KR20230070334A - 원판, 원판의 제조 방법 및 전사물의 제조 방법 - Google Patents

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šœ이치 가지야
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 전사 불량이 억제된 전사물을 보다 고효율로 제조한다.
[해결 수단] 기재와, 상기 기재의 일면에 설치되고, 미세 요철 구조가 형성된 패턴층과, 상기 기재와 상기 패턴층의 사이에 협지되도록 설치되고, 상기 패턴층보다 광흡수 계수가 큰 흡수층을 구비하는, 원판.

Description

원판, 원판의 제조 방법 및 전사물의 제조 방법{MASTER PLATE, MASTER PLATE MANUFACTURING METHOD, AND TRANSFER BODY MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 원판, 원판의 제조 방법 및 전사물의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 미세 가공 기술 중 하나인 임프린트 기술의 개발이 진전되고 있다. 임프린트 기술이란, 표면에 미세한 요철 구조를 형성한 원판을 피전사재에 대고 누른 후, 피전사재를 경화시킴으로써, 원판 표면의 요철 구조를 피전사재에 전사하는 기술이다.
이러한 임프린트 기술로서, 예를 들어, 롤형상의 원판을 피전사재에 연속적으로 대고 누름으로써, 원판 표면의 요철 구조를 피전사재에 연속적으로 전사하는 롤 투 롤 임프린트 기술이 알려져 있다. 그러나, 이러한 롤형상의 원판을 이용한 연속적인 전사에서는, 피전사재가 전사 전에 의도치 않게 경화하기 시작해 버려, 요철 구조의 전사가 불량이 되는 일이 있다.
구체적으로는, 피전사재가 광경화성 수지인 경우, 피전사재의 의도치 않은 경화는, 원판의 기재를 통한 피전사재에 대한 의도치 않은 광조사에 의해서 발생한다. 예를 들어, 원판의 기재 안을 통과한 도파(導波)광 또는 투과광이 의도치 않은 영역의 피전사재에 조사됨으로써, 의도치 않은 영역의 피전사재가 경화해 버리는 일이 있을 수 있다.
예를 들어, 하기의 특허문헌 1에는, 임프린트용의 롤형상 몰드에 있어서, 기재에 형성된 미세 구조층 상에 금속으로 이루어지는 UV 흡수층을 설치하고, 기재 안을 통과하는 도파광 또는 투과광을 억제함으로써, 전사 불량의 발생을 억제하는 기술이 개시되어 있다.
일본국 특허공개 2013-45792호 공보
한편, 전사물을 보다 염가이고 또한 고효율로 제조하는 방법으로서, 전사 후의 원판을 세정하여, 원판의 표면에 부착된 피전사재를 제거함으로써, 원판을 반복 사용 가능하게 하는 것이 검토되고 있다. 그러나, 특허문헌 1에서는, 원판인 롤형상 몰드의 반복 사용에 대해서는, 충분한 검토가 행해져 있지 않았다. 그래서, 세정에 의한 반복 사용에 적합한 원판이 요구되고 있었다.
그래서, 본 발명은, 상기의 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 본 발명의 목적으로 하는 점은, 전사 불량이 억제된 전사물을 보다 고효율로 제조하는 것이 가능한, 신규이고 또한 개량된 원판, 당해 원판의 제조 방법, 및 당해 원판을 이용한 전사물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 기재와, 상기 기재의 일면에 설치되고, 미세 요철 구조가 형성된 패턴층과, 상기 기재와 상기 패턴층의 사이에 협지되도록 설치되고, 상기 패턴층보다 광흡수 계수가 큰 흡수층을 구비하는, 원판이 제공된다.
상기 흡수층은, 비금속 재료로 형성되어도 된다.
상기 패턴층은, 투명 재료로 형성되어도 된다.
상기 패턴층은, SiO2로 형성되고, 상기 흡수층은, Si로 형성되어도 된다.
상기 기재는, 세라믹 재료 또는 유리 재료로 형성되어도 된다.
상기 미세 요철 구조는, 모스아이(Moth-eye) 구조여도 된다.
상기 기재의 상기 일면의 표면 거칠기는, 상기 미세 요철 구조의 요철의 고저차의 1/100 이하여도 된다.
상기 패턴층의 막두께는, 상기 미세 요철 구조의 요철의 고저차보다 커도 된다.
상기 흡수층이 Si로 형성되는 경우, 상기 흡수층의 막두께는, 5nm 이상이어도 된다.
상기 기재의 형상은, 원통형 형상이어도 된다.
상기 기재의 상기 일면은, 상기 원통형 형상의 외주면이며, 상기 패턴층은, 상기 외주면을 따라서 설치되어도 된다.
또, 상기 과제를 해결하기 위해서, 기재의 일면에 흡수층을 형성하는 단계와, 상기 흡수층의 위에 상기 흡수층보다 광흡수 계수가 작고, 미세 요철 구조가 형성된 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는, 원판의 제조 방법이 제공된다.
또, 상기 과제를 해결하기 위해서, 상기의 원판의 상기 패턴층에 광경화성 수지를 도포하여, 수지층을 형성하는 단계와, 상기 수지층을 경화시킨 후, 상기 수지층을 박리함으로써, 상기 미세 요철 구조를 상기 수지층에 전사하여, 전사물을 형성하는 단계와, 상기 수지층을 박리한 후의 상기 원판을 세정함으로써, 상기 원판에 잔류하는 상기 광경화성 수지를 제거하는 단계를 포함하고, 세정 후의 상기 원판을 반복 이용하여, 복수의 상기 전사물을 제조하는, 전사물의 제조 방법이 제공된다.
상기 구성에 의하면, 원판의 내부를 투과 또는 도파하는 전반(傳搬)광의 발생을 억제하고, 또한, 원판을 반복 세정해도, 전반광의 발생을 억제하는 효과가 감소하지 않는 원판을 제공할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전사 불량이 억제된 전사물을 보다 고효율로 제조하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 원판의 구성을 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2a는 흡수층의 배치가 변경된 비교예 1에 따른 원판을 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 2b는 흡수층의 배치가 변경된 비교예 2에 따른 원판을 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 3a는 동실시 형태에 따른 원판 및 전사물의 제조 공정을 설명하는 플로차트이다.
