JP3088021B2 - 電圧制御発振器 - Google Patents
電圧制御発振器Info
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Description
などに使用される電圧制御発振器に関し、特に共振器を
用いた電圧制御発振器に関する。
成は、従来、以下のような手法を用いて行われている。
即ち、図3に示すようにセラミックなどの基板21の
上に、誘電体板の両表面に所定の電極膜が形成されてな
る誘電体共振器22を実装すること図4に示すように
セラミックなどの基板23の片面に線状導体24を、他
の片面に全面電極25を形成すること、つまりマイクロ
ストリップラインを形成すること図5に示すようにセ
ラミックなどの基板26の上に、組み合わせることによ
り共振器を構成するコンデンサ部品27とコイル部品2
8を形成し、これらを接続すること等により行われてい
る。
振器としては、共振器の他にもダイオードやコンデンサ
などの部品を基板上に搭載する必要があるが、これらの
部品は共振器の形成されていない基板表面部分に取付け
られている。このため、従来の電圧制御発振器において
は、共振器と他の部品とを基板上に設けていたため、基
板としては寸法的に大きいものを使用しなければなら
ず、よって大型化するという難点があった。
シールドすることができず外部からの磁界により悪影響
を受けるという問題もあった。本発明はかかる事情に鑑
みてなされたものであり、外部からの磁気的な悪影響を
防止でき、また小型にすることができる電圧制御発振器
を提供することを目的とする。
た電圧制御発振器において、共振器を形成するための基
板が、低温焼成の可能な誘電体層を多数積層したものか
らなり、共振器を積層方向両面から磁気的にシールドす
る状態で、誘電体層の複数の境界面に少なくとも共振器
を構成する電極膜と2つのシールド用アース電極膜が形
成されており、前記2つのシールド用アース電極膜の1
つに対向して、当該シールド用アース電極膜とコンデン
サを形成するようにコンデンサ形成用電極膜が形成さ
れ、形成されたコンデンサ形成用電極膜の外側にアース
電極が形成されており、基板外表面に他の部品が搭載さ
れるように表面パターンが形成されており、表面パター
ンおよび積層体内部の電極パターンがCuまたはAgで
形成されることを特徴とする。
た電極膜で共振器が構成されているので、共振器が基板
内に内蔵される。これにより、共振器を基板の外表面に
搭載する必要がなくなり、小型化できる。また、共振器
がアース電極膜で両側からシールドされているので、外
部の磁気的な影響を受け難い。更に、基板に用いる誘電
体層が低温焼成可能なものからなるので、共振器やシー
ルド用に用いる電極膜に溶融温度の低いCuやAgなど
を使用することが可能となりQを高くすることができ
る。
する。図1は本発明に係る電圧制御発振器の一実施例を
示す分解斜視図、図2はその縦断面図(スルーホールS
1,S2ビアホールV1,V2が現れるように切断して
いる。)であり、共に基板1部分を示している。その基
板1は、例えば低温焼成が可能なBaO−SiO2 −A
l2 O3 系やBaO−SrO−SiO2 −ZrO2 系な
どの材質の誘電体層2を複数、この図示例では7枚積層
して形成されている。
は、CuまたはAgの導電材料を使用して、所定のパタ
ーンが印刷などにより形成されている。具体的には、最
も下の誘電体層2(2a)と下から3つ目と5つ目の誘
電体層2(2c)と2(2e)には、夫々アース電極膜
3,5,7が形成され、下から2つ目の誘電体層2(2
b)にはストリップライン4、下から4つ目の誘電体層
2(2d)にはコンデンサ形成用電極膜6が、上から2
つ目の誘電体層2(2f)には配線パターン8が、最も
上の誘電体層2(2g)には多数の端子を有する接続用
の表面パターン9が形成されている。
々には、ストリップライン4の一端部4aと表面パター
ン9の第1の端子X1とを接続するためのビアホールV
1が形成され、更に上側の3つの誘電体層2e〜2g夫
々には、コンデンサ形成用電極膜6と表面パターン9の
第2の端子X2とを接続するためのビアホールV2が形
成されている。
に、CuまたはAgの導電材料を充填し、7つの誘電体
層2a〜2gをプレス等により圧着して積層し、更に積
層されたものの四隅と中央部近傍に、例えばドリル等に
よってスルーホールS1〜S5を設け、このスルーホー
ルS1〜S5に上記と同様の導電材料を充填すると共に
積層されたものの下面(誘電体層2aの下面)の四隅と
