JP2021027247A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、綿状塊を効果的に除去することが可能な基板処理装置を説明する。【解決手段】基板処理装置は、保持部に保持された基板の周囲を取り囲むように配置されたカバー部材と、カバー部材と回転保持部との間の排気経路に配置された捕集部材と、捕集部材の上方に配置され、捕集部材に溶剤を供給するように構成された溶剤供給部とを備える。溶剤供給部は、上方から見て基板の周囲を取り囲むように構成された内側貯留室と、上方から見て内側貯留室の周囲を取り囲むように構成された外側貯留室と、内側貯留室と外側貯留室とを区画するように周方向に沿って延びる仕切壁とを含む。複数の連通孔は、外側貯留室に導入された溶剤が内側貯留室へと流通可能となるように仕切壁を貫通して延びている。複数の滴下孔は、内側貯留室内の溶剤が捕集部材に向けて滴下するように内側貯留室の底壁を貫通して延びている。【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理装置に関する。

特許文献１は、回転保持部に保持された基板の周縁部と対向するように配置されたリング状のカバー部材と、回転保持部とカバー部材との間の排気経路に配置された捕集部材とを備える基板処理装置を開示している。

実用新案登録第３１７５８９３号公報

近年、ＭＥＭＳ（MicroElectroMechanical Systems）等の製造にあたり、基板を立体的に加工するために、例えば５μｍ〜６０μｍ程度の膜厚の厚いレジスト膜（レジスト厚膜）を基板の表面に形成することがある。レジスト厚膜の材料としては、例えば、粘度が高く且つ基板の表面で流動し難い塗布液（例えばポリイミド）が用いられる。このような塗布液の粘度は、例えば、２０００ｃＰ程度以上である。

当該塗布液を基板の表面に滴下して基板をある程度高回転させた状態でスピンコートすると、当該塗布液が基板の表面全体に塗布され、塗布膜の膜厚の均一性が高まる。ところが、塗布液の多くが基板の外周縁から外方に向けて振り切られてしまうので、形成される塗布膜の膜厚を所望の大きさにし難くなる。

一方、膜厚の厚いレジスト膜を得るために、当該塗布液を基板の表面に滴下して基板をある程度低回転させた状態でスピンコートすると、塗布膜の一部が基板の外周縁から振り切られる。塗布液が高粘度であるので、基板の外周縁から振り切られた塗布膜は、外周縁から紐状に引き延ばされ、外周縁から径方向外方に向けて延びる紐状部が形成される。この過程で、塗布膜及び紐状部は徐々に乾燥してゲル化する。ゲル化した紐状部は、基板の下方に向けて垂れ下がり、互いに絡まり合って綿状の塊（以下、「綿状塊」と称する。）となる。

特許文献１の装置では、スピンコートの過程で生成された綿状塊が捕集部材に捕集される。そのため、綿状塊が排気経路の流路面積を狭めてしまい、設定された排気圧による排気が困難となる場合がある。綿状塊を除去するために、スピンコートの処理後に、捕集部材に対して溶剤を供給することが考えられる。この場合、綿状塊の除去処理に時間を要するため、基板の処理効率（スループット）が低下しうる。

そこで、本開示は、綿状塊を効果的に除去することが可能な基板処理装置を説明する。

本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させるように構成された保持部と、基板に塗布液を供給するように構成された塗布液供給部と、保持部に保持された基板の周囲を取り囲むように配置されたカバー部材と、カバー部材と回転保持部との間の排気経路に配置された捕集部材と、捕集部材の上方に配置され、捕集部材に溶剤を供給するように構成された溶剤供給部とを備える。溶剤供給部は、上方から見て基板の周囲を取り囲むように構成された内側貯留室と、上方から見て内側貯留室の周囲を取り囲むように構成された外側貯留室と、内側貯留室と外側貯留室とを区画するように基板の周方向に沿って延びる仕切壁とを含む。内側貯留室には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の滴下孔が設けられている。外側貯留室には、溶剤が導入される導入孔が設けられている。仕切壁には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の連通孔が設けられている。複数の連通孔は、外側貯留室に導入された溶剤が内側貯留室へと流通可能となるように仕切壁を貫通して延びている。複数の滴下孔は、内側貯留室内の溶剤が捕集部材に向けて滴下するように内側貯留室の底壁を貫通して延びている。