도 3b는 동실시 형태에 따른 원판 및 전사물의 제조 공정을 설명하는 플로차트이다.
도 4는 전사물에 대한 광반사율의 측정 방법을 설명하는 모식도이다.
도 5는 전사물에 대한 광반사율의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6은 원판에 대한 광투과율의 측정 방법을 설명하는 모식도이다.
도 7은 산소 플라즈마 처리의 전후의 원판에 대한 광투과율의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은 흡수층의 재질마다 손실 투과율을 산출한 시뮬레이션 결과를 나타내는 그래프이다.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 알맞은 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
또한, 이하의 설명에서 참조하는 각 도면에서는, 설명의 편의상, 일부의 구성 요소의 크기를 과장하여 표현하고 있는 경우가 있다. 따라서, 각 도면에 있어서 도시되는 구성 요소들의 상대적인 크기는, 반드시 실제의 구성 요소들의 대소 관계를 정확하게 표현하는 것은 아니다.
<1. 원판의 구성>
우선, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일실시 형태에 따른 원판의 구성에 대해 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 원판의 구성을 모식적으로 도시한 단면도이다.
본 실시 형태에 따른 원판(1)은, 예를 들어, 롤 투 롤(roll-to-roll) 방식의 임프린트에 이용되는 원판이다. 원판(1)은, 외주면에 설치된 패턴층(12)을 피전사재에 회전하면서 대고 누름으로써, 패턴층(12)에 형성된 미세 요철 구조(30)를 피전사재에 전사할 수 있다.
원판(1)을 이용하여 피전사재에 미세 요철 구조(30)를 전사한 후에, 원판(1)을 세정함으로써, 재차, 원판(1)을 이용하여 피전사재에 미세 요철 구조(30)를 전사하는 것이 가능하게 된다. 이것은, 전사 후의 원판(1)의 패턴층(12)에는, 피전사재로부터 벗겨진 피전사물의 일부, 또는 원판(1)과 피전사재의 박리성을 향상시키기 위한 박리제 등이 부착되어 있기 때문이다. 이들 부착물을 세정에 의해서 제거함으로써, 원판(1)은, 재차, 피전사재에 미세 요철 구조(30)를 정밀도 좋게 전사할 수 있게 된다. 원판(1)의 세정은, 예를 들어, 강산, 강염기, 또는 산화제 등을 이용한 세정액에 원판(1)을 침지함으로써 행하는 것이 가능하다. 예를 들어, 원판(1)의 세정은, 황산 및 과산화수소수를 혼합한 피라냐 용액에 원판(1)을 침지함으로써 행할 수 있다.
보다 구체적으로는, 도 1에 도시한 바와 같이, 원판(1)은, 기재(11)와, 흡수층(20)과, 미세 요철 구조(30)가 형성된 패턴층(12)을 구비한다.
기재(11)는, 예를 들어, 내부에 공동(空洞)을 갖는 중공의 원통형 형상의 부재이다. 단, 기재(11)는, 내부에 공동을 갖지 않는 속이 찬 원주형 형상의 부재여도 된다. 기재(11)가 이러한 형상임으로써, 원판(1)은, 롤 투 롤(roll-to-roll) 방식의 임프린트에 이용될 수 있다.
구체적으로는, 기재(11)의 형상은, 높이(축방향의 길이)가 100mm 이상이고, 저면 또는 상면의 원의 직경(축방향과 직교하는 경방향의 외경)이 50mm 이상 300mm 이하이며, 경방향의 두께(두께)가 2mm 이상 50mm 이하인 원통형 형상이어도 된다.
단, 기재(11)의 형상 또는 크기는, 상기 예시에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기재(11)의 형상은, 평판 형상이어도 된다.
기재(11)의 일면(기재(11)가 원통형 형상인 경우에는, 기재(11)의 외주면)에는, 후술하는 바와 같이, 미세 요철 구조(30)가 형성되는 패턴층(12)이 설치된다. 그로 인해, 미세 요철 구조(30)의 요철 구조의 형성성을 보다 양호하게 하기 위해서는, 기재(11)의 일면(즉, 외주면)의 표면 거칠기(산술 평균 거칠기 Ra)는, 미세 요철 구조(30)의 요철의 고저차의 1/100 이하로 하는 것이 바람직하고, 1/10000 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 기재(11)의 일면(즉, 외주면)의 표면 거칠기는, 작으면 작을수록 좋으나, 기재(11)의 가공 한계의 관점에서, 미세 요철 구조(30)의 요철의 고저차의 1/10000을 하한으로 해도 된다.
기재(11)는, 전사 후에 행해지는 세정 공정에서 용해 또는 부식되지 않는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기재(11)는, 각종 세라믹 재료, 또는 용융 석영 유리, 합성 석영 유리, TEMPAX(등록상표) 등의 내열 유리, 백판 유리 혹은 강화 유리 등의 유리 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 또, 기재(11)의 재질로서, AlN, C, SiC 또는 Si 등을 이용하는 것도 가능하다. 한편, 각종 금속, 또는 각종 유기 수지 등은, 세정 공정에 대한 내부식성 또는 내용제성이 낮기 때문에, 기재(11)의 재질로서 바람직하지 않다.
패턴층(12)은, 기재(11)의 일면에 설치되고, 미세 요철 구조(30)가 형성되는 층이다. 미세 요철 구조(30)가 형성되는 패턴층(12)은, 미세 요철 구조(30)의 요철의 고저차보다 큰 막두께를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들어, 미세 요철 구조(30)의 요철의 고저차가 300nm~500nm인 경우, 패턴층(12)의 막두께는, 500nm~700nm여도 된다.
