させる。得られた結晶を逆相カラムクロマトグラ
フィーで精製し7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−メトキシイミノアセタミド〕−
3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ナトリウム(71mg,8.
5%)を得た。
【0364】NMR(D2O,δ) 2.65〜2.80(6H,m), 3.26,3.52(2H,ABq,J=18.1Hz), 3.83(3H,s), 4.52,4.75(2H,ABq,J=12.6Hz), 5.05(1H,d,J=4.8Hz), 5.66(1H,d,J=4.8Hz),6.85(1H,s)
【0365】実施例2 7−〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセタミ
ド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセタミ
ド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0366】
【化110】
【0367】製造例9の化合物を参考例7と同様に処理
をして、上記化合物を得た。(収率27%)
をして、上記化合物を得た。(収率27%)
【0368】NMR(D2O,δ) 2.68(6H,s), 3.21,3.46(2H,ABq,J=18.0Hz), 3.89(3H,s), 4.50,4.72(2H,ABq,J=12.3Hz), 5.01(1H,d,J=4.7Hz), 5.67(1H,d,J=4.7Hz)
【0369】実施例3 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−モノフルオロメトキシイミノアセタミド〕−
3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−モノフルオロメトキシイミノアセタミド〕−
3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0370】
【化111】
【0371】製造例6 の化合物を、参考例11と同様
に処理して上記化合物を得た。(収率10%)
に処理して上記化合物を得た。(収率10%)
【0372】NMR(D2O,δ) 2.62〜2.73(6H,m), 3.22,3.48(2H,ABq,J=18.0Hz), 4.49,4.72(2H,ABq,d,J=12.8Hz,1.6Hz), 5.02〜5.04(1H,m),5.63〜5.66(1H,m), 5.61(2H,d,J=55.2Hz),6.95(1H,s)
【0373】実施例4 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−(1
−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−(1
−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0374】
【化112】
【0375】製造例10の化合物を参考例10と同様に
処理をし上記化合物を得た。(収率25%)
処理をし上記化合物を得た。(収率25%)
【0376】NMR(D2O,δ) 2.00〜2.10(2H,m), 3.21,3.47(2H,ABq,J=17.9Hz), 3.75〜3.87(4H,m), 4.51,4.70(2H,ABq,J=17.6Hz), 5.05(1H,d,J=4.8Hz), 5.68(1H,d,J=4.8Hz),6.78(1H,s)
【0377】実施例5 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔N−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバ
モイルオキシメチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔N−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバ
モイルオキシメチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸
ナトリウム塩
【0378】
【化113】
【0379】製造例13の化合物を参考例10と同様に
処理をして上記化合物を得た。(収率8.8%)
処理をして上記化合物を得た。(収率8.8%)
【0380】NMR(D2O,δ) 2.79〜2.82(3H,m),3.28〜3.30(3H,m), 3.56〜3.58(3H,m),4.57〜4.75(2H,m), 5.09(1H,d,J=5Hz), 5.73(1H,d,J=5Hz),6.84(1H,s)
【0381】実施例6 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−シアノメチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−シアノメチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0382】
【化114】
【0383】製造例16の化合物を参考例10と同様に
して上記化合物を得た。(収率21%)
して上記化合物を得た。(収率21%)
【0384】NMR(D2O,δ) 2.85(3H,br.s), 3.28,3.55(2H,ABq,J=18Hz), 4.1〜4.25(2H,m),4.5〜4.9(2H,m), 5.06(1H,d,J=5Hz),5.70(1H,d,J=5Hz), 6.77(1H,s)
【0385】実施例7 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(3−ハイドロキシ−1−ピロリジニル)カルボニル
オキシメチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリ
ウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(3−ハイドロキシ−1−ピロリジニル)カルボニル
オキシメチル〕−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリ
ウム塩
【0386】
【化115】
【0387】製造例20の化合物を参考例10と同様に
して上記化合物を得た。(収率17%)
して上記化合物を得た。(収率17%)
【0388】NMR(D2O,δ) 2.05(2H,m),3.25〜3.8(6H,m), 4.4〜4.5(1H,m),4.6〜4.95(2H,m), 5.20(1H,d,J=5Hz),5.83(1H,d,J=5Hz), 6.96(1H,s)
【0389】実施例8 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−
((s)−(+)−2−ハイドロキシメチル−H−ピロ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−
((s)−(+)−2−ハイドロキシメチル−H−ピロ
リジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ナトリウム塩
【0390】
【化116】
【0391】製造例24の化合物を参考例10と同様に
して上記化合物を得た。
して上記化合物を得た。
【0392】NMR(D2O,δ) 1.70〜1.84(4H,m),3.19〜3.82(7H,m), 4.67(2H,ABq,J=13Hz), 5.08(1H,d,J=4.8Hz), 5.70(1H,d,J=4.8Hz),6.83(1H,s)
【0393】実施例9 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0394】
【化117】
【0395】製造例27の化合物を参考例10と同様に
して上記化合物を得た。(収率17%)
して上記化合物を得た。(収率17%)
【0396】NMR(D2O,δ) 1.68〜1.73(4H,m),3.15〜3.23(4H,m), 3.25,3.52(2H,ABq,J=18Hz), 4.52,4.75(2H,ABq,J=12Hz), 5.15(1H,d,J=4Hz),5.68(1H,d,J=4Hz), 6.81(1H,s)
【0397】実施例10 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−エチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−エチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
【0398】
【化118】
【0399】実施例1の化合物とヨードメチルピバレー
トを反応させ上記化合物を得た。(収率34%)
トを反応させ上記化合物を得た。(収率34%)
