JP2022009220A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022009220A5 JP2022009220A5 JP2021170626A JP2021170626A JP2022009220A5 JP 2022009220 A5 JP2022009220 A5 JP 2022009220A5 JP 2021170626 A JP2021170626 A JP 2021170626A JP 2021170626 A JP2021170626 A JP 2021170626A JP 2022009220 A5 JP2022009220 A5 JP 2022009220A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reflective mask
- mask blank
- blank according
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002816 nickel compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- -1 silicide compound Chemical class 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016206953 | 2016-10-21 | ||
| JP2016206953 | 2016-10-21 | ||
| PCT/JP2017/037685 WO2018074512A1 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-18 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018546378A JP7193344B2 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-18 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018546378A Division JP7193344B2 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-18 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022009220A JP2022009220A (ja) | 2022-01-14 |
| JP2022009220A5 true JP2022009220A5 (enExample) | 2022-11-10 |
Family
ID=62019158
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018546378A Active JP7193344B2 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-18 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2021170626A Pending JP2022009220A (ja) | 2016-10-21 | 2021-10-19 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018546378A Active JP7193344B2 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-18 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11187972B2 (enExample) |
| JP (2) | JP7193344B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102631779B1 (enExample) |
| SG (1) | SG11201903409SA (enExample) |
| TW (1) | TWI764948B (enExample) |
| WO (1) | WO2018074512A1 (enExample) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102801276B1 (ko) | 2018-05-25 | 2025-04-30 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 그리고 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2020034666A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7504574B2 (ja) * | 2018-10-22 | 2024-06-24 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤、原盤の製造方法及び転写物の製造方法 |
| KR20230070334A (ko) * | 2018-10-22 | 2023-05-22 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 원판, 원판의 제조 방법 및 전사물의 제조 방법 |
| KR20200013567A (ko) * | 2018-11-19 | 2020-02-07 | 부경호 | 극자외선(euv) 노광에 사용되는 마스크 및 극자외선 노광방법 |
| JP7447812B2 (ja) * | 2019-01-21 | 2024-03-12 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、および反射型マスクブランクの製造方法 |
| US20220179300A1 (en) * | 2019-03-07 | 2022-06-09 | Hoya Corporation | Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP7313166B2 (ja) | 2019-03-18 | 2023-07-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| TWI845677B (zh) * | 2019-05-22 | 2024-06-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外光遮罩吸收材料 |
| JP7346088B2 (ja) | 2019-05-31 | 2023-09-19 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランクス及び反射型フォトマスク |
| JP7610346B2 (ja) * | 2019-11-01 | 2025-01-08 | テクセンドフォトマスク株式会社 | 反射型マスク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP7525354B2 (ja) * | 2020-09-28 | 2024-07-30 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク |
| JP7616098B2 (ja) * | 2021-03-03 | 2025-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| US12181790B2 (en) * | 2021-03-03 | 2024-12-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Reflective mask blank and reflective mask |
| TWI833171B (zh) * | 2021-03-29 | 2024-02-21 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 |
| KR102694331B1 (ko) | 2021-04-12 | 2024-08-13 | 한국전자기술연구원 | 이트륨계 기반의 극자외선 노광용 펠리클 |
| US20220350233A1 (en) * | 2021-05-03 | 2022-11-03 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask absorber materials |
| US12366798B2 (en) | 2021-06-07 | 2025-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography mask and methods |
| JP7557098B1 (ja) * | 2024-04-11 | 2024-09-26 | 株式会社トッパンフォトマスク | 反射型フォトマスクブランク、反射型フォトマスク及び反射型フォトマスクの製造方法 |
| JP2025163548A (ja) * | 2024-04-17 | 2025-10-29 | 信越化学工業株式会社 | 反射型フォトマスクブランク、及び反射型フォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS509649B1 (enExample) | 1970-10-07 | 1975-04-15 | ||
| JPS5950443A (ja) | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスク |
| JP2883354B2 (ja) | 1989-06-30 | 1999-04-19 | ホーヤ株式会社 | Ｘ線マスク材料およびｘ線マスク |