패턴층(12)은, 예를 들어, SiO2를 주성분으로 하는 용융 석영 유리 또는 합성 석영 유리 등의 유리 재료로 형성되는 것이 바람직하다. SiO2를 주성분으로 하는 유리 재료는, 에칭에 의한 미세 가공이 용이하고, 또한 높은 내부식성을 갖기 때문에, 패턴층(12)의 재질로서 특히 바람직하다. 한편, Al 또는 W 등의 금속 재료는, 세정 공정에 대한 내부식성이 낮기 때문에, 패턴층(12)의 재질로서 바람직하지 않다.
패턴층(12)이 SiO2를 주성분으로 하는 유리 재료로 형성되는 경우, 패턴층(12)은, 가시광 대역 근방의 광에 대한 광투과성이 높아져, 투명해진다. 이러한 경우, 패턴층(12)은, 전사시에 피전사재를 경화시키기 위해서 조사된 광(예를 들어, 자외선)을 투과 또는 도파시킴으로써, 전반광을 발생시켜 버리는 일이 있다. 이로써, 패턴층(12)은, 의도치 않은 영역의 피전사재에 당해 전반광을 조사함으로써, 의도치 않은 영역의 피전사재를 전사 전에 경화시켜 버릴 가능성이 있다. 본 실시 형태에 따른 원판(1)에서는, 후술하는 흡수층(20)에 의해서, 패턴층(12)을 투과 또는 도파하는 전반광을 흡수할 수 있다. 이에 의하면, 본 실시 형태에 따른 원판(1)은, 피전사재가 전사 전에 의도치 않게 경화해 버리는 것을 억제할 수 있기 때문에, 전사 불량의 발생을 억제할 수 있다.
패턴층(12)에 형성되는 미세 요철 구조(30)는, 복수의 오목부 또는 볼록부가 규칙적 또는 불규칙적으로 배열된 구조이다. 구체적으로는, 복수의 오목부 또는 볼록부의 평면 형상의 크기의 평균이 가시광 대역에 속하는 광의 파장 이하여도 되고, 미세 요철 구조(30)는, 당해 복수의 오목부 또는 볼록부의 서로의 간격의 평균이 가시광 대역에 속하는 광의 파장 이하가 되도록, 당해 복수의 오목부 또는 볼록부를 규칙적 또는 불규칙적으로 배치한 구조여도 된다.
예를 들어, 오목부 또는 볼록부의 평면 형상의 크기 및 간격의 평균은, 1μm 미만이어도 되고, 바람직하게는 100nm 이상 350nm 이하여도 된다. 오목부 또는 볼록부의 평면 형상의 크기 및 간격의 평균이 상기 범위 내인 경우, 미세 요철 구조(30)는, 가시광 대역에 속하는 광의 반사를 억제하는, 이른바 모스아이 구조로서 기능할 수 있다. 한편, 오목부 또는 볼록부의 평면 형상의 크기 및 간격의 평균이 100nm 미만인 경우, 미세 요철 구조(30)의 형성이 곤란해지는 일이 있다. 또, 오목부 또는 볼록부의 평면 형상의 크기 및 간격의 평균이 350nm를 초과하는 경우, 가시광의 회절이 발생하여, 모스아이 구조로서의 기능이 저하할 가능성이 있다.
여기서, 오목부 또는 볼록부의 평면 형상은, 대략 원 형상, 타원 형상, 또는 다각 형상 중 어느 하나여도 된다. 또, 미세 요철 구조(30)에 있어서의 오목부 또는 볼록부의 배치는, 최밀 충전 배치, 사방 격자형 배치, 육방 격자형 배치, 또는 지그재그형 배치 중 어느 하나여도 된다. 미세 요철 구조(30)가 전사된 전사물이 작용하는 기능에 따라, 당해 배치를 적당히 선택할 수 있다.
흡수층(20)은, 기재(11) 및 패턴층(12)의 사이에 협지되도록 설치된다. 즉, 흡수층(20)은, 기재(11)의 외주측 또한 패턴층(12)의 내주측에 배치되고, 기재(11)와 패턴층(12)의 사이에 적층된다. 흡수층(20)의 광흡수 계수가, 패턴층(12)의 광흡수 계수보다 커지도록, 흡수층(20) 및 패턴층(12)의 재료가 선정된다. 이로써, 흡수층(20)은, 피전사재를 경화시키기 위해서 조사된 광 중, 패턴층(12)을 투과 또는 도파하는 광을 흡수할 수 있다.
흡수층(20)은, 패턴층(12)보다 광흡수 계수가 크고, 투명하지 않은 비금속 재 재료로 형성할 수 있다. 구체적으로는, 흡수층(20)은, Si로 형성되는 것이 바람직하다. 또, 흡수층(20)은, SiOx(단, 완전히 산화되지 않고 투명하지 않은 것), SiNx, C, SiC, TiN, WN, 또는 AlN 등의 무기 산질화물로 형성되어도 된다.
흡수층(20)은, 전사 후의 세정 공정에 있어서, 패턴층(12)을 넘어 침투한, 강산 또는 강염기의 세정액에 노출될 가능성이 있기 때문에, 내부식성이 높은 상기의 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 한편, 흡수층(20)이 금속 재료 등으로 형성된 경우, 전사 후의 세정 공정에 있어서, 패턴층(12)을 넘어 침투한 세정액에 의해서 흡수층(20)이 에칭되어, 기재(11)와 패턴층(12)이 박리될 가능성이 있기 때문에, 흡수층(20)을 금속 재료 등으로 형성하는 것은 바람직하지 않다.
또한, 전사물을 제조하는 전사 공정, 및 원판(1)을 재생하는 세정 공정에 있어서, 원판(1)에 열이 가해지는 경우가 많다. 그로 인해, 흡수층(20)과 패턴층(12)의 사이, 또는 흡수층(20)과 기재(11)의 사이에 있어서, 균열의 발생을 억제하기 위해서, 흡수층(20)은, 패턴층(12) 및 기재(11)와 선팽창 계수(열팽창 계수라고도 칭해진다)가 가까운 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 기재(11) 및 패턴층(12)이 SiO2를 주성분으로서 형성되는 경우, 흡수층(20)은, SiO2와 선팽창 계수가 가까운 Si로 형성되는 것이 바람직하다.