【0400】NMR(CDCl3,δ) 1.12(3H,t,J=7Hz),1.24(9H,s), 2.89(6/3H,s),2.90(3/3H,s), 3.25〜3.35(2H,m), 3.47,3.48(合わせて1H,d,J=18Hz), 3.61(1H,d,J=18Hz), 4.89(1H,d,J=13Hz),5.06(1H,d,J=5Hz), 5.1〜5.2(1H,m), 5.82,5.97(1H,ABq,J=5Hz), 5.92(1H,dd,J=5Hz,8Hz),7.07(1H,s)
【0401】実施例11 7−〔(Z)−2−(5−アミノ−1,2,4−チアジ
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセタミ
ド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメ
チル
アゾール−3−イル)−2−メトキシイミノアセタミ
ド〕−3−N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメ
チル
【0402】
【化119】
【0403】実施例2の化合物とヨードメチルピバレー
トを反応させ上記化合物を得た。(収率70%)
トを反応させ上記化合物を得た。(収率70%)
【0404】NMR(CDCl3,δ) 1.13(9H,s),2.92(6H,s), 3.50,3.59(2H,ABq,J=18.6Hz), 4.12(3H,s), 4.84,5.19(2H,ABq,J=13.7Hz), 5.10(1H,d,J=4.8Hz), 5.85〜5.94(2H,m),6.12〜6.16(1H,m), 6.42(1H,s)
【0405】実施例12 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−モノフルオロメトキシアセタミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
ル)−2−モノフルオロメトキシアセタミド〕−3−
N,N−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
【0406】
【化120】
【0407】実施例3の化合物とヨードメチルピバレー
トを反応させ上記化合物を得た。(収率70%)
トを反応させ上記化合物を得た。(収率70%)
【0408】NMR(CDCl3,δ) 1.14(9H,s),2.91(6H,s), 3.50,3.60(2H,ABq,J=18.4Hz), 4.85,5.16(2H,ABq,J=14.2Hz), 5.10(1H,d,J=4.8Hz), 5.65〜6.00(3H,m), 5.86,5.93(2H,ABq,J=5.5Hz), 6.98(1H,s)
【0409】実施例13 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−(1
−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−(1
−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
【0410】
【化121】
【0411】実施例4の化合物とヨードメチルピバレー
トを反応させ上記化合物を得た。(収率54%)
トを反応させ上記化合物を得た。(収率54%)
【0412】NMR(CDCl3,δ) 2.24〜2.30(2H,m), 3.47,3.60(2H,ABq,J=18.4Hz), 3.95〜4.10(4H,m), 4.87,5.12(2H,ABq,J=14.1Hz), 5.06(1H,d,J=5.1Hz), 5.91(2H,ABq,J=5.6Hz), 5.90 〜5.93(1H,m),7.07(1H,s)
【0413】実施例14 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−(1
−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸 1−(イソプロピルオキシカルボ
ニルオキシ)エチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセタミド〕−3−(1
−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セフェ
ム−4−カルボン酸 1−(イソプロピルオキシカルボ
ニルオキシ)エチル
【0414】
【化122】
【0415】実施例4の化合物と1−ヨードエチルイソ
プロピルカーボネートを反応させ上記化合物を得た。
(収率27%)
プロピルカーボネートを反応させ上記化合物を得た。
(収率27%)
【0416】NMR(CDCl3,δ) 1.30〜1.35(6H,m),2.22〜2.31(2H,m), 3.45〜3.65(2H,m),4.00〜4.06(4H,m), 4.89〜5.20(4H,m),5.90〜5.93(1H,m), 6.92(1/2H,q,J=5.5Hz), 7.03(1/2H,q,J=5.5Hz),7.08(1H,s)
【0417】実施例15 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバモイ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバ
ロイルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバモイ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバ
ロイルオキシメチル
【0418】
【化123】
【0419】実施例5の化合物とヨードメチルピバレー
トとを反応させ上記化合物を得た。(収率57%)
トとを反応させ上記化合物を得た。(収率57%)
【0420】NMR(CDCl3,δ) 1.21〜1.25(9H,m),2.97(3H,s),3.41〜 3.45(2H,m),3.46〜3.60(2H,m),3.71〜 3.77(2H,m),4.82〜4.95(2H,m),5.05〜 5.08(1H,m),5.86,5.95(2H,ABq,J=6Hz), 5.88〜5.91(1H,m),7.00(1H,s)
【0421】実施例16 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバモイ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸 1−
シクロヘキシルオキシカルボニルオキシエチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−ハイドロキシエチル)−N−メチルカルバモイ
ルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸 1−
シクロヘキシルオキシカルボニルオキシエチル
【0422】
【化124】
【0423】実施例5の化合物と1−ヨードエチルシク
ロヘキシカーボネートを反応させ上記化合物を得た。
(収率28%)
ロヘキシカーボネートを反応させ上記化合物を得た。
(収率28%)
【0424】NMR(CDCl3,δ) 1.4〜1.6(6H,m),1.62〜1.72(3H,m), 1.83〜 1.92(4H,m),2.93(3H,s), 3.38〜3.41(2H,m), 3.42〜3.50(2H,m),3.70〜3.75(2H,m), 4.57〜4.61(1H,m),4.99(1H,q,J=5Hz), 5.05〜5.14(2H,m),5.82〜5.86(1H,m), 6.85,6.96(1H,ABq,J=5Hz),6.99(1H,s)
【0425】実施例17 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−シアノメチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメ
チル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−シアノメチル−N−メチルカルバモイルオキシメチル
−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメ
チル
【0426】
【化125】
【0427】実施例6の化合物とヨードメチルピバレー
トとを反応させ上記化合物を得た。(収率70%)
トとを反応させ上記化合物を得た。(収率70%)
【0428】NMR(CDCl3,δ) 1.1〜1.25(9H,m),3.01(3H,s), 3.4〜3.65(2H,m),4.2〜4.3(2H,m), 4.8〜5.25(3H,m),5.8〜6.0(3H,m), 6.90( 1H,br.s),7.30(2H,s)
【0429】実施例18 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(S)−(+)−2−ハイドロキシメチル−1−ピロ