本開示に係る基板処理装置によれば、綿状塊を効果的に除去することが可能となる。

図１は、基板処理システムの一例を示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図３は、処理モジュールの一例を示す上面図である。 図４は、液処理ユニットの一例を示す概略図である。 図５は、吐出部材の一例を部分的に破断して示す斜視図である。 図６は、吐出部材の一例を示す垂直断面図である。 図７は、捕集部材の一例を示す上面図である。 図８は、基板処理システムの主要部の一例を示すブロック図である。 図９は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。 図１０は、ウエハの処理手順を説明するためのフローチャートである。 図１１は、吐出部材の他の例を示す垂直断面図である。 図１２は、吐出部材の他の例を示す垂直断面図である。

以下に、本開示に係る実施形態の一例について、図面を参照しつつより詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

［基板処理システム］
図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを備える。

露光装置３は、ウエハＷ（基板）の表面に形成されたレジスト膜の露光処理（パターン露光）を行う。露光装置３は、例えば、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射してもよい。

エネルギー線としては、例えば、電離放射線又は非電離放射線が挙げられる。電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有する放射線である。電離放射線としては、例えば、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）、電子線、イオンビーム、Ｘ線、α線、β線、γ線、重粒子線、陽子線等が挙げられる。非電離放射線は、原子又は分子を電離させるのに十分なエネルギーを有しない放射線である。非電離放射線としては、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザーなどが挙げられる。

塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウエハＷの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行うように構成されている。ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、円形の一部が切り欠かれていてもよいし、多角形など円形以外の形状を呈していてもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。

図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、搬送アームＡ１を内蔵している。搬送アームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻すように構成されている。

処理ブロック５は、図１〜図３に示されるように、処理モジュールＰＭ１〜ＰＭ４を有する。これらの処理モジュールは、例えば、床面側から処理モジュールＰＭ４、処理モジュールＰＭ１、処理モジュールＰＭ２、処理モジュールＰＭ３の順に並んでいてもよい。

処理モジュールＰＭ１は、ウエハＷの表面上に下層膜を形成するように構成されており、ＢＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ１は、図２及び図３に示されるように、複数のユニットＵ１１，Ｕ２１と、これらのユニットＵ１１，Ｕ２１にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２とを内蔵している。ユニットＵ１１は、例えば、下層膜形成用の塗布液をウエハＷに塗布するように構成されている。ユニットＵ２１は、例えば、ユニットＵ１１によってウエハＷに形成された塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理を行うように構成されている。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

処理モジュールＰＭ２は、下層膜上に中間膜（ハードマスク）を形成するように構成されており、ＨＭＣＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ２は、図２及び図３に示されるように、複数のユニットＵ１２，Ｕ２２と、これらのユニットＵ１２，Ｕ２２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。ユニットＵ１２は、中間膜形成用の塗布液をウエハＷに塗布するように構成されている。ユニットＵ２２は、例えば、ユニットＵ１２によってウエハＷに形成された塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理を行うように構成されている。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

処理モジュールＰＭ３は、中間膜上に熱硬化性且つ感光性のレジスト膜を形成するように構成されており、ＣＯＴモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ３は、図２及び図３に示されるように、複数のユニットＵ１３，Ｕ２３と、これらのユニットＵ１３，Ｕ２３にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４とを内蔵している。ユニットＵ１３は、レジスト膜形成用の塗布液をウエハＷに塗布するように構成されている。ユニットＵ２３は、ユニットＵ１３によりウエハＷに形成された塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）を行うように構成されている。

