JPH03128381A - チアゾリルアセトアミド―３―セフェム誘導体 - Google Patents

チアゾリルアセトアミド―３―セフェム誘導体

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JPH03128381A
JPH03128381A JP2181608A JP18160890A JPH03128381A JP H03128381 A JPH03128381 A JP H03128381A JP 2181608 A JP2181608 A JP 2181608A JP 18160890 A JP18160890 A JP 18160890A JP H03128381 A JPH03128381 A JP H03128381A
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Manabu Sasho
学 佐生
Hiroshi Yamauchi
博 山内
Motosuke Yamanaka
基資 山中
Takaharu Nakamura
中村　隆晴
Kamamasa Katsu
勝　鎌政
Isao Sugiyama
功 杉山
Takeki Komatsu
雄毅 小松
Shigeto Negi
茂人 根木
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Eisai Co Ltd
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Eisai Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、医薬として優れた作用を有する新規なチアゾ
リルアセトアミド−３−セフェム誘導体に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕ヨーロ
ッパ特許出願第３０６３０号明細書には、式（ここで、
Ｒは低級アルキル基、低級アルケニル基、低級アルキニ
ル基又はカルボキシ低級アルキル基である。） で表される化合物を含む７−アシルアミノ−３−ビニル
セファロスポラン酸誘導体が開示されている。
又、特開昭５９−８９０８９号公報には７−置換−３−
ビニル−３−セフェム化合物として、一般式〔式中、Ｒ
１はアミノ基又は保護基で保護されたアミノ基、Ｒ２は
カルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキシル基
をそれぞれ意味する。）で表される化合物が開示されて
いる。
一方、特開昭６２−４９１号公報には下記一般式で示さ
れる化合物が開示されている。
（式中、Ｒ３は水素原子又は通常のアミノ保護基であり
、Ｒ４は水素原子、１〜４個の炭素原子を有する直鎖又
は技分かれ鎖のアルキル基、２〜４個の炭素原子を有す
るアルケニル又はアルキニル基、３〜６個の炭素原子を
有するシクロアルキル基、３〜６員環及び４〜１０個の
炭素原子を有するシクロアルキルアルキル基、あるいは
２〜４個の炭素原子を有するアルカノイル基であり、Ｒ
５は水素原子、１〜３個の炭素原子を有する低級アルキ
ル基、１〜３個の炭素原子を有する低級アルコキシ基、
２〜３個の炭素原子を有する低級アルカノイルオキシ基
であり、Ｒ＆は水素原子又は生理的に加水分解可能なエ
ステル基、例えばアセトキシメチル、ｌ−アセトキシエ
チル、ピバロイルオキシメチル、５−メチル−２−オキ
ソ−１，３−ジオキソレン−４−イルメチル、１−（エ
トキシカルボニルオキシ）エチル、又は４−グリシルオ
キシベンゾイルオキシメチル基である〕。
しかし、これらはいずれも十分な抗菌力が得られていな
い。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは、３位にシクロプロピル置換ビニル基を有
する新規なチアゾリルアセトアミドセフエム誘導体が優
れた抗菌力を有することを見い出し、既に特許出願した
。
更に、検討の結果、このチアゾリルアセトアミドセフェ
ム誘導体に特定の置換基を有するビニル基を導入するこ
とにより、優れた抗菌力を有する化合物が得られること
を見出し、この新規チアゾリルアセトアミド−３−セフ
ェム誘導体が種々の病原菌に対して高い活性を有する抗
菌剤、特に経口投与用の抗菌剤として有用であることを
見い出し本発明を完成するに到った。
即ち、本発明は下記一般式（１）で表されるチアゾリル
アセトアミド−３−セフェム誘導体及びその医薬として
許容される塩、及びその製造法並びにそれからなる抗菌
剤を提供するものである。
１（’ 〔式中、Ｒ１は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。Ｒ
２はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキシ
ル基を示す。Ｒ３は−ＣＨｚＯＣＯＮＨ２基、Ｃ１１２
０ＣＯＮＨＲ’基 （ここでＲ４ は低級アルキル基を 上記式中、Ｒ１で示される低級アルコキシ基としては、
メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ
、ｎ−ブトキシ、５ｅｃ−ブトキシ、し−ブトキシなど
の炭素数１〜４のアルコキシ基が挙げられる。Ｒ４で示
される低級アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−
プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−ブチル
、ｔ−ブチルなどの炭素数１〜４のアルキル基が挙げら
れる。
Ｒ２のカルボキシル基の保護基としては、メチル、エチ
ル、ｔ−ブチルなどの低級アルキルＭａｐメトキシベン
ジル、ｐ−ニトロベンジル、３，４ジメトキシベンジル
、ジフェニルメチル、トリチル、フェネチルなどの置換
基を有していてもよいフェニル基で置換された低級アル
キル基；　　２．２．２−トリクロロエチル、２−ヨー
ドエチルナトのハロゲン化低級アルキル基；ピバロイル
オキシメチル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシ
メチル、ブチリルオキシメチル、バレリルオキシメチル
、ｌ−アセトキシエチル、２−アセトキシエチル、１−
ピバロイルオキシエチル、２−ピバロイルオキシエチル
などの低級アルカノイルオキシ低級アルキル基；バルミ
トイルオキシエチル、ヘプタペカノイルオキシメチル、
ｌ−パルごトイルオキシエチルなどの高級アルカノイル
オキシ低級アルキル基；メトキシカルボニルオキシメチ
ル、１−ブトキシカルボニルオキシエチル、１−Ｌ−ブ
トキシカルボニルオキシエチル、１−エトキシカルボニ
ルオキシエチル、Ｉ−（イソプロポキシカルボニルオキ
シ）エチルなどの低級アルコキシカルボニルオキシ低級
アルキル基：カルボキシメチル、２−カルボキシエチル
などのカルボキシ低級アルキル基；３−フタリジルなど
の複素環基；４−グリシルオキシベンゾイルオキシメチ
ル、４−（Ｎ−＜ｔ−ブトキシカルボニル）グリシルオ
キシ〕ベンゾイルオキシメチルなどの置換基を有してい
でもよいベンゾイルオキシ低級アルキル基；（５−メチ
ル−２−オキソ−１，３−ジオキソレン−４−イル）メ
チルなどの（置換ジオキソレン）低級アルキル基；１−
シクロへキシルアセチルオキシエチルなどのシクロアル
キル置換低級アルカノイルオキシ低級アルキル基、１−
シクロへキシルオキシカルボニルオキシエチルなどのシ
クロアルキルオキシカルボニルオキシ低級アルキル基等
が挙げられる。
要するに、何らかの手段で分解されてカルボン酸となり
得る保８ｉ基であればいかなる基でもよい。
また、医薬として許容される塩としては、例えばナトリ
ウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩；アンモニウ
ム塩；テトラエチルアンモニウム塩、ベタイン塩などの
４級アンモニウム塩：カルシウム塩、マグネシウム塩な
どのアルカリ土類金属塩；塩酸塩、臭化水素酸塩、沃化
水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩などの無機酸塩；
酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩などの有機カ
ルボン酸塩；メタンスルホン酸塩、ヒドロキシメタンス