リジニル〕カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
〔(S)−(+)−2−ハイドロキシメチル−1−ピロ
リジニル〕カルボニルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
【0430】
【化126】
【0431】実施例10の化合物とヨードメチルピバレ
ートを反応させ上記化合物を得た。
ートを反応させ上記化合物を得た。
【0432】NMR(CD3OD,δ) 1.83〜2.00(4H,m),3.30〜3.87(7H,m), 5.01(2H,ABq,J=14Hz), 5.20(1H,d,J=4.8 Hz), 5.84(1H,d,J=4.8Hz), 5.91〜5.94(2H ,m),6.76(1H,s)
【0433】実施例19 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−ピロリジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
【0434】
【化127】
【0435】実施例9 の化合物とヨードメチルピバレ
ートを反応させ上記化合物を得た。(収率28%)
ートを反応させ上記化合物を得た。(収率28%)
【0436】NMR(CDCl3,δ) 1.16〜1.21(9H,m),1.80〜1.85(4H,m), 3.30〜3.39(4H,m),3.50〜3.60(2H,m), 4.80〜4.90,5.05,5.13(2H,m), 5.02〜5.04(1H,m),5.75〜5.80(2H,m), 5.85〜5.91(1H,m),6.98(1H,s)
【0437】実施例20 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸 1−(シクロヘキシルオキシ
カルボニルオキシ)エチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸 1−(シクロヘキシルオキシ
カルボニルオキシ)エチル
【0438】
【化128】
【0439】実施例4の化合物と1−ヨードエチルシク
ロヘキシルカーボネートを反応させて上記化合物を得
た。(収率27%)
ロヘキシルカーボネートを反応させて上記化合物を得
た。(収率27%)
【0440】NMR(CDCl3,δ) 1.24(3H,d,J=7.2Hz), 1.75〜1.80(10H,m),2.25〜2.32(2H,m), 3.45〜3.65(2H,m),4.00〜4.06(4H,m), 4.91,4.98(1H,ABq,J=13.8Hz), 5.03〜5.07(1H,m),5.10〜5.13(1H,m), 5.09,5.18(1H,ABq,J=13.8Hz), 5.90〜5.93(1H,m), 6.93(1/2H,q,J=5.5Hz), 7.03(1/2H,q,J=5.5Hz), 7.08(1H,s)
【0441】実施例21 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸 1−アセトキシエチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−アゼチジニル)カルボニルオキシメチル−3−セ
フェム−4−カルボン酸 1−アセトキシエチル
【0442】
【化129】
【0443】実施例4の化合物と1−ブロモエチルアセ
テートを反応させ上記化合物を得た。
テートを反応させ上記化合物を得た。
【0444】NMR(CDCl3,δ) 1.54〜1.56(3H,m),2.10〜2.21(3H,m), 2.20〜2.35(2H,m),3.45〜3.65(2H,m), 3.95〜4.08(4H,m),4.85〜4.95(1H,m), 5.05〜5.1(2H,m),5.87〜5.95(1H,m), 6.97 〜7.17(2H,m)
【0445】製造例28 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0446】
【化130】
【0447】7−ホルムアミド−3−モノメチルカルバ
モイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル(3.54g)にテトラヒドロフラン(4
0ml)、メタノール(40ml)を加える。次いで、
室温で濃塩酸(3.6ml)を加え、同温で3時間攪拌
する。反応液を減圧下留去し、得られた残渣を酢酸エチ
ルで希釈し、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去する。得られた残渣
に、別途に2−トリチルオキシイミノ−2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)酢酸(4.9g)、
ジシクロヘキシルカルボジイミド(1.52g)、1−
ヒドロキシ−1H−ベンズトリアゾール(1.0g)を
テトラヒドロフラン(30ml)に加え30分間攪拌し
た溶液を室温にて加える。同温で一晩攪拌した後、反応
液を濾過し、濾液を酢酸エチル水で希釈する。さらに1
N塩酸、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥、溶媒を留去する。得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィー(SiO2、ベンゼン:酢酸エチ
ル=6:1)で精製すると表記化合物(5.39g、収
率66%)を得た。
モイルオキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベ
ンズヒドリル(3.54g)にテトラヒドロフラン(4
0ml)、メタノール(40ml)を加える。次いで、
室温で濃塩酸(3.6ml)を加え、同温で3時間攪拌
する。反応液を減圧下留去し、得られた残渣を酢酸エチ
ルで希釈し、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去する。得られた残渣
に、別途に2−トリチルオキシイミノ−2−(2−トリ
チルアミノチアゾール−4−イル)酢酸(4.9g)、
ジシクロヘキシルカルボジイミド(1.52g)、1−
ヒドロキシ−1H−ベンズトリアゾール(1.0g)を
テトラヒドロフラン(30ml)に加え30分間攪拌し
た溶液を室温にて加える。同温で一晩攪拌した後、反応
液を濾過し、濾液を酢酸エチル水で希釈する。さらに1
N塩酸、飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥、溶媒を留去する。得られた残渣をカラ
ムクロマトグラフィー(SiO2、ベンゼン:酢酸エチ
ル=6:1)で精製すると表記化合物(5.39g、収
率66%)を得た。
【0448】NMR(CDCl3,δ) 2.75(3H,d,J=5Hz), 3.25,3.52(2H,ABq,J=18Hz)、 4.40(1H,d,J=5Hz), 4.77,5.07(2H,ABq,J=14Hz)、 5.05(1H,d,J=5Hz), 6.10(1H,dd,J=5Hz,9Hz),6.43(1H,s)、 6.97(1H,s),7.21〜7.39(40H,m)
【0449】製造例29 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−N−(2−メトキシエチル)カルバモイルオキシ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−3−N−(2−メトキシエチル)カルバモイルオキシ
メチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0450】
【化131】
【0451】製造例27と同様にして上記化合物を得
た。(収率53%)
た。(収率53%)
【0452】NMR(CDCl3,δ) 3.32〜3.38(5H,m),3.42(2H,t,J=5Hz), 3.25,3.49(2H,ABq,J=18Hz), 4.78,5.05(2H,ABq,J=12Hz), 5.08(1H,d,J=5Hz), 6.1(1H,dd,J=5Hz,9Hz),6.42(1H,s), 6.94(1H,s),7.3〜7.4(40H,m)
【0453】製造例30 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシアセトアミド〕−3−
N−(2−モノフルオロエチル)カルバモイルオキシメ
チル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
4−イル)−2−トリチルオキシアセトアミド〕−3−
N−(2−モノフルオロエチル)カルバモイルオキシメ
チル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒドリル
【0454】
【化132】
【0455】製造例28と同様にして上記化合物を得
た。
た。
