JPH11103229A - 高周波部品およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】インダクタンス素子やコンデンサ等からなる受
動素子を内蔵する多層基板を用いた高周波部品におい
て、シールド機能を損なわずに小型化、実装の安定性確
保、チップサイズ実装を可能とした高周波部品およびそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】高周波部品１０の一方の表面に外部接続電
極１５を有する。高周波部品１０の外部接続電極１５が
設けられた面の反対側の面の近傍でかつ高周波部品の内
部に接地電極１２を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、自動車
電話等の無線機器、あるいはその他の各種通信機器等の
分野において使用される表面実装型の高周波部品とその
製造方法に係り、特に電磁気的なシールド構造を有し、
かつ小型化並びに小面積実装が可能な高周波部品とその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の表面実装型高周波部品のうち、小
型化を図ったものとして、特開平５−２５９７０３号
や、特開平７−３３６１７６号等がある。これらは面実
装可能なローパスフィルタの構造について開示してお
り、ストリップラインを多層基板内に形成すると共に、
シールド機能を持たせた構造である。

【０００３】これらの高周波部品は、基本的に図６
（Ａ）の外観図と、図６のＸ−Ｘ断面図である図６
（Ｂ）によって表現される。図６（Ａ）、（Ｂ）におい
ては、ストリップラインの代わりに旋回パターンを使っ
たコイルパターンを用いて構成された高周波部品として
説明する。図６（Ａ）、（Ｂ）において、１は多層基板
でなる高周波部品、２は高周波部品１の側面に設けた外
部接続電極、３は高周波部品の積層方向の一方の側に設
けた接地電極、６は積層方向の他方の側に設けた接地電
極、４はコイル部、５はコンデンサ部であり、該コイル
部４とコンデンサ部５はそれぞれこれらの接地電極３、
６の間にスペース層（層内の殆どの領域に導体が設けら
れていない層）７、８を介在させて設けられる。

【０００４】この高周波部品１は、上下に接地電極３、
６を設けることにより、外部からの電磁気的な影響を防
ぐシールド構造を実現している。また、コンデンサ部５
は、接地電極６の導体パターンをコンデンサの接地する
側の電極として利用している。一方、コイル部４は、高
周波部品１の積層方向の下側のコンデンサ部５と、上側
の接地電極３との間にスペース層７、８を介在させるこ
とにより、コイル部４のＱが低下しない構造としてい
る。

【０００５】このように高周波部品１は構成されてお
り、携帯電話等の高周波回路内で使用される際、高周波
回路内での磁気的な環境の変化に影響されることなく、
動作させることが可能となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の高周波部品には次のような課題があった。ま
ず、高周波部品１は積層方向で上下双方の最外層付近に
接地電極３、６が形成されているが、高周波部品１の
内、コイル部４についてはコイルのＱが低下しないよう
にするために、コイル部４が形成される層の両側に十分
なスペース層７、８を形成する必要がある。

【０００７】一般にコイルの場合、コイルを形成する旋
回導体パターンを積層方向で上側ないし下側から覆う形
で導体パターンを形成するとコイルの有するインダクタ
ンス値が変化する。そのため、インダクタンスの低下分
を補うために、前記コイルを形成する旋回導体パターン
の径を大きくするか、あるいは旋回数を増やす必要があ
り、このことはすなわち、旋回する導体の長さを長くす
ることにつながる。

【０００８】しかしながら、前記コイルの長さを長くす
ることは、前記コイルの有する実抵抗値が増大すること
につながり、それ故前記コイルのＱは低下する。前記Ｑ
の低下は高周波部品１の例えば挿入損失等の電気特性を
悪化させる原因となる。