ルホン酸塩、ヒドロキシェタンスルホン酸塩、タウリン
塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩など
の有機スルホン酸塩；アルギニン塩リジン塩、セリン塩
、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン塩など
のアミノ酸塩；トリメチルアミン塩、トリエチルアミン
塩、ピリジン塩プロカイン塩、ピコリン塩、ジシクロヘ
キシルアミン塩、Ｎ、Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミ
ン塩。
Ｎ−メチルグルカミン塩、ジェタノールアミン塩、トリ
エタノ−ルア旦ン塩、トリス（ヒドロキシメチルアミノ
）メタン塩、フェネチルベンジルアごン塩などのアミノ
基などが挙げられる。
本発明化合物は次に示す方法により製造することができ
る。
髪−汰一土 次式 （式中、Ｒ５はアミノ基又は保護基で保護されたアく）
基を示す。Ｒ６は水酸基、低級アルコキシ基又は保護基
で保護された水酸基を示す。Ｒ２は前記と同様の意味を
有する。） で表される化合物あるいはそれらの塩と、ハロゲン化ス
ルホニルイソシアネートとを反応させ、必要によりアミ
ノ基、水酸基又はカルボキシル基の保護基を脱離し、式 （式中Ｒ１及びＲ２は前記と同様の意味を有する。
で表される化合物及びその医薬として許容される塩を得
ることができる。
上記反応は、ジクロルメタン、クロロホルム、テトラヒ
ドロフラン、アセトン、酢酸エチル、ジメチルスルホキ
シド、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の不活性溶媒中
、反応温度−５０″Ｃ〜５０°Ｃで行うことができる。
保護基の脱離は、用いた保護基の種類に応じて、常法に
より行うことがで） きる。
アミノ基の保護基としては、例えばホルミル基、アセチ
ル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、フェニ
ルアセチル基、チエニルアセチル基、Ｌ−ブトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチル基、
ｐ−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ベンジ
リデン基、ｐ−ニトロベンジリデンＬ　ｍ−ニトロベン
ジリデン基、３．４−メチレンジオキシベンジリデン基
、ｍ−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
ハイドロキシイミノ基の保護基としてはトリチル基、テ
トラハイドロピラニル基などが挙げられる。
製−」Ｅ−２ 次式 （式中、Ｒ２、Ｒｓ　、Ｒ６は前記と同様の意味を有す
る。） で表される化合物あるいはそれらの塩と、式Ｒ４−Ｎ＝
Ｃ＝Ｏ（ここでＲ４は前記と同様の意味を有する）で表
されるアルキルイソシアネートとを反応させ、必要によ
りアミノ基、水酸基又はカルボキシル基の保護基を脱離
し、式 （式中Ｒ１、Ｒ２，Ｒ４は前記と同様の意味を有する。
） で表される化合物及びその医薬として許容される塩を得
ることができる。
上記反応は、ジクロルメタン、クロロホルム、テトラビ
トロフラン、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エタ
ノール、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン、
ヘキサン等の不活性溶媒中、反応温度−１０’Ｃ〜５０
°Ｃで行うことができる。
保護基の脱離は、用いた保護基の種類に応じて、常法に
より行うことができる。
アミノ基の保護基としては、例えばホルミル基、アセチ
ル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、フェニ
ルアセチル基、チエニルアセチル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチル基、
ｐ−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ベンジ
リデン基、ｐ−ニトロベンジリデン基、ｍ−ニトロベン
ジリデン基、３．４−メチレンジオキシベンジリデン基
、ｍ−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
ハイドロキシイミノ基の保護基としてはトリチル基、テ
トラハイドロピラニル基などが挙げられる。
製−」Ｌ−１ 次式 （式中、Ｂ、ｚ、Ｒ３は前記と同様の意味を有する。）
で表される化合物あるいはそれらの塩と、式（式中、Ｒ
ｓ、Ｒｈは前記と同様の意味を有する。
で表される化合物又はその反応性ＭＢｇ導体又はそれら
の塩とを反応させ、必要によりアミノ基、水酸基又はカ
ルボキシル基の保護基を脱離し、弐） （式中Ｒ１、ＲＺ、Ｒ３は前記と同様の意味を有する。
） で表される化合物及びその医薬として許容される塩を得
ることができる。
上記反応は、ジクロルメタン、クロロホルム、テトラヒ
ドロフラン、アセトン、酢酸エチル、ジメチルスルホキ
シド、ベンゼン、トルエン、ヘキサン等の不活性溶媒中
、反応温度−５０’Ｃ〜５０℃で行うことができる。保
護基の脱離は、用いた保護基の種類に応じて、常法によ
り行うことができる。
カルボキシル基に保護基を導入するには、通常の方法に
よりエステル化することにより行うことができる。
アミノ基の保護基としては、例えばホルミル基、アセチ
ル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、フェニ
ルアセチル基、チエニルアセチル基、ｔ−ブトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチル基、
ｐ−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ベンジ
リデンＬ　ｐ−ニトロベンジリデン基、ｍ−ニトロベン
ジリデン基、３．４−メチレンジオキシベンジリデン基
、ｍ−クロルベンジリデン基などが挙げられる。
ハイドロキシイミノ基の保ｉ１基としてはトリチル基、
テトラハイドロピラニル基などが挙げられる。
上記の如き方法により得られた本発明の化合物は優れた
抗菌活性を有し、特に経口用抗菌剤として有用である。
本発明化合物の急性毒性値（ＬＤＳ。（マウス、経口）
〕はいずれも２ｇ／ｋｇ以上であった。
本発明化合物を抗菌剤として使用する際には、通常１日
１００■〜５ｇを１〜４回にわけて経口あるいは非経口
的に投与することができる。なお、その投与量は年齢、
症状により増減される。
製剤としては、錠剤、顆粒剤、散剤、カプセル剤、シロ
ップ剤、液剤などが挙げられる。これらは、公知の製剤
担体を加え、常法により製造することができる。
次に実施例を示し、本発明を更に詳しく説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
尚、本発明の化合物の原料となる化合物の合成例を製造
例として示す。式中Ｔｒｔはトリチル基を意味する。
製造例１ Ｃ１１３ ＣＨ３ ７−（（Ｚ）−２−（２−）ジチルアミノチアゾール−
４−イル）−２−トリチルオキシイミノアセトアミド〕
−３−（トリフェニルホスホラニリデン）メチル−３−
セフェム−４−カルボン酸　４−メトキシフェニルメチ
ル９．０７　ｇ　（７，２７ｍｍｏｌ、）と１−ブチル
ジメチルシリルオキシアセトアルデヒド１．８　ｇ　（
１０，３４ｍｍｏｌ）とのジクロロメタン１００ｎ＋１
２溶液を室温下１６時間撹拌した。溶媒を減圧留去後、
残渣をシリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフ
ィー（ｎ−へキサン：酢酸エチル＝２．５：１）で精製
し、目的化合物を４．９９　ｇ　（４，３６ｍｍｏＱ。
６０．０％）得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ０．２０（６Ｈ，ｂｓ、ＣＨｓＸ２）、１．０４（９Ｈ
，ｂｓ、Ｃ（ＣＨｚ）＋）。
３．４０””３．６０（２８，ｍ、Ｃ１１ｚ）、　３．
８８（３Ｈ，ｓ、０Ｃｔ１３）。
４．２０〜４．４０（２Ｈ，ｍ、−Ｃ１１ｚＯ５ｉ）、
５．００〜５．２０（ＬＨ。