処理モジュールＰＭ４は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成されており、ＤＥＶモジュールとも呼ばれる。処理モジュールＰＭ４は、図２及び図３に示されるように、複数のユニットＵ１４，Ｕ２４と、これらのユニットＵ１４，Ｕ２４にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５とを内蔵している。処理モジュールＰＭ４は、これらのユニットＵ１４，Ｕ２４を経ずにウエハＷを棚ユニット１４，１５（後述する）間において直接搬送する搬送アームＡ６を内蔵している。ユニットＵ１４は、レジスト膜を部分的に除去してレジストパターンを形成するように構成されている。当該ユニットＵ２４は、例えば、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等を行うように構成されている。

以下では、ユニットＵ１１〜Ｕ１４をまとめて、液処理ユニットＵ１（基板処理装置）と称することとし、ユニットＵ２１〜Ｕ２４をまとめて、熱処理ユニットＵ２と称することとする。

処理ブロック５は、図２及び図３に示されるように、キャリアブロック４側に位置する棚ユニット１４を含む。棚ユニット１４は、床面から処理モジュールＰＭ３にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニット１４の近傍には搬送アームＡ７が設けられている。搬送アームＡ７は、棚ユニット１４のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５は、インターフェースブロック６に位置する棚ユニット１５を含む。棚ユニット１５は床面から処理モジュールＰＭ４の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、搬送アームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送アームＡ８は、棚ユニット１５のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニット１５に戻すように構成されている。

コントローラＣｔｒは、一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成され、基板処理システム１を部分的に又は全体的に制御するように構成されている。

［液処理ユニットの構成］
続いて、図４〜図７を参照して、液処理ユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、図４に示されるように、回転保持部２０と、カバー部材３０と、塗布液供給部４０と、溶剤供給部５０，６０，７０と、捕集部材８０と、センサ９０と、ブロアＢを備える。

回転保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを有する。回転部２１は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させる。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源である。保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３上にはウエハＷが配置される。保持部２３は、例えば吸着等によりウエハＷを略水平に保持する。すなわち、回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な回転軸Ａｘ周りでウエハＷを回転させるように構成されている。回転軸Ａｘは、円形状を呈するウエハＷの略中心を通っているので、中心軸でもある。図４に例示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにウエハＷを所定の回転数で回転させてもよい。

カバー部材３０は、回転保持部２０の周囲に設けられている。カバー部材３０は、ウエハＷの処理のためにウエハＷに供給された液体を受け止める集液容器として機能する。カバー部材３０は、底壁３１と、外周壁３２と、内周壁３３と、仕切壁３４と、排液管３５と、排気管３６と、斜壁３７と、仕切壁３８とを含む。

底壁３１は、回転保持部２０を取り囲む円環状を呈している。外周壁３２は、内周壁３３及び斜壁３７を取り囲む円筒状を呈している。外周壁３２は、底壁３１の外周縁から鉛直上方に向けて延びている。外周壁３２は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁よりも外側に位置する。そのため、外周壁３２は、回転保持部２０によって保持されつつ回転されるウエハＷから振り切られた液体の飛散を防止するように構成されている。

内周壁３３は、回転保持部２０を取り囲む円筒状を呈している。内周壁３３は、底壁３１の内周縁から鉛直上方に向けて延びている。内周壁３３は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁よりも内側に位置する。内周壁３３の上端部３３ａは、仕切壁３８により閉塞されている。仕切壁３８の中央部には貫通孔が設けられており、当該貫通孔内にシャフト２２が挿通されている。

仕切壁３４は、円筒状を呈している。仕切壁３４は、外周壁３２と内周壁３３との間に位置しており、底壁３１から鉛直上方に向けて延びている。すなわち、仕切壁３４は、内周壁３３を囲んでいる。仕切壁３４の上端は、仕切壁３４の上方に位置する斜壁３７とは離間している。