【０００９】従って、前記スペース層７、８は厚めに設
計する必要があり、このことが従来の高周波部品１の薄
型化を困難にしていた。

【００１０】さらに、スペース層７、８により高周波部
品１の厚みが大きくなることにより、その厚みが高周波
部品１の縦横の寸法の内の一方の寸法とほぼ同等ないし
は厚みの方が大きくなる可能性がでてくる。このよう
に、部品１の厚みが縦横の寸法の内の一方の寸法と同等
ないしは厚みの方が大きくなると、部品１がマザーボー
ドに搭載される際、マウンターによるマザーボードへの
マウント時の衝撃で部品１が転倒しやすくなる。すなわ
ち、搭載部品としての実装安定性が低下する。このた
め、製造現場において、部品実装工程でマウンターによ
り部品の搭載を行った後に手作業による半田付け後の手
直しが必要となり、量産効率が低下する。このような理
由から、量産効率を低下させずにすむためには、部品１
の厚みに対して部品１の縦横の寸法を小さくすることは
できず、厚みの限界が小型化の限界を意味していた。

【００１１】一方、近年においては、チップサイズ実装
対応のチップ部品の要求が出てきている。従来の表面実
装対応のチップ部品は、チップ部品の側面に形成された
電極によりマザーボード上の電極と半田接続される。こ
のため、前記半田接続では半田のフィレット（チップ部
品の側面電極からマザーボード上の電極との間にできる
半田のせり上がり）が生じる。従って、従来のチップ部
品をマザーボードに搭載する際には、前記半田のフィレ
ットのための面積（通常１個のチップ部品に複数箇所必
要）と前記チップ部品を搭載する側から見た大きさの面
積の双方が前記チップ部品搭載のために実装面積として
設計する必要があった。

【００１２】なお、図６（Ｂ）に示すように、側面の外
部接続電極２の一部が高周波部品１上面および底面に入
り込む部分２ａを利用してチップサイズ実装を行うこと
もできなくはないが、この入り込んだ部分２ａは電極形
状が小さい上に、側面の外部接続電極２に付加的にでき
るものであるため、その形状自体も不安定になりやす
い。また、入り込んだ部分２ａはその電極形状が小さい
ため、高周波部品１をマザーボードに実装した際、高周
波部品１はマザーボードに対して十分な固着強度を得る
ことができない。

【００１３】本発明は、上記問題点に鑑み、高周波部品
の小型化に際し、前記高周波部品の縦横寸法の内の短い
方の寸法が同等になるかあるいは超えることを回避し、
これにより高周波部品の実装の安定性を確保すると共
に、部品外部からの電磁気的影響を受けないシールド構
造を有し、さらに小面積実装、すなわちチップサイズ実
装を可能とした構造の高周波部品およびその製造方法を
提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の高周波部品は、内部に導体パターンで形成
された受動素子を有する多層基板を用いた高周波部品で
あって、前記高周波部品の一方の表面に外部接続電極を
有すると共に、前記高周波部品の外部接続電極が設けら
れた面の反対側となる面近傍でかつ高周波部品の内部に
接地電極を設けたことを特徴とする（請求項１）。

【００１５】また、本発明の高周波部品は、前記多層基
板内の受動素子により、フィルタ、カプラ、フェイズシ
フタのいずれかの機能またはこれらを複合した機能を持
たせたことを特徴とする高（請求項２）。

【００１６】また、本発明の高周波部品は、多層基板内
の受動素子のうち、コンデンサは、前記高周波部品を構
成する多層基板の積層方向で前記接地電極がある側に偏
在させ、かつ前記接地電極をコンデンサ電極の一部とし
て用いたことを特徴とする（請求項３）。

【００１７】また、本発明の高周波部品は、多層基板内
の受動素子のうち、インダクタンス素子は、多層基板の
積層方向で前記外部接続電極が形成される側に偏在させ
て設けたことを特徴とする（請求項４）。

【００１８】また、本発明の高周波部品は、前記外部接
続電極を形成する導体パターンは、前記インダクタンス
素子を形成するパターンに対し、積層方法での重なりを
回避して形成したことを特徴とする（請求項５）。