【0456】NMR(CDCl3,δ) 3.1〜3.4(4H,m),4.2〜4.4(2H,m), 4.85(2H,ABq,J=14Hz), 4.92(1H,d,J=4.9Hz), 6.04(1H,dd,J=4.9Hz,8.9Hz), 6.44(1H,s),6.95(1H,s), 7.1〜7.5(40H,m)
【0457】製造例31 7−〔(Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−
4−イル)−2−トリチルオキシアセトアミド〕−3−
N−(2,2,2−トリフルオロエチル)カルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル
4−イル)−2−トリチルオキシアセトアミド〕−3−
N−(2,2,2−トリフルオロエチル)カルバモイル
オキシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ベンズヒ
ドリル
【0458】製造例28と同様にして上記化合物を得
た。
た。
【0459】
【化133】
【0460】NMR(CDCl3) 3.21(2H,ABq,J=19Hz), 3.52〜3.58(2H,m), 4.88(2H,ABq,J=14Hz), 4.91(1H,d,J=4.9Hz), 6.03(1H,dd,J=4.9Hz,8.8Hz), 6.45(1H,s),6.95(1H,s), 7.13〜7.47(40H,m)
【0461】実施例22 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−カ
ルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−カ
ルボン酸ナトリウム塩
【0462】
【化134】
【0463】製造例28で得られた化合物(5.35
g)のアニソール(25ml)溶液に氷冷下トリフルオ
ロ酢酸(20ml)を加え、次いで同温で1時間攪拌す
る。反応液にイソプロピルエーテルを加え沈澱物を濾取
する。得られた粉末状固体にギ酸(35ml)を加え、
室温で1時間攪拌する。反応液を減圧下留去し、残渣を
メタノールで希釈する。この溶液に酢酸ナトリウム
(1.0g)を加えメタノールを留去する。得られた残
渣を酢酸エチルで希釈しイソプロピルエーテルで粉末状
にする。これを液体クロマトグラフィーで精製すると表
記化合物(326mg、収率14%)が得られた。
g)のアニソール(25ml)溶液に氷冷下トリフルオ
ロ酢酸(20ml)を加え、次いで同温で1時間攪拌す
る。反応液にイソプロピルエーテルを加え沈澱物を濾取
する。得られた粉末状固体にギ酸(35ml)を加え、
室温で1時間攪拌する。反応液を減圧下留去し、残渣を
メタノールで希釈する。この溶液に酢酸ナトリウム
(1.0g)を加えメタノールを留去する。得られた残
渣を酢酸エチルで希釈しイソプロピルエーテルで粉末状
にする。これを液体クロマトグラフィーで精製すると表
記化合物(326mg、収率14%)が得られた。
【0464】NMR(D2O,δ) 2.54(3H,s), 3.21,3.51(2H,ABq,J=18Hz), 4.60,4.70(2H,ABq,J=18Hz), 5.06(1H,d,J=4.8Hz), 5.69(1H,d,J=4.8Hz),6.83(1H,s)
【0465】実施例23 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−メトキシエチル)カルバモイルオキシメチル−
3−セフェム−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−メトキシエチル)カルバモイルオキシメチル−
3−セフェム−カルボン酸ナトリウム塩
【0466】
【化135】
【0467】製造例29の化合物を用い、実施例22と
同様にして上記化合物を得た。(収率46%)
同様にして上記化合物を得た。(収率46%)
【0468】NMR(D2O,δ) 3.17(2H,t,J=5Hz),3.20(3H,s), 3.26,3.53(2H,ABq,J=18Hz), 3.40(2H,t,J=5Hz), 4.55,4.76(2H,ABq,J=12Hz), 5.09(1H,d,J=5Hz)、5.71(1H,d,J=5Hz), 6.85(1H,s)
【0469】実施例24 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−モノフルオロエチル)カルバモイルオキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−モノフルオロエチル)カルバモイルオキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム塩
【0470】
【化136】
【0471】製造例30の化合物を使って実施例22と
同様に処理し上記化合物を得た。
同様に処理し上記化合物を得た。
【0472】NMR(D2O,δ) 3.2〜3.5(4H,m),4.2〜4.4(2H,m), 4.65(2H,ABq,J=12Hz), 5.05(1H,d,J=4.8Hz), 5.68(1H,d,J=4.8Hz),6.80(1H,s)
【0473】実施例25 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2,2,2−トリフルオロエチル)カルバモイルオ
キシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム
塩
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2,2,2−トリフルオロエチル)カルバモイルオ
キシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸ナトリウム
塩
【0474】
【化137】
【0475】製造例31の化合物を用い実施例22と同
様にして上記化合物を得た。
様にして上記化合物を得た。
【0476】NMR(D2O,δ) 3.39(2H,ABq,J=18Hz), 3.66〜3.73(2H,m), 4.71(2H,ABq,J=13Hz), 5.08(1H,d,J=4.8Hz), 5.70(1H,d,J=4.8Hz),6.81(1H,s)
【0477】実施例26 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル
【0478】
【化138】
【0479】実施例22で得られた化合物(106m
g)のN,N−ジメチルアセトアミド(2ml)溶液に
氷冷下ヨードメチルピバレート(51mg)を加え、次
いで同温で1時間攪拌する。反応液に酢酸エチル、水を
加え酢酸エチル層を分取し、飽和食塩水で洗浄、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去する。得られ
た残渣を酢酸エチルに溶かしイソプロピルエーテルを加
え沈澱物を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄すると
表記化合物(44mg、収率35%)が得られた。
g)のN,N−ジメチルアセトアミド(2ml)溶液に
氷冷下ヨードメチルピバレート(51mg)を加え、次
いで同温で1時間攪拌する。反応液に酢酸エチル、水を
加え酢酸エチル層を分取し、飽和食塩水で洗浄、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去する。得られ
た残渣を酢酸エチルに溶かしイソプロピルエーテルを加
え沈澱物を濾取し、イソプロピルエーテルで洗浄すると
表記化合物(44mg、収率35%)が得られた。
【0480】NMR(CDCl3,δ) 1.13〜1.15(9H,m),2.70(3H,s), 3.42〜3.59(2H,m),4.72〜4.76(1H,m), 4.95〜5.05(2H,m),5.78〜5.81(1H,m), 5.81〜5.89(2H,m),6.93(1H,s)
【0481】実施例27 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸 1−(イソプロポキシカルボニルオキ
シ)エチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸 1−(イソプロポキシカルボニルオキ
シ)エチル
【0482】
【化139】
【0483】実施例26と同様にして上記化合物を得
た。(収率55%)
た。(収率55%)
【0484】NMR(CD3OD,δ) 1.25〜1.35(9H,m),1.51〜1.57(3H,m), 2.70(3H,s),3.48〜3.70(2H,m), 4.75〜4.90(1H,m), 5.02〜5.09(1H,ABq,J=14Hz), 5.16〜5.21(1H,m),5.90〜5.95(1H,m), 6.75(1H,s),6.84〜6.95(1H,m)