ｍ、ＣＨ）、　　５．２８（２Ｈ，Ｓ、Ｃ０２ＣＨ２）
、　　５．６０〜６．４０（３Ｈ。
ｍ、Ｃ１ｌ、　−ＣＨ＝ＣＨ−）、　６．５６（ＩＨ，
ｓ、チアゾールＨ）。
６．９０〜７．８０（３４Ｈ，ｍ、Ｐｈ−ＨＸ３４）製
造例２ 製造例Ｉで得られた化合物４．９９ｇ（４，３６ｍｍｏ
ｆ）のアセトン５０ｍｊ！溶液にＩＮ−塩酸Ｉｏｎ／！
を加え、室温下２時間撹拌した。アセトンを減圧留去後
、水を加え酢酸エチルで抽出した。
抽出液を水洗、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム
を加え乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲ
ルを充填剤としたカラムクロマトグラフィーで精製し、
目的化合物を２．２ｇ（２，１４ｎｕ＋＋ｏｆ、４９．
０％）得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ３．２４（２１’ｌ、ＡＢｑ、Ｊ＝１８．０Ｈｚ、ＣＨ
ｚ）、　３．８０（３Ｈ１Ｓ、０ＣＨ３）。
３．９０〜４．１０（２Ｈ，ｍ＋−ＣＨｚＯ−）、　５
．０２（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ。
ＣＩ（）、５．１６（２Ｈ，ｓ、Ｃ０ｚＧＨｚ−）、５
．６０〜６．０Ｏ（２Ｈ，ｍ。
ＣＨ，＝Ｃｔｌ−）、　６．１４（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１２
．５Ｈｚ、−ＣＨ＝）、　６．４２（ＩＨ，ｓ、チアゾ
ールＨ）、　６．８０〜７．７０（３４Ｈ，ｐＨ−）Ｉ
Ｘ３４） Ｍａｓｓ（ｍ／Ｚ）　：　１１０２９（”）、　１１０
３０（”＋　１　）製造例３ セ　エムーーカルポン　　−　　キシフェニルメチル チッソ気流下、製造例２で得られた化合物３８６■（０
，３７５ｎｕｗｏｆｆｉ）の乾燥テトラヒドロフラン溶
液１５ｍｊ！を一５０″Ｃに冷やし、クロロスルホニル
イソシアナート０．０８　ｔａｎ　（０，９１９ｍｍｏ
ｆ）を滴下した。−２０°Ｃで１時間撹拌後、ｐｔｔ７
緩衝液１５ｔａｎ、酢酸エチルを加え徐々に室温にし、
２０分撹拌した。酢酸エチル層を水洗、飽和食塩水洗後
、硫酸マグネシウムを加え乾燥した。溶媒を減圧下濃縮
後、酢酸エチル溶液をｎ−ヘキサン８０＋ｆ！に滴下し
析出した結晶を濾過、乾燥することにより目的化合物を
４００　Ｍ（０，３７２ｍｍｏ　ｌ　、　　９９．４％
）得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ３．２６（２ＬＡＢｑ、Ｊ＝１８．ＯＫ、ＣＬ）２３．
７８（３Ｈ，Ｓ、０ＣＲ３）。
４．２５〜４．５０（２Ｌｍ、Ｃ１ｈ）、４．８０（２
Ｈ，ｂｒ−ｓ、０ＣＯＮＨ，）。
５．００（ＩＨ，ｄ、Ｊ□４．８Ｈｚ、ＣＩ）、　５．
１６（２Ｈ，ｓ、−（：０ｔＧＨｚ−）。
５．５０〜５．７０（ＩＨ，ｍ、＝ＣＨ−）、　５．９
６（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．４゜４．８Ｈｚ、ＣＨ）、　
６．２４（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝１２．５Ｈｚ、−ＣＨ＝）、
　６．４６（ＩＨ＋ｓ＋チアゾールＨ）、　６．８０〜
７．７０（３４Ｈ，ｍ、ＰｈＨＸ３４） Ｍａｓｓ（ｍ／Ｚ）　　：　　１１０７２（”）、　　
１１０７３（”＋　１　）製造例４ ７−　（（Ｚ）−２−（２−１−リチルアミノチアゾー
ルー４−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド）−
３−（トリフェニルホスホラニリデン）メチル−３−セ
フェム−４カルボン酸　４−メトキシフェニルメチル１
０．５　ｇ（１０，３０ｍｍｏｆ）とｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシアセトアルデヒド２．５８　ｇ　（１４
，８３開ｏ１”）とのジクロロメタン１００ｍｊ２溶液
を室温下１６時間撹拌した。溶媒を減圧留去後、残渣を
シリカゲルを充填剤としたカラムクロマトグラフィー（
ｎヘキサン；酢酸エチル＝２．５：１）で精製し、目的
化合物を４．３０ｇ　（４，７２ｍｍｏｊ２．　４５．
８％）得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｆ　３）　　δ： ０．２０（６Ｈ，ｂｒ−ｓ、ＣＨ，、Ｘ２）、　１．０
４（９Ｈ＋ｂｒ−ｓ、Ｃ（ＣＨｉ）３）。
３．５５〜３．８０（２Ｈ，ｍ、ＣＨｚ）＋　３．９２
（３８，ｓ、０ＣＨ３）。
４．１０（３Ｈ，Ｓ、０Ｃ）１３）、４．１０〜４．３
０（２Ｈ，ｍ、−ＣＨｚＯＳｉ）。
５．１０〜５．３０（３Ｈ，ｍ、ＣＩ＋、Ｃ０ｚＣＨｚ
）、５．７０〜６．４０（３＋１゜ｍ、ＣＨ，−ＣＨ＝
ＣＨ−）、　６．６０〜７．６０（２０Ｈ，ｍ、チアゾ
ールＨ，Ｐｈ−Ｈｘ　１９） 製造例５ 製造例４で得られた化合物４．３０ｇ（４，７２ｍｍｏ
ｆ）のアセトン５０ｍｆ溶液にＩＮ−塩酸１０ｍｊｌ！
を加え、室温下２時間撹拌した。アセトンを減圧留去後
、水を加え酢酸エチルで抽出した。
抽出液を水洗、飽和食塩水洗後マグネシウムを加え乾燥
した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルを充填剤
としたカラムクロマトグラフィーで精製し目的化合物を
２．１　ｇ　（２，６２ｍｍｏｆ、　　５５．５％）得
た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ３．３４（２Ｈ，＾Ｂｑ、Ｊ＝１８．０Ｈｚ、ｃ＋Ｉｚ
）、　３．７２（３Ｈ，ｓ、０ｃＨｓ）。
４．００（３８，Ｓ、０ＣＨ３）、　３．８５〜４．１
５（２８，ｎ＋、−ＣＨｚＯ−）。
５．００（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５．１Ｈｚ、ＣＨ）、　５．
０８（２Ｈ，ｓ、Ｃ０ｚＣＨｚ）。
５．５５〜５．９５（２Ｈ，ｍ、ＣＨ，＝ＣＨ−）、　
６．１０（１８，ｄ、Ｊ＝１１．５Ｈｚ、−ＣＨ＝）、
　６．５６（ＩＨ，ｓ、チアゾールＨ）、　６．７０〜
７．４０（１９Ｈ，ｍ、Ｐｈ−ＨＸ１９）製造例６ ３−カルバモイルオキシ−ｌ−プロペニル　−３−セフ
ェム−４ カルボン メ トキシフェニルメチル チッソ気流下、製造例５で得られた化合物２．１ｇ　（
２，６１９ｍｍｏ　ｌ　）の乾燥テトラヒドロフラン溶
液３０ｍ１を一５０°Ｃに冷やし、クロロスルホニルイ
ソシアナー）　１　ｎ＋ｆｆ１（１１，４９ｍｍｏｆ）
を滴下した。
−２０°Ｃで１時間撹拌後、ｐＨ７緩衝液３０ｍｆｆ１
、酢酸エチルを加え徐々に室温にし、２０分撹拌した。
酢酸エチル層を水洗、飽和食塩水洗後、硫酸マグネシウ
ムを加え乾燥した。溶媒を減圧下濃縮後、酢酸エチル溶
液をｎ−へキサン２０Ｏｎ／！に滴下し析出した結晶を
濾過、乾燥することにより目的化合物を１．４　ｇ　（
１，６５７叩ｏｆｆｉ、６３．３％）得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ３．２４（２Ｈ１ＡＢｑ、Ｊ＝１８．０Ｈｚ、ＣＨｚ）
＋　３．７２（３１（、ｓ、０ＣＨ３）。
３．９８（３Ｈ，ｓ、０ＣＲ１）、　４．３０〜４．６
０（２Ｈ，ｍ、ＣＨｚ）。
４．８４（２Ｈ，ｂｒ−ｓ、０ＣＯＮｌｂ）、５．００
（ＩＨｌｄ、Ｊ＝５．１１ｚ、Ｃ１１）＋５．０８（２
Ｈ，ｓ、Ｃ（ｈＣ）ｌｚ−）＋　　５．５０〜５．９５
（２Ｈ，ｍ、ＣＨ，＝ＣＩＩ−）６．１７（ＩＨ，ｄ、
Ｊ＝１１．５Ｈｚ、−ＣＩＩ＝）、　６．５４（ＩＨ，
ｓ、チアゾールＨ）、　６．７０〜７．４０（１９８，
ｍ、　Ｐｈ−ＨＸ１９）製造例７ 製造例２で得られた化合物２　ｇ　（１，９４４ｍｍｏ
ｆｆｉ　）の乾燥テトラヒドロフラン４０ｍｌ１溶液に
メチルイソシアナート８８７■（１５，５４８ｍｍｏｊ
り　、触媒量のトリエチルアミンを加え、６０℃で４時
間加熱した。溶媒を減圧下留去後、残渣をシリカゲルを
充填剤としたカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタ
ン：アセトン＝９５：５）で精製し目的化合物を１　ｇ
　（０，９２０ｍｍｏｊ２．　４７．３％）得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｉ　３）　　δ： ２．６６（３Ｌｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、ＮＨ−Ｃｊｊｌ）