【００１９】また、本発明の高周波部品は、前記高周波
部品を構成する回路の一部は前記高周波部品の側面に設
けた外部接続電極により構成し、該側面に設けた外部接
続電極は、前記表面に設けた外部接続電極に電気的に接
続したことを特徴とする（請求項６）。

【００２０】また、本発明の高周波部品は、高周波部品
の表面の外部接続電極上に半田バンプを形成したことを
特徴とする（請求項７）。

【００２１】本発明による高周波部品の製造方法は、請
求項１の高周波部品を製造する方法であって、前記高周
波部品の接地電極が形成された層が前記多層基板の積層
方法で前記接地電極が露出しない一方の最外層となり、
かつ、前記高周波部品の外部接続電極が形成された層が
前記多層基板の積層方法で前記外部接続電極が露出する
他方の最外層となるように導体と基板材料とを積層する
ことを特徴とする（請求項８）。

【００２２】本発明による高周波部品の製造方法は、請
求項６の高周波部品を製造する方法であって、前記高周
波部品の側面に設けた外部接続電極と、表面に設けた外
部接続電極とを、同一工程でメッキ処理することを特徴
とする（請求項９）。

【００２３】

【作用】本発明の電子部品は、多層基板の一方の表面に
設けた外部接続電極をマザーボード上の電極に接続し、
接地電極を設ける側を上にして実装する。ここで、近年
の高周波回路部においては、搭載部品が小型化して来て
いるため、マザーボードの部品実装面における搭載部品
の下に電極パターンを通すことは殆ど行われなくなって
来ており、そのため、マザーボード側から搭載部品が直
接電磁気的影響を受けるといったことは殆どなくなる。

【００２４】このような状況により、本発明の高周波部
品のように、マザーボードに搭載した場合に上側となる
側にのみ接地電極を設けたシールド構造をとっても、従
来のように、上下両側に接地電極を設けた場合と同等な
シールド機能を発揮することが可能である。

【００２５】また、本発明の高周波部品は外部接続電極
を設けた一方の表面には接地電極を設けていないため、
外部接続電極側を設けた側にコイル部を設ければ、コイ
ル部はコンデンサ部とのみ十分な距離を確保すれば良い
ことになる。このことにより、コイル部の上下層に十分
がスペースを確保していた構成に比べると、極めて薄型
化した設計が可能となる。

【００２６】以上により、高周波部品の厚みを薄型化
し、かつコイル部のコイルのＱの低下を回避することが
可能となることにより、さらなる高周波部品の形状の小
型化が可能となる。

【００２７】さらに、マザーボードに高周波部品を実装
した状態においては、外部接続電極が高周波部品の底面
部に安定して設けられるため、前記したチップサイズ実
装に対応することが可能となる。

【００２８】一方、本発明による高周波部品の製造方法
においては、シート法による場合、多層基板を構成する
各シート上に電極パターンを形成した後、これらのシー
トを積層成形して多層基板を得るが、外部接続電極が形
成される面が積層時に多層基板上に露出する側となり、
接地電極が多層基板上に露出しない側となるように各層
をシートを積層することにより、外部接続電極と、接地
電極の保護層とが積層と同時に形成されるので、積層後
にこれらを改めて形成する必要がない。

【００２９】

【発明の実施の形態】図１（Ａ）は本発明による高周波
部品の一実施例を示す外観図である図３（Ａ）のＹ−Ｙ
断面図、図１（Ｂ）はその等価回路図、図２は本実施例
の高周波部品の積層構造を示す斜視図である。図１〜図
３において、高周波部品１０は、シート法あるいはスク
リーン印刷法によりセラミックや樹脂からなる基板材料
と導体とを積層してなる多層基板１１からなり、該多層
基板１１の一方の表面に外部接続電極１５−１〜１５−
４を有し、かつ、多層基板１１の外部接続電極１５−１
〜１５−４が設けられた面の反対側となる面近傍でかつ
高周波部品１０の内部に接地電極１２を設けてなる。