흡수층(20)의 막두께에 관해서는, 흡수층(20)이 충분한 광흡수 특성을 가질 수 있도록, 흡수층(20)을 형성하는 재료에 따라, 적절한 막두께를 적당히 선택할 수 있다. 또한, 흡수층(20)이 Si로 형성되는 경우, Si의 막두께가 과도하게 얇으면, Si는 자연 산화되어 SiOx가 되는 일이 있다. 이로 인해, Si로 형성되는 흡수층(20)의 막두께의 하한을, 5nm로 해도 된다. 흡수층(20)의 막두께가 두꺼우면 두꺼울수록, 흡수층(20)의 광흡수 특성이 향상한다. 그러나, 흡수층(20)의 막두께가 과도하게 두꺼워진 경우, 흡수층(20)의 형성에 시간이 걸리고, 또한 흡수층(20)의 막 벗겨짐의 가능성이 높아지기 때문에, 원판(1)의 제조의 난이도가 증가한다. 그로 인해, 흡수층(20)의 막두께의 상한을, 예를 들어, 10000nm로 해도 된다.
또한, 상술한 원판(1)을 이용하여 제조된 전사물은, 여러가지 용도로 이용될 수 있다. 예를 들어, 원판(1)을 이용하여 제조된 전사물은, 도광판, 광확산판, 마이크로 렌즈 어레이, 프레넬 렌즈 어레이, 회절 격자, 또는 반사 방지 필름 등의 광학 부재로서 이용하는 것이 가능하다.
<2. 흡수층의 배치>
계속해서, 도 2a 및 도 2b를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 원판(1)에 있어서의 흡수층(20)의 배치의 우위성에 대해 설명한다. 도 2a는, 도 1에 도시한 원판(1)에 비해서, 흡수층(20)의 배치를 변경한, 비교예 1에 따른 원판(2A)을 모식적으로 도시한 단면도이며, 도 2b는, 도 1에 도시한 원판(1)에 비해서, 흡수층(20)의 배치를 변경한, 비교예 2에 따른 원판(2B)을 모식적으로 도시한 단면도이다.
비교예 1에 따른 원판(2A)에서는, 도 2a에 도시한 바와 같이, 흡수층(20)이 기재(11)의 외주면의 미세 요철 구조(30)의 표면에 설치되어 있다. 그러나, 비교예 1에 따른 원판(2A)에서는, 나노미터 또는 서브 마이크로 미터 오더로 형성된 미세 요철 구조(30)의 표면에 수십 나노미터의 흡수층(20)이 설치되기 때문에, 흡수층(20)에 의해서 미세 요철 구조(30)의 형상이 변화해 버린다. 따라서, 비교예 1에 따른 원판(2A)을 이용하여 제조한 전사물은, 기대한 특성이 얻어지지 않게 될 가능성이 있다.
또, 비교예 1에 따른 원판(2A)에서는, 흡수층(20)이 원판(2A)의 표면에 노출되어 있기 때문에, 원판(2A)의 세정시에 흡수층(20)이 세정액에 노출되어 버린다. 그로 인해, 원판(2A)의 세정시에 흡수층(20)과 기재(11)의 사이에 세정액이 들어감으로써, 흡수층(20)이 에칭되어, 제거되어 버릴 가능성이 있다. 따라서, 비교예 1에 따른 원판(2A)은, 전사 후의 세정 공정에 있어서의 내구성이 낮아, 세정에 의한 반복 사용에는 적합하지 않다.
비교예 2에 따른 원판(2B)에서는, 도 2b에 도시한 바와 같이, 흡수층(20)이 기재(11)의 내주면의 표면에 설치되어 있다. 그러나, 기재(11)의 내주면에는 미세 요철 구조(30)가 형성되어 있지 않기 때문에, 흡수층(20)에서의 광반사가 증가하여, 오히려 기재(11)를 투과 또는 도파하는 전반광이 증가할 가능성이 있다. 그로 인해, 비교예 2에 따른 원판(2B)을 이용하여 제조한 전사물에서는, 전사 전에 피전사재가 경화하기 쉽고, 전사 불량이 발생하기 쉽다. 따라서, 비교예 2에 따른 원판(2B)은, 제조되는 전사물의 품질이 저하해 버린다.
또, 비교예 2에 따른 원판(2B)에서는, 비교예 1에 따른 원판(2A)과 마찬가지로, 흡수층(20)이 원판(2B)의 표면에 노출되어 있기 때문에, 원판(2B)의 세정시에 흡수층(20)이 세정액에 노출되어 버린다. 그로 인해, 원판(2B)의 세정시에 흡수층(20)과 기재(11)의 사이에 세정액이 들어감으로써, 흡수층(20)이 에칭되어, 제거되어 버릴 가능성이 있다. 따라서, 비교예 2에 따른 원판(2B)은, 전사 후의 세정 공정에 있어서의 내구성이 낮아, 세정에 의한 반복 사용에는 적합하지 않다.
한편, 본 실시 형태에 따른 원판(1)에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 흡수층(20)은, 기재(11)와 패턴층(12)의 사이에 끼워져, 원판(1)의 내부에 배치되어 있기 때문에, 원판(1)의 표면에 노출되어 있지 않다. 그로 인해, 본 실시 형태에 따른 원판(1)은, 전사 후의 세정 공정에 있어서, 세정액에 의해서 흡수층(20)이 에칭되어, 제거되는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 실시 형태에 따른 원판(1)에서는, 미세 요철 구조(30)의 표면 형상을 변화시키지 않고, 원판(1)의 내부를 투과 또는 도파하는 전반광을 흡수하는 흡수층(20)을 설치할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 원판(1)에서는, 세정에 의한 반복 사용에 적합하고, 또한 원판(1)의 특성을 저하시키지 않는 위치에, 기재(11)의 내부를 투과 또는 도파하는 전반광을 흡수하는 흡수층(20)이 설치되어 있다.