| JP3078163B2 (ja) | 1993-10-15 | 2000-08-21 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
| JP3143035B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2001-03-07 | ホーヤ株式会社 | 転写マスクの製造方法 |
| JPH09298150A (ja) | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Nikon Corp | 反射型マスク |
| US6656643B2 (en) | 2001-02-20 | 2003-12-02 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of extreme ultraviolet mask engineering |
| JP2002299227A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Nikon Corp | 反射マスクとその製造方法及び露光装置 |
| JP2002313713A (ja) * | 2001-04-19 | 2002-10-25 | Nikon Corp | レチクル、それを用いた露光装置及び露光方法 |
| JP4212025B2 (ja) | 2002-07-04 | 2009-01-21 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
| JP4451391B2 (ja) | 2003-02-03 | 2010-04-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク、並びにフォトマスクを用いたパターン転写方法 |
| JP2004335513A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Nikon Corp | レチクルの保持方法、保持装置及び露光装置 |
| JP4693395B2 (ja) | 2004-02-19 | 2011-06-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
| JP4099589B2 (ja) | 2004-02-20 | 2008-06-11 | ソニー株式会社 | マスクパターン補正方法、露光用マスクおよびマスク製造方法 |
| JP2006078825A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| JP2006173502A (ja) | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Nikon Corp | 光学素子及びこれを用いた投影露光装置 |
| JP2006324268A (ja) | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｅｕｖ露光用マスクブランクスおよびその製造方法、ｅｕｖ露光用マスク |
| JP4961990B2 (ja) | 2005-12-14 | 2012-06-27 | 大日本印刷株式会社 | マスクブランクおよび階調マスク |
| KR101771250B1 (ko) | 2006-05-30 | 2017-08-24 | 호야 가부시키가이샤 | 레지스트막 박리 방법, 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사마스크의 제조 방법 |
| KR20080001023A (ko) * | 2006-06-29 | 2008-01-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법 |
| JP4848932B2 (ja) | 2006-11-13 | 2011-12-28 | 大日本印刷株式会社 | プロキシミティ露光用階調マスク |
| JP5009649B2 (ja) | 2007-02-28 | 2012-08-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法 |
| JP4602430B2 (ja) | 2008-03-03 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | 反射型マスク及びその作製方法 |
| JP2008268980A (ja) * | 2008-07-29 | 2008-11-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JP5282507B2 (ja) | 2008-09-25 | 2013-09-04 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法 |
| KR101485754B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2015-01-26 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용하여 제조되는 포토마스크 |
| JP2011228417A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射型マスクブランクの再生方法および反射型マスクの製造方法 |
| JP5648392B2 (ja) * | 2010-09-22 | 2015-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスクブランクおよびその製造方法 |
| KR101883025B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2018-07-27 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법 |
| WO2012105508A1 (ja) | 2011-02-01 | 2012-08-09 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5648558B2 (ja) | 2011-03-30 | 2015-01-07 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP6084391B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2017-02-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6060636B2 (ja) | 2012-01-30 | 2017-01-18 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
| US20150079502A1 (en) | 2012-03-14 | 2015-03-19 | Hoya Corporation | Mask blank and method of manufacturing a transfer mask |
| JP5989376B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-09-07 | Hoya株式会社 | 欠陥評価用マスクブランクの製造方法、並びに欠陥評価方法 |
| JP5739375B2 (ja) | 2012-05-16 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
| JP6136445B2 (ja) | 2013-03-27 | 2017-05-31 | 凸版印刷株式会社 | 反射型位相シフトマスク及び製造方法 |
| JP6389375B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2018-09-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法 |
| JP6408790B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-10-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP5716145B1 (ja) | 2013-08-30 | 2015-05-13 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US9726972B2 (en) * | 2013-09-10 | 2017-08-08 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, and method for manufacturing transfer mask |
| KR20170120212A (ko) * | 2013-09-18 | 2017-10-30 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조방법, 반사형 마스크 그리고 반도체 장치의 제조방법 |
| JP6234898B2 (ja) * | 2013-09-25 | 2017-11-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法 |
| US9798050B2 (en) * | 2013-09-27 | 2017-10-24 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer reflective film, mask blank, transfer mask and method of manufacturing semiconductor device |