中央部にスルーホール受け用の電極膜10を導電材料に
て形成した後、比較的低い温度で低温焼成を行ってい
る。なお、上記電極膜10の形成のとき、上述したアー
ス電極膜3を同時に形成してもよい。また、スルーホー
ルS1〜S5については、S1は配線パターン8の第1
の端子Y1と、表面パターン9の第3の端子X3とを接
続し、S2は配線パターン8の第2の端子Y2と、表面
パターン9の第4の端子X4とを接続し、S5はストリ
ップライン4の他端部4bと、3つのアース電極膜3,
5,7と、表面パターン9の第5の端子X5とを接続し
ている。
コンデンサ形成用電極膜6と、その両側にあるアース電
極膜5,7との間では、誘電体層2d,2eを介してコ
ンデンサが形成される。そして、コンデンサ形成用電極
膜5,7と、ストリップライン4の他端部4bとが、ス
ルーホールS5を介して接続され、表面パターン9の第
5の端子X5に導出されている。コンデンサ形成用電極
膜6はビアホールV2を介して表面パターン9の第2の
端子X2に導出されている。ストリップライン4の一端
部4aはビアホールV1を介して表面パターン9の第1
の端子X1に導出されており、この第1の端子X1と第
2の端子X2とを例えばリード線にて接続することによ
り、共振器が基板1に内蔵された状態で形成される。
除く他の部品、例えばダイオードやコンデンサなどを搭
載するようにすればよい。したがって、このように構成
した本発明に係る電圧制御発振器においては、誘電体層
の境界面に形成した電極膜4,5,6,7で共振器が構
成されているので、共振器を基板1内に内蔵させること
ができ、これにより基板1の表面に共振器を搭載する必
要がなくなり、小型化を図ることができる。また、共振
器がアース電極膜3,7で両側からシールドされている
ので、外部から磁気的な影響を受け難くすることができ
る。
電体層2が低温焼成可能なものからなるので、共振器や
シールド用に用いる電極膜3,4,5,6,7及びスル
ーホールS1等やビアホールV1等への充填材料に溶融
温度の低いCuまたはAgを使用することが可能とな
り、Qを高くすることができる。その理由を以下に述べ
る。誘電体層2として焼成温度の高い材質のものを使用
すると、電極膜3等の材料、スルーホールS1等やビア
ホールV1等への充填材料に溶融温度の高いパラジウム
等の貴金属を使用する必要があって、高価なものとな
り、また、上記パラジウム等の貴金属を使用すると導電
性が劣化してQが低くなるからである。よって、Qを高
くするために、CuまたはAgの導電材料が使用できる
低温焼成可能な材料を誘電体層2に使用している。ま
た、CuまたはAgという比較的安価な材料を用いるこ
とができるので、コストを下げることにも寄与する。
基板に限らず、他の構造とした積層タイプの基板として
もよい。また、基板1の内部に、共振器と共に種々のコ
ンデンサなどを内蔵させた構造としても構わない。
は、誘電体層の境界面に形成した電極膜で共振器が構成
されているので、共振器を基板内に内蔵させることがで
き、これにより基板の表面に共振器を搭載する必要がな
くなり、小型化を図ることができ、また、共振器がアー
ス電極膜で両側からシールドされているので、外部から
磁気的な影響を受け難くすることができ、更には基板に
用いる誘電体層が低温焼成可能なものからなるので、共
振器やシールド用に用いる導電材料に溶融温度の低いC
uやAgなどを使用することが可能となり、Qを高くす
ることができると共に、材料コストを低廉化できるとい
う優れた効果を奏する。
分解斜視図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 共振器を用いた電圧制御発振器におい
て、 共振器を形成するための基板が、低温焼成の可能な誘電
体層を多数積層したものからなり、共振器を積層方向両
面から磁気的にシールドする状態で、誘電体層の複数の
境界面に少なくとも共振器を構成する電極膜と2つのシ
ールド用アース電極膜が形成されており、前記2つのシ
ールド用アース電極膜の1つに対向して、当該シールド
用アース電極膜とコンデンサを形成するようにコンデン
サ形成用電極膜が形成され、形成されたコンデンサ形成
用電極膜の外側にアース電極が形成されており、基板外
表面に他の部品が搭載されるように表面パターンが形成
されており、表面パターンおよび積層体内部の電極パタ
ーンがCuまたはAgで形成されることを特徴とする電
圧制御発振器。
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