【0485】実施例28 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−メトキシエチル)カルバモイルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチ
ル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−メトキシエチル)カルバモイルオキシメチル−
3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチ
ル
【0486】
【化140】
【0487】実施例23で得られた化合物を用い実施例
30と同様にして上記化合物を得た。
30と同様にして上記化合物を得た。
【0488】NMR(CDCl3,δ) 1.26〜1.28(9H,m),3.36〜3.40(5H,m), 3.47〜3.50(3H,m),3.62(1H,d,J=18Hz), 4.84,5.10(2H,ABq,J=13Hz)、 5.04(1H,d,J=3.5Hz), 5.86〜5.96(2H,ABq,J=5Hz), 5.91〜5.94(1H,m),7.05(1H,s)
【0489】実施例29 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−モノフルオロエチル)カルバモイルオキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシ
メチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2−モノフルオロエチル)カルバモイルオキシメチ
ル−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシ
メチル
【0490】
【化141】
【0491】実施例24で得られた化合物を用い実施例
26と同様にして上記化合物を得た。
26と同様にして上記化合物を得た。
【0492】NMR(CD3OD,δ) 1.22(9H,s),3.3〜3.4(2H,m), 3.63(2H,ABq,J=18Hz), 4.35〜4.50(2H,m), 4.96(2H,ABq,J=13Hz), 5.20(1H,d,J=4.8Hz), 5.83〜5.94(3H,m),6.76(1H,s)
【0493】実施例30 7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4−イ
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2,2,2−トリフルオロエチル)カルバモイルオ
キシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイ
ルオキシメチル
ル)−2−ハイドロキシイミノアセトアミド〕−3−N
−(2,2,2−トリフルオロエチル)カルバモイルオ
キシメチル−3−セフェム−4−カルボン酸 ピバロイ
ルオキシメチル
【0494】
【化142】
【0495】実施例25で得た化合物を用い実施例26
と同様にして上記化合物を得た。
と同様にして上記化合物を得た。
【0496】NMR(CD3OD,δ) 1.21(9H,s)、3.61(2H,ABq,J=18Hz), 3.74〜3.81(2H,m), 5.00(2H,ABq,J=14Hz), 5.19(1H,d,J=4.9Hz),5.83〜5.94(3H,m), 6.76(1H,s)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平3−169512 (32)優先日 平成3年4月12日(1991.4.12) (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 鎌田 厚 茨城県つくば市春日4−19−13 (72)発明者 鶴岡 明彦 茨城県つくば市天久保2−23−5 (72)発明者 町田 善正 茨城県つくば市下広岡500−81 (56)参考文献 特開 昭55−59195(JP,A) 特開 昭50−64293(JP,A) 米国特許4302578(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07D 501/00 - 501/62 A61K 31/00 - 31/80 CA(STN) REGISTRY(STN)
Claims (13)
- 【請求項1】 一般式(1): 【化1】 (式中、Aは−CH=または−N=、 R1は水酸基、低級アルコキシ基、フッ素置換低級アル
コキシ基または保護基で保護された水酸基を示す。R2
及びR3は同一または相異なって低級アルキル基、水酸
基置換低級アルキル基、カルバモイル置換低級アルキル
基、またはシアノ置換低級アルキル基を示すか、R2は
水素原子であってR3は低級アルコキシ基又はハロゲン
原子で置換されてもよい低級アルキル基を示すか、ある
いは式: 【化2】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。R4はカルボキシル基、または保護基で保護された
カルボキシル基を示す。)で表わされる7−アシル−3
−置換カルバモイルオキシセフェム化合物またはその医
薬として許容される塩。但し、Aが−CH=で、R1が
水酸基、メトキシ基またはアセトキシ基で、R2及びR
3が共にメチル基で、R4がカルボキシル基、または低
級アルカノイルオキシ低級アルキル基、低級アルコキシ
カルボニルオキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アル
キル基、複素環基、置換基を有していてもよいベンゾイ
ルオキシ低級アルキル基(置換ジオキシレン)低級アル
キル基、シクロアルカノイル置換低級アルカノイル低級
アルキル基、シクロアルキルオキシカルボニルオキシ低
級アルキル基から選ばれる基で保護されたカルボキシル
基は除く。 - 【請求項2】 Aが−CH=で表わされる請求項1記載
の化合物。 - 【請求項3】 R1が水酸基である請求項1記載の化合
物。 - 【請求項4】 式 【化3】 が 【化4】 −NHCH3または−N(CH3)2である請求項1記
載の化合物。 - 【請求項5】 R4がカルボキシル基、又は1−(イソ
プロピルオキシカルボニルオキシ)エチル基、1−(エ
トキシカルボニルオキシ)エチル基、1−(シクロヘキ
シルオキシカルボニルオキシ)エチル基、ピバロイルオ
キシメチル基またはイソプロピルオキシカルボニルオキ
シメチル基かられらばれる基で保護されたカルボキシル
基である請求項1記載の化合物。 - 【請求項6】 一般式(2): 【化5】 (式中、R2及びR3は同一または相異なって低級アル
キル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置換
低級アルキル基、またはシアノ置換低級アルキル基を示
すか、R2は水素原子であってR3は低級アルコキシ基
又はハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基を
示すか、あるいは式: 【化6】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。R4はカルボキシル基、または保護基で保護された
カルボキシル基を示す。)で表わされる化合物あるいは
それらの塩と、一般式(3) 【化7】 (式中、Aは−CH=または−N=を示し、R1は水酸
基、低級アルコキシ基、フッ素置換低級アルコキシ基ま
たは保護基で保護された水酸基、R6はアミノ基または
保護されたアミノ基を示す。)で表わされる化合物また
はその反応性酸誘導体またはそれらの塩を反応させ、必
要により、アミノ基、カルボキシル基または水酸基の保
護基を脱離し、あるいはカルボキシル基を保護基で保護
することを特徴とする、一般式(1) 【化8】 (式中、A、R1、R2、R3及びR4は前期と同じ意
味を示す)で表わされる化合物またはその医薬として許
容される塩の製造方法。但し、Aが−CH=で、R1が
水酸基、メトキシ基またはアセトキシ基で、R2および
R3が共にメチル基で、R4がカルボキシル基、または
1−(イソプロピルオキシカルボニルオキシ)エチル
基、1−(エトキシカルボニルオキシ)エチル基、1−
(シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ)エチル基、
ピバロイルオキシメチル基、イソプロピルオキシカルボ
ニルオキシメチル基および(5−メチル−2−オキソ−
1,3−ジオキソレン−4−イル)メチル基から選ばれ
る基で保護されたカルボキシル基は除く。 - 【請求項7】 一般式(4) 【化9】 (R2及びR3は同一または異なって低級アルキル基、
水酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置換低級アル
キル基、またはシアノ置換低級アルキル基を示すか、R
2は水素原子であってR3は低級アルコキシ基又はハロ
ゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基を示すか、