【００３０】本実施例の発明の高周波部品は、多層基板
内に、コンデンサ部１３を、前記高周波部品を構成する
多層基板１１の積層方向で接地電極１２がある側に偏在
させ、かつ接地電極１２をコンデンサ電極の一部として
設けている。

【００３１】また、コイル部１４からなるインダクタン
ス素子は、多層基板１１の積層方向で外部接続電極１５
−１〜１５−４が形成される側に偏在させて設けてい
る。コンデンサ部１３とコイル部１４との間には、導体
層を含まないスペース層１６を介在させる。

【００３２】外部接続電極１５−１〜１５−４を形成す
る導体パターンは、インダクタンス素子を形成するコイ
ル部１４の導体パターンに対し、積層方向に見てΔＬで
示す間隔を有することにより、積層方法での重なりを回
避して形成している。

【００３３】本実施例の高周波部品は、図１（Ｂ）に示
すように、コイル部１４により構成されるインダクタン
ス素子１０３と、コンデンサ部１３に形成されるコンデ
ンサ１０４、１０５、１０６とによりローパスフィルタ
を構成するものについて示す。端子１０１、１０２は多
層基板１１上に複数個形成される外部接続電極１５−
１、１５−２として構成される。

【００３４】図３の積層構造をシート法により実現する
場合について説明する。前記多層基板１１は各層を構成
するシート２０−１〜２０−９により構成され、最上部
のシート２０−１上には、外部接続電極１５−１〜１５
−４がそれぞれシート２０−１の端部に露出する形で形
成されている。外部接続電極１５−１〜１５−４の内、
１５−１、１５−２は図１（Ｂ）に示した入出力端子１
０１、１０２となり、１５−３、１５−４は接地端子と
なる。

【００３５】シート２０−２〜２０−４上にはコイル部
１４が以下に説明するようにヘリカル形状に構成されて
いる。すなわち、本実施例においては、コイル１０３は
シート２０−２〜２０−４上のコ字形の電極２２、２
４、２６により形成されており、コ字形の電極２２の一
端は、シート２０−２の端部３５に露出し、他端はシー
ト２０−２を貫通するスルーホール電極２３に接続す
る。該スルーホール電極２３は、次層のシート２０−３
上のコ字形の電極２４の一端に接続し、該電極２４の他
端は、シート２０−３を貫通するスルーホール電極２５
を介して、次層のシート２０−４上のコ字形電極２６の
一端に接続する。該コ字形電極２６の他端３６は、シー
ト２０−４の端部に露出させる。

【００３６】次層のシート２０−５およびその次層のシ
ート２０−６には電極パターンは形成されておらず、上
記したシート２０−２〜２０−４に形成されたコイル１
０３のＱの低下を防ぐためのスペース層１６を構成す
る。

【００３７】シート２０−７〜２０−９上にはコンデン
サ１０４、１０５、１０６が以下に説明するように構成
されている。最下層のシート２０−９上にはその略全面
を覆う接地電極１２が形成され、その上のシート２０−
８上には該シート２０−８を誘電体層として前記接地電
極１２と対向する電極２８、２９が形成され、これらの
電極２８、２９が接地電極１２に対向することにより、
それぞれコンデンサ１０５、１０６が構成される。

【００３８】さらに、前記電極２８、２９はその上のシ
ート２０−７上に形成された電極２７に、該シート２０
−７を誘電体層としてそれぞれ対向し、コンデンサ１０
４を構成する。この場合、コンデンサ１０４の容量は、
前記電極２８と２７により構成されるコンデンサと、前
記電極２９と２７とにより構成されるコンデンサとの合
成容量となる。前記接地電極１２は、シート２０−９上
の引き出し電極３３、３４によりシート２０−９の端部
に露出させている。また、電極２８、２９はシート２０
−８上の引き出し電極３０、３１によりシート２０−８
の端部に露出させている。

【００３９】上記した各シート２０−１〜２０−９を積
層して多層基板１１となる。前記多層基板１１の各シー
ト２０−１〜２０−９で端部まで導出された部分を多層
基板の１１の側面部で導通を得るために、図３（Ａ）の
外観図にも示すように、側面にも電極４１〜４４を設
け、該側面電極４１〜４４を高周波回路の一部（接続回
路）として構成する。