| SG10201805079YA (en) * | 2013-09-27 | 2018-07-30 | Hoya Corp | Conductive film coated substrate, multilayer reflectivefilm coated substrate, reflective mask blank, reflectivemask, and semiconductor device manufacturing method |
| KR101567057B1 (ko) * | 2013-11-15 | 2015-11-09 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| JP6381921B2 (ja) * | 2014-01-30 | 2018-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP6455979B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-01-23 | Hoya株式会社 | レジスト層付ブランク、その製造方法、マスクブランクおよびインプリント用モールドブランク、ならびに転写用マスク、インプリント用モールドおよびそれらの製造方法 |
| KR101759046B1 (ko) * | 2014-03-18 | 2017-07-17 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6430155B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2018-11-28 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| US9581889B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor |
| US9612522B2 (en) * | 2014-07-11 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor |
| US9581890B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-02-28 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof |
| KR20160016098A (ko) * | 2014-08-04 | 2016-02-15 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| JP6440996B2 (ja) | 2014-08-22 | 2018-12-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6425951B2 (ja) | 2014-09-17 | 2018-11-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| KR102499220B1 (ko) | 2014-09-17 | 2023-02-13 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP6441012B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-12-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6651314B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2020-02-19 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6485070B2 (ja) * | 2015-01-27 | 2019-03-20 | Ａｇｃ株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法、ならびに該マスクブランク用の反射層付基板の製造方法 |
| JP6601245B2 (ja) | 2015-03-04 | 2019-11-06 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 |
| US10551733B2 (en) * | 2015-03-24 | 2020-02-04 | Hoya Corporation | Mask blanks, phase shift mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| KR101579852B1 (ko) * | 2015-03-25 | 2015-12-23 | 주식회사 에스앤에스텍 | 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| WO2016159043A1 (ja) | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | 転写フィルム、積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置 |
-
2017
- 2017-10-18 WO PCT/JP2017/037685 patent/WO2018074512A1/ja not_active Ceased
- 2017-10-18 US US16/343,505 patent/US11187972B2/en active Active
- 2017-10-18 SG SG11201903409SA patent/SG11201903409SA/en unknown
- 2017-10-18 JP JP2018546378A patent/JP7193344B2/ja active Active
- 2017-10-18 KR KR1020197013838A patent/KR102631779B1/ko active Active
- 2017-10-20 TW TW106136066A patent/TWI764948B/zh active
-
2021
- 2021-10-19 JP JP2021170626A patent/JP2022009220A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2022009220A5 (enExample) | ||
| KR102018530B1 (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 | |
| JP4926523B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| KR20190107603A (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 | |
| CN109765752A (zh) | Euv光刻用防护膜及其制造方法 | |
| JP2021128247A5 (enExample) | ||
| TW201435485A (zh) | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底及其製造方法 | |
| TW201115263A (en) | Mask blank and transfer mask | |
| JP6526938B1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2022064956A5 (enExample) | ||
| US20210333717A1 (en) | Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same | |
| JP2017021312A (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JPWO2022138360A5 (enExample) | ||
| JP2017058562A (ja) | フォトマスクブランク、その製造方法及びフォトマスク | |
| CN112698545B (zh) | 用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模 | |
| JP2017076152A (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JPWO2021200325A5 (enExample) | ||
| JP7558861B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
| TW201118503A (en) | Blankmask, photomask, and method for manufacturing the same | |
| JP7163505B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6223756B2 (ja) | 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| KR102511775B1 (ko) | 확산 방지층을 구비한 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그 제조방법 | |
| JP7066881B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR102514088B1 (ko) | 1차원 나노물질을 사용하는 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 이의 제조방법 | |
| KR20190107604A (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 |