、３．２５（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１８．０Ｈｚ＋ＣＨｚ
）、３．７４（３Ｈ，ｓ、ＯＣＨ：ｌ）、　４．３０〜
４．７０（２Ｈ，ｍ、ＣＨｚ）、　５．０２（ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝４．８Ｈｚ、ＣＩ）、　５．１０（２Ｎ。
ｓ、Ｃ０ｚＧＨｚ）＋　５．５５〜５．８０（ＩＨ，ｍ
、＝ＣＨ−）、５．９６（１）１゜ｄｄ、Ｊ＝８．１．
４．８Ｈｚ、ＣＨ）、　６．１８（１８，ｄ、Ｊ＝１１
．８Ｈｚ、−ＣＨ＝）。
６．４０（ＩＨ，ｓ、チアゾールＨ）、　６．８０〜７
．６０（３４Ｈ，ｍ。
ｐｈ−ＨＸ３４） 製造例８ ジベンジルＥ・ ７−ホルムアミド−３−（（Ｅ）−３−ヨード−１−プ
ロペン−１−イル〕−３−セフェムー４−カルボン酸　
パラメトキシベンジル１９．２　ｇをジメチルホルムア
ミド９６ｎ／！に溶解後、水冷下１Ｈ−テトラゾールの
ナトリウム塩（Ｔｚ−Ｎａ）を３．２ｇ加える。その温
度で３０分間撹拌後、反応液を冷ＩＮ塩酸−酢酸エチル
混液に加え、有機層を分ける。水、飽和食塩水洗浄後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮後カラムクロマト
グラフィーに付し、２種類の目的化合物（Ａ）　、　（
Ｂ）をそれぞれ６．２ｇ、３．６ｇ得る（薄層板上でＲ
ｆ値が小さいものを（Ａ）、大きいものを（Ｂ）　　と
する）。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　ｓ）　　δ： （Ａ）；　３．７５（３Ｈ，ｓ）、　４．９０（１８，
ｄ、Ｊ＝５Ｈｚ）、　５．１４（２Ｈ，ｓ）。
５．６５〜６．１５（２Ｂ、ｍ）、　６．７０〜７．３
０（ｍ）、　８．１５（ＩＨ，ｓ）、　８．５８（ＩＨ
，５）（Ｂ）：　３．７６（３Ｈ，ｓ）、　４．９３（
ＩＨ，ｃｌ、Ｊ＝５Ｈｚ）、　５．１６（２Ｈ，ｓ）。
５．６０〜６．２０（２）１．ｍ）、　６．５０〜７．
４０（ａ＋）、　８．１５（ＩＨ，ｓ）、　８．４２（
ＩＨ，ｓ）製造例９ ボン　　パー１　　ジベンジルＥ・ 製造例８で得られた化合物（Ｂ）Ｉｇをメタノール−テ
トラヒドロフラン（％）の溶液２０ｎｌに溶解後、濃塩
酸１ｍｌを加え、室温で７時間撹拌する。溶媒を減圧留
去後、酢酸エチル、５％炭酸水素ナトリウム水溶液を加
える。有機層を飽和食塩水洗浄、硫酸ナトリウムで乾燥
した後、減圧留去し、７−アミノ体９４０　ｍｇを得る
。次いで、この化合物をジメチルホルムアミド２８ｎ＋
４２に溶解し、２−（２−トリチルアミノチアソール−
４−イル）−２−）リチルイミノオキシ酢酸１．３３ｇ
、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール３２５■、及びジ
シクロへキシルカルボシイくド４５９■を加え、室温で
１２時間撹拌する。反応後、析出するジシクロヘキシル
尿素を濾去し、酢酸エチル−水の混液に加える。有機層
を分離し、飽和食塩水洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を減圧留去後、カラムクロマトグラフィーに付
し、目的化合物１．６１ｇを得る。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ３．２３（２Ｈ，ｂｒｓ）、　３．７０（３ｆｌ、ｓ）
、　４．８６（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５Ｈｚ）。
５．０〜５．２５（４Ｈ，ｍ）、　５．６５〜６．０５
（２Ｈ，ｍ）、　６．３６（ＩＨ，ｓ）、　６．６０〜
７．６０（ｍ）、　８．３０（ＩＨ，ｓ）製造例１０ ゾ１ルー１−フロベニルー１−イル−３−セフェム−４
カルボン パー１ キシベンジルＥ・ 製造例９と同様にして、製造例８で得られた化合物（Ａ
）より、目的化合物を得る。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　３）　　δ： ３．２５（２Ｈ，ｂｒｓ）、　３．７２（３Ｈ，ｓ）、
　４．７０〜５．００（３８，ｍ）。
５．１５（２Ｈ，ｓ）、　５．５５〜６．１０（２Ｈ，
ｍ）、　６．３６（ＩＨ，ｓ）６．５０〜７．６０　（
ｍ）　。
８．４２（ＩＨ，ｓ） 製造例１ （ｉｖ） （１）（ｉ）で示される化合物６９ｇをジメチルスルホ
キシド（ＤＭＳＯ）　６９０　ｒｎｌ、、水２１０ｍｆ
ｆ１に溶解後、酸化第一銅１７．９　ｇ加え、５０″Ｃ
に加温する。３０分復水冷し、不溶物を濾別する。濾液
に酢酸エチルを加え分液し、水洗後、硫酸ナトリウムで
乾燥する。溶媒を減圧留去後、エーテル−酢酸エチルの
混液で結晶化し、粗結晶７．４ｇを得る。これは、精製
しないで乾燥後、次の工程に使用した。
（２）上記で得られた結晶をテトラヒドロフラン（ＴＨ
Ｆ）１８５　ｍｌに溶解後、りＯＯスルホニルイソシア
ネート３．５ｍｆを一５０°Ｃ〜〜６０°Ｃで加える。
１時間後、反応液をリン酸バッファー３００ｎ／！に氷
冷下加える。室温にもどした後、酢酸エチルで分液し、
有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウム（Ｍｇ
ＳＯｎ）で乾燥する。溶媒を減圧留去後、カラムクロマ
トグラフィーに付し、化合物（ｉ：）を５３０ｍｇ得た
。
この化合物（ｉｉ）５３０ｍｇをＴＨＦ−ＭｅＯＨ（１
／１）３０ｍ１．に懸濁後、濃塩酸０．５３ｍｊ！加え
、室温で１．５時間撹拌後、更に濃塩酸０．５３ｍＮ加
え、４時間撹拌する。溶媒を減圧留去後、酢酸エチル−
５％炭酸水素ナトリウム水溶液（ＥｔＯＡｃ５％ａｑＮ
ａＨｃＯｓ）を加え分液する。有機層を飽和食塩水で洗
浄後、硫酸ナトリウム（ＮａｚＳＯ４）で乾燥する。溶
媒を減圧留去後、目的物を５００■得た。
ＮＭＲ（口ＭＳＯ−ｄａ）　　　δ　：３．７５（３Ｈ
，ｓ）、　４．４８（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ）、　５．
１５（ＩＨ，ｄ。
Ｊ＝５Ｈ２）、　５．１７（２Ｈ，Ｓ）、　５．７６（
ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８Ｈｚ、５Ｈｚ）。
６．０〜６．３（ＬＨ，ｎ＋）、　６．５１（２Ｂ、ｂ
ｒｓ）、　６．７３（ＬＨ，ｄ。
Ｊ＝１６Ｈｚ）、　６．９０（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ）
、　７．３３（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝９Ｈ２）、　８．１０（
１）Ｊ、５）、　９．０５（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８）１ｚ）
（３）　　（２）で得られた化合物５００ｍｇ、（Ｚ）
−２−（２−トリチルアミノチアゾール）−２−トリチ
ルオキシイミノ酢酸７０６ｇ、ハイドロキシベンツトリ
アゾール（ＨＯＢＴ）ＨｚＯ１７３ｍｇをジメチルホル
ムアミド（ＤＭＦ）１０　ｍｌに溶解後、Ｎ、Ｎ’−ジ
シクロへキシルカルボシイ【ド（ＤＣＣ）２４．４■加
え４時間撹拌する。ウレアを濾別後、濾液を酢酸エチル
−水溶液に投じ分液する。有機層をＨ，Ｏ飽和食塩水で
洗浄後、ＭｇＳＯ４で乾燥する。溶媒を減圧除去後、カ
ラムクロマトグラフィーに付し、化合物（ｉｎ）を６２
０■得た。
ＮＭＲ（ＣＤＣｌ　ｘ”）　　δ： ３．２６（２Ｈ，ｂｒｓ）、　３．７３（３Ｈ，ｓ）、
　４．４３Ｃ２Ｈ，ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ）、　４．８０（２
Ｈ，ｂｒｓ）、　４．９０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝５Ｈｚ）。
５．１６（２Ｈ，ｓ）、　５．６〜６．０（２Ｈ，ｍ）
、　６．４０（ＩＨ，ｓ）。
６．７０〜７．５（ｍ） 実施例１ ニー４−カルボン　　　　１　ム 製造例３で得られた化合物１．１４　ｇ　Ｃ１，０６２
ｍｒａｏｉｌ）をアニソール８　ｔａ、Ｈに溶解した溶