斜壁３７は、仕切壁３４よりも外側に張り出すように、内周壁３３の上端部３３ａに取り付けられている。斜壁３７は、上方に向けて突出する傘状（山型状）を呈している。すなわち、斜壁３７は、回転保持部２０の回転軸の径方向において外方に向かうにつれて下方に傾斜する傾斜面Ｓを含んでいる。傾斜面Ｓは、上下方向において、回転保持部２０に保持されたウエハＷのうち周縁部と対向している。

排液管３５は、底壁３１のうち外周壁３２と仕切壁３４との間に形成された液体排出孔３１ａと接続されている。ウエハＷから外側に振り切られて落下した液体は、外周壁３２又は外周壁１０２（後述する）と、斜壁３７の傾斜面Ｓ（後述する）との間の経路ＣＨを流れて、外周壁３２と仕切壁３４との間に導かれ、液体排出孔３１ａ及び排液管３５を通じて排液される。すなわち、経路ＣＨは、排液経路を構成している。

排気管３６は、底壁３１のうち仕切壁３４と内周壁３３との間の部分に形成された気体排出孔３１ｂと接続されている。ウエハＷの周縁部を流れるダウンブローは、経路ＣＨを流れて、仕切壁３４の上端部と斜壁３７との間を通って内周壁３３と仕切壁３４との間に導かれ、気体排出孔３１ｂ及び排気管３６を通じて排気される。すなわち、経路ＣＨは、排気経路も構成している。

塗布液供給部４０は、ウエハＷの表面Ｗａに塗布液Ｌ１を供給するように構成されている。塗布液Ｌ１は、例えば、感光性レジスト膜となる感光性レジスト材料、非感光性レジスト膜となる非感光性レジスト材料等が挙げられる。例えば５μｍ〜６０μｍ程度の膜厚の厚いレジスト膜Ｒを形成するために、塗布液Ｌ１の粘度が高く且つ塗布液Ｌ１がウエハＷの表面Ｗａで流動し難い材料（例えば、ポリイミド）を用いてもよい。塗布液Ｌ１の粘度の下限は、例えば、１００ｃＰ程度であってもよい。塗布液Ｌ１の粘度の上限は、例えば、７０００ｃＰ程度であってもよいし、６０００ｃＰ程度であってもよいし、５０００ｃＰ程度であってもよい。

塗布液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズルＮ１と、配管４４と、駆動機構４５とを含む。液源４１は、塗布液Ｌ１の供給源として構成されている。ポンプ４２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源４１から塗布液Ｌ１を吸引し、配管４４及びバルブ４３を介してノズルＮ１に送り出すように構成されている。バルブ４３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、バルブ４３の前後において配管４４を開放及び閉塞させるように構成されている。

ノズルＮ１は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズルＮ１は、ポンプ４２から送り出された塗布液Ｌ１を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能に構成されている。配管４４は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズルＮ１を接続している。駆動機構４５は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、ノズルＮ１を水平方向及び上下方向に移動させる。駆動機構４５は、例えばエンコーダ付きのサーボモータであり、ノズルＮ１の移動速度及び移動位置を制御してもよい。

溶剤供給部５０（別の溶剤供給部）は、ウエハＷの表面Ｗａに溶剤Ｌ２を供給するように構成されている。溶剤Ｌ２は、各種のシンナーであってもよい。

溶剤供給部５０は、液源５１と、ポンプ５２と、バルブ５３と、ノズルＮ２と、配管５４と、駆動機構５５とを含む。液源５１は、溶剤Ｌ２の供給源として構成されている。ポンプ５２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源５１から溶剤Ｌ２を吸引し、配管５４及びバルブ５３を介してノズルＮ２に送り出す。バルブ５３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、バルブ５３の前後において配管５４を開放及び閉塞させるように構成されている。

ノズルＮ２は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズルＮ２は、ポンプ５２から送り出された溶剤Ｌ２を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能に構成されている。配管５４は、上流側から順に、液源５１、ポンプ５２、バルブ５３及びノズルＮ２を接続している。駆動機構５５は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、ノズルＮ２を水平方向及び上下方向に移動させる。駆動機構５５は、例えばエンコーダ付きのサーボモータであり、ノズルＮ２の移動速度及び移動位置を制御してもよい。