あるいは式: 【化10】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基、
または水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。R4はカルボキシル基、または保護基で保護された
カルボキシル基、そしてXはハロゲン原子を示す。)で
表わされる化合物またはその塩を、チオ尿素と反応さ
せ、必要によりカルボキシル基の保護基を離脱し、ある
いはカルボキシル基を保護基で保護することを特徴とす
る、一般式(5): 【化11】 (式中、R2、R3及びR4は前期と同じ意味を示す)
で表わされる化合物またはその医薬として許容される塩
の製造方法。但し、R2およびR3が共にメチル基であ
る場合を除く。 - 【請求項8】 一般式(6): 【化12】 (式中、R2 aおよびR3 bは同一または相異なって低
級アルキル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバモイ
ル置換低級アルキル基、またはシアノ置換低級アルキル
基を示すか、あるいは式: 【化13】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。R4はカルボキシル基または保護基で保護されたカ
ルボキシル基、R5はアミノ基または保護されたアミノ
基を示す。)で表わされる化合物またその塩。但し、R
2 aおよびR3 aが共にメチル基である場合を除く。 - 【請求項9】 一般式(4): 【化14】 (式中、R2およびR3は同一または相異なって低級ア
ルキル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置
換低級アルキル基、またはシアノ置換低級アルキル基を
示すか、R2は水素原子でR3は低級アルコキシ基又は
ハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基を示す
か、あるいは式: 【化15】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。R4はカルボキシル基、または保護基で保護された
カルボキシル基、そしてXはハロゲン原子を示す。)で
表わされる化合物またはその塩。但し、R2およびR3
が共にメチル基である場合を除く。 - 【請求項10】 一般式(7): 【化16】 (式中、R4はカルボキシル基または保護基で保護され
たカルボキシル基を、R5はアミノ基または保護された
アミノ基を示す。)で表わされる化合物と式: 【化17】 (式中、R2およびR3は同一または相異なって低級ア
ルキル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置
換低級アルキル基、またはシアノ置換低級アルキル基を
示すか、R2は水素原子であってR3は低級アルコキシ
基またはハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル
基を示すか、あるいは式: 【化18】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い)で表われる化合物またはその塩を反応させることを
特徴とする、一般式(8): 【化19】 (式中、R2、R3、R4およびR5は前記と同じ意味
を示す。)で表わされる化合物またはその塩の製造方
法。但し、R2およびR3が共にメチル基である場合を
除く。 - 【請求項11】 一般式(9): 【化20】 (式中、R5はアミノ基または保護されたアミノ基、Y
は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン原子またはニト
ロ基を示す。)で表わされる化合物またはその塩と式: 【化21】 (式中、R2及びR3は同一または相異なって低級アル
キル基、水酸基置換低級アルキル基、カルバモイル置換
低級アルキル基、またはシアノ置換低級アルキル基を示
すか、R2は水素原子であってR3は低級アルコキシ基
またはハロゲン原子で置換されてもよい低級アルキル基
を示すか、あるいは式: 【化22】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。)で表わされる化合物またはその塩を反応させるこ
とを特徴とする、一般式(10): 【化23】 (式中、R2、R3およびR5は前記と同じ意味を示
す。)で表わされる化合物またはその塩の製造方法。但
し、R2およびR3が共にメチル基である場合を除く。 - 【請求項12】 次に列記する化合物から選択された請
求項1記載の化合物またはその医薬的に許容される塩。 (1)7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−アゼチジニル)カルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸 1−(イソプロピルオキシ
カルボニルオキシ)エチル (2)7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
(1−アゼチジニル)カルバモイルオキシメチル−3−
セフェム−4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル (3)7−〔(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−
4一カルボン酸 1−(イソプロピルオキシカルボニル
オキシ)エチル (4)7−[(Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド〕−3−
N−メチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム−
4−カルボン酸 ピバロイルオキシメチル - 【請求項13】 一般式(1): 【化24】 (式中、Aは−CH=または−N=、R1は水酸基、低
級アルコキシ基、フッ素置換低級アルコキシ基または保
護基で保護された水酸基を示す。R2およびR3は同一
または相異なって低級アルキル基、水酸基置換低級アル
キル基、カルバモイル置換低級アルキル基、またはシア
ノ置換低級アルキル基を示すか、R2は水素原子であっ
てR3は低級アルコキシ基またはハロゲン原子で置換さ
れてもよい低級アルキル基を示すか、あるいは式: 【化25】 で示される基は、窒素原子1個を含有する飽和の4〜5
員複素環式を示し、それらは低級アルキル基、水酸基ま
たは水酸基置換低級アルキル基で置換されていてもよ
い。R4はカルボキシル基または保護基で保護されたカ
ルボキシル基を示す。)で表わされる7−アシル−3−
置換カルバモイルオキシセフェム化合物またはその医薬
として許容される塩〔ただし、Aが−CH=で、R1が
水酸基、メトキシ基またはアセトキシ基で、R2及びR
3が共にメチル基で、R4がカルボキシル基、または低
級アルカノイルオキシ低級アルキル基、低級アルコキシ
カルボニルオキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アル
キル基、複素環基、置換基を有していてもよいベンゾイ
ルオキシ低級アルキル基(置換ジオキシレン)低級アル
キル基、シクロアルカノイル置換低級アルカノイル低級
アルキル基、シクロアルキルオキシカルボニルオキシ低
級アルキル基から選ばれる基で保護されたカルボキシル
基は除く〕を有効成分として成る抗菌剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09212687A JP3143829B2 (ja) | 1990-11-09 | 1997-07-24 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製法 |
Applications Claiming Priority (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-302783 | 1990-11-09 | ||
JP2302783A JPH04178392A (ja) | 1990-11-09 | 1990-11-09 | 7―アシル―3―置換カルバモイルオキシセフェム化合物およびその製造法 |
JP3040747A JPH05331174A (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物およびその製造法 |
JP3-40747 | 1991-02-14 | ||
JP6770991A JPH04282388A (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 7−置換−3−ジメチルカルバモイルオキシメチル−3−セフェム化合物の製造法およびその中間体 |
JP3-67709 | 1991-03-08 | ||