<3. 원판의 제조 방법>
계속해서, 도 3a 및 도 3b를 참조하여, 본 실시 형태에 따른 원판(1) 및 전사물의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 3a 및 도 3b는, 본 실시 형태에 따른 원판(1) 및 전사물의 제조 공정을 설명하는 플로차트이다.
도 3a에 도시한 바와 같이, 우선, 석영 등으로 이루어지는 기재(11)를 준비한다(S100). 또한, 도 3a에서는, 설명의 편의상, 평판 형상의 기재(11)가 도시되어 있는데, 기재(11)는, 예를 들어, 원통형 형상이어도 된다.
계속해서, 기재(11)의 외주면 등에 부착되어 있는 먼지(40) 등을 세정에 의해서 제거한다(S110). 예를 들어, 순수 또는 중성 세제 세정을 이용한 초음파 세정, 순수에 의한 린스, 및 온 순수에 의한 건조를 조합함으로써, 기재(11)의 세정을 실행할 수 있다.
그 후, 세정 후의 기재(11)의 외주면의 위에 흡수층(20)을 성막한다(S120). 구체적으로는, 스퍼터링법을 이용하여, 기재(11)의 외주면에 Si를 막두께 25nm~50nm로 퇴적시킴으로써, 흡수층(20)을 형성할 수 있다.
다음으로, 흡수층(20)의 위에 패턴층(12)을 성막한다(S130). 구체적으로는, 산소 리엑티브 스퍼터법을 이용하여, 흡수층(20)의 위에 SiO2를 막두께 300nm~500nm로 퇴적시킴으로써, 패턴층(12)을 형성할 수 있다.
계속해서, 패턴층(12)의 위에 레지스트층(31)을 성막한다(S140). 구체적으로는, 무기계 레지스트 또는 유기계 레지스트를 이용하여, 레지스트층(31)을 형성할 수 있다. 레이저광 등의 노광에 의해서, 무기계 레지스트 또는 유기계 레지스트에 잠상을 형성하는 것이 가능하다. 예를 들어, 텅스텐(W) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 1종 또는 2종 이상의 전이 금속을 포함하는 금속 산화물로 이루어지는 무기계 레지스트를 이용하는 경우, 스퍼터법 등을 이용하여, 무기계 레지스트를 패턴층(12)의 위에 성막함으로써, 레지스트층(31)을 형성할 수 있다. 노볼락계 레지스트 또는 화학 증폭형 레지스트 등의 유기계 레지스트를 이용하는 경우, 스핀 코트법 등을 이용하여, 유기계 레지스트를 패턴층(12)의 위에 성막함으로써, 레지스트층(31)을 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3b에 도시한 바와 같이, 레이저광 등의 조사에 의해서, 레지스트층(31)을 노광함으로써, 레지스트층(31)에 미세 요철 구조(30)에 대응하는 잠상(31A)을 형성한다(S150). 레지스트층(31)에 조사하는 레이저광의 파장은, 예를 들어, 400nm~500nm의 청색광 대역에 속하는 파장이어도 된다.
계속해서, 레지스트층(31)을 현상함으로써, 잠상(31A)에 대응하는 패턴을 레지스트층(31)에 형성한다(S160). 예를 들어, 레지스트층(31)이 무기계 레지스트로 형성되는 경우, TMAH(TetraMethylAmmonium Hydroxide：수산화테트라메틸암모늄) 수용액 등의 알칼리계 용액에 의해서, 레지스트층(31)을 현상할 수 있다. 레지스트층(31)이 유기계 레지스트로 형성되는 경우, 에스테르 또는 알코올 등의 각종 유기용제에 의해서, 레지스트층(31)을 현상할 수 있다.
그 후, 미세 요철 구조(30)에 대응하는 패턴이 형성된 레지스트층(31)을 마스크로서, 패턴층(12)을 에칭함으로써, 패턴층(12)에 미세 요철 구조(30)를 형성한다(S170). 불화 탄소 가스를 이용한 드라이 에칭, 또는 불화수소산 등을 이용한 웨트 에칭을 이용하여, 패턴층(12)의 에칭을 행할 수 있다. 또한, 패턴층(12)을 에칭한 후, 잔존하고 있는 레지스트층(31)을 제거하기 위해서, 애싱(ashing) 처리를 행해도 된다.
이상의 공정에 의해, 원판(1)을 제조할 수 있다. 계속해서, 원판(1)을 이용하여 전사물을 제조하는 공정에 대해 설명한다.
도 3b에 도시한 바와 같이, 우선, 원판(1)의 패턴층(12)의 위에, 아크릴아크릴레이트 수지, 또는 에폭시아크릴레이트 수지 등의 자외선 경화 수지를 포함하는 광경화성 수지 조성물을 도포한 후, 베이스 필름을 적층함으로써, 피전사재층(50)이 형성된다(S180). 다음으로, 메탈할라이드 램프 등에 의해 자외선을 피전사재층(50)에 조사함으로써, 광경화성 수지 조성물을 경화시키고, 피전사재층(50)에 미세 요철 구조(30)를 전사시킨다. 그 후, 피전사재층(50)을 원판(1)으로부터 박리함으로써, 전사물이 형성된다.
피전사재층(50)이 박리된 후의 원판(1)의 패턴층(12)에는, 광경화성 수지 조성물의 잔존물(51) 등이 부착되어 있다. 그로 인해, 전사 후의 원판(1)을 재이용하기 위해서, 패턴층(12)에 부착된 잔존물(51) 등을 제거하는 세정이 행해진다(S190). 구체적으로는, 전사 후의 원판(1)을 농황산 및 과산화수소수의 혼합액에 수 시간 침지한 후, 순수 린스, 초음파 세정, 및 온 순수 건조를 행함으로써, 원판(1)의 세정을 행할 수 있다. 세정된 원판(1)은, 재차, 단계 S180의 UV 임프린트에 이용된다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 원판(1)을 세정하여 반복 사용함으로써, 복수의 상기 전사물을 제조할 수 있다. 따라서, 전사 불량이 억제된 전사물을 보다 고효율로 제조하는 것이 가능하다.