溶剤供給部６０（別の溶剤供給部）は、ウエハＷの裏面Ｗｂに溶剤Ｌ３を供給するように構成されている。溶剤Ｌ３は、例えば、各種のシンナーであり、溶剤Ｌ２と同じであってもよい。

溶剤供給部６０は、液源６１と、ポンプ６２と、バルブ６３と、ノズルＮ３と、配管６４とを含む。液源６１は、溶剤Ｌ３の供給源として構成されている。ポンプ６２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源６１から溶剤Ｌ３を吸引し、配管６４及びバルブ６３を介してノズルＮ３に送り出すように構成されている。バルブ６３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、バルブ６３の前後において配管６４を開放及び閉塞させるように構成されている。

ノズルＮ３は、吐出口がウエハＷの裏面Ｗｂに向かうようにウエハＷの下方に配置されている。より詳しくは、ノズルＮ３の吐出口は、ウエハＷの外周縁側に向かい且つ斜め上方に向かっている。ノズルＮ３は、ポンプ６２から送り出された溶剤Ｌ３を、ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁近傍に吐出可能である。配管６４は、上流側から順に、液源６１、ポンプ６２、バルブ６３及びノズルＮ３を接続している。

溶剤供給部７０は、捕集部材８０に溶剤Ｌ４を供給するように構成されている。溶剤Ｌ４は、例えば、各種のシンナーであり、溶剤Ｌ２と同じであってもよい。

溶剤供給部７０は、液源７１と、ポンプ７２と、バルブ７３と、配管７４と、吐出部材１００とを含む。液源７１は、溶剤Ｌ４の供給源として構成されている。ポンプ７２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源７１から溶剤Ｌ４を吸引し、配管７４及びバルブ７３を介して吐出部材１００に送り出すように構成されている。バルブ７３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、バルブ７３の前後において配管７４を開放及び閉塞させるように構成されている。

吐出部材１００は、カバー部材３０（外周壁３２）の上方に位置している。吐出部材１００は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁部を取り囲むように構成されている。吐出部材１００は、円筒状を呈していてもよいし、略Ｃ字形状を呈していてもよい。すなわち、吐出部材１００は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁部全体を取り囲んでいてもよいし、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁部を部分的に取り囲んでいてもよい。

吐出部材１００は、図５及び図６に示されるように、外周壁１０２と、内周壁１０４と、底壁１０６と、天壁１０８と、仕切壁１１０とを含む。

外周壁１０２は、内周壁１０４、底壁１０６、天壁１０８及び仕切壁１１０を取り囲むように構成されている。外周壁１０２は、鉛直方向に沿って延びる円筒状を呈していてもよい。外周壁１０２は、カバー部材３０（外周壁３２）の上端部に取り付けられていてもよい。外周壁１０２は、カバー部材３０（外周壁３２）と一体成形されていてもよいし、カバー部材３０（外周壁３２）とは別体であってもよい。

内周壁１０４は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの外周縁を取り囲むように構成されている。内周壁１０４は、鉛直方向に沿って延びる円筒状を呈していてもよい。

底壁１０６は、外周壁１０２と内周壁１０４とを接続するように構成されている。底壁１０６は、外周壁１０２から内周壁１０４に向かうにつれて上方に向かうように傾斜して延びていてもよい。底壁１０６は、円環状（リング状）を呈していてもよい。底壁１０６は、外周壁１０２及び内周壁１０４と一体成形されていてもよいし、外周壁１０２及び内周壁１０４とは別体であってもよい。

天壁１０８は、外周壁１０２と内周壁１０４とを接続するように構成されている。天壁１０８は、底壁１０６の上方に位置している。天壁１０８は、円環状（リング状）を呈していてもよい。天壁１０８は、外周壁１０２及び内周壁１０４と一体成形されていてもよいし、外周壁１０２及び内周壁１０４とは別体であってもよい。