【００４０】側面電極４１は、前記外部接続電極１５−
１と、コイル部１４の電極２２の一端３５と、コンデン
サ電極２８の引き出し電極３０とを接続する。側面電極
４２は、外部接続電極１５−２と、コイル部１４の電極
２６の一端３６と、コンデンサ電極２９の引き出し電極
３１とを接続する。側面電極４３は、外部接続電極１５
−３と、接地電極１２の引き出し電極３４とを接続す
る。側面電極４４は、外部接続電極１５−４と、接地電
極１２の引き出し電極３３とを接続する。

【００４１】このように構成した高周波部品１０は、図
３（Ｂ）に示すように、外部接続電極１５−１〜１５−
４をマザーボード６０側（下側）にし、接地電極１２側
をマザーボード６０の反対側（上側）にして、マザーボ
ード６０上の電極６１、６３に、外部接続電極１５−
３、１５−４を半田６２、６４により接続し、かつ高周
波部品１１をマザーボード６０に固定する。外部接続電
極１５−１、１５−２も同様にマザーボード６０上の別
の電極に固定する。

【００４２】このように、表面に形成した外部接続電極
１５−１〜１５−４をマザーボード６０に半田等で固定
することにより、図３（Ｂ）から理解されるように、搭
載部品の面積で実装可能なチップサイズ実装が実現され
る。

【００４３】さらに、チップサイズ実装を良好に行わせ
るために、図３（Ａ）に６５で示すように、外部接続電
極１５−１〜１５−４の表面に半田バンプ（盛り上り状
の半田）を付着させることが可能である。半田バンプ６
５を設けてくことにより、実装が容易となる。尚、前記
半田バンプの形成方法としては、半田マスクによりペー
スト半田を外部接続電極１５−１〜１５−４に印刷し、
半田リフロー炉を通過させて形成することが可能であ
る。また、蒸着法を用いて半田を外部接続電極１５−１
〜１５−４に付着させ、その後半田リフロー炉を通過さ
せて形成することも可能である。

【００４４】次に上記高周波部品１０の好ましい製造方
法について説明する。本発明による高周波部品１０を製
造する場合、厚膜形成技術を用いたセラミック多層基板
１１を使用することが好ましい。すなわち、前記した各
シート２０−１〜２０−９にセラミックシートを用い、
該電極パターンは導体ペーストを厚膜印刷等で形成する
ことが好ましい。

【００４５】この場合、本発明に係る高周波部品の製造
方法においては、前記したシート面と形成する導体の関
係およびシートの積層方向については上述した実施例の
構造と同一の関係とすることが好ましい。すなわち、高
周波部品１０を構成する多層基板１１の各層２０−１〜
２０−９のセラミックグリーンシートにそれぞれ厚膜電
極パターンを形成した面を上にして積層し、その際、外
部接続電極１５−１〜１５−４が形成される面が積層時
に多層基板１１上に露出する側となり、接地電極１２が
多層基板１１上に露出しない側になるようにする。そし
て、前記各シートは熱プレスにより積層一体化され、脱
バインダーを行い、焼成炉においてセラミックと導体を
同時に焼成することが好ましい。これにより、焼成後に
別の外部接続電極を形成したり接地電極１２の保護層１
７を形成する必要がなくなる。

【００４６】しかしながら、この状態では多層基板１１
に形成されている外部接続電極１５−１〜１５−４は半
田が付着しにくい。これは、多層基板１１の素地である
セラミックと外部接続電極１５−１〜１５−４との接着
強度を向上させるために、前記外部接続電極１５−１〜
１５−４を形成するための導体ペースト中にガラスフリ
ットが入っているためである。さらに、上述したよう
に、導体とセラミックとを同時焼成する場合には、それ
ぞれの材料の焼成時の収縮度合いを合わせるためにも前
記ガラスフリットが必要となる。そのため、焼成後の多
層基板１１の外部接続電極１５−１〜１５−４の表面は
ガラスと導体とが入り混じった状態となり、半田が付着
しにくい状態となる。このため、このような導体表面に
対してメッキを行って半田付け性を改善させている。

