JP6136445B2 - 反射型位相シフトマスク及び製造方法 - Google Patents
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Description
Violet;以下「EUV」と表記する)を光源とし、半導体製造装置などに利用されるEUVリソグラフィ用反射型位相シフトマスク及び製造方法に関する。
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が13.5nm近傍のEUVを光源に用いたEUVリソグラフィが提案されている。EUVリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行う必要がある。
図2に、従来の反射型マスクであるEUVマスクの構造を示す。基板1の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射膜2と、露光光源波長を吸収する光吸収膜4とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜3が形成されている。また、多層反射膜と光吸収膜4の間に、反射膜を保護するため保護膜6を有する構造を持つEUVマスクもある。
また、大規模集積回路の高集積化は、回路を構成する配線パターンの細線化技術を必須のものとして要求する。大規模集積回路のパターン微細化が加速されるのは、その高速動作と低消費電力化のためであり、その最も有効な手段がパターンの微細化だからである。このため、上述の細線化された配線パターンを有するマスクを実現する目的で、より微細なパターンをマスク基板上に形成する必要がある。
ところで、EUVリソグラフィ技術においても、位相シフトマスク法による高解像度化が可能である。反射型マスクにおいても位相シフトマスクの構造がいくつか提案されており、図3に示すように、基板1と、該基板上に所定の深さの溝部8を有して形成された多層反射膜2と、前記溝部8を所定の深さに埋め込む光吸収膜4とを備えた構造が報告されている。
膜、Ru/Beの積層を挙げることができる。レジスト7の上に導電膜を塗布しても良い。裏面導電膜3としては、CrN、Cr、Ta、W、Mo、Si等、導電性を有する物質が使用できる。
2・・・第一の多層反射膜
3・・・裏面導電膜
4・・・光吸収膜
5・・・第二の多層反射膜
6・・・保護膜
7・・・レジスト
8・・・溝部
Claims (5)
- 基板と、該基板上に所定深さの溝部を有して形成された第一の多層反射膜と、前記溝部を所定の深さまで埋め込む光吸収膜とを備えた半導体製造用の位相シフトマスクであって、前記光吸収膜上および前記溝部以外の第一の多層反射膜上に、第二の多層反射膜を有することを特徴とする反射型位相シフトマスク。
- 前記第一の多層反射膜と第二の多層反射膜とが、SiとMoからなる2層膜を1単位とし、前記第一の多層反射膜と第二の多層反射膜の合計が、35〜45単位の積層膜から形
成されていることを特徴とする請求項1に記載の反射型位相シフトマスク。 - 前記第二の多層反射膜が、SiとMoからなる2層膜を1単位とし、2〜7単位の積層膜から形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の反射型位相シフトマスク。
- 前記光吸収膜が、Ta、Al、TaSi、Ti、W、Cr、NiSi及びこれら物質の酸化物や窒化物のいずれかの薄膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の反射型位相シフトマスク。
- 基板上に、SiとMoからなる2層膜を1単位とし、28〜43単位の積層膜からなる第一の多層反射膜を設け、ホトリソ法により所定深さの溝部を形成し、前記溝部に光吸収膜を設け、さらに全面にSiとMoからなる2層膜を1単位とし2〜7単位の積層膜からなる第二の多層反射膜を設け、前記溝部を形成した部分以外の部分での前記第一の多層反射膜と第二の多層反射膜の合計が、35〜45単位の積層膜となるように積層させることを特徴とする反射型位相シフトマスクの製造方法。
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