仕切壁１１０は、外周壁１０２と内周壁１０４との間に位置している。仕切壁１１０は、鉛直方向に沿って延びる円筒状を呈していてもよい。仕切壁１１０は、底壁１０６と一体成形されており、底壁１０６から鉛直上方に向けて延びていてもよい。仕切壁１１０は、天壁１０８と一体成形されており、天壁１０８から鉛直下方に向けて延びていてもよい。仕切壁１１０は、底壁１０６及び天壁１０８とは別体であってもよい。

仕切壁１１０は、外周壁１０２は、内周壁１０４、底壁１０６及び天壁１０８で囲まれる空間を、回転保持部２０に保持されたウエハＷの径方向（以下、単に「径方向」と称する。）において２つに区画するように構成されている。すなわち、外周壁１０２、底壁１０６、天壁１０８及び仕切壁１１０は、これらで囲まれる外側貯留室Ｖ１を形成している。内周壁１０４、底壁１０６、天壁１０８及び仕切壁１１０は、これらで囲まれる内側貯留室Ｖ２を形成している。外側貯留室Ｖ１及び内側貯留室Ｖ２は、内部に溶剤Ｌ４を貯留可能に構成されている。外側貯留室Ｖ１は、内側貯留室Ｖ２よりも外側に位置している。外側貯留室Ｖ１及び内側貯留室Ｖ２はそれぞれ、円環状を呈していてもよい。

外周壁１０２には、外側貯留室Ｖ１と吐出部材１００の外側の空間とを連通するように外周壁１０２を貫通する導入孔１１２が設けられている。ポンプ７２によって液源７１から吸引された溶剤Ｌ４は、導入孔１１２を通じて外側貯留室Ｖ１内に導入される。導入孔１１２は、水平方向に沿って延びていてもよい。

仕切壁１１０には、外側貯留室Ｖ１と内側貯留室Ｖ２とを連通するように仕切壁１１０を貫通する複数の連通孔１１４が設けられている。外側貯留室Ｖ１内の溶剤Ｌ４は、複数の連通孔１１４を通じて内側貯留室Ｖ２内に供給される。複数の連通孔１１４は、仕切壁１１０の延在方向（回転保持部２０に保持されたウエハＷの周方向）（以下、単に「周方向」と称する。）に沿って並んでいる。複数の連通孔１１４は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。

図５に示されるように、複数の連通孔１１４は、外側貯留室Ｖ１から内側貯留室Ｖ２に向かうにつれて拡径していてもよい。すなわち、複数の連通孔１１４は、外側貯留室Ｖ１から内側貯留室Ｖ２に向かうにつれて流路面積が増加するように構成されていてもよい。複数の連通孔１１４は、外側貯留室Ｖ１から内側貯留室Ｖ２に向かうにつれて流路面積が略一定となるように構成されていてもよい。

図５に示されるように、上方から見たときに、導入孔１１２は、径方向において複数の連通孔１１４のいずれとも重なり合わないように配置されていてもよい。上方から見たときに、導入孔１１２は、複数の連通孔１１４のうち周方向において隣り合う２つの連通孔１１４の中央近傍に対応する仕切壁１１０の領域と、径方向において重なり合うように配置されていてもよい。すなわち、導入孔１１２は、径方向において複数の連通孔１１４とは対向せず、仕切壁１１０と対向していてもよい。

底壁１０６のうち内側貯留室Ｖ２を形成する部分１０６ｂ（図６参照）には、内側貯留室Ｖ２と吐出部材１００の内側の空間（経路ＣＨ）とを連通するように底壁１０６を貫通する複数の滴下孔１１６が設けられている。連通孔１１４を通じて外側貯留室Ｖ１から内側貯留室Ｖ２に流入した溶剤Ｌ４は、複数の滴下孔１１６を通じて下方に滴下される。複数の滴下孔１１６は、周方向に沿って並んでいる。複数の滴下孔１１６は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。複数の滴下孔１１６は、鉛直方向に沿って延びていてもよい。