실시예
이하에서는, 실시예 및 비교예를 참조하면서, 본 실시 형태에 따른 원판에 대해서, 더 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에 개시하는 실시예는, 본 실시 형태에 따른 원판 및 그 제조 방법의 실시 가능성 및 효과를 나타내기 위한 일 조건예이며, 본 발명이 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
실시예 1에 따른 원판은, 기재와 패턴층의 사이에 흡수층이 형성된 원판이다(도 1 참조). 이하의 공정에 의해, 실시예 1에 따른 원판을 제조했다. 우선, 석영 유리로 이루어지는 원통형 형상의 기재(외경 직경 132mm, 내경 직경 123mm, 축방향 길이 100mm, 경방향의 두께 4.5mm)를 준비하고, 기재를 세정했다. 그 후, Ar 가스에 의한 스퍼터법을 이용하여, 기재의 외주면에 Si를 막두께 35nm로 성막함으로써, 흡수층을 형성했다. 계속해서, Ar 가스 및 산소 가스에 의한 산소 리엑티브 스퍼터법을 이용하여, 흡수층의 위에 SiO2를 막두께 400nm로 성막함으로써, 패턴층을 형성했다.
다음으로, 스퍼터법을 이용하여, 패턴층의 위에 텅스텐 산화물을 막두께 55nm로 성막함으로써, 레지스트층을 형성했다. 계속해서, 반도체 레이저 광원으로부터 출사된 파장 405nm의 레이저광을 이용하여, 열 리소그래피를 행함으로써, 레지스트층에 잠상을 형성했다.
그 후, 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 2.38질량% 수용액(TOKYO OHKA KOGYO Co., Ltd. 제조)을 이용하고, 잠상이 형성된 레지스트층을 27℃, 900초로 현상하여, 잠상에 대응하는 패턴을 레지스트층에 형성했다. 다음으로, 패턴이 형성된 레지스트층을 마스크로 하고, 가스압 0.5Pa, 투입 전력 150W로, CHF3 가스(30sccm)에 의한 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching：RIE)을 30분간 행함으로써, 패턴층에 미세 요철 구조를 형성했다. 패턴층에 형성된 미세 요철 구조는, 요철의 피치가 150nm~200nm이며, 요철의 고저차가 120nm인 청색 대역의 광에 대한 반사 방지 구조(즉, 모스아이 구조)로 했다.
(비교예 1)
비교예 1에 따른 원판은, 기재의 외주면에 형성된 미세 요철 구조의 표면 상에, 흡수층이 형성된 원판이다(도 2a 참조). 이하의 공정에 의해, 비교예 1에 따른 원판을 제조했다. 석영 유리로 이루어지는 원통형 형상의 기재(외경 직경 132mm, 내경 직경 123mm, 축방향 길이 100mm, 경방향의 두께 4.5mm)를 준비하고, 기재를 세정했다.
다음으로, 스퍼터법을 이용하여, 기재의 외주면에 텅스텐 산화물을 막두께 55nm로 성막함으로써, 레지스트층을 형성했다. 계속해서, 반도체 레이저 광원으로부터 출사된 파장 405nm의 레이저광을 이용하여, 열 리소그래피를 행함으로써, 레지스트층에 잠상을 형성했다.
그 후, 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 2.38질량% 수용액(TOKYO OHKA KOGYO Co., Ltd. 제조)을 이용하고, 잠상이 형성된 레지스트층을 27℃, 900초로 현상하여, 잠상에 대응하는 패턴을 레지스트층에 형성했다. 다음으로, 패턴이 형성된 레지스트층을 마스크로 하고, 가스압 0.5Pa, 투입 전력 150W로, CHF3 가스(30sccm)에 의한 반응성 이온 에칭(Reactive Ion Etching：RIE)을 30분간 행함으로써, 기재의 외주면에 미세 요철 구조를 형성했다. 기재의 외주면에 형성된 미세 요철 구조는, 요철의 피치가 150nm~200nm이며, 요철의 고저차가 120nm인 청색 대역의 광에 대한 반사 방지 구조(즉, 모스아이 구조)였다. 또한, 스퍼터법을 이용하여, 미세 요철 구조의 표면에 SiOx를 막두께 35nm로 성막함으로써, 흡수층을 형성했다.
(비교예 2)
비교예 2에 따른 원판은, 기재와, 당해 기재의 외주면에 형성된 미세 요철 구조를 구비하고, 흡수층이 형성되어 있지 않은 원판이다. 흡수층을 형성하지 않았던 것 이외는, 비교예 1과 동일한 방법으로 비교예 2에 따른 원판을 제조했다.
(전사물의 평가)
실시예 1 및 비교예 1, 2에 따른 원판을 이용하여 전사물을 제조하고, 각각의 전사물의 광반사율을 측정했다. 구체적으로는, 롤 투 롤 임프린트 기술을 이용하여, 트리아세틸셀룰로오스(Triacetylcellulose)의 필름 기재 상에 설치된 자외선 경화 수지에 미세 요철 구조를 전사했다. 또한, 자외선 경화 수지는, 메탈할라이드 램프에 의해, 1000mJ/cm2의 자외선을 1분간 조사함으로써 경화시켰다. 그 후, 미세 요철 구조를 전사한 전사물의 광반사율을 각각 측정했다.
또한, 실시예 1 및 비교예 1에 따른 원판은, 평가 가능한 전사물을 제조할 수 있었는데, 비교예 2에 따른 원판은, 기재를 투과 또는 도파하는 전반광 때문에 전사물에 전사 불량이 많이 발생하여, 평가 가능한 전사물을 제조할 수 없었다.