【００４７】本発明の高周波部品の製造方法においても
前述のごとく多層基板１１の外部接続電極１５−１〜１
５−４に対して半田付け性を改善するためのメッキを行
うが、そのメッキ作業は側面電極４１〜４４を形成した
後に側面電極４１〜４４も含めて行う。なお、側面電極
４１〜４４形成については、導体ペーストを付着後、焼
成焼き付けによって形成してもよく、また、蒸着やスパ
ッタリングにより形成してもよい。また、高周波部品１
０の特性に問題がなければ樹脂系導体を側面電極４１〜
４４に用いてもよい。

【００４８】このような側面電極４１〜４４を設けるこ
とにより、底部のみの電極１５−１〜１５−４のみの電
極による半田付けによるチップサイズ実装方法のみなら
ず、従来より行われている側面電極による半田付け実装
方法となる表面実装にも対応することが可能となり、適
用範囲を拡げることができる。

【００４９】外部接続電極１５−１〜１５−４や側面電
極４１〜４４のメッキ処理については、湿式のみなら
ず、蒸着やスパッタリングのような乾式メッキを行って
もよい。湿式を用いた場合、電解中で行うバレルメッキ
が良好である。このメッキ作業は、前記高周波部品１０
の側面および底面に設けられた焼結導体の表面状態を良
好にする銅メッキを行い、次に半田による電極の溶解を
防ぐ（耐半田食われ性）ためのニッケルメッキを行い、
さらに半田の付着性を良好にするための錫メッキを行う
という順序で行うことが好ましい。 （他の実施例）以上本発明を実施例により説明したが、
本発明は次のような実施も可能である。 （１）上記実施例の構造においては、多層基板１１の側
面に電極４１〜４４を設けて、高周波部品１０の回路の
配線の一部を構成したが、図４の積層構造図に示すよう
に、側面電極４１〜４４を用いずに、スルーホール電極
７０〜７３により回路の配線を行うことも可能である。

【００５０】図４において、スルーホール電極７０はシ
ート２０−１〜２０−７に連続させて設けたものであ
り、前記外部接続電極１５−１と、コイル部１４の電極
２２の一端と、コンデンサ電極２８とを接続する。スル
ーホール電極７１はシート２０−１〜２０−７に連続さ
せて設けたものであり、外部接続電極１５−２と、コイ
ル部１４の電極２６の一端と、コンデンサ電極２９とを
接続する。スルーホール電極７２はシート２０−１〜２
０−８に連続させて設けたものであり、外部接続電極１
５−３と、接地電極１２とを接続する。スルーホール電
極７３はシート２０−１〜２０−８に連続させて設けた
ものであり、外部接続電極１５−４と、接地電極１２と
を接続する。

【００５１】図５（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ図４の積層
構造を有する高周波部品について、外部接続電極１５−
１〜１５−４を上側、下側にしてそれぞれ示す。 （２）上記実施例においては、ヘリカル型のコイルをロ
ーパスフィルタのインダクタンスとして用いているが、
前記コイルは同一平面上で渦巻き状に形成されるスパイ
ラル形状であってもよい。また、インダクタンス素子と
してマイクロストリップ線路等の線路素子を用いてもよ
い。この場合、前記線路素子と接地電極との距離が小さ
くなると線路インピーダンスが小さくなることにより線
路素子のＱが低下するため、本発明の構成の如く、接地
電極と線路素子であるマイクロストリップラインの距離
を十分とれる構成が適している。 （３）上記実施例においては、ローパスフィルタの例を
あげて説明したが、本発明は、フィルタ以外に、インダ
クタンス素子とコンデンサからなるカプラやフェイズシ
フタとしての機能を発揮するか、あるいはこれらを複合
した機能を発揮するものを実現することができる。 （４）上記実施例においては、セラミックグリーンシー
トに導体ペーストを使って印刷法により導体パターンを
形成し、それらを積層するシート積層法で高周波部品を
製造しているが、誘電体部分となるセラミックも塗料化
して、全て印刷法によって積層する印刷積層法を用いて
も本発明に係る高周波部品の製造は可能である。