液に、水冷下トリフルオロ酢酸１０ｍｊ２を滴下した後
、室温で２時間撹拌した。トリフルオロ酢酸を減圧留去
し、残渣をイソプロピルエーテル２０　ｍｉ！、　ｎ　
−ヘキサン８０ｎ＋ｊ！の混合液に滴下し析出した結晶
を濾取した。結晶を９０％ギ酸１０＋ｆ！に加え、室温
下３時間撹拌した。減圧下、溶媒留去後、残留物をイソ
プロピルエーテルで摩砕し結晶を濾取した。
これをメタノール１０ｍｆに溶かし、酢酸ナトリウム２
６２　ｍｇ　（３，１９４ｍｍｏｆ）を加え、減圧下溶
媒留去した。粗生成物を２−プロパツールで摩砕し粗結
晶を濾取した。粗結晶をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（５％水性メタノール）で精製し、溶出液を減圧
下濃縮後、凍結乾燥し目的化合物を２０８　ｍｇ　（０
，４２４ｍｍｏｆｆｉ　、　　３９．９％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）　　δ　： ３．７７（２１１，ＡＢｑ、Ｊ＝１６．３１１ｚ、ＣＨ
ｚ）、　　４．５０〜４．７０（２１１゜ｄｍ、Ｃ１１
ｚ）、　　５．０４（１１１，ｄ、Ｊ＝４．８１（ｚ、
Ｃ１１）、　　５．２０〜５．３０（Ｉｌｌ、ｍ、−Ｃ
Ｉ！−）、　　５．５９（ＩＩＩ、ｄｄ、Ｊ＝８．４，
４．８Ｈｚ、Ｃｔｌ）。
６．４５（２１１，ｂｒ−ｓ、０ＣＯＮｌｌｚ）、　　
６．６４（１１１，ｄ、Ｊ＝１２．５１１ｚ。
Ｃｔｌ＝）、　６．６６（ＩＩ、ｓ、　チアゾール）ｌ
）、　７．０９（２１＋、５Ｎｌｌｚ）、　　９．４０
（ＩＩＩ、ｂｒ−ｓ、−ＣＯＮＩＩ−）、　　１１．０
０（ＩＩＩ、ｂｒ−ｓ。
：Ｎ−ＯＨ） ＭＮ−０Ｈ）／Ｚ）　　：＝１９０（Ｍ’）、４９１（
Ｍ”＋１）実施例２ 実施例１で得られた化合物１６７■（０，３４１ｍｍｏ
　ｌ　）を乾燥ジメチルホルムアミド３１１２に溶解し
た溶液に、水冷下ヨードメチルピバレート８３■（０，
３４３ｍｍｏｊｎ　の乾燥ジメチルホルムアミド０．５
ｍｆ溶液を滴下し３０分撹拌した。反応液に酢酸エチル
を加え水洗し、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗い、硫酸
マグネシウムを加え乾燥後、減圧下溶媒留去した。残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：
メタノール−４８：２）で精製後、溶出液を減圧下濃縮
しｎ　−ヘキサン４０ｍｆｆに滴下した。析出した結晶
を濾過後乾燥し目的化合物を５６■（０，０９６ｍｍｏ
　Ｅ　。
２８．２％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｂ）　　δ： １．１６（９Ｈ，Ｓ、Ｃ（ＣＨ３）５）、　３．６０（
２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１８．０Ｈｚ。
ＣＨｚ）、４．３０〜４．５０（２Ｈ，ｄｍ、ＣＨｚ）
、　５．２４（Ｉｔ（、ｄ、Ｊ＝５．１Ｈｚ、ＣＨ）、
　５．６０〜５．７０（ＩＨ，ｍ、＝ＣＨ−）、　５．
７５〜５．８５（３Ｈ，ｍ、ＣＨ，Ｃ０ｚＣｔｌｚＯ）
、６．２７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１１．７Ｈｚ−ＣＨ＝）、
　６．５２（２Ｈ，ｂｒ−ｓ、０ＣＯＮＨｚ）、　６．
６６（ＩＨ，ｓ、チアゾールＨ）、　７．１０（２Ｈ，
ｓ、ＮＯ３）、　９．４７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ
、Ｃ０ＮＨ）、　１１．２８（１８，ｓ、＝Ｎ−ＯＨ）
Ｍａｓｓ（ｍ／Ｚ）　：　５８２（Ｍ”）　、　５８３
（Ｍ”＋　１　）また、上記目的化合物４７　ｍｇ　（
０，０７９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１　ｍｌ溶液に
水冷下７Ｎ塩酸／ジエチルエーテル溶液０．０４ｍｆを
滴下し、２０分撹拌した。析出した結晶を濾過後、乾燥
し、目的化合物の塩酸塩を４２　ｍｇ　（０，０６６ｍ
ｍｏ　ｌ　、　８４％）得た。
実施例３ カルボン　　−エ　ルブ　　イルオキシメ　ル実施例１
で得られた化合物２２０■（０，４４９ｍｍｏ　ｌ　）
を乾燥ジメチルホルムアミド４　ｎｕに溶解した溶液に
、氷冷下ヨードメチル２−エチルブチレート（９５％）
　　１２１　ｆｆ１ｇ　（０，４４９ｍｍｏｌ　の乾燥
ジメチルホルムアミドｌ　ｍｌ溶液を滴下し４０分撹拌
した。反応液に酢酸エチルを加え水洗飽和食塩水で洗浄
し、硫酸マグネシウムを加え乾燥後、減圧下溶媒留去し
た。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸
エチル：メタノール＝４８：２）で精製後、溶出液を濃
縮し、ｎ−ヘキサン５０ｍｆに滴下した。析出した結晶
を濾過後乾燥し目的化合物を１１０　ｍｇ　（０，１８
４ｍｍｏｌ、　。
４１．１％）得た。
Ｎ門Ｒ（ＤＭＳＯ−ｄ６）　　δ： ０．８０〜０．９０（６Ｈ，ｍ、ＣｔＩｚ別、ｘ２）、
　１．４５〜１．６０３．６１（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ・１
７．８Ｈｚ、ＣＨｚ）、４．３５　〜４．５０（２Ｈ。
ｄｗ、ＣＨｚ）、　　５．２５（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．８
Ｈｚ、ＣＨ）、　　５．６０〜５．７０（ＩＨ，ｍ、□
ＣＨ−）、５．７５　〜５．８５（３Ｈ，ｎ＋、Ｃ０ｚ
ＣＩｌｚＯ，ＣＨ）。
６．２８（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝１１．７Ｈｚ、−ＣＨ＝）、
６．５２（２Ｈ，ｂｒ−ｓＯＣＯＮＨｚ）、　６．６６
（ＬＨ，ｓ、チアゾールＨ）、　７．１０（２＋１゜ｓ
、ＮＨｚ）、　　９．４７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ
、Ｃ０ＮＨ）、　　１１．２８（ＩＨ。
ｂｒ−ｓ、＝Ｎ−ＯＨ） Ｍａｓｓ（＋ｉ／Ｚ）　：　５９６（Ｍ”）　、　５９
７（Ｍ”＋１　）また、上記目的化合物４４１１１ｇ　
（０，０７４ｍｍｏｊｌりの酢酸エチル２　ｍｌ溶液に
水冷下７Ｎ塩酸／ジエチルエーテル溶液０．０２ｎｌを
滴下し、２０分撹拌した。析出した結晶を濾過後、乾燥
し、目的化合物の塩酸塩を４０　ｌ１１ｇ　（０，０６
３ｍｍｏ　１　、８５．４％）得た。
実施例４ エチル 実施例１で得られた化合物１４０■（０，２８５ｍｍｏ
　ｎ　）の乾燥ジメチルホルムアミド３　ｍｌ溶液に、
水冷下１−ヨードエチル　シクロヘキシルアセテート８
５■（０，２８７＋ｍｏ　ｌ　）の乾燥ジメチルホルム
アくド１　ｍｊ２溶液を滴下し４０分撹拌した。反応液
に酢酸エチルを加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マ
グネシウムを加え乾燥した。減圧下溶媒を濃縮しｎ−へ
キサン５０ｍＡに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥
し目的化合物を３０ｍｇ（０，０４７ｍｍｏｆ　、　　
１６．５％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄａ）　　δ： ０．８５〜１．００（２Ｈ，ｍ、ＣＨｚ）、　１．０５
〜１．２５（３８，ｍ、ＣＨｚ。
Ｃ１１）、　１．４３　ａｎｄ　１．４４（３Ｈ，ｄ、
Ｊ＝５．５Ｈｚ、Ｃ０ｚＣＨＣＨｉＯ）。
１．５５〜１．７０（６Ｈ，ｍ、　ＣＨ２Ｘ３）、　２
．２１（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、　　０ＣＯＣＨｚ
−）、　　３．５８　　ａｎｄ　　３．６０（２Ｈ，八
Ｂｑ、Ｊ＝１８．０Ｈｚ、ＣＨｚ）、　４．３０〜４．
５０（２Ｈ＋ｍ＋ＣＨｚＯ−）＋　５．２３　ａｎｄ５
．２４（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．８１ｔｚ、ＣＨ）、　５．
５５〜５．７０（ｔｌ、ｍ。
＝ＣＩ！−）、　５．８０〜５．９０（ＩＨｌｍ、（１
Ｂ）＋　６．２２　ａｎｄ　６．２６（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝
１１．７Ｈｚ、　−ＣＨ＝）、　６．５１（２Ｈ，ｂｒ
−ｓ、０ｃＯＮＨｚ）。
６．６５（ＩＨ，ｓ、チアゾールＨ）、　６．８４　ａ
ｎｄ　６．９１（ＬＨ，ｑ。
Ｊ＝５．５Ｈｚ、０ＣｔｌＣＨ：＋０−）、　７．１２
（２Ｈ，ｂｒ−ｓ、ＮＨｚ）、　９．４６ａｎｄ　９．
４７（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ、Ｃ０ＮＨ）、　１１
．３１（ＩＨ，ｓ。
二ＮＮ−０Ｈ ）’ａｓｓ（ｍ／Ｚ）　：　６３６（Ｍ”）、　６３７
（Ｍ”＋１）また、上記目的化合物３０　ｍｇ（０，０
４７ｍｍｏｌの酢酸エチル２　ｍｌ溶液に水冷下７Ｎ塩
酸／ジエチルエーテル溶液０．０２ｍＩ！、を滴下し２
０分撹拌した。
析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化合物の塩酸塩を２
８　ｍｇ　（０，０４２ｍｍｏ　１　、８８．５％）得
た。
実施例５ １フ乞 実施例１で得られた化合物２００■（０，４０８ｍｒａ
ｏ　ｌ　）の乾燥ジメチルホルムアミド３　ｔｍＥｍｌ
溶液水冷下１−ヨードエチル３−メチルバレレート１１
０■（０，４０７ｍｍｏ　ｉ　）の乾燥ジメチルホルム
アミド１　ｍｌ溶液を滴下し４０分撹拌した。反応液に
酢酸エチルを加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムを加え乾燥した。減圧下、溶媒を濃縮しｎ−へ
キサン５０ｍＡに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥
し目的化合物を５２■（０，０８５ｖａｔａｏｌ　、　
　２０．９％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｉ）　δ： ０．８０〜０．９０（６Ｈ，ｍ、　ＣＨｔＸ２）、　１
．１０〜１．２５　ａｎｄｌ、２５〜１．４０（２Ｈ，
＋＋、ＣＨｚ）、　１．７０〜１．８０（１８，ｍ、　
ＣＩ）　。
１．４３　ａｎｄ　１．４５（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝５．５Ｈ
ｚ、　ＣＨ−到丑。
２．０５〜２．１５　ａｎｄ　２．２５〜２．３５（２
１１，ｎ＋、ＣＯＣ！ＬＬｌ。
３．５９　ａｎｄ　３．６０（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝１８
．０Ｈｚ、ＣＨｚ）、　４．３５〜４．５０（２Ｂ、＋
ｗ、ＣＨｚ）、　５．２３　ａｎｄ　５．２５（ＩＨ，
ｄ、’Ｊ＝４；９Ｈｚ。
ＣＩ）、　５．５５〜５．７０（ＩＨ，ｍ、・ＣＨ−）
、　５．８０〜５．９０（ＩＨ４，ＣＨ）、　６．２３
　ａｎｄ　６．２６（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１２．８Ｈｚ。
−ＣＨ＝）、　６．５１（２Ｈ，ｂｒ−ｓ、０ｃＯＮＨ
ｚ）、　６．６６（ＩＨ，ｓ。
チアゾールＨ）、　６．８６　ａｎｄ　６．９２（ＩＨ
，Ｑ、Ｊ＝５．５Ｈ２゜０ＣＨ（ＣＩり−）、７．１８
（２８，ｂｒ−ｓ、ＮＨｚ）、　９．４７　ａｎｄ９．
４８（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ、Ｃ０Ｎ）ｌ）、　１
１．３４（１Ｂ、ｓ、＝Ｎ−ＯＨ）Ｍａｓｓ（ｎ＋／Ｚ
）　　：６１０（Ｍ”）　、　６１１（Ｍ”　＋１）ま
た、上記目的化合物２０■（０，０３３ｍｎ＋ｏｆ）の
酢酸エチル２　ｍｌ溶液に水冷下７Ｎ塩酸／ジエチルエ
ーテル溶液０．０２ｍｊ２を滴下し２０分撹拌した。析
出した結晶を濾過後乾燥し、目的化合物の塩酸塩を１８
■（０，０２８ｍｍｏ　ｌ　、　８４．３％）得た。
実施例６ １コ乞 実施例１で得られた化合物２００■（０，４０８ｍｍｏ
　ｉ　）の乾燥ジメチルホルムアミド３　ｍｌ溶液に、
水冷下１−ヨードエチル２−エチルブチレート１１０■
（０，４０７ｍｍｏ　ｌ　）の乾燥ジメチルホルムアミ
ド１　ｍｆｆ１溶液を滴下し４０分撹拌した。反応液に
酢酸エチルを加え水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムを加え乾燥した。減圧下、溶媒を濃縮しｎ−ヘ
キサン５０ｍｆｆ１に滴下した。析出した結晶を濾過後
乾燥し、目的化合物を５４ｍｇ（０，０８８ｍｍｏｆｆ
ｉ、　　２１．７％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄａ）　　δ： ０．８０〜０．９０（６Ｈ，ｍ、ＣＨ＋Ｘ２）、　１．
４０〜１．５５（７Ｈ，ｍ。
１ｃＨ３Ｘ　２．　ＣＨＩ）　、　２．１５〜２．２５
　（ＬＨ，ｍ、　０ＣＯＣＨＣ）。
３．５９　ａｎｄ　３．６０（２８，ＡＢｑ、Ｊ＝１８
．０Ｈｚ、ＣＨｚ）＋　４．３５〜４．５０（２８，ｍ
、−ＣＨｚＯ）、　５．２４　ａｎｄ　５．２５（ＩＨ
，ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ、Ｃｔ（）、　５．５５〜５．７
０（１８，ｍ、＝ＣＨ−）、　５．８０〜５．９０（Ｉ
Ｈ，ｍ、ｃＨ）、　６．２３　ａｎｄ　６．２７（ＩＨ
，ｄ、Ｊ＝１１．７ｔｌｚ、−ＣＨ＝）。
６．５１（２Ｈ，ｂｒ−ｓ、０ＣＯＮＨｚ）、　６．６
６（ＩＨ，ｓ、チアゾールＨ）、　６．８６　ａｎｄ　
６．９０（ＩＨ，Ｑ、Ｊ＝５．５Ｈ２，０ＣＲ（ＣＨ３
）−）。
７．１５（２８，ｂｒ−ｓ、ＮＨｔ）、　９．４７　ａ
ｎｄ　９．４８　（ＩＩＩ、ｄ、Ｊ＝８．２Ｈ２，Ｃ０
ＮＨ）、　１１．３１（ＩＨ，Ｓ、＝Ｎ−ＯＨ）Ｍａｓ
ｓ（ｍ／Ｚ）　　：６１０（Ｍ”）　、　６１１（Ｍ”
＋１）また、上記目的化合物２４■（０，０３９ｍｍｏ
ｌ）の酢酸エチル２　ｒａｎ溶液に氷冷下７Ｎ塩酸／ジ
エチルエーテル溶液０．０２ｏ＋ｆを滴下し２０分撹拌
した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化合物の塩酸
塩を１８　ｍｇ　（０，０２８ｍｍｏ　ｌ　、　７１．
３％）得た。
実施例７ 製造例６で得られた化合物９６０■（１，１３６ｎｏ＋
＋ｏ　Ｑ　）のアニソール８　ｍｌ、溶液に水冷下トリ
フルオロ酢酸１０ｍｆを滴下し、その後室温で２時間撹
拌した。トリフルオロ酢酸を減圧留去後、残渣をイソプ
ロピルエーテル２０ｍｊｌ！、ｎ−へ−ｔ−＋＋ン８０
ＩＩＩ！、の混合液に滴下し析出した結晶を濾取した。
結晶を９０％ギ酸１０ｍｊ！に加え室温下３時間撹拌し
た。減圧下溶媒留去後残留物をイソプロピルエーテルで
摩砕し、結晶を濾取した。結晶をメタノール１０ａ＋ｊ
！に溶かし、酢酸ナトリウム２６２１ｇ　（３，１９４
ｍｍｏｌ）を加え減圧下溶媒留去した。粗精製物を２−
プロパツールで摩砕し、粗結晶を濾取した。粗結晶を逆
相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（５％水性メタ
ノール）で精製し、溶出液を減圧下濃縮後凍結乾燥し目
的化合物を１３８１ｍｇ　（０，２７４ｍｎ＋ｏｆ　、
　２４．１％）得た。
ＮＭＲ（Ｄ？ｌ５Ｏ−ｄ、）　　δ； ３．５４（２Ｈ＋ＡＢｑ、Ｊ＝１６−５）１ｚ、ＣＨｚ
）、３．８４（３Ｈ，ｓ。
・Ｎ−０ＣＲ３）、　４．５０〜４．７０（２Ｈ，ｄｍ
、ｃｌＩ□）、　５．０４（ＬＨ。
ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ、ＣＨ）、　５．２０〜５．３０（
ＩＨ，ｍ、＝ＣＨ−）。
５．５７（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．１，４．８Ｈｚ、ＣＨ
）、　６．５（２Ｈ，ｂｒ−ｓ）。
０ＣＯＮＨｚ）、　６．６３（ＩＨ，ｄ、Ｊ・１２．５
Ｈｚ、−ＣＨ＝）、　６．７４（ＩＨ，ｓ、チアゾール
Ｈ）、７．２０（２Ｈ，ｓ、ＮＨｚ）、　９．５２（１
８，ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ、ＣＯＮＨ）Ｍａｓｓ（ｍ／Ｚ
）　　：　５０４（Ｍ”）　、　　５０５（Ｍ”＋１）
実施例８ カルボン　　ピバ口イルオキシメチル 実施例７で得られた化合物１１６■（０，２３０ｍｍｏ
　ｌ　）の乾燥ジメチルホルムアミド２　ｎｕ温溶液、
水冷下ヨードメチルピバレート５６　ｍｇ（０，２３１
ｍｍｏｆｆｉ）の乾燥ジメチルホルムアミド１　ｍｌ溶
液を滴下し４０分撹拌した。反応液に酢酸エチルを加え
水洗、飽和食塩水洗し、硫酸マグネシウムを加え乾燥し
た。減圧下溶媒を濃縮し、ｎ−ヘキサン５０ｍｊｌ！に
滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥し目的化合物を９
４１１１ｇ　（０，１５８ｍｍｏｆ　、　　６８．５％
）得た。
Ｎ門Ｒ（ＤＭＳＯ−ｄ６）　　δ： １．１７（９Ｈ，Ｓ、Ｃ（ＣＨ３）５）、　３．６２（
２Ｈ，ＡＢＱ、Ｊ＝１８．ＯＨ２゜ＣＬ）、３．８４（
３Ｈ，Ｓ、＝Ｎ−ＯＣＨ３）、４．３０〜４．５０（２
）１．ｄｍ。
ＣＨｚ）、５．２５（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ、Ｃ）
ｌ）、　５．６０〜５．７０（ＩＨ，ｍ、＝ＣＨ−）、
５．７５〜５．８５（３Ｈ，ｍ、ＣＩ、Ｃ（ｈＣＨｚＯ
−）。
６．２７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１１．４Ｈｚ、−ＣＨ＝）、
　６．５０（２Ｈ，ｂｒ−ｓ。
−０ＣＯＮＨｚ）、　６．７５（ＩＨ，ｓ、チアゾール
１１）、　７．２２（２Ｈ。
ｂｒ−ｓ、　ＮＨＫ）　、　９．６１　（ＬＨ，ｄ、　
Ｊ＝８．１Ｈｚ、　ＣＯＮＨ）Ｍａｓｓ（ｍ／Ｚ）　　
：　５９６（Ｍ”）、　　５９７（Ｍ”＋１）また、上
記目的化合物４７　ｍｇ　（０，０７９ｍｍｏｌの酢酸
エチル２　ｍｌ溶液に水冷下７Ｎ塩酸／ジエチルエーテ
ル溶液０．０２ｎ／！を滴下し２０分撹拌した。析出し
た結晶を濾過後乾燥し目的化合物の塩酸塩を４２　ｍｇ
　（０，０６６ｍｍｏ　ｌ　、　８４．０％）得た。
実施例９ 製造例７で得られた化合物１　ｇ　（０，９２０ｍｍｏ
Ｉｌ）のアニソール８１１Ｑ溶液に水冷下トリフルオロ
酢酸１０ｍＮを滴下し、その後室温で２時間撹拌した。
減圧下濃縮後、濃縮溶液をイソプロピルエーテル２０　
ｔｒｒｌ、　ｎ−ヘキサン８０ｔａｌｌの混合液に滴下
し、析出した結晶を濾取した。結晶を９０％ギ酸１０Ｉ
ｌｌｌに加え室温下３時間撹拌した。減圧下溶媒留去後
残留物をイソプロピルエーテルで摩砕し、結晶を濾取し
た。結晶をメタノール２０ｍｆｆ１に溶かし酢酸ナトリ
ウム２２６■（２，７５５ｓｍｏｇ）を加え減圧下溶媒
留去した。粗生成物を２−プロパツールで摩砕し粗結晶
を濾取した。粗結晶を逆相シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（５％水性メタノール）で精製し、溶出液を減
圧下濃縮後凍結乾燥し目的化合物を２５０　ｍｇ　（０
，４９６ｍｍｏＩｌ。
５３．９％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｈ）　　δ： ２．５６（３Ｈ，ｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、ＮＨ−伝ｈ）、
３．５２（２Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ　−１６，３Ｈｚ、ＣＨｚ
）、　４．５０〜４．７０（２ｎ、ａｍ、ｃＨｚ）、　
５．０３（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ、ＣＨ）、　５．
２０〜５．３０（ＬＨ，ｍ、＝ＣＨ−）。
５．５８（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．１，４．８１１ｚ、Ｃ
Ｈ）、　　６．６３（ＩＬｄ、Ｊ＝１２．１Ｈｚ、−Ｃ
Ｈ＝）、　６．６５（Ｉｎ、ｓ、チアゾールＨ）、　６
．９９（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝４．４１Ｌｚ、ＮＨ−ＣＨｓ）
、７．０９（２Ｈ＋ｓ、ＮＨｚ）、９．３８（ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝８．１Ｈｚ、Ｃ０ＮＨ）、　　１１．２０（ＬＨ
，ｂｒ−ｓ、＝Ｎ−０）１）Ｍａｓｓ（＋ｗ／Ｚ）　　
：５０４（Ｍ”）、　　５０５（Ｍ”＋１）実施例１０ 実施例９で得られた化合物１１０■（０，２１８＋ｕ＋
ｏ　ｌ　）の乾燥ジメチルホルムアミド３　ｃａｌ溶液
に、氷冷下ヨードメチルビバレート５３■（０，２１９
ｍｍｏ　ｌ　）の乾燥ジメチルホルムアミド０．５ｍｌ
溶液を滴下し、３０分撹拌した。反応液に酢酸エチルを
加え、水洗、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムを加
え乾燥した。減圧下濃縮し濃縮溶液をｎ−ヘキサン５０
ｍｆに滴下した。析出した結晶を濾過後乾燥し目的化合
物を８６■（０，１４４ｍｍｏｆ６６．２％）得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６）　　δ： １．１６（９Ｈ，ｓ、Ｃ（ＣＩ３）ｓ）、　２．５５（
３Ｈ，ｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、ＮＨ−叫址、３．６０（２
１１，ＡＢｑ、Ｊ＝１７．８Ｈｚ、　ＣＨｚ）、４．３
５〜４．５５（２Ｈ，ｄｍ、ＣＨｚ）、５．２４（ＩＨ
，ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ、ＣＩ）。
５．６０〜５．７０（ＩＨ，ｍ、＝（ＩＩ−）、　５．
７５〜５．８５（３Ｈ，ｍ、Ｃ１ｌ。
Ｃ０ｚＣＨｚＯ）、６．２７（ＩＨ，ｄ、Ｊ・１１．７
Ｈｚ、−ＣＨ＝）、６．６６（１，Ｈ＋ｓ＋チアゾール
Ｈ）、　６．９８（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．４Ｈｚ、Ｎ１（
−（Ｊ１３）、７．１２（２Ｈ，、ｓ、ＮＴｏ）、９．
４７（１）１．ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ。
Ｃ０ＮＨ）、　１１．３０（ＩＨ，ｓ、＝Ｎ−ＯＨ）Ｍ
ａｓｓ（ｍ／Ｚ）　：　５９６（Ｍ”）　、　５９７（
Ｍ”＋　１　）また、上記目的化合物４４■（０，０７
４ｍｍｏｆ）の酢酸エチル溶液に水冷下７Ｎ塩酸／ジエ
チルエーテル溶液０．０４ｏ＋ｆを滴下し２０分撹拌し
た。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化合物の塩酸塩
を４０　ｔｕｇ　（０，０６３ｍｍｏ　ｌ　、　８５．
４％）を得た。
実施例１ ベ ニルー− イル− 製造例９で得られた化合物１．６１ｇをアニソール１２
ｍ／！に溶解後、水冷下トリフルオロ酢酸２０、１ｍｆ
を加え、その温度で１時間撹拌する。
溶媒を減圧留去後ジイソプロピルエーテルを加え、析出
する結晶を濾取する。次いで、ギ酸−水の混液１０ｍｌ
に溶解し、室温で４時間撹拌する。反応終了後、水を加
え、不溶物を濾別し、濾液を減圧留去後、ＯＤＳを充填
した逆相のカラムクロマトグラフィー、目的物４２３■
を得る。
ＮＭＲ　　（口ＭＳＯ−ｄｉ）　　　δ　：５、１２（
ＬＨ．ｄ．Ｊ＝５Ｈｚ）、　５．７５（ＩＨ．ｄｄ．Ｊ
＝５Ｈｚ．８Ｈｚ）。
６、０〜６．３５（１８，＋＊）、　６．５９（ＬＨ，
ｓ）、　６．８０（ＩＨ，ｄ，Ｊ・１６Ｈｚ）、　７．
０３（２Ｈ．ｂｒｓ）、　８．９１（ＩＨ．ｓ）、　９
．３９（１１（。
ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ）、　１１．１９（１８，ｓ）実施例１
２ ベニル−１−イル−３−セフェム−４−カルボン実施例
１１と同様にして、製造例１０で得られた化合物から目
的化合物を得る。
ＮＭＲ　（ＤＭＳＯ−ｄｉ）　δ： ５、１１（ＩＨ．ｄ．Ｊ＝５Ｈｚ）、　５．７３（ＩＨ
，ｄｄｊ＝５Ｈｚ．８１１ｚ）。
５、９３〜６．３５（ＩＨ，ｍ）、　６．５９（ＩＨ．
ｓ）、　６．７８（ＩＩＩ，ｄ。
Ｊ＝１６Ｈｚ）、　７．０４（２Ｈ．ｂｒｓ）、　９．
３１（ＩＨ．ｓ）、　９．３９（ＩＨ，ｄ．Ｊ＝８Ｈｚ
）、　１１．１７（ＬＨ．ｓ）実施例１３ ボン　　　１ウム声 製造例１１によって得られた化合物（ｉｖ）６２０■の
アニソール３．１ｎｌ溶液に水冷下トリフルオロ酢酸（
　Ｔ　Ｆ　Ａ　）　６．　２　ｍ　Ｅを滴下し、２．５
時間撹拌する。溶媒を減圧留去後、イソプロビルエーテ
ル（ＩＰＥ）を加え、析出する。結晶を濾取する。
結晶を７４％ＨＣＯＯＨ２０ｍｌに加え、室温で２時間
撹拌する。反応液にＨ，０を加え、不溶物を濾別した後
、減圧留去する。残渣に酢酸ナトリウム水溶液を加え、
ＯＤＳを充填したカラムクロマトグラフィー、目的とす
る画分を凍結乾燥して、１１３■得た。
ＮＭＲ（ＤＭＳＯＪ６）　　δ： ４．４２（２８，ｄ、Ｊ＝６．６１１ｚ）、　５．００
（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝４．８Ｈｚ）。
５．５〜５．７（２Ｈ，ｍ）、　６．４５（２Ｈ，ｂｒ
ｓ）、　６．６５（ｌｔｌ、ｓ）。
６．９８（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１６Ｈｚ）、　７．０９（２
Ｈ，ｓ）、　９．４１（１８，ｂｒｓ）本発明の化合物
の抗菌剤としての有用性を示すために下記の実験を行っ
た。
実験例 表１に示す菌を用い、実施例１，７，９．１１及び１２
で得られた化合物の抗菌力を測定した。
結果を表１に示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
    キシル基を示す。Ｒ＾３は式−ＣＨ＿２ＯＣＯＮＨ＿２
    で示される基、式−ＣＨ＿２ＯＣＯＮＨＲ＾４で示され
    る基（式中、Ｒ＾４は低級アルキル基を示す）、式 ▲数式、化学式、表等があります▼で示される基又は式 ▲数式、化学式、表等があります▼で示される基を示す
    。〕 で表されるチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘導
    体又はその医薬として許容される塩。 ２、Ｒ＾３が式−ＣＨ＿２ＯＣＯＮＨ＿２で示される基
    である請求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セ
    フェム誘導体またはその医薬として許容される塩。 ３、Ｒ＾３が式−ＣＨ＿２ＯＣＯＮＨＲ＾４（式中Ｒ＾
    ４は低級アルキル基を示す）で示される基である請求項
    １記載のチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘導体
    またはその医薬として許容される塩。 ４、Ｒ’が式▲数式、化学式、表等があります▼で示さ
    れる基で ある請求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セフ
    ェム誘導体またはその医薬として許容される塩。 ５、Ｒ＾３が式▲数式、化学式、表等があります▼で示
    される基で ある請求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セフ
    ェム誘導体またはその医薬として許容される塩。 ６、Ｒ＾３が式▲数式、化学式、表等があります▼で示
    される基であ る請求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セフェ
    ム誘導体またはその医薬として許容される塩。 ７、Ｒ＾３が式▲数式、化学式、表等があります▼で示
    される基 である請求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セ
    フェム誘導体またはその医薬として許容される塩。 ８、化合物が７−［（Ｚ）−２−（２−アミノチアゾー
    ル−４−イル）−２−ヒドロキシイミノアセトアミド］
    −３−［（Ｚ）−３−（カルバモイルオキシ−１−プロ
    ペニル］−３−セフェム−４−カルボン酸で表される請
    求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘
    導体またはその医薬として許容される塩。 ９、化合物が７ー〔２−（２−アミノチアゾール）−２
    −ヒドロキシイミノ−アセトアミド〕−３−（３−２Ｈ
    −テトラゾリル−１−プロペニル−１−イル）−３−セ
    フェム−４−カルボン酸で表される請求項１記載のチア
    ゾリルアセトアミド−３−セフェム誘導体またはその医
    薬として許容される塩。 １０、化合物が７−［（Ｚ）−２−（２−アミノチアゾ
    ール−４−イル）−２−メトキシイミノアセトアミド］
    −３−［（Ｚ）−３−（カルバモイルオキシ−１−プロ
    ペニル］−３−セフェム−４−カルボン酸で表される請
    求項１記載のチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘
    導体またはその医薬として許容される塩。 １１、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾５はアミノ基又は保護基で保護されたアミ
    ノ基を示す。Ｒ＾６は水酸基、低級アルコキシ基又は保
    護基で保護された水酸基を示す。Ｒ＾２は前記と同様の
    意味を有する。） で表される化合物あるいはそれらの塩と、ハロゲン化ス
    ルホニルイソシアネートとを反応させ、必要によりアミ
    ノ基、水酸基又はカルボキシル基の保護基を脱離するこ
    とを特徴とする、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１及びＲ＾２は前記と同様の意味を有する。 ）で表されるチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘
    導体又はその医薬として許容される塩の製造法。 １２、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾２、Ｒ＾５、Ｒ＾６は前記と同様の意味を
    有する。） で表される化合物あるいはそれらの塩と、式Ｒ＾４−Ｎ
    ＝Ｃ＝０で示される基（式中Ｒ＾４は前記と同様の意味
    を有する）で表されるアルキルイソシアネートとを反応
    させ、必要によりアミノ基、水酸基又はカルボキシル基
    の保護基を脱離することを特徴とする式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾４は前記と同様の意味を有
    する。） で表されるチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘導
    体又はその医薬として許容される塩の製造法。 １３、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾２、Ｒ＾３は前記と同様の意味を有する。 ）で表される化合物あるいはそれらの塩と、式▲数式、
    化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾５、Ｒ＾６は前記と同様の意味を有する。 ）で表される化合物又はその反応性酸誘導体又はそれら
    の塩とを反応させ、必要によりアミノ基、水酸基又はカ
    ルボキシル基の保護基を脱離することを特徴とする、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は前記と同様の意味を
    有する。） で表されるチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘導
    体又はその医薬として許容される塩の製造法。 １４、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。 Ｒ＾２はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
    キシル基を示す。Ｒ＾３は式−ＣＨ＿２ＯＣＯＮＨ＿２
    で示される基、式−ＣＨ＿２ＯＣＯＮＨＲ＾４基（式中
    Ｒ＾４は低級アルキル基を示す）、式▲数式、化学式、
    表等があります▼で示される基、又は、式▲数式、化学
    式、表等があります▼で示される基を示す。〕 で表されるチアゾリルアセトアミド−３−セフェム誘導
    体又はその医薬として許容される塩からなる抗菌剤。
JP2-181608A 1989-07-13 1990-07-11 チアゾリルアセトアミド―３―セフェム誘導体 Expired - Lifetime JP3005251B2 (ja)

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