JP3-169512 | 1991-04-12 | ||
JP16951291A JPH05331173A (ja) | 1991-04-12 | 1991-04-12 | 7−置換−3−アリールオキシカルボニルオキシメチル−3−セフェム化合物及びその製造法 |
JP09212687A JP3143829B2 (ja) | 1990-11-09 | 1997-07-24 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3317319A Division JP2867192B2 (ja) | 1990-11-09 | 1991-11-06 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1067784A JPH1067784A (ja) | 1998-03-10 |
JP3143829B2 true JP3143829B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=27460944
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3317319A Expired - Fee Related JP2867192B2 (ja) | 1990-11-09 | 1991-11-06 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製造法 |
JP09212687A Expired - Fee Related JP3143829B2 (ja) | 1990-11-09 | 1997-07-24 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3317319A Expired - Fee Related JP2867192B2 (ja) | 1990-11-09 | 1991-11-06 | 7−アシル−3−置換カルバモイルオキシセフェム化合物及びその製造法 |
Country Status (20)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US5559225A (ja) |
EP (4) | EP1074553A1 (ja) |
JP (2) | JP2867192B2 (ja) |
KR (1) | KR0166378B1 (ja) |
CN (2) | CN1038589C (ja) |
AT (2) | ATE200492T1 (ja) |
AU (2) | AU654300B2 (ja) |
CA (1) | CA2054895C (ja) |
DE (2) | DE69132580T2 (ja) |
DK (1) | DK0484966T3 (ja) |
ES (1) | ES2155433T3 (ja) |
FI (1) | FI915245A (ja) |
GR (1) | GR3036157T3 (ja) |
HU (1) | HU221429B (ja) |
IL (3) | IL99898A (ja) |
NO (1) | NO302417B1 (ja) |
NZ (1) | NZ240441A (ja) |
PT (1) | PT99468B (ja) |
RU (1) | RU2091378C1 (ja) |
YU (1) | YU48399B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05230068A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-09-07 | Kyoto Yakuhin Kogyo Kk | 3−ジ置換カルバモイルオキシメチルセファロスポリン化合物、その製造法および中間体化合物 |
AT401651B (de) * | 1994-06-14 | 1996-11-25 | Biochemie Gmbh | 7-(2-(2-aminothiazol-4-yl)-2-(z)- hydroximinoacetamido)-3-n,n- dimethylcarbamoyloxymethyl-3-cephem-4- |
KR100197788B1 (ko) * | 1995-06-30 | 1999-06-15 | 김충환 | 세펨 유도체의 제조방법 |
US6093814A (en) * | 1995-12-27 | 2000-07-25 | Hanmi Pharmaceutical Co., Ltd. | Process for preparation of cefdinir |
US7186855B2 (en) | 2001-06-11 | 2007-03-06 | Xenoport, Inc. | Prodrugs of GABA analogs, compositions and uses thereof |
US8048917B2 (en) | 2005-04-06 | 2011-11-01 | Xenoport, Inc. | Prodrugs of GABA analogs, compositions and uses thereof |
CA2491503A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-24 | Chic Optic Inc. | Eyeglasses with living hinge |
CN102633816A (zh) * | 2012-03-30 | 2012-08-15 | 李莎 | 头孢西丁酯化前体药物化合物及口服制剂 |
US11222768B2 (en) * | 2018-09-07 | 2022-01-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Foam in ion implantation system |
CN112321606B (zh) * | 2020-11-04 | 2022-05-17 | 福安药业集团重庆博圣制药有限公司 | 头孢唑肟钠及其中间体的制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7412541A (nl) * | 1973-10-12 | 1975-04-15 | Merck & Co Inc | Werkwijze voor het bereiden van cefalosporinen, ijze ter bereiding van farmaceutische raten, alsmede de door toepassing daarvan ardigde voorwerpen. |
DK154939C (da) * | 1974-12-19 | 1989-06-12 | Takeda Chemical Industries Ltd | Analogifremgangsmaade til fremstilling af thiazolylacetamido-cephemforbindelser eller farmaceutisk acceptable salte eller estere deraf |
DE2760484C2 (ja) * | 1976-04-14 | 1992-12-03 | Takeda Chemical Industries, Ltd., Osaka, Jp | |
JPS6011713B2 (ja) * | 1976-09-08 | 1985-03-27 | 武田薬品工業株式会社 | セフアロスポリン誘導体およびその製造法 |
US4327093A (en) * | 1978-10-24 | 1982-04-27 | Fujisawa Pharmaceutical Co., Ltd. | 3,7-Disubstituted-2 or 3-cephem-4-carboxylic acid compounds |
JPS60190783A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-09-28 | Sumitomo Seiyaku Kk | セフエム系化合物 |
DK500285A (da) * | 1984-11-02 | 1986-05-03 | Glaxo Group Ltd | Cephalosporinantibiotika |
US4705704A (en) * | 1985-10-01 | 1987-11-10 | General Electric Company | Novel aminofunctional polysiloxane emulsions for treating textiles |
FI872879A (fi) * | 1986-07-21 | 1988-01-22 | Sankei Yakuhin Kk | --laktamfoerening, foerfarande foer dess framstaellning, denna innehaollande laekemedelskomposition foer behandling av sjukdom med bakterieinfektion samt mellanprodukter foer dess syntes. |