실시예 1 및 비교예 1에 따른 원판을 이용하여 제조된 전사물에 대한 광반사율의 측정 방법 및 측정 결과를 도 4 및 도 5에 도시한다. 도 4는, 전사물에 대한 광반사율의 측정 방법을 설명하는 모식도이다. 도 5는, 전사물에 대한 광반사율의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 4에 도시한 바와 같이, sample(전사물)의 표면에 대해서 입사각 5°로 입사광(In)을 입사시키고, 반사각 5°로 출사되는 반사광(Re)을 측정함으로써, 전사물의 광반사율을 측정했다. 분광 광도계 V550 또는 ARM-500V(둘 다, JASCO Corporation 제조)를 이용하여, 반사광(Re)을 측정했다. 측정 파장은, 350nm~800nm로 하고, 파장 분해능은, 1nm로 했다.
전사물의 광반사율의 측정 결과를 도 5에 도시한다. 도 5에서 도시한 결과를 참조하면, 비교예 1에 따른 원판을 이용하여 제조된 전사물이 실시예 1에 따른 원판을 이용하여 제조된 전사물보다 광반사율이 높은 것을 알 수 있다. 이 이유는, 비교예 1에 따른 원판은, 미세 요철 구조의 표면에 성막된 흡수층에 의해서 미세 요철 구조의 형상이 원하는 형상으로부터 변화해 버리기 때문에, 전사물의 반사 방지 특성이 저하했기 때문이라고 생각할 수 있다. 따라서, 실시예 1에 따른 원판은, 원하는 형상의 미세 요철 구조를 적절히 피전사재에 전사 가능한 것을 알 수 있다. 예를 들어, 전사물을 반사 방지 필름으로서 이용하는 경우, 전사물의 광반사율이 낮을수록, 전사물의 반사 방지 특성이 우수하다고 말할 수 있다. 도 5에 도시한 결과로부터, 실시예 1에 따른 원판은, 비교예 1에 따른 원판보다, 미세 요철 구조의 전사 불량을 억제할 수 있고, 반사 방지 특성이 우수한 전사물(반사 방지 필름)을 제조할 수 있던 것을 알 수 있다.
(세정에 대한 내성 평가)
실시예 1 및 비교예 1에 따른 원판의 세정에 대한 내성을 평가하기 위해서, 실시예 1 및 비교예 1에 따른 원판에 대해서, 산소 플라즈마 처리를 15분 행하고, 각 원판의 광투과율을 측정했다. 산소 플라즈마 처리는, 원판의 정화 처리의 일례이다. 산소 플라즈마 처리에 의한 원판에 대한 부하는, 농황산 및 과산화수소수의 혼합액을 이용한 세정 처리에 의한 부하와 동등하다. 그로 인해, 본 측정 시험에서는, 산소 플라즈마 처리를 세정 처리의 대체로서 사용했다.
실시예 1 및 비교예 1에 따른 원판에 대한 광투과율의 측정 방법 및 측정 결과를 도 6 및 도 7에 도시한다. 도 6은, 원판에 대한 광투과율의 측정 방법을 설명하는 모식도이다. 도 7은, 산소 플라즈마 처리의 전후의 원판에 대한 광투과율의 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 6에 도시한 바와 같이, sample(원판)의 표면에 대해서 입사각 5°로 입사광(In)을 입사시키고, 원판을 투과하여 원판의 이면으로부터 출사되는 투과광(Tr)을 측정함으로써, 원판의 광투과율을 측정했다. 분광 광도계 V550 또는 ARM-500V(둘 다, JASCO Corporation 제조)를 이용하여, 투과광(Tr)을 측정했다. 측정 파장은, 350nm~800nm로 하고, 파장 분해능은, 1nm로 했다.
원판의 광투과율의 측정 결과를 도 7에 도시한다. 도 7에 도시한 결과를 참조하면, 비교예 1에 따른 원판에서는, 산소 플라즈마 처리에 의해서 광투과율이 상승하고 있는 것을 알 수 있다. 이 이유는, 산소 플라즈마 처리에 의해서, 원판의 표면에 설치된 흡수층이 데미지를 받았기 때문이라고 생각할 수 있다. 따라서, 비교예 1에 따른 원판에서는, 전사 후의 세정 처리에 의해서 원판의 광투과율이 상승하고, 세정 처리를 반복함으로써 전반광의 발생을 억제하기 어려워지기 때문에, 전사물에 있어서의 미세 요철 구조의 전사 불량을 발생시키기 쉬워져 버린다고 생각할 수 있다.
한편, 실시예 1에 따른 원판에서는, 산소 플라즈마 처리를 실시한 전후에서 광투과율이 변동하고 있지 않다. 따라서, 실시예 1에 따른 원판에서는, 전사 후의 세정 처리를 반복한 경우에서도, 전반광의 발생을 억제하고, 전사물에 있어서의 미세 요철 구조의 전사 불량의 발생을 억제할 수 있다고 생각할 수 있다.
(흡수층의 평가)
다음으로, 재질마다의 흡수층의 광학 특성에 대해 평가했다. 구체적으로는, 원통형 형상의 원판을 이용한 전사 후에, 당해 원판을 개편 형상으로 절단하여, 시험예 1~5에 따른 원판 개편을 제작했다. 그리고, 시험예 1~5에 따른 원판 개편에 대해서, 분광 광도계 V650(JASCO Corporation 제조)를 이용하여, 정면 투과율 및 정면 반사율의 스펙트럼을 측정했다. 또한, 측정한 정면 투과율 및 정면 반사율에 의거하여, 시험예 1~5에 따른 원판 개편의 손실 투과율을 산출했다.
손실 투과율(%)=100(%)-정면 반사율(%)-정면 투과율(%)
손실 투과율은, 분광 광도계에 의해서 측정된 정면 투과율 및 정면 반사율을 100%로부터 감산한 값이며, 시험예 1~5에 따른 원판 개편의 투과 흡수를, 정면 반사율의 영향을 제외하고 평가한 지표이다. 손실 투과율이 높을수록, 원판의 광흡수율이 높고, 원판의 내부를 도파 또는 투과하는 전반광이 적은 것을 나타낸다.
도 8은, 시험예 1~5에 따른 원판 개편의 손실 투과율의 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
시험예 1에 따른 원판 개편은, 기재의 일면에 모스아이 구조를 형성하고, 당해 모스아이 구조의 표면에 흡수층으로서 텅스텐(W)을 막두께 10nm로 성막한 원판 개편이다. 즉, 시험예 1에 따른 원판 개편은, 상기의 비교예 1에 따른 원판(도 2a 참조)과 동일한 구조를 갖는 원판 개편이다.
시험예 2에 따른 원판 개편은, 기재의 일면에 흡수층으로서 실리콘(Si)을 막두께 10nm로 성막하고, 흡수층의 위에 SiO2로 이루어지는 패턴층(단, 모스아이 구조는 형성되지 않음)을 형성한 원판 개편이다.
시험예 3에 따른 원판 개편은, 시험예 2에 따른 원판 개편의 패턴층에 모스아이 구조를 형성한 원판 개편이다. 즉, 시험예 3에 따른 원판 개편은, 상기의 실시예 1에 따른 원판(도 1 참조)과 동일한 구조를 갖는 원판 개편이다.
시험예 4에 따른 원판 개편은, 기재의 일면에 흡수층으로서 카본(C)을 막두께 40nm로 성막하고, 흡수층의 위에 SiO2로 이루어지는 패턴층(단, 모스아이 구조는 형성되지 않음)을 형성한 원판 개편이다.
시험예 5에 따른 원판 개편은, 기재의 일면에 흡수층으로서 질화티탄(TiN)을 막두께 50nm로 성막하고, 흡수층의 위에 SiO2로 이루어지는 패턴층(단, 모스아이 구조는 형성되지 않음)을 형성한 원판 개편이다.
자외선 영역의 광(자외선)은, 자외선 경화성 수지로 이루어지는 피전사재의 의도치 않은 경화에 영향을 준다. 이로 인해, 상기 시험예 1~5에 따른 원판의 광흡수율을, 주로 자외선 영역의 파장(350~400nm)을 기준으로 하여 평가했다. 도 8에 도시한 바와 같이, 시험예 1에 따른 원판 개편은, 모스아이 구조의 표면에 흡수층이 설치되어 있기 때문에, 자외선 영역에 있어서, 손실 투과율이 낮아, 전반광이 억제되어 있지 않은 것을 알 수 있다. 한편, 시험예 2, 4, 5에 따른 원판 개편은, 흡수층의 재질 및 막두께는 상이하지만, 기재와 패턴층의 사이에 흡수층이 설치되어 있기 때문에, 자외선 영역에 있어서, 손실 투과율이 높아, 전반광을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다. 특히, 시험예 2에 따른 원판 개편(흡수층의 재질：Si)은, 시험예 4, 5에 따른 원판 개편보다 얇은 막두께의 흡수층을 이용하고 있는데, 시험예 4, 5에 따른 원판 개편(흡수층의 재질：C, TiN)과 같은 정도의 높은 손실 투과율을 실현할 수 있는 것을 알 수 있다. 이로써, 흡수층의 재질로는, C, TiN보다 Si가 바람직하고, Si로 이루어지는 흡수층은, 높은 흡수 성능을 실현할 수 있는 것을 알 수 있다. 또, 시험예 3에 따른 원판 개편은, 기재와 패턴층의 사이에 설치된 흡수층에 더해, 패턴층에 모스아이 구조가 형성되어 있기 때문에, 시험예 2와 비교해서 손실 투과율이 보다 낮아져 있는 것을 알 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 원판은, 전사 불량의 발생이 억제된 전사물을 제조하는 것이 가능하고, 또한 세정에 의해서 반복 사용됨으로써, 전사 불량의 발생이 억제된 전사물을 고효율로 제조하는 것이 가능하다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 알맞은 실시 형태에 대해 상세하게 설명했는데, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자이면, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있어서, 각종의 변경예 또는 수정예를 도출할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도, 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
1 원판
11 기재
12 패턴층
20 흡수층
30 미세 요철 구조

Claims (13)

  1. 기재와,
    상기 기재의 일면에 설치되고, 미세 요철 구조가 형성된 패턴층과,
    상기 기재와 상기 패턴층의 사이에 협지되도록 설치된 흡수층
    을 구비하고,
    파장 350~400nm에서의 손실 투과율이 40% 이상인, 원판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 흡수층은 비금속 재료로 형성되는, 원판.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 패턴층은 투명 재료로 형성되는, 원판.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴층은 SiO2로 형성되고, 상기 흡수층은 Si로 형성되는, 원판.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재는 세라믹 재료 또는 유리 재료로 형성되는, 원판.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 미세 요철 구조는 모스아이(Moth-eye) 구조인, 원판.
  7. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재의 상기 일면의 표면 거칠기는, 상기 미세 요철 구조의 요철의 고저차의 1/100 이하인, 원판.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴층의 막두께는 상기 미세 요철 구조의 요철의 고저차보다 큰, 원판.
  9. 청구항 2에 있어서,
    상기 흡수층이 Si로 형성되는 경우, 상기 흡수층의 막두께는 5nm 이상인, 원판.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기재의 형상은 원통형 형상인, 원판.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 기재의 상기 일면은, 상기 원통형 형상의 외주면이며,
    상기 패턴층은, 상기 외주면을 따라서 설치되는, 원판.
  12. 기재의 일면에 흡수층을 형성하는 단계와,
    상기 흡수층의 위에 상기 흡수층보다 광흡수 계수가 작고, 미세 요철 구조가 형성된 패턴층을 형성하는 단계
    를 포함하는, 원판의 제조 방법.
  13. 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 기재된 원판의 상기 패턴층에 광경화성 수지를 도포하여, 수지층을 형성하는 단계와,
    상기 수지층을 경화시킨 후, 상기 수지층을 박리함으로써, 상기 미세 요철 구조를 상기 수지층에 전사하여, 전사물을 형성하는 단계와,
    상기 수지층을 박리한 후의 상기 원판을 세정함으로써, 상기 원판에 잔류하는 상기 광경화성 수지를 제거하는 단계
    를 포함하고,
    세정 후의 상기 원판을 반복 이용하여, 복수의 상기 전사물을 제조하는, 전사물의 제조 방법.
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