底壁１０６のうち外側貯留室Ｖ１を形成する部分１０６ａ（図６参照）には、部分１０６ａの下面から下方に向けて突出する突出部材１１８が設けられていてもよい。突出部材１１８は、円筒状を呈していてもよいし、略Ｃ字形状を呈する突条であってもよいし、弧状を呈する複数の突条が全体として環状を呈するように配列されたものであってもよい。突出部材１１８は、捕集部材８０の上方に配置されていてもよい。突出部材１１８は、底壁１０６と一体成形されていてもよいし、底壁１０６とは別体であってもよい。

捕集部材８０は、綿状塊を捕集するように構成されている。捕集部材８０は、経路ＣＨを塞ぐように配置されている。すなわち、捕集部材８０は、外周壁３２又は外周壁１０２と、斜壁３７の傾斜面Ｓとを接続するように延びている。捕集部材８０は、円環状（リング状）を呈していてもよいし（図７参照）、略Ｃ字形状を呈していてもよい。

図７に示されるように、捕集部材８０には、複数の貫通孔８２が設けられている。複数の貫通孔８２の形状は、特に限定されない。複数の貫通孔８２は、例えば、矩形状を呈していてもよいし、円形状を呈していてもよいし、多角形状を呈していてもよい。複数の貫通孔８２が矩形状を呈している場合、図７に示されるように、貫通孔８２の長手方向が径方向に沿っていてもよい。複数の貫通孔８２は、図７に示されるように、周方向に沿って並んでいてもよい。

センサ９０は、捕集部材８０の状態を検出するように構成されている。センサ９０は、検出した捕集部材８０の状態をコントローラＣｔｒに送信するように構成されている。センサ９０は、例えば、捕集部材８０の温度を検出するように構成されていてもよい。この場合、コントローラＣｔｒは、溶剤の気化熱による捕集部材８０の温度変化に基づいて捕集部材８０が乾燥状態にあるか否かを判断してもよい。センサ９０は、例えば、捕集部材８０の近傍の湿度を検出するように構成されていてもよい。この場合、コントローラＣｔｒは、湿度変化に基づいて捕集部材８０が乾燥状態にあるか否かを判断してもよい。

ブロアＢは、液処理ユニットＵ１内の上方に配置されている。ブロアＢは、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、カバー部材３０及び吐出部材１００に向かうダウンフロー（下降気流）を形成するように構成されている。

［コントローラの構成］
コントローラＣｔｒは、図８に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。

処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を動作させるための動作信号を生成する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、回転保持部２０、ポンプ４２，５２，６２，７２、バルブ４３，５３，６３，７３、駆動機構４５，５５等を動作させるための動作信号を生成してもよい。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。

コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラＣｔｒは、ハードウェア上の構成として、例えば図９に示される回路Ｃｔｒ１を有する。回路Ｃｔｒ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃｔｒ１は、具体的には、プロセッサＣｔｒ２と、メモリＣｔｒ３（記憶部）と、ストレージＣｔｒ４（記憶部）と、ドライバＣｔｒ５と、入出力ポートＣｔｒ６とを有する。プロセッサＣｔｒ２は、メモリＣｔｒ３及びストレージＣｔｒ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣｔｒ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリＣｔｒ３及びストレージＣｔｒ４は、記憶部Ｃｔｒ２として機能する。ドライバＣｔｒ５は、基板処理システム１の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポートＣｔｒ６は、ドライバＣｔｒ５と基板処理システム１の各種装置（例えば、回転保持部２０、ポンプ４２，５２，６２，７２、バルブ４３，５３，６３，７３、駆動機構４５，５５等）との間で、信号の入出力を行う。

本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラＣｔｒを備えているが、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃｔｒ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃｔｒ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃｔｒ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣｔｒ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣｔｒ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣｔｒ２の組み合わせによって実現されていてもよい。