GB8623211D0 (en) * | 1986-09-26 | 1986-10-29 | Glaxo Group Ltd | Chemical compounds |
AU1630988A (en) * | 1987-05-30 | 1988-12-01 | Kyoto Pharmaceutical Industries, Ltd. | Cephalosporin compound and pharmaceutical composition thereof |
JPH0796240B2 (ja) | 1987-08-13 | 1995-10-18 | 小島プレス工業株式会社 | 表皮を有する複合成形体 |
GB2210876A (en) * | 1987-10-14 | 1989-06-21 | Glaxo Group Ltd | Cephalosporins |
DK637888A (da) * | 1987-11-24 | 1989-05-25 | Hoffmann La Roche | Carboxylsyreestere |
CN1018091B (zh) * | 1988-01-11 | 1992-09-02 | 吉林工业大学 | 晶体管噪声成份分析与测试系统 |
CN1015637B (zh) * | 1988-02-25 | 1992-02-26 | 中国石油化工总公司石油化工科学研究院 | 含β沸石的烃重整催化剂 |
GB8907617D0 (en) * | 1989-04-05 | 1989-05-17 | Celltech Ltd | Drug delivery system |
JPH0346474A (ja) | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報信号記録円盤及びその記録装置 |
EP0531875B1 (de) * | 1991-09-07 | 2004-03-24 | Aventis Pharma Deutschland GmbH | Diastereomer des 3-Cephem-4-carbonsäure-1-(-isopropoxycarbonyloxy)ethylesters und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
1991
- 1991-10-30 IL IL9989891A patent/IL99898A/en not_active IP Right Cessation
- 1991-10-30 IL IL113744A patent/IL113744A/en not_active IP Right Cessation
- 1991-11-01 NZ NZ240441A patent/NZ240441A/xx unknown
- 1991-11-04 CA CA002054895A patent/CA2054895C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-06 JP JP3317319A patent/JP2867192B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-06 FI FI915245A patent/FI915245A/fi not_active Application Discontinuation
- 1991-11-06 RU SU915010276A patent/RU2091378C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1991-11-07 AU AU87096/91A patent/AU654300B2/en not_active Ceased
- 1991-11-08 YU YU178391A patent/YU48399B/sh unknown
- 1991-11-08 DK DK91119065T patent/DK0484966T3/da active
- 1991-11-08 EP EP00121333A patent/EP1074553A1/en not_active Withdrawn
- 1991-11-08 AT AT91119065T patent/ATE200492T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-11-08 PT PT99468A patent/PT99468B/pt not_active IP Right Cessation
- 1991-11-08 DE DE69132580T patent/DE69132580T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-08 DE DE69132578T patent/DE69132578T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-08 ES ES91119065T patent/ES2155433T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-08 EP EP91119065A patent/EP0484966B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-08 CN CN91109453A patent/CN1038589C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-08 HU HU520/91A patent/HU221429B/hu not_active IP Right Cessation
- 1991-11-08 AT AT96116684T patent/ATE200291T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-11-08 KR KR1019910019872A patent/KR0166378B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-11-08 EP EP96116684A patent/EP0761671B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-08 EP EP00121335A patent/EP1074554A3/en not_active Withdrawn
- 1991-11-08 NO NO914375A patent/NO302417B1/no not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-11-09 AU AU50571/93A patent/AU671310B2/en not_active Ceased
-
1994
- 1994-03-14 US US08/209,484 patent/US5559225A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-02-23 US US08/393,074 patent/US5563265A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-16 IL IL11374495A patent/IL113744A0/xx unknown
- 1995-06-05 US US08/464,341 patent/US5741902A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-05 US US08/463,353 patent/US5604217A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-02 CN CN96102563A patent/CN1056847C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-27 US US08/671,342 patent/US5587473A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-24 JP JP09212687A patent/JP3143829B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-06-29 GR GR20010401008T patent/GR3036157T3/el not_active IP Right Cessation
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |