JPS6351388A - セフアロスポリン誘導体、その製造法及び抗菌活性組成物 - Google Patents

セフアロスポリン誘導体、その製造法及び抗菌活性組成物

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JPS6351388A
JPS6351388A JP61195656A JP19565686A JPS6351388A JP S6351388 A JPS6351388 A JP S6351388A JP 61195656 A JP61195656 A JP 61195656A JP 19565686 A JP19565686 A JP 19565686A JP S6351388 A JPS6351388 A JP S6351388A
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Japan
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Application number
JP61195656A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Harada
俊明 原田
Yushi Imai
祐志 今井
Akinobu Yoshisato
善理 瑛信
Yataro Ichikawa
市川 弥太郎
Yoji Suzuki
洋二 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teijin Ltd
Original Assignee
Teijin Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/55Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups

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  • Cephalosporin Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
く技術分野〉 本発明はセファロスポリン誘導体、その製造法及び抗菌
活性組成物に関する。更に!P細には、本発明は強力な
抗菌活性を有し、多数のダラム陽性菌、ダラム陰性凶の
生付を強力に阻止する新規セファロポリン誘導体、その
製造法及び抗菌活性組成物に関する。 〈背景技術〉 セファロスポリン骨格の7位に、2−フェノキシイミノ
−2−(2−7ミノチ7ゾールー4−イル)アセトアミ
ド基を有するセファl1lIスポリン綺導体は、知られ
ており特開昭54−9296号公報にフェノキシイミノ
基の例が開示されている。しかしながら3位の置換基に
ついては、具体的には非膚に狭い範囲に限られており、
第4級アルキルアンモニウムメチル基のものは合成はお
ろか、その明細書中には例示におけろ何等の具体的開示
もなされていない。 他方、3位KiJ4級フルキルアンモニウムメチル基を
有するセファロスポリン誘導体が知られており、例えば
特開昭59−219292号公報には3位に1−(1−
7ザビシクロー(2,2,2)。 オクタン−1−イオノメチル基等の第4級アルキルアン
モニウムメチル基を有するセファロスポリン誘導体が開
示されている。また特開昭60−97983号公報には
3位にトリエチル7ン七ニオメチル基等の第4級アルキ
ルアンモニウムメチル基を有するセファ0スポリン誘導
体が開示されているが、しかしながら7位の7シル置換
基に7リールオキシイミノ基を有するセファロスポリン
誘導体は知られていない。 〈発明の開示〉 本発明の目的は7位罠アリールオキシイミ7基を有する
アシル置換基を持ち、3位に第4級アルキルアンモニウ
ムメチル基を有する耕規なセファロスポリン誘導体を提
供することにある。 本発明の史に他の目的は、ダラム陽性菌及びダラム陰性
菌に対して強力な抗菌活性を有する新規なセファロスポ
リン誘導体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は近年ダラム陽性菌感染症に用い
られて来たセファロスポリン系抗生物質に耐性を示すメ
チシリン耐性黄色ブドー球菌等にも充分な抗菌力を有す
るセファロスポリン誘導体を提供することにある。 本発明の更に他の目的は、新規なセファロスポリン誘導
体の製造法及び抗菌活性組成物を提供することにある。 本発明の他の目的及び利点は以下の記述から明らかとな
ろう。 本発明によれば、これらの目的及び利点は久のセファロ
スポリン誘導体によって達成される。 すなわち、本発明は下記式(1) 1式中、R1は水素原子又は保!!基を弐わす。1で貴
わされるセファロスポリン誘導体である。 〈発明をλ(施するための最良の形態〉式(1)のセフ
ァロスポリン04体は、式で表わされろ2−7ミノチア
ゾールー4−イル基の部分構造を有する。該部分構造は
2−7ミノチアゾリンー4−イル基に容易に異性化する
ことが可能である。それ故、本発明の式(1)のセファ
ロスポリン誘導体は、これらのいずれの互変異性体であ
ってもよく、本発明においては、いずれの互変異性体も
包含されろ。 式(1)のセファロスポリン誘導体においては、式 で表わされる部分構造を有している。該部分構造は式 で表わされるシン型、式 C− で表わされろアンチ型、あるいはこれら二ンの異性体の
任80割会(・の振付であってもよい。 本発明のセファロスポリン誘導体においては、シン型が
強力な抗菌活性を有するので好ましい。 式(1)において、R1は水素原子又はアミノ基の保護
基を表わす。アミ7基の保^基としてンよ、アシル基、
置換されていてもよいアラルキル基。 トリフルキルシリル基等が挙げられる。かかる7シル基
としては、例えばホルミル、アセチル。 プロピオニル、ブチリル、two゛−ブチリル・バレリ
ル+  two−バレリル、オキザリル、スクシニル、
ビバーイルなどの低級アルカ/イル基;メトキシカルボ
ニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル* 
 1so−プロポキシカルボニル、ブトキシカル小ニル
、ペンチルオキシカルボニルなどの低級アルコキシカル
ボニル基;メシル、エタンスルホニル、フロパンスルホ
ニル、1so−フロパンスルホニル、ブタンスルホニル
などの低級フルカンスルホニル基;ベンゾイル、トルオ
イル、す7トイル、フタロイルなどのアaイル基;フェ
ニルアセチル、フェニルプロピオニルなどの7ラルカ/
イル基;ベンゾイルオキシカルボニル1
【どの了うルフ
キシ力ルポニル基等が挙げられる。かかるアシル基は、
適当な置換基を1個以上有していてもよい。置換基とし
ては例えば、塩素、臭素、ヨウ素、弗素などのハロゲン
原子;シアノ基;メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どの低級アルキル基等が挙げられる。 置換基を有し℃いてもよいアラルキル基とし一’(i−
1&lIえは、ベンジル、4−メトキシベンジル。 フニネチル、トリチル、3.4−ジメトキシベンジルな
どが挙げられる。トリアルキルシリル基としては例えば
、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリブチルシ
リル、  t−フルオメチルシリルなどのトリアルキル
シリル基等が挙げられる。 式(1)にお1するR2で示されろ置換もしくは非置換
の7リール基は炭化水素系芳香族基あるいは酸素原子、
硫黄原子、窒素原子から選ばれた少くとも1個以−ヒの
へテロ原子を含む複素環系芳香族基を表わす。 ここで炭化水素系芳香族基としてはフェニル基、アフチ
ル基が好まし、い例としてあげられろ。 また複素環系芳香族基とし又は5負環または6負環を有
するものが好ましく、その例としては例えばピロリルフ
リル、チェニル、ピラゾリル、イミダゾリル、トリ7ゾ
リル、テトラゾリル、インキサゾリル、オキサシリル、
チアゾリル、チアジアゾリル、インチアゾリル、オキサ
ジアゾリル、ピリジル、ピリダジニル、ピリミジニル、
ピラジニル、トリアジニル、インチアゾリル、インドリ
ル、ベンゾフリル、ベンゾチェニル、ベンゾオキサシリ
ル、ベンゾチア、ゾリル、キノリル、イソ千ノリル、フ
エアジニル。 千ノ千ザリニル、インンノリニル、7タラジニル、キナ
ゾリニル、インダゾリル、チェノ(2,3−b )’ピ
リジル、チェ/(2,3−d〕ピリミジニル、2,3−
シクロペンテノピリジル等があげられる。 置換基な有する場合その例としてはメチル。 エチル、プロピル、  1so−プロピル等の直鎖もし
くは分岐状のC1〜C,アルキルか;フルオロメチル、
トリフルオロメチル、2−フルオロエチル、クロロメチ
ル、ジクロ−メチル、トリクロロメチル、プロ七メチル
、ヨードメチル等ノ低級ハロゲノアルキル基;ビニル+
7’)ル’4のC7〜C6アルグニル基:エチニル、2
−プロピニル→のC7〜C,フルキニル基;シクロプロ
ピル、シクロペンチル、シクロへ千シル等のC,〜C1
ジクロフルキル基;塩素、臭素、ヨウ素、弗素の如キハ
ロゲン原子;その他シアノ基、カルボ干シル基、カルボ
キシメチル基、カルポキツメチルオ+シ基、スルホ基、
スルホメチル基、スルホエチル基、カルバモイル基、カ
ルバモイルオキシ基、ヒドロキシ基、ヒドロキシメチル
基、低級アルキルカルボニルオキシ基、アミ7基、アミ
ノメチル基、ホルミルアミノ基、低級アルキルカルボニ
ルアミ7基、スルホンアミド基、低級アルキルカルボニ
ル基、低級アルコキシ基。 チオカルバモイル基及び置換又は非置換の7リール基等
があげられる。 R1で示される第4級アルキルアンモニウム基としては
第3級アルキルあるいはアルキル環状アミンから誘導さ
れる第4級アンモニウム基であり、トリメチルアンモニ
オ、トリエチルアンモニオ、ジメチルエチルアン七ニオ
等のC3〜C6トリアルキルアンモニオ、またフルキル
基が結合して1個の環を形成した1−メチル−ピロリジ
ニオ、1−エチルピペリジニオ等、あるいは2個の環を
形成したピロリチジニオ、キヌクリジニオ等があげられ
る。 また環を形成している場合、2−デヒドロキヌクリジニ
オのよ5に1個又は2個の二211.結合ヲ有し℃いて
も良く、また、N−メチルモルホリノ、1,4−ジメチ
ルピペラジノ、1−7ンモニオー4−7ザビシクロ(2
=2+2 )−オクタンのように酸素原子、硫黄原子、
4素原子から選択された少くとも1個のへテロ原子を含
んでいても良い。 またこれらのアンモニウム基は1個以上の10j−又は
相異なる置換基で置換されていても良くかかる置換基と
して置換もしくは非置換のアルキル基;シアノ基;カル
ボキシ基;アルコキシカルボニル基;カルバモイル基;
カルバモイルオキシ基;複素環基;水酸基;アルーキシ
基;又はハロゲン原子が挙げられる。 非置換のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル
、プロピル、  1so−プロピル、ブチルl  5e
e−グチル、 tert−ブチル、ペンチル。 ヘキシルなどの直鎖もしくは分岐状のC7〜C,アルキ
ル基が挙げられる。かかるアルキル基の置換基としては
、例えば、水醒基;シアノ基;カルバモイルオキシ基;
メトキシ、エトキシ、ブトキシ。ペンチルオキシ、ヘキ
シルオキシなどノC1〜C6低級フルコ千シ基:カルボ
キシ晶;2.5−ジヒドo −2−メチル−5−オキソ
トリアジン−3−イル、2,5−ジヒドロ−6−ヒドロ
キシ−2−メチル−5−オキソトリアジン−3−イルな
どのa素環基等が挙げられる。 フルコキシカルポニル基としては、例えば、メトキシカ
ルボニル、エトキシカルボニル、プOポ+ジカルボニル
、フトキシ力ルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘ
キシルオキシカルボニルなどが挙げられろ。 複素環基とし℃は、例えば、2.5−ジヒドロ−2−メ
チル−5−オキソトリアジン−3−イル、2,5−ジヒ
ドロ−6−ヒドロキシ−2−メチル−5−オキソトリア
ジン−3−イル、2−アミツチ7ゾールー4−イルなど
が挙げられる。 アルコキシ基としては、例えば、メトキシ。 工)−?シ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシな
どが挙げられる。 ハロゲン原子としては、例えば塩素、A素。 ヨウ素などが挙げられる。 式(1)のセファロスポリン誘導体はベタイン構造を有
するが、本発明のセファロスポリン誘導体は、例えばこ
れらのベタイン構造から訪導される塩であってもよい。 かかる塩としては酸付加塩が挙げられ、例えば、塩酸塩
、臭化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩などの無機酸塩;酢
酸塩、トリクロc+IO酸塩、トリフルオロ酢酸塩。 蓚酸塩、7マール酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、メタ
ンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスル
ホン酸塩などの有機酸塩;アルギン酸塩、アスパラギン
酸塩、グルタミン酸塩などのアミノ酸塩等が挙げられる
。 これらの酸付加塩は例えば下記式(1つ、  (1”)
で表わされる(下記式においては、R’ k 7 j)
基として例示している)。 et”et’e An、 l 、Any +又は3 An。 e   ′e2”θ 2An、+An、v又はHAn。 式(1’) 、  (i”) K y イ1、AnP 
B、ceθ 、re 。 CH,Coo 、 C(J、Cooe、 CF、COO
○ナトf) −塩基HO)陰イオンを表わし、AK2は
so:0. c、o:”  などのa() 二塩基酸の陰イオン?表わし、Anl はpo;”  
などの三塩基酸の陰イオンを表わす。 式(])の]セファースポリン誘導の他の塩としては、
4位のカルボキシ基における塩が挙げられる。かかる塩
としては、例えばアルカリ金属塩(ナトリウム塩、カリ
ウム塩など)、アンモニウム塩、有機塩基との堰(トリ
エチルアミン塩、トリメチルアミン塩、ピリジン塩など
ン等が挙げられる。 式(1)のセラアロスポリン誘導体は、4位のカルボキ
シ基がエステル化されたエステル体であってもよい。か
かるエステルとしては生理学的に容易に加水分解される
ものが好ましい。このようなエステルとしては、例えは
、メトキシメチル、エトキシメチル、メトキシエチル、
エトキシエチルエステルなどのフルコキシアルキルエス
テル;アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、
ブチリルオキシメチル、バレリルオキシメチル、ピバロ
イルオキシメチルエステルなどのフルカッイルオキシア
ルキルエステル;インタニル、フタリジル、グリシルオ
キシメチル、フェニルグリシルオキシメチルエステル等
が挙げられろ。 本発明のセファロスポリン誘導体9その塩又はそのエス
テルは、結晶の形態にあるものが化学的に安定である。 それ故、結晶性のセファロスポリン誘導体、その塩又は
そのエステルが、医薬組成物の活性成分と【−1使用さ
れろ時に好ましい。かかる結晶は、無水物あるいは水相
物であってもよい。 本発明のセファロスポリン誘導体の好ましい具体例を挙
げれば次のとおりである。 1、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−7
i/チアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノア
セトアミド3−3−)ジエチルアンモニオメチル−3−
セフェム−4−カルボキシレート 2、  (6It+7R)  7  ((z)  2 
 (274/チアゾールー・ムーイル)−2−フエノキ
シイミ/7セトアミド〕−3−キヌクリジニオメナルー
3−セフェム−4−カルボキシレート3、  (6R,
7R) −7−((Z) −2−(2−7ミノチアゾー
ルー4−イル)−2−フエ/−?ジイミノアセトアミド
クー3−ビロリチジニオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボキシレート4、     (6R,7R)  −7
−((Z)  −2−(2−7ミ フチアゾール−4−
イル)−2−フェノキシイミノアセトアミド)−3−(
1−メチルピロリジニオメチル−3−セフェム−4−カ
ルボキシレート 5、     (6R,7R)−7−((Z)−2−(
2−7ミ フチアゾール−4−イル〕−2−フエノキン
イミノ−アセトアミド)−3−(1−メチルビペリジニ
オメチル−3−−tフエムー4−カルボキシレート 6、     (6R,7R)−7−((Z)  −2
−(2−7i  /チアゾールー4−イル)−2−フェ
ノキシイミノアセトアミド)−3−(2−ビーリニオメ
チル)−3−セフェム−4−カルボキシレート 7、  (6R,7R)−7−((Z) −2−(2−
74,’チアゾールー4−イル)−2−フェノキシイミ
ノアセト7ミド)−3−(N−メチルモルホリニオメチ
ル)−3−セフェム−4−カルボキシレート 8、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−7
ミノチアゾールー4−イル)−2−フェノキシイミノア
セトアミド)−3−(1,4−ジ7ザビシクci (2
,2,2)オクタン−1−イオノメチル−3−セフェム
−4−カルボキシレート9、    (6R,7R)−
7−((Z)−2−(2−7ミ /チアゾールー4−イ
ル)−2−フェノキシイミノアセトアミド)−3−<1
−アザ−4,6−シオキサビシクO(3+3+0 )オ
クタン−1−イオンメチル−3−セフェム−4−jyル
ポキシレート 10、  (6R17R)−7−((Z)−2−(2−
7ミ/チアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノ
アセトアミド)−3−(1−7ザビシクロ(4,3,0
)ノナン−1−イオ)メチル−3=セフェム−4−カル
ボキシレート 11、     (6R,7R)  −7−C(Z) 
 −2−(2−7j  /チアゾールー4−イル)−2
−フェノキシイミノアセトアミド]−3−(1−7ザビ
シクロ(4,4,0)デカン−1−イオ)メチル−3−
セフェム−4−カルボキシレート 12、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7? /チアゾールー4−イル)−2−フェノキシ
イミノアセトアミド)−3−(]−]7ザー8−メチル
ビシ゛クロ 3.3.0 )オクタン−1−イオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシレート +3.  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
7ミyチアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノ
7セトアミド)−3−(1−7ザー8−カルバモイルオ
キシビシクcx (3,3,0)オクタン−1−イオ)
メチル−3−セフェム−4−力ルポキシレート 14、  (6tt、7R)−7−C(Z)−2−(2
−7ミノチ7ゾールー4−イル)−2−フェノキシイミ
ノアセト7ミド)−3−(1−アザ−8−シアノビシフ
a〔3,3,0〕オクタン−1−イオ)メチル−3−セ
フェム−4−カルポキシレート 15、  (6R,7R)−7−C(Z)−2−(2−
76/チアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノ
7セトアミド)−3−(1−アザ−8−ヒドロキシメチ
ルビシクロ(3,3,0)オクタン−1−イオ〕メ斗ル
ー3−セフェムー4−カルボキシレート 16、(6R,7R)−7−(CZ)−2−(2−7ミ
/チアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノアセ
トアミド)−3−(1−アザ−8−カルバモ゛イルビシ
クcff (3,3,o )オクタン−1−イオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキンレート 17、  (6R,7R) −7−((Z)−2−(2
−アミノチアゾール−4−イル) −2−フェノキシイ
ミノ7セトアミド)−3−(1−アザ−8−カルバモイ
ルオキシビシクロ(3,3,0)オクタン−1−イオ)
メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート +8.  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7ミ/チアゾール−4−イル) −2−(o−クロ
ルフェノキシイミノ)7セトアミド)−3−(1−7ザ
ビシクロ〔3,3,0〕オクタン−1−イオ)メチル−
3−セフェム−4−カルボキシレート 19、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7j /チアゾールー4−イル) −2−(m−ク
ロルフェノキシイミノ)アセトアミド)−3−(1−7
ザビシクロ(3,3,03オクタン−1−イオ)メチル
−3−セフェム−4−カルボキシレート 20、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
7ミ/チアゾール−4−イル)−2−(p−クロルフェ
ノキンイミノアセトアミド)−3−(1−7ザビシクロ
(3,3,0)オクタン−1−イオ)メチル−3−セフ
ェム−4−カルボキシレート 21、     (6R,7R)  −7−((Z) 
 −2−(2−7ミ /チアゾールー4−イル)−2−
(p−ブロモフェノキシイミノ)アセトアミド)−3−
(1−7ザビシクロ(3,310)オクタン−1−イオ
)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 22、  (68,7)L) −7−((Z) −2−
(2−7ミノチ7ゾールー4−イル) −2−(o−フ
ルオa’フェノキシイミノ)アセト7ミ ド〕−3−(
1−7ザビシクロC3,310)オクタン−1−イ:t
)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 23、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7j /チアゾールー4−イル)−2−(p−フル
オルフェノキシイミノ)7セトアミ ド)−3−(l−
7ザビシクロC3,3,OJオクタン−1−イf)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシレート 24、  (6R,7R) −7−((Z)−2−(2
−7ミノチアゾールー4−イル) −2−(m−トリフ
ロロメチルフェノキシイミノ)アセトアミド〕−3−(
1−7ザビシクロC3,3,0’]オクタン=1−イオ
)メチル−3−セフェム−4−力ルポキシレート 25、 (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−7
ミノチアプールー4−イル)−2−Cp−メチルフェノ
キシイミノ)アセトアミド)−3−(l−7ザビシクロ
(3,3,0)オクタン−1−イオンメチル−3−セフ
ェム−4−カルボキシレート 26、     (6Fし、71L)−7−[C1)−
2−(2−7ミ /チアゾールー4−イル) −2−(
m−メトキシフェノキシイミノ)アセトアミド)−3−
(l−アザビシクロ(3,3,0)オクタン−1−イf
)メチル−3−セフェム−4−カルボキンレート 27、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
7ミノチアゾールー4−イル)−2−(P−メトキシメ
チルフェノキシイミノ)アセトアミド〕−3−(1−7
ザビシクロ(4,3,0)ノナン−1−イオ)メチル−
3−セフェム−4−カルボキシレート 28、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7ミノチアゾールー4−イル) −2−’(m−メ
トキシカルボニルフエノキシイミ7)アセトアミド)−
3−(1−7ザビシクロ(4,4,0)デカン−1−イ
オ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 29、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
7ミノチアゾールー4−イル)−2−(p−メトキシカ
ルボニルメチルフェノキシイミノ)アセトアミド]−3
−(1−アザ−8−ヒドロキシメチル(3,3,0)オ
クタン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボ
キシレート30、  (6R,7R) −7−((Z)
 −2−(2−7ミノチアゾールー4−イル)−2−フ
ェノキシイミノアセトアミド)−3−(1−7ザビシク
ロ(2,2,1)へブタン−1−イオ)メチル−3−セ
フェム−4−カルボキシレート 31、     (6R,7R)  −7−((Z) 
 −2−(2−7j  /チアゾールー4−イル)−2
−7二/キシイミノアセトアミド)−3−(1−アザ−
4−カルボキシビシクロ(212$2 )オクタン−1
−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 32、     (6R,7R)−7−((Z)−2−
(2−7ミ ノチ7ゾールー4−イル〕−2−フェノキ
ン・rミノアセトアミド)−3−(1−7ザー3=オキ
ンビシクロ(2,’2.2)オクタン−1−イオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシレート 33、   (6R,7R)−7−((Z)−7−((
Z)−2−(2−7ミノチアゾールー4−イル)−2−
フェノキソイミノアセトアミド)−3−(1−7ザー3
−ヒドロ千シビシクロ(2,2,2)オクタン−1−イ
オ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 34、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−アミンチア ソー /ルー4−イ/し) −2−(
m−アセトキンフェノキシイミ/)7セトアミド〕−3
−(1−7ザビシクロ(2,2,2)オクタン−1−イ
オ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 35、 (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−7
ミyチアゾール−4−イル)−2−(p−シアノフェノ
キシイミノ)アセトアミド)−3−(1−7ザビシクロ
(212,2)オクタン−1−イ才)メチル−3−セフ
ェム−4−カルボキシレート 36、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
76/チアゾール−4−イル) −2−(o−ビニルフ
ェノキシイミノ)アセトアミド)−3−(l−7ザビシ
クロ(2,2,2)オクタン−1−イオ)メチル−3−
セフェム−4−カルボキシレート 37、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
7ミ/チアゾール−4−イル) −2−(m−二トロフ
ェノキシイミノ)アセトアミ ド)−3−(1−7ザビ
ンクロ(212,2)オクタン−】−イオ)メチル−3
−セフェム−4−カルボキシレート 38、     (6R,7R)−7−C(Z)−2−
(2−y:  フチアゾール−4−イル)−2−(β−
ナフチルオキンイミノ)アセトアミド]−3−(1−7
ザー3−オキンビシクG7 (2,2,2]]オクタン
ー1−イオメチル−3−セフェム−4−カルボキシレー
ト 39、     (6R,7R)  −7−((Z) 
 −2−(2−75/チアゾールー4−イル) −2−
(p −7二二ル7エ/をシイ1))7セトアミド)−
3=(1−アザ−3−オキソビシクロ(2,2,2)オ
クタン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボ
キシレート 40、     (6R,7R)−7−((Z)−2−
(2−7ミ ノチ7ゾールー4−イル)−2−(3−チ
ェニルオキシ・fミノ)アセトアミド〕−3−(t−ア
ザ−3−オキソビシクロ(2,2,2]]オクタンー1
−イオメチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 41、    (OR,7R)    7    ((
Z)    2    (27ミ /チアゾールー4−
イル)−2−(1−メチル−y−トラ/−ルー2−イル
オキシイミノ7セトアミド)−3−(1−アザ−3−オ
キソビシクロ(2,2,2)オクタン−1−イオ)メチ
ル−3−セフェム−4−カルボキシレート42.   
  (6)ζ、7Fし)  −7−CCZ)  −2−
(2−7ミ 。 チアゾール−4−イル)−2−(ビリミンン=2−イル
オキノイミノ)アセトアミド〕−3−(1−アザ−3−
オキシビシクロ(2,2゜2〕オクタン−1−イオ)メ
チル−3−セフェム−4−カルボキシレート 43、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
7/チアゾールー4−イル)−2−(ピラジン−2−イ
ルオキシイi))アセトアミド〕−3−(1−アザ−3
−オキンビシクCJ (2,2,2ノオクタンーl−イ
オ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 44、     (6R,7R)−7−((Z)−2−
(2−7ミ /チアゾールー4−イル) −2−(m−
力ルバモイルフエノキシイミノ)アセトアミド〕=3−
(l−アザ−3−オキシビシクロ(2,2。 2〕オクタン−1−イオノメチル−3−セフェム−4−
カルボキシレート 45、  (6R,7R) −−7−((Z)  2−
 (2−7ミノチアゾールー4−イル) −2−(m−
力ルバモイルフェノキシイミノ)アでドアミド〕−3−
(1−アザ−3−オキシビシクロ[2,2゜2]オクタ
ン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシ
レート 46、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7Z /チアゾールー4−イル)−2−(p−カル
バモイルメチルフェノキシイミノンアセトアミド)−3
−(1−アザ−3−オキシビシクロ(2,2,2)オク
タン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキ
シレート 47、  (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−
75/チアゾール−4−イル)−2−(p−ベンジルオ
キシフェノキシイξ))アセトアミド〕−3−(1−ア
ザ−3−オキシビシクロ〔2゜2.2〕オクタン=1−
イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 48、  (6R,7R) −7−C(Z) −2−(
2−7ミノチアゾールー4−イル)−2−フェノキシイ
ミノアセトアミド)−3−(1−アザ−3−クロロビシ
クロ(2,2,2)オクタン−1−カルボキシレート 49、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−アミノチアゾール−4−イル)−2−フェノキシイ
ミノ7セトアミド)−3−(1−7ザー4−ヒドロキシ
メチルビシフCl (2,2,2)オクタン−1−イオ
)メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 5o、  (6R,7R) −7−((Z) −2−(
2−7ミyチアゾールー4−イル)−2−フェノキシイ
ミノアセトアミド)−3−[1−アザ−4−(2,5−
ジヒドロ−2−メチル−5−オキソトリフジン−3−イ
ル)チオメチルビシクロ(2,2,2)オクタン−1−
イオ〕メチルー3−セフェムー4−カルボキシンート 本発明のセファロスポリン誘導体の製造法について以下
に詳述する。本発明のセファロスポリン誘導体は、以下
に旺述する′I8種の方法(反応酸A−g)によって製
造することができる。 反応酸A 、(2+             +31上記反応酸
Aでは、式(2)のセファミスポリン化合物又はその塩
と、式(3)の化合物又はその塩とを反応せしめる。反
応生成物は必費に応じて脱保護、塩生成、エステル化及
び/又り還元反応に付される。 式(2)において、R1及びR2は式illの定義と同
様であり、Qはアシルオキシ基、カルバモイルオキシ基
又はハロゲン原子を表わし、pけ0又はlを表わし、R
4は水素原子又は保護基を嵌ゎ丁。 アシルオキシ基の好ましい例としては、例えば、7セチ
ルオキシ、トリフルオロアセチルオキン、トリクロロア
セチルオキシ、プロピ万ニルオキシ、3−オキンプチリ
ルオキシ、3−カルポキシプpピオニルオキシ、2−カ
ルボキシベンゾイルオキシ、4−カルボキシブチリルオ
キシ、マンゾリルオキシ、2−(カルボエトキシカルバ
モイル)ベンゾイルオキシ、2−(カルボエトキシスル
フ7モイル)ベンゾイルオキシ、3−エトキシカルバモ
イルプロピオ二ルオキシなどが挙げられる。 ハロゲン原子としては、例えば、ヨウ素、臭素、塩素な
どが挙げられる。 R1の保護基としては例えば、メチル、エチル。 プロピル、tso−7’ロビル、フチルウペンチル。 ヘキシルなどの低級アルキル基;アセトキシメチル、プ
ロピオニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、バレ
リルオキシメチル、ピバロイルオキシメチルなどのフル
カッイルオキシアルキル基;エトキシメチル、エトキシ
メチル、メトキシエチル、エトキシエチルなどのアルコ
キシフルキル基;ベンジル、4−メトキシベンジル、4
−ニトロベンジル、フェネチル、トリチル、ジフェニル
メチル、ビス(メトキシ7エ二ル)メチル、3.4−ジ
メトキンベンジルなどの置換されていてもよいアラルキ
ル基;2−ヨードエチル、  2,2.2− ) ジク
ロロエチルなどのハロゲン化アルキル基;ビニル、アリ
ルなどのフルケニル基;フェニル、4−りaoフェニル
。 トリル、キシリル、メシチルなどの置換されていてもよ
い7リル基;トリメチルシリル、トリエチル、 jer
t−7’チルジメチルシリル、トリメチルシリルなどの
トリアルキルシリル基等が挙げられる。なかでも、RF
i)!+フルキルシリル基が好ましい。R4がトリフル
キルシリル基である場合、反応式Aの反応において式+
11のセファ0スポリン誘導体のが一異性体の生成が抑
制されるため、目的とする式(1)のセファロスポリン
誘導体が高収率で得られる。 式(2)のセフアロスポリン化合物は、その塩であって
もよい。好ましい塩としては、式(]’)。 (1“)のセファロスポリン誘導体において、例示した
塩と同様の塩が挙げられる。 式(3)において、Rs′で表わされる化合物はRjに
対応する塩基である。式(3)の化合物は、その塩であ
ってもよ(、好ましい塩としては、例えば、無機酸塩(
塩叡塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、リン酸塩など)、有機
酸塩(酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸塩、ベンゼンスル
ホン酸塩。 トルエンスルホン酸塩など)寺が挙げられる。 式(2)のセファロスポリン誘導体又はその塩と式(3
)の化合物又はその塩との反応は、不活性有機溶媒中で
両者を接触せしめQことKより行なわれる。 不活性有機溶媒と1−では、例えば、メチレンクロライ
ド、ジクロロメタン、クロロホルム。 四塩化炭JA、  1.2−ジクロロエタンなどのハロ
ゲン化炭化水素類;ンエチル二一テル、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジメトキシエタンナトノエーテル類
;ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化
7XjJ類;アセトニトリル;ジメチルホルムアミド;
ジエチルアセトアミド;ジメチルスルホキシド;酢酸エ
チル等が挙げられる。 反応@度は室温もしくはそれ以下の温度が好ましく、通
常−30℃〜+500の範囲で実施するのがよい。 式(2)のセファロスポリン化合物もしくはその塩と、
式(3)の化合物もしくはその塩とは等モル盪が反応す
るが、反応を行なうに際し℃は、通常、式(2)のセフ
ァロスポリン化合物もしくはその塩に対して、式(3)
の化合物もしくはその塩は0.7〜10倍モル、好まし
くは1,0〜lO倍モル使用される。 反応は両者を単に攪拌するだけで進行し、反応時間は反
応溶媒、反応温度等によつ”14なるが、通常5分〜3
時間である。 反応生成物は溶媒抽出、晶析、クロマトグラフィ等の公
昶の手段によつ℃単離a製することができる。 本反応においては、原料化合物として、化合物(2)の
シン異性体を用いた場合には、シン異性体の目的物(1
)が得られろ。化合物(2)のシン及びアンチ異性体の
混合物を原料として用いた場合には、目的物(])のシ
ン及びアンチ異性体の混合物が得られろ。かかる混合物
は、晶析。 クロマトグラフィー等の通常の手段により分離できる。 反応生成物は、必要に応じて、脱保護、嘔生成、エステ
ル化、及び又は還元反応に付される。 脱保護反応はそれ自体公知の反応であり、カルボキシル
△の保護基は、酸もしくはアルカリの存在下での加水分
解反応等によって除去することができる。アミ7基の保
護基は、酸あるいは接盾還元等によって除去することが
できる( U、S、Patent 44.152,43
3 ; U、S、Patent44.298,606 
)。 塩生成反応はそれ自体公知の反応であり、例えば上記反
応で得られる式(])のベタイン構造の化合物を、塩酸
、臭化水素酸、硫酸、硝酸。 リン散、酢醒、トリフルオロ酢酸等の酸;あるいはベタ
インを酸の存在下、塩化ナトリウム。 ヨウ化ナトリウム、塩化カリウム等の塩で処理すること
によって行なわれる。 エステル化反応は、それ自体公知の反応であり、得られ
る式(1)のセファロスポリン誘導体又はその塩とアル
カ/イルオキシフルキルパライト、アルコキシアルキル
ハライド尋とを、アセトン、ジメチルホルムアミド等の
不活性有機溶媒中で反応せしめることによって行なわれ
る( United Kingdom Patent 
A240+921 )。 還元反応は、それ自体公知の反応であり、式(1)にお
いてpが1であるセファロスポリン誘導体を7セチルク
ロライド等で処理し、次いでヨードイオン、亜ジチオン
酸ナトリウム等で還元することによって行なわれる( 
UnitedKingdom Patent 4240
+921 )。 結晶性の本発明のセファロスポリン林尋体を得るには例
えば以下の方法がある。 & (1)のセファロスポリン酵導体のアモルファスな
粉末を水;メタノール、エタノール、7七トン、テトラ
ヒトミフラン、′)オキサン、アセトニトリル等の有機
溶剤;あるいは・これらの混合溶剤に溶解せしめ、放置
することによって結晶として沈澱させる方法;アモルフ
ァスな粉末を、これらの浴剤全周いて再結晶させる方法
;あるいはアモルファスな粉末を水に溶解し、次いで上
記の有機溶4」を加え℃結晶として沈澱させる方法など
がある。 一方、他の方法としては、式(1)のセファロスポリン
誘導体の酸付加塩を、水又はメタノール、エタノール、
プロパツールなどの[alliE、あるいはこれらの混
合溶媒に溶解せしめ、次いでトリエチルアミン、水酸化
ナトリウム、炭酸ナトリウムなどの塩危で中和して結晶
な得る方法もある。 上記の如く、水もしくけ水を含む溶液中で結晶化もしく
は再結晶せしめろ場合には、通常結晶性の水和物が得ら
れる。また有機溶剤中で結晶化せしめる場合には、結晶
性の無水物もしくは溶媒和物が得られる。溶媒和物は容
易に無水物に変換される。結晶性の無水物もしくは溶媒
和物は、水蒸気を含む気体中罠放置することによって水
和物に変換することができる。 反応式B (41+51 反応式Bでは、式(4)の化合物、その塩又はその反応
性誘導体と、式(5)の化合物、その塩。 そのエステル又はその反応性誘導体とを反工6せしめる
。反応生成物は、必要に応じて脱保義。 塩生成、エステル化及び/又は還元反応に付される。 式(4)において、R1及びR2は前記定義に同じであ
る。 式(4)の化合物は、塩であってもよ(、塩としては酸
付加塩がある。かかる酸性KJ塩とし又は、反応式Aの
式(3)の化合物の酸付腑塩として例示したものが同様
に挙げられる。 式(4ンの化合物の反応性誘導体とじ又は、例えば、酸
ハライド、殴無爪物、混合龍無水物。 活性化アミド、活性化エステル等がある。 酸パライトとし℃は、例えば、酸クロライド。 、酸ブロマイドが挙げられる。混合ID無水物としては
、例えば、ジアルキルリン酸、フェニルリン酸、ピバリ
ン酸、ペンタン酸などの酸との混合酸無水物が挙げられ
る。活性化7ミドとし又は、例えば、イミダゾール、ト
リアゾール、テトラゾール、ジメチルピラゾールなどで
活性化されたアミド等が挙げられる。活性化エステルと
しては、例えば、シアノメチルエステル、メトキシメチ
ルエステル、ジメチルイミノメチルエステル、p−ニト
ロフェニルエステル、メシルフェニルエステルなどが挙
げられる。 式(5)において、R3およびpはIvlI記定義に同
じである。式(5)の化合物の塩としては、ナトリウム
塩、カリウム塩などのアルカリ金鵜塩;カルシウム塩、
マグネシウム塩などのアルカリ土類金属塩;アンモニウ
ム塩;トリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリ
ジン塩などの有機塩基との塩;あるいは削記したと同様
の酸付加jX等が挙げられる。 式(5)の化合物のエステルとしては1例えは、反応式
Aの式(2)の化合物におけるR4の保m基とし℃例示
したとl”J様の基でエステル化された化合物を挙げる
ことができる。 式(5)の化合物の反応性誘導体としては、例えば、ア
セ)B酸などのカルボニル化合物との反応によって形成
されるシッフ塩基型のイミノ化合物又はそのエナミンタ
イプの異性体;ビス(トリメチルシリル)アセトアミド
、トリメチルクロロシラン、tart−7’チルジメチ
ルクロロシランなどのシリル化合物との反応により生成
するシリル訪導体;三塩化リン、ホスゲンとの反応によ
って得られる誘導体等が挙げられる。 式(5)の化合物は次の方法によつ111mし得る。 (5つ             (3)上記の反応は
、反応式Aで示した式(2)の化合物と式(3)の化合
物との反応と同様にし1行なうことができる。 化合物(4)、七の塩又はそれらの反応性誘導体と化合
物(5)、その塩、そのエステル又はそれらの反応性誘
導体との反IC)は、不活性有機溶媒中、必要により縮
合剤もしくは塩基の存在下で、両者を接触することによ
り行なわれる。 不活性有機溶媒としては、例えば、メチレンクロライド
、ジクロロメタン、クロロホルム。 四塩化炭素、1,2−ジクロロエタンなどの・−ロゲン
化炭化水X類;ジエチルエーテル、テトラヒドロ7ラン
、ジオキサン、ジメトキシエタンナトのエーテル類;ヘ
キサン、ベンゼン、トルエン、キンレンなどの炭化水*
M;7−t=トニトリル;ジメチルホルム7ミド;ジエ
チルアセトアミド;ジメチルスルホキシド等が挙げられ
る。 反応に際しては塩基を添加し又もよい。かかる塩基とし
ては、例えば水酸化アルカリ金属。 炭酸水素アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、トリアルキ
ルアミン、 N、N−ジアルキルベンジルアミン、ピリ
ジン、N−フルキルモルホリフ等の有機もしくは#II
I機の塩基が挙げられる。かかる塩基の使用1は通常化
合物(4)、その塩又はそれらの反応性誘導体に対し1
等モル〜3倍モルである。 化合物(4)又はその塩を反応に用いる場合には、縮合
剤を添Jしてもよい。縮合剤としては、例えば、N、N
’−ジシクロへキンル力ルポジイミド、N−シク0ヘキ
シル−N′−モルホリノエチルカルボジイミド、N+N
’−ジエチルカルボジイミド、トリメチルホスファイト
、トリフェニルホスフィン、2−エチル−7−ヒトロキ
シベンズインオキサゾリウム塩などが挙げられる。かか
る縮合剤の使用貨は通常、化合物(4)又はその塩に対
し11〜3倍モルである。 化合物(4〕、その塩又はそれらの反応性誘導体と化合
物(5)、その塩、そのエステル又はそれらの反応性誘
導体とは通常はぼ等モルtを用いて反応を行なう。 反応温度は、通常冷却下もしくは室温で行なわれる。 反応は通常、数分〜数十時間で終了する。 反応生成物は溶媒抽出 、14析、クロマトグラフィー
等の公知の手段によって単離精製することができる。 反応生成物の脱保護、塩生成、エステル化及び/又は還
元反応は反応式Aで示したと同様の方法により行なうこ
とができる。目的物の粘晶を得る場合にも反応式Aで示
した方法と同様にして行なうことができる。 本皮ふ6においては、原料化合物とし又、化合物(4)
のシン異性体を用いた場合にはシン異性体の目的物(1
’)が得られる。化合物(4〕のシン及びアンチ異性体
の混合物を原料として用いた場合には目的物(1)のシ
ン及びアンチ異性体の混合物が得られる。かかる混合物
は、11クロマトグラフイー等の通常の手段により分離
できる。 反応式〇 +61             (71反応弐〇では
、式(6)の化合物、その塩又はそのエステルと、式(
7)の化合物、その保護された化合物又は七の塩と反応
せしめる。反応生成物は、必要に応じて脱保護、塩生成
、エステル化及び/又は還元反応に付されろ。 式(6)にSいて、US及びpは前記定義に同じである
。 式(6)の化合物の塩としては、酸付加塩、あるいはア
ルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩。 アンモニウム塩、あるいは有機塩基との瓜がある。これ
らの塩の具体例としては式(1)の化合物で記述したも
のと同様の塩が挙げられる。 式(6)の化合物のエステルとし又は、例えば、反応式
AにZける式(2)の化合物のR4の保ddとして例示
したと同様の基でエステル化された化合物を挙げること
ができる。 式(6)の化合物は久の方法によって裂遺し得る。 (6’)                  +31
上記の反応は、反応式Aにおいて示した、式(2)の化
合物と式(3)の化合物との反応と同様にして行なうこ
とができる。 式(7)において、R2は前記定義に同じである。 化合物(7)の保護された化合物としては、R1がカル
ボキシ基等の活性な置換基を有する場合、これらの置換
基を慣用的に使用されるW、躾基で保iした化合物が挙
げられる。 化合物(7)の塩としては、殻付加塩が挙げられ、これ
らの具体例は前記したと同様のものが挙げられる。 式(7)の化合物は公知の化合物であり、ヒトミキシフ
タルイミドを用いる公知の方法(Bulletin 5
ociety+ 833t 1976 )や2I4−ジ
ニトロフェニルヒドロキシルアミンを用いる公知の方法
(特開昭60−169446号公報)等の方法によって
製造し得る。 化合物(6)、その塩又はそのエステルと化合物(7)
、その保画された化合物又はその塩との反応は、不活性
有機溶媒中で、必要に応じて塩基の存在下、両省を接触
せしめることにより行なわれる。 不活性有機溶媒としては、例えばメタノール。 工l/−ル、プロパツール、ブタノールなどのアルコー
ル類が挙げられる。これら不活性有機溶媒は水を含んで
い′Cもよい。 必要に応じ℃添加されろ塩基としては、反応式Bの反応
で用いた塩基と同様のものが挙げられる。 かかる塩基の使用貨は、式(6)の化合物、その塩又は
そのエステルに対し、通常1〜3倍″モルである。式(
6)の化合物、その塩又はlそのエステルと式(7)の
化合物、その保護された化合物、又はその塩とは通常、
それぞれ号モル濾用いて反応が行なわれる。 反応温度は通常、冷却下もしくは室温で行なわれる。 反応時間は通常、数分〜数十時間である。反応生成物は
溶媒抽出、晶析、クロマトグラフィー等の公知の手段に
よって単離精製することができる。 本反応においては、化合物のンン及びアンチ異性体の混
合物が得られる。 かかる混合物は、晶析、クロマトグラフィー等の通常の
手段によつ℃分離することができる。 脱保護、塩生成、エステル化及び/又&i通元反応は反
応式Aと同様にして行なうことができる。目的物の結晶
性無水物もしくは水和物を得る場合にも、反応式Aで示
した方法と同様にして行なうことができる。 反応式D (3)           t91 反応式りでは、式(8)の化合物、その塩又はそのエス
テルと、式(9)の化合物又はその塩とを反応せしめる
。反応生成物は、必要に応じて、脱保護、塩生成、エス
テル化及び/又は還元反応に付される。 式(8)において、R1、R3、1t@及びpは前記足
蹴に同じであり、Rは、塩素、臭素、ヨウ素などの・〜
pゲン原子を表わす。 式(8)の化合物の塩としては、例えばアルカリ金属塩
、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、有機塩基との
塩あるいは酸付加塩がある。 これらの塩の具体例とじ又は、化合物(1)で記述した
ものと同様の塩が挙げられる。 式(8)の化合物のエステルとしては、例えは、反応式
Aにおけ6式(2)の化合物のR4の保祿基と同様の基
でエステル化された化合物が挙げられる。 式(8)の化合物は以下のようにし″C製造される。 COO1:′ 上記反応において、式(5′)の化合物と式(3)の化
合物との反応は、反応式Aにおいて述べた反応と同様に
して行なわれる。式(5)の化合物と式(8′)の化合
物との反応は、反応式Bにおいて述べた反応と同様にし
て行なわれる。式(8′)の化合物は公知の化合物であ
り、公知の方法(United Kingdom Pa
tent A2.012,276 )によって製造し得
る。 式(9)において、R1は水素原子又は保護基を表わす
。式(9)の化合物は公知の化合物である( ロ、S、
Patent 44,298,606  )。 式(9)の化合物の塩とし又は、酸付加塩が挙げられ、
かかる酸付加塩の具体例としては、式(1)の化合物で
記述したものと同様の酸付加塩が挙げられる。 式(8)の化合物、その塩又はそのエステルと式(9)
の化合物又はその塩との反応は、不活性溶媒中で、両者
を接触することにより行なわれる。 不活性溶媒としては、例えば、水;メタノール、エタノ
ール、グロパノール、スタ/−ルなとのアルコール類;
ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンな
どのエーテル類;ジメチルホルムアミド;ジメチルアセ
トアミド;メチルピペリドン等が挙げられる。これらの
溶媒の混合物も同様に用いることができる。 式(9〕の化合物又はその塩は、通常、式(8)の化合
物、その塩又はそのエステルに対して1〜3倍モル用い
られる。 反応温度は特に限定されないが、通常、室温から溶媒の
沸点程度の温度で行なわれる。 反応時間は通常、1〜10時間程反である。 反応生成物は溶媒抽出、晶析、クロマトグラフィー等の
公知の手段によつ℃単離精製することができる。 本反応においては、原料化合物として化合物(8)のシ
ン異性体を用いた場合には、化合物(1〕のシン異性体
が得られる。化合物(8)のシン及びアンチ異性体を用
いた場合には、化合物(1ンのシン及びアンチ異性体の
混合物が得られる。かかる混合物は、晶析、クロマトグ
ラフィー等の通常の手段により分離できる。 脱保護、塩生成7エステル化及び/又は還元反応は反応
式Aで示した方法と同様にして行なうことができる。目
的物の結晶性無水物もしくは水和物を得ろ場合にも、反
応式Aで示した方法と同様にして行なうことがでさる。 反応式E (l“’、)             (Il(l“
″) 反応式Eでは、式(1″′)の化合物、その塩又はその
エステルと、式(1o)の化合物、ジフル千ル硫酸又は
ジアゾアルカンとを反応せしめる。 反応生成物は必要に応じて、脱保護、塩生成。 エステル化及び/又は還元反応に付される。 式(1”)においてal 、 Rj及びpは前記定義に
同じである。 式(1”’ )の化合物の塩としては、酸付却塩、ある
いはアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩。 アンモニウム塩、有機塩基との塩などがある。 これらの塩の具体例としては式(1)の化合物で記述し
たものと同様の塩が挙げられる。 E (1”)の化合物のエステルとしては、反応式Aの
式(2)の化合物におけるR4の保護基と同じ基でエス
テル化された化合物を挙げることができる。 式(1”’ )の化合物は矢の方法によりmMし得る。 (7)。 (V)。 (1”) 上記反応において、式(5′)の化合物と式(3)の化
合物との反応は、反応式Aで述べた反応と同様にして行
なうことができ、式15)の化合物と式(4′)の化合
物との反応は、反工6弐Bで述べた反応と同様にして行
なうことができる。式(4つの化合物は公知の化合物で
あり、公知の方法(U、S、 Patent 44,2
98,606 )により製造し得る。 式(10)において、RR′ は置換もしくは非置換の
フルキル基、置換もしくは非置換のジクロフルキル基、
又は置換もしくは非置換の複素還基を表わす。Hatは
、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を表わす。式
(10)の化合物は、相当する脂肪族炭化水素、環式脂
肪族炭化水素あるいは複素環化合物を慣用の手段により
ハロゲン化することによって得られる。 ジアルキル硫酸としては1例えばジメチル硫酸・ジメチ
ル硫酸などが挙げられる。 ジアゾアルカンとしては、例えば、ジアゾメタンなどが
挙げられる。 式<ILH)の化合物、その塩又はそのエステルと式(
10)の化合物、ジアルキル硫酸、又はジアゾアルカン
との反応は、不活性溶媒中で、必要に応じ℃塩基の存在
下に、両者を接触せしめること洸より行なわれる。 不活性溶媒としては、例えば、メタ/−ル。 エタノール、プロパツール、フタノールなどのアルコー
ル類;メチレンクロライド、ジクロロメタン、クロロホ
ルム、四項化炭g、1.2−ジクロロエタンなどの・−
ロゲフ化炭化水素類;ジエチルエーテル、テトラヒドロ
7ラン、ジオキサン、ジメトキシエタンなどのエーテル
類;ジメチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド;酢
酸エチル;水などが挙げられろ。 必要に応じて、塩基の存在下に反応を行なってもよい。 かかる塩基としては、例えば水酸化アルカリ金属、戻岐
水素アルカリ金属、炭酸アルカリ金属、トリアルキルア
ミン、 N、N−ジアルキルペンジルアミン。ピリジン
、N−フルキルモルホリン等の有機もしくは無機の塩基
が挙げられる。かかる塩基の使用量は、通常式(1”)
の化合物、その塩又はエステルに対し℃、1〜3倍モル
である。 式(10)の化合物、ジアルキル硫酸、又はジアゾアル
カンは、式(1勺の化合物、その塩、又はそのエステル
に対して、通常1〜3倍モル用いられる。 反応温度は特に限定されないが、通常、冷却下〜溶媒の
沸点程度の加熱下に行なわれる。 反応時間は、通常、数分〜数十時間である。 反応生成物は、溶媒抽出、晶析、クロマトグラフィー等
の公知の手段によって準Rfi精製することができろ。 本反応においては、原料化合物として、化合?+1(1
”)のシン異性体を用いた場合には、化合物(1″″)
のシン異性体が得られる。化合物(1″′)のシン及び
アンチ異性体の混合物を用いた場合には、化合物(1”
’)のシン及びアンチ異性体の混合物が得られる。かか
るl混合物は晶析。 クロマトグラフィー等の通常の手段により分離できろ。 脱保護、塩生成、エステル化、還元反応は、反応式Aで
示した方法と同様にし1行なうことができる。巨的物の
結晶性無水物もしくは水和物を得る場合にも、反応式A
で示した方法と同様にして行なう・ことができる。 本発明の式(1ンのセファロスポリン誘導体、特にR1
が水素原子である式(1)のセファロスポリン誘導体又
はその薬学的に許容し5る塩又はそのエステルは、広範
囲のダラム陽性およびダラム陰性菌に対して高い抗閉活
性を示し、人を含む動物の細菌感染症の治療に有用であ
る。本発明のセファロスポリン誘導体は、緑膿菌、チフ
ス菌、エンテロバクタ−等のダラム陰性菌、黄色ブドー
状球菌、化膿レンサ球菌、枯草函等のダラム陽性菌に対
し強力な抗菌活性を有する。 また本発明のセラ7ロスポリン訪導体は作用持続時間が
長いという特徴を有する。 不発明のセフアロスポリン誘導体、その薬学的に許容し
得る塩又はそのエステルは、非経口的または経口的に投
与される。非経口的に投与する剤型としては、例えば静
脈もしくは筋肉内注射剤、坐剤等がある。注射剤は水性
もしくは油性溶液、@濁液等の形態をとることができる
。 また投与前に殺菌水で再調合し℃使用する粉末。 結晶であってもよい。坐剤はココアバター、グリセリド
等の通常の賦形剤に、必要に応じて吸収促進剤を含有せ
しめてなる製剤が挙げられる。 経口的に投与する場合には、通常のカプセル剤1錠剤、
顆粒剤等があり、これらKは吸収促進剤、保存剤等を含
有せしめることができる。 これら各種の製剤は当業界周知の方法で製造することが
できる。 本発明のセファロスポリン誘導体、その薬学的に許容し
うる塩又はそのエステルの投与量は、年令、症状、投与
形態により異なるが、通常20〜2000〜/日である
〇 以下不発明を実施例により更に詳細に説明する。 実施例1 (6R,7R)−7−((Z)−2−(2−1リ チル
アミノチアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノ
アセト7ミド〕−3−ヨードメチル−3−セフェム−4
−カルボン酸ペンツヒドリルエステル530ダをエーテ
ル39mtに懸濁しておき1−7ザビシクロ(3,3,
0)オクタン111〜を加え室温で1.5時間よく攪拌
した。 沈澱物を1過し、fさい(521’l&)にトリフロル
酢酸3dを五え−C室温で1.5時間攪拌した。 次いで20℃以下で減圧でトリフ0ル酢酸を除き、得ら
れる残渣をエーテルでつぶして1過捕果し、これを少菫
のメタノールにとかし”()(P−20イオン交換!M
脂のカラムを用いて水−メタノール混合溶媒系でメタノ
ール容量化を0%から4υ%ヱで順次増しつつ精製した
。 メタノール20%〜40%で溶出した分画な凍mas+
、目的トす6 (6R+7R) −7−((Z)−2−
7二ノキンー2−(2−7ミノチアプールー4−イル)
アセトアミド)−3−(1−7ザビシクロ(3+3tt
J )オクタン−1−イオ)メチルツー3−セフェム−
4−カルボキシンートを含む粉末47■が得られた。 I R(cm−’ ) : NMR(D、DMSO−D、o )δ:1.7〜2.3
 (8H,broad ) 。 3.2〜4.0(5H* broad ) 。 5.27(IH,d)、5.89(])1.d+d)。 6.90 (IH,ts )、 7.26 (5H,b
roads )実施例2 (1)  アセトニトリル250ajに(6R,7R)
 −7−アミノ−3−ヨードメチル−3−セフェム−4
−カルボン920:JをA4 iせしめ、水浴上で冷却
しつつビストリメチルシリルアセトアミド44rtlを
滴下した。滴下後さらに1時間攪拌した。 別の反応容器で] OOatのCH,、C1,中、30
.2夕の(Z) −2−フェノキシイミノ−2−(2−
トリチルアミノチアゾール−4−イル)酢酸と13.2
 、@のPCl、を室温で反応させ、すばやく氷水で洗
浄後、硫酸マグネシウム乾燥、テ過して(Z) −2−
フェノキシイミノ−2−(2−)ジチルアミフチアゾー
ル−4−イル)酢酸クロライドのCH,C^浴溶液得た
。この溶液を前V己アセトニトリルIW液中に水冷下ゆ
っくり加えた。加え終ってから室温で30分間攪拌し、
(6a、7R)−7−((z)−2−(2−トリチルア
ミノチアゾール−4−イル)−2−フェノキシイミノア
セトアミド〕−3−ヨードメチル−3−セフェム−4−
カルボン徹トリメチルシリルエステルの7セトニトリル
ージクI:Iロメタン混合溶液を得た。 (11)  該混合溶液を一20℃に冷却し、1−アザ
ビシクー(3,3,0)オクタン5.1針をアセトニト
リル56 mlに溶解したものをゆっくり滴下した。滴
下終了後同温度でさらに2時間攪拌し徐々に室温まで温
度を上げた。 減圧下に溶媒を留去し次いで10%の水を含むトリフロ
I:I酢酸501を加えて室温で約2時間はげしく攪拌
した。攪拌終了後500ゴのジエチルエーテル中に注い
で得られた沈澱物をr遇し、乾燥すると約41.S+の
固体が得られた。得られた固体を粉砕し水抽出し水を濃
縮した後、エタノール7加えた。 エタノール浴衣を水冷下放置すると沈渥が生じた。沈澱
を1過し℃219の(6R,7R)−7−((z)−2
−(2−7ミ/チアゾール−4−イル) −2−フェノ
キシイミノ7セトアミド)−3−(1−7ザビシクロ(
3,3,0)オクタン−1−イオ)メチル−3−セフェ
ム−4−カルボキシレート・2−トリフルオa酢酸塩を
得た。これを少輩のメタノールにとかしてHP−20イ
オン交換樹脂のカラムを用い℃水−メタノール晶合溶媒
系でメタノール芥童比を0%から40%まで順次増しつ
つ稍′   製した。 メタノール20%〜40%で溶出した分画な集めた。 (110該トリフルオロ酢酸塩浴液をNa型アンバーラ
イトIRA−410イオン交換樹脂カラムを通した後凍
結乾燥し℃目的の(6R,7R) −7−[(Z)−2
−(2−7ミ/チアゾール−4−イル)フェノキシイミ
ノアセトアミド〕−3−(1−(1−7ザビシクロ(3
,3,0)オクタン−1−イオ)メチル〕3−セフェム
ー4−カルポキシレー) 6.0針を得た。 スペクトルデータ(’I R、NMR)は実施例1で得
られたものと一致した。 実施例3 よる合成 (1)7セトニトリル21中に(6R,7R) −7−
アミノ−3−ヨードメチル−3−セフェム−4−カルボ
ン酸200J@をM濁させ水浴上で冷却しつつビストリ
メチルシリルアセトアミド435!Llを滴下した。滴
下後、水冷下さらに1時間攪拌した後、−20℃に冷却
して、(6R,7R) −7−ピスドリメチルシリルア
ミノー3−ヨードメチル−3−セフェム−4−カルボン
酸トリメチルシリルエステルを得た。 これに、攪拌しながら、1−7ザビシクロ(3,3,0
)オクタン5]、!/をアセトニトリル400dに溶か
したものをゆっくり滴下し℃、(6R,7R) −7−
ピスドリメチルシリル7ミノー3−(1−アザビシクロ
(3,3,0)オクタン−1−イ才)メチル−3−セフ
ェム−4−カルボン酸トリメチルシリルエステルのアセ
トニトリル溶液を得た。 (11)  得られた溶液の温度を室温にまで高めた。 別途、llのジクロルメタン中300yの(Z) −2
−フェノキシイミノ−2−(2−トリチルアミノチアゾ
ール−4−イル)酢酸と132、!7の五塩化リンとか
ら調製した(2)−2−メトキシイミノ−2−(2−)
ジチルアミノチアゾール−4−イル)酢酸クロライドの
f8液を前記浴散に一度に加えた。室温で1時間攪拌し
た後、減圧にて大部分の溶媒を除去し、10%の水を含
むトリフルオロ酢酸6001を加え℃室温で2時間攪拌
した。減圧にてトリフルオロ酢酸の大部分を留去し激し
く攪拌しつつジエチルエーテル51を加えた。得られた
沈澱物をP別し、fさいより約1.51の水で抽出した
。抽出物を濃縮した後、約2ノのエタノールを加えて、
冷却放置し、得られた沈澱物をf’:iMすると(6R
,7R) −7−((Z)−2−(2−7ミノチアゾー
ルー4−イル)−2−フェノキシイミノアセト7ミド)
−3−(1−7ザビシクロl: 3.3.0 )オクタ
ン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシ
レートの2−トリフルオロ酢酸塩を得た。 (11D  該トリフルオロ酢酸塩を水に溶解しNa型
アンバーライトIRA−410イオン交換樹脂カラムを
通した後凍結乾燥して目的の(6R97R) −7−(
(Z) −7−((Z) −2−(2−7ミノチアゾー
ルー4−イル)フェノキシイミノアセト7ミド)−3−
(1−(1−7ザビシクロ(3131)オクタン−1−
イオンメチル〕3−セフェムー4−カルボキシレート2
90174を得た。 スペクトルデータ(IR,NMR)は実施例1で得られ
たものと一致した。 実施例4 よる合成 実施例3の(1)と同様にして、500dのアセトニト
リル中に(6R,7fζ)−7−アミン−3−ヨードメ
チル−3−セフェム−4−カルホン酸50yを懸濁させ
、110yのビストリメチルンリルアセトアミドと13
.9の1−アサビシクロ(2,2,2)オクタンとから
(6R,7K)−7−ビストリメチルシリルアミノ−3
−(1−7ザビシクQ (2,2,2)オクタン−1−
イオ〕メチルー3−セフェムー4−カルボン酸トリメチ
ルシリルエステルのアセトニトリル溶液を得た。 上記溶液に塩化メチレン300!j中、35.9の(2
−クロロアセチルアミノチアプール−4−イル)グリオ
キシル酸と32gの五塩化リンより調製した酸クロリド
溶液を水冷下加えた。添加終了後、室温で30分攪拌し
た。続いて溶媒を留去して固形状の残留物を得た。固形
物をメ1 / −ルア 00 mに溶解せしめ、16.
5 &の〇−フェニルヒドロキシルアミンを加エテ室温
に′″CI6時間反応せしめた。 反応後溶媒を減圧留去したのちN、N’−ジメチルホル
ムアミド1001jを加えて再度溶解し、千オ尿素21
.S+を加え室温で3時間攪拌した。 次いでこの反応溶液をltのアセトン中に加え沈澱物を
得た。 得られた固体なHP−20イオン交換樹脂を用いて7セ
トン水−混合溶媒系でアセトンの重比を0から40%ま
で順次増しつつ精製し、標記化合物を含む粉末15.0
9を得た。得られた化合物を液体クロマトグラフィー〔
カラム:RP−18,溶出溶媒:水−メタノール混合溶
媒。 検出二UVat260nm)により分取して目的化合物
を得た。 IR(cりミー1 )  二  1776NMR(D、
O−d、−DkiSO)δ:1.8〜2.2 (6H,
broad ) +3.1〜3.7 (7H+ bro
ad ) +5.35(IH,d)。 5.85 (]IHd )、 7.0 (IH,s )
。 7.3 (5H+ broada ) 実施例5 よる合成 (1)  実施例3の(1)と同様にして、(6R,7
R) −7−アミノ−3−ヨードメチル−3−セフェム
−4−カルボン(R3,4jW、  アセトニトリル5
0工を及び1−7ザビシクロ(2,2,2)オクタ71
.O&よl) (6R,7R) −7−ピスドリメチル
シリルア4/−3−(]−7ザビシクロ(2,2,2)
オクタン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カル
ボン酸トリメチルシリルエステルのアセトニトリル溶孜
を得り。 一方、4−クロo −3−オキンー(Z) −2−フェ
ノキシイミノ酢酸2.2.9と、ジクロルメタン50j
llj中室温で五塩化リン2.21と反応せしめて4−
りa a −3−オキソ−(2)−2−フェノキシイミ
ノ酢酸クロライドのジクロロメタン溶液をPAmしてS
@、これを先に得られたアセトニトリル溶液に一20℃
でゆっくり加えた。添加後生々に室温まで温度を上げ、
さらに1時間攪拌した。反応後減圧にて溶媒を留去し泡
状固形物13.5 /を得た。 (11)  咳泡状固形物をジメチルホルム7ミド60
dにとかしてこれにチオ尿素1.9 jJを加えて室温
で1晩攪拌した。 反応液をそのまま500dのジエチルエーテル中に投入
すると粘ちょうな液状物が分離し、エーテルをデカンテ
ーションし℃除いた後アセトン5(11’を加えてかき
まわすと固形物が得られた。 得られた固形物を水に溶かし″CHP−20イオン交換
樹脂カラムを用い、水−7七トン混合溶媒系を用いて、
アセトンの址比をOから40%まで順次増しつつ檀製し
標記化合物を含む残留物として502■の白色個体が得
られた。これを高速液体クロマトグラフィーにより確認
し推定純度は80%であった。 実施例6 レート (Z) −2−フェノキシイミノ−2−(2−)ジチル
アミノチアゾール−4−イル)酢酸のかわりに(Z) 
−2−(ピラジン−2−イル)オキシイミノ−2−(2
−)ジチルアミノチアゾール−4−イル)酢戯をまた1
−7ザビシクロ(3,3,0)オクタンのかわりに1−
7ザビシクO(2,2,2)オクタンを用いる他は実施
例2と同様にして標記化合物3.41を得た。 IR(cTIL−’ ) : 1775NMR(D!O
−d、DMSO)δ: 1.8〜2.1 (6H+ broad ) +3.1
〜3.6 (7H,broad ) 。 5.30(IH,d)、5,80(1)[、d)。 7.05 (LH,s )、 s、s (2H,d )
。 9.9 (1fI、 d ) 実施例7 In vltro抗菌活性を、寒天平板希釈法によって
測定した。 各種試験菌をトリプトケースーンイプロス中−夜培養し
、その−白金耳(生圀数10・/“)を、本発明化合物
を各種濃度で含むミュラーーヒントン寒天に画線し、3
7℃で16時間培養し、最小発育阻止a度(MIC,μ
&/m−4)を求めた。 結果は表−■に示した通りである。 表−I  MIC(μi/11 ) 実施例8 他の本発明の化合物の抗菌活性を次表に示す。 表−I’MIC(μI/R1) 化合物I : (6R,7R)−7−((Z)−2−(
2−アミノチアゾール−4−イル) −2−(。 −クロルフエノキシ)イミノアセトアミド〕−3−(1
−7ザビシクロ(21212)オクタン−1−イオ)メ
チル−3−セフェム−4−カルボキシレート 化合物II: (6R,7R)−7−((Z)−2−(
2−7ミノチアゾールー4−イル) −2−(。 −クロルフェノキシ)イミノ7セトアミド〕−3−(4
−カルボキシ−1−7ザビシクロ(2,2,2)オクタ
ン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキシ
レート 化合物111: (6R,7R)−7−((z)−2−
(2−7ミノチアゾールー4−イル)−2−(。 −クロルフェノキシ)イミノアセトアミド〕−3−(4
−カルバモイル−1−アザヒシクロ(2,2,2)オク
タン−1−イオ)メチル−3−セフェム−4−カルボキ
シレート 実施例9 34℃で培養する他は実施例7と同様にしてメチシリン
耐性黄色ブドー球菌に対するInvitro后性を測定
した。 表−n  MIC(μ&/It ) 肴CAD (セ7タジジム) 実施例10 次に他の本発明の化合物につい℃のメチシリン耐性黄色
ブドー球菌に対する活性を次表に示す。 我ill   MIC(μI/d ) 化合物I : (6R,7R)−7−((Z)−2−(
2−7ミノチアゾールー4−イル)−2−(p−メチル
フェノキシ)−7セトアミド〕−3−(1−(1−7ザ
ビシクロ(2,2,2)オクタン−1−イオ)メチル−
3−セフェム−4−カルボキシレート 化合物II: (6L7R)−7−((Z)−2−(2
−7ミノチアゾールー4−イル)−2−(p−クロロフ
ェノキシン−7セトアミド)−3−(1−(1−アザビ
シクロ(2,212)オクタン−1−イオ)メチル−3
−セフェム−4−カルボキシレート 化合物III: (6R,7R)−7−((Z)−2−
(2=アミ/チアゾール−4−・イル)−2−(p−フ
ルオロフェノキシ)−7セトアミド〕−3−(1−(1
−7ザビシクロ(z+2t2 )オクタン−1−イオ)
メチル−3−セフェム−4−カルボキシレート 〈産業上の利用分野ン 本発明のセファロスポリン誘導体、その塩又はそのエス
テルは、強力な抗菌性を有し、多数のダラム陽性菌、特
にメチシリン耐性黄色ブドー球菌、ダラム陰性菌の生H
を強力に阻止し、各種の感染症の治療、予防に有用であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中、R^1は水素原子又は保護基を表わす。 R^2は置換もしくは非置換のアリール基。 R^3は第4級アルキルアンモニウム基を表わす。〕 で表わされるセフアロスポリン誘導体。 2、塩が下記式(1′)又は(1″) ▲数式、化学式、表等があります▼(1′) ▲数式、化学式、表等があります▼(1″) 〔式中、R^1、R^2、R^3は上記定義に同じ。 An^■_1は一塩基酸の陰イオン、An^2^■_2
    は二塩基酸の陰イオン、An^3^■_3は二塩基酸の
    陰イオンを表わす。〕 で表わされる請求の範囲第1項記載の塩。 3、R^2は、置換もしくは非置換の炭化水素系芳香族
    基または複素環系芳香族基である請求の範囲第1項また
    は第2項記載のセファロスポリン誘導体。 4、R^2は、置換もしくは非置換のフェニル基または
    ナフチル基である請求の範囲第1項または第2項記載の
    セフアロスポリン誘導体。 5、R^2は、置換もしくは非置換の5員環もしくは6
    員環を有する複素環系芳香族基である請求の範囲第1項
    または第2項記載のセフアロスポリン誘導体。 6、下記式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) 〔式中、R^1及びR^2は上記定義に同じ。R^4は
    水素原子又は保護基を表わす。Qはアシ ルオキシ基、カルバモイルオキシ基又は ハロゲン原子を表わす。pは0又は1を 表わす。〕 で表わされるセフアロスポリン化合物又はその塩と、下
    記式(3) ▲数式、化学式、表等があります▼(3) 〔式中、R^3′は第4級アルキルアンモニウム基、R
    ^3に対応する塩基〕 で表わされる化合物又はその塩とを反応せしめ、必要に
    応じて脱保護、塩生成、エステル化及び/又は還元反応
    に付すことを特徴とする下記式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中、R^1、R^2、R^3は上記定義に同じ。〕
    で表わされるセフアロスポリン誘導体の製造法。 7、下記式(4) ▲数式、化学式、表等があります▼(4) 〔式中、R^1及びR^2は上記定義に同じ。〕で表わ
    される化合物、その塩又はその反応性誘導体と下記式(
    5) ▲数式、化学式、表等があります▼(5) 〔式中、R^3及びpは上記定義に同じ。〕で表わされ
    る化合物、その塩、そのエステル又はその反応性誘導体
    とを反応せしめ、必要に応じて脱保護、塩生成、エステ
    ル化及び/又は還元反応に付すことを特徴とする下記式
    (1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中、R^1、R^2、R^3は上記定義に同じ。〕
    で表わされるセフアロスポリン誘導体の製造法。 8、下記式(6) ▲数式、化学式、表等があります▼(6) 〔式中、R^1、R^3及びpは上記定義に同じ。〕で
    表わされるセフアロスポリン誘導体と下記式(7) H_2N−OR^2 (7) 〔式中、R^2は上記定義に同じ。〕 で表わされる化合物、その保護された化合物又はその塩
    とを反応せしめ、必要に応じて脱保護、塩生成、エステ
    ル化及び/又は還元反応に付すことを特徴とする下記式
    (1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中、R^1、R^1、R^3は上記定義に同じ。〕
    で表わされるセフアロスポリン誘導体の製造法。 9、下記式(8) ▲数式、化学式、表等があります▼(8) 〔式中、R^2、R^3及びpは上記定義に同じ。 R^5はハロゲン原子を表わす。〕 で表わされる化合物、その塩又はそのエステルと下記式
    (9) ▲数式、化学式、表等があります▼(9) 〔式中、R^1は上記定義に同じ。〕 で表わされる化合物又はその塩とを反応せしめ、必要に
    応じて脱保護、塩生成、エステル化、及び/又は還元反
    応に付すことを特徴とする下記式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) 〔式中、R^1、R^2、R^3は上記定義に同じ。〕
    で表わされるセフアロスポリン誘導体の製造法。 10、下記式(1″′) ▲数式、化学式、表等があります▼(1″′) 〔式中、R^1、R^3、R^4、R^5、l、m、n
    、X及びpは上記定義に同じ。〕 で表わされるセフアロスポリン誘導体と下記式(10) Hal−R^2′(10) 〔式中、R^2′は置換もしくは非置換のアルキル基、
    置換もしくは非置換のシクロア ルキル基、又は置換もしくは非置換の複 素環基を表わす。Halはハロゲン原子を 表わす。〕 で表わされる化合物とを反応せしめ、必要に応じて脱保
    護、塩生成、エステル化、及び/又は還元反応に付すこ
    とを特徴とする下記式(1″″) ▲数式、化学式、表等があります▼(1″″) 〔式中、R^1、R^2′、R^3は上記定義に同じ。 〕で表わされるセフアロスポリン誘導体。 11、活性成分として請求の範囲第1項もしくは第2項
    記載のセフアロスポリン誘導体及び必要に応じて薬学的
    に許容しうる担体とからなる抗菌活性組成物。
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