【００５２】

【発明の効果】請求項１によれば、高周波部品の一方の
表面に外部接続電極を有すると共に、前記高周波部品の
外部接続電極が設けられた面の反対側となる面の近傍で
かつ高周波部品の内部に接地電極を設けたので、部品の
小型化により部品の下に導体パターンを設けない近年の
状況においては、従来のシールド構造と同等のシールド
効果が得られる。また、外部接続電極を設けた側には接
地電極を設けないことにより、部品形状の小型化が可能
で、チップサイズ実装が可能な高周波部品が提供でき
る。

【００５３】請求項２によれば、前記多層基板内の受動
素子により、フィルタ、カプラ、フェイズシフタのいず
れかの機能またはこれらを複合した機能を持たせたもの
であり、これらの小型化、チップサイズ実装が可能とな
る。

【００５４】請求項３によれば、多層基板内の受動素子
のうち、コンデンサは、前記高周波部品を構成する多層
基板の積層方向で接地電極がある側に偏在させ、かつ接
地電極をコンデンサの一部として設けたので、多層基板
内のスペースにおけるパターンの利用効率が向上し、部
品のさらなる小型化が可能となる。

【００５５】請求項４によれば、多層基板内の受動素子
のうち、インダクタンス素子は、多層基板の積層方向で
接地電極のない外部接続電極が形成される側に偏在させ
て設けたので、接地電極までの距離を十分確保できるた
め、インダクタンス素子のＱの低下を防ぎ、高周波部品
の良好な特性を発現できる。

【００５６】請求項５によれば、前記外部接続電極を形
成する導体パターンを、前記インダクタンス素子を形成
するパターンに対し、積層方法での重なりを回避して形
成したので、インダクタンス素子のＱの低下を防止する
ことができる。

【００５７】請求項６によれば、前記高周波部品を構成
する回路の一部は前記高周波部品の側面に設けた外部接
続電極により構成し、該側面に設けた外部接続電極は、
前記表面に設けた外部接続電極に電気的に接続したの
で、高周波部品を従来の表面実装部品として兼用するこ
とができる。また、従来の高周波部品として用いた場
合、本発明の高周波部品は部品の底面側に外部接続電極
が新たに形成されている分、部品のマザーボードに対す
る固着強度が増大する。

【００５８】請求項７によれば、高周波部品の表面の外
部接続電極上に半田バンプを形成したので、高周波部品
のマザーボードへの半田付けが容易となる。

【００５９】請求項８によれば、高周波部品の接地電極
が形成された層が前記多層基板の積層方法で前記接地電
極が露出しない一方の最外層となり、かつ、前記高周波
部品の外部接続電極が形成された層が前記多層基板の積
層方法で前記外部接続電極が露出する他方の最外層とな
るように導体と基体材料とを積層することにより、高周
波部品を製造するため、電極パターンは積層前の個々の
グリーンシート等の基板材料層に対して形成するだけで
よく、積層後に改めて電極パターンを高周波部品の積層
方向の面に形成する必要がない。また、高周波部品のシ
ールド電極となる接地電極には外部に対する保護層も同
時に形成され、積層後に保護層を設ける必要がなく、工
程数が少なくてすむ。

【００６０】請求項９によれば、前記高周波部品の側面
に設けた外部接続電極と、表面に設けた外部接続電極と
を、同一工程でメッキ処理するため、従来の表面実装部
品としても使用可能な側面電極にすることができ、メッ
キ工程数も増えることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）は本発明による高周波部品の一実施例を
示す図３（Ａ）のＹ−Ｙ断面図、（Ｂ）は本発明の高周
波部品により実現される回路の一例であるローパスフィ
ルタを示す等価回路図である。

【図２】本発明の高周波部品の一実施例を示す積層構造
図である。

【図３】（Ａ）は本実施例の外観図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ｙ−Ｙ線に沿って示すマザーボードへの実装断面図であ
る。

【図４】本発明の高周波部品の他の実施例を示す積層構
造図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ図４の実施例におい
て、外部接続電極を上、下にして示す外観図である。

【図６】（Ａ）は従来の高周波部品の外観図、（Ｂ）は
（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。

【符号の説明】

１０：高周波部品、１１：多層基板、１２：接地電極、
１３：コンデンサ部、１４：コイル部、１５−１〜１５
−４：外部接続電極、１６：スペース層、２０−１〜２
０−９：シート、２２、２４、２６：コイルの電極、２
３、２５：スルーホール電極、２７〜２９：コンデンサ
電極、４１〜４４：側面電極、６０：マザーボード、６
１、６３：電極、６２、６４：半田、７０〜７３：スル
ーホール電極、１０１、１０２：端子、１０３：インダ
クタンス素子、１０４〜１０６：コンデンサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｆ 41/06 Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ Ｈ０１Ｇ 4/40 15/04 // Ｈ０３Ｈ 3/007 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】内部に導体パターンで形成された受動素子
   を有する多層基板を用いた高周波部品であって、 前記高周波部品の一方の表面に外部接続電極を有すると
   共に、 前記高周波部品の外部接続電極が設けられた面の反対側
   となる面近傍でかつ高周波部品の内部に接地電極を設け
   たことを特徴とする高周波部品。
2. 【請求項２】請求項１において、前記多層基板内の受動
   素子により、フィルタ、カプラ、フェイズシフタのいず
   れかの機能またはこれらを複合した機能を持たせたこと
   を特徴とする高周波部品。
3. 【請求項３】請求項１または２において、 多層基板内の受動素子のうち、コンデンサは、前記高周
   波部品を構成する多層基板の積層方向で前記接地電極が
   ある側に偏在させ、かつ前記接地電極をコンデンサ電極
   の一部として用いたことを特徴とする高周波部品。
4. 【請求項４】請求項１から３までのいずれかにおいて、 多層基板内の受動素子のうち、インダクタンス素子は、
   多層基板の積層方向で前記外部接続電極が形成される側
   に偏在させて設けたことを特徴とする高周波部品。
5. 【請求項５】請求項４において、 前記外部接続電極を形成する導体パターンは、前記イン
   ダクタンス素子を形成するパターンに対し、積層方法で
   の重なりを回避して形成したことを特徴とする高周波部
   品。
6. 【請求項６】請求項１から５までのいずれかにおいて、 前記高周波部品を構成する回路の一部は前記高周波部品
   の側面に設けた外部接続電極により構成し、 該側面に設けた外部接続電極は、前記表面に設けた外部
   接続電極に電気的に接続したことを特徴とする高周波部
   品。
7. 【請求項７】請求項１から６までのいずれかにおいて、 高周波部品の表面の外部接続電極上に半田バンプを形成
   したことを特徴とする高周波部品。
8. 【請求項８】請求項１の高周波部品を製造する方法であ
   って、 前記高周波部品の接地電極が形成された層が前記多層基
   板の積層方法で前記接地電極が露出しない一方の最外層
   となり、かつ、前記高周波部品の外部接続電極が形成さ
   れた層が前記多層基板の積層方法で前記外部接続電極が
   露出する他方の最外層となるように導体と基板材料とを
   積層することを特徴とする高周波部品の製造方法。
9. 【請求項９】請求項６の高周波部品を製造する方法であ
   って、 前記高周波部品の側面に設けた外部接続電極と、表面に
   設けた外部接続電極とを、同一工程でメッキ処理するこ
   とを特徴とする高周波部品の製造方法。