［ウエハ処理方法］
ウエハＷの処理方法について、図１０を参照して説明する。まず、コントローラＣｔｒは、ポンプ７２及びバルブ７３を制御して、捕集部材８０に対し、吐出部材１００から溶剤Ｌ４を供給する（図１０のステップＳ１１参照）。例えば、ポンプ７２によって液源７１から吸引された溶剤Ｌ４は、導入孔１１２を通じて外側貯留室Ｖ１内に導入される。これにより、外側貯留室Ｖ１が溶剤Ｌ４によって満たされる。外側貯留室Ｖ１が溶剤Ｌ４によって満たされる過程において、溶剤Ｌ４は、連通孔１１４を通じて内側貯留室Ｖ２に流入する。これにより、内側貯留室Ｖ２が溶剤Ｌ４によって満たされる。

内側貯留室Ｖ２が溶剤Ｌ４によって満たされる過程において、溶剤Ｌ４が複数の滴下孔１１６に到達すると、溶剤Ｌ４は、複数の滴下孔１１６の下端から吐出される。複数の滴下孔１１６の下端から吐出された溶剤Ｌ４は、直ちには落下せず、表面張力によって底壁１０６の下面に沿いながら突出部材１１８に向けて流れる。溶剤Ｌ４が突出部材１１８に至ると、溶剤Ｌ４は、突出部材１１８の下端にて集液される。突出部材１１８の下端にて集液された溶剤Ｌ４が所定量を超えると、溶剤Ｌ４が突出部材１１８の下端から滴下する。これにより、突出部材１１８の下方に位置する捕集部材８０に対して、溶剤Ｌ４が供給される。そのため、捕集部材８０に綿状塊が存在する場合には、綿状塊に溶剤Ｌ４が供給され、綿状塊が溶解及び除去される。

次に、コントローラＣｔｒは、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷをキャリア１１から液処理ユニットＵ１に搬送する（図１０のステップＳ１２参照）。

次に、コントローラＣｔｒは、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２３に保持させると共に、所定の回転数でウエハＷを回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒは、ポンプ４２、バルブ４３及び駆動機構４５を制御して、ウエハＷの表面Ｗａに対して塗布液Ｌ１をノズルＮ１から吐出させる。これにより、塗布液Ｌ１は、ウエハＷの表面Ｗａを外周縁に向けてゆっくりと拡がっていく。これにより、塗布液Ｌ１が乾燥してゲル化し、ウエハＷの表面Ｗａに塗布膜ＣＦが形成される（図１０のステップＳ１３参照）。

次に、コントローラＣｔｒは、ポンプ６２及びバルブ６３を制御して、ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ近傍に対し、ノズルＮ３から溶剤Ｌ３を供給する（図１０のステップＳ１４参照）。外周縁に到達した溶剤Ｌ３は、わずかに外周縁を回り込みつつさらに外方に向けて流れる。この際、塗布膜ＣＦのうち外周縁からはみ出た部分が、溶剤Ｌ３によって除去される。

次に、コントローラＣｔｒは、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１から熱処理ユニットＵ２に搬送する（図１０のステップＳ１５参照）。次に、コントローラＣｔｒは、熱処理ユニットＵ２を制御して、ウエハＷと共に塗布膜ＣＦを加熱する。これにより、塗布膜ＣＦが固化してレジスト膜となる（図１０のステップＳ１６参照）。以上により、ウエハＷの処理が完了し、レジスト膜がウエハＷの表面Ｗａに形成される。

次に、コントローラＣｔｒは、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを熱処理ユニットＵ２から液処理ユニットＵ１に搬送する（図１０のステップＳ１７参照）。次に、コントローラＣｔｒは、回転保持部２０を制御して、所定の回転数でウエハＷを回転させる。さらに、コントローラＣｔｒは、ポンプ５２、バルブ５３及び駆動機構５５を制御して、上方から見てノズルＮ２をウエハＷの周縁部上に位置させた状態で、ノズルＮ２から溶剤Ｌ２を下方（ウエハＷの周縁部）に吐出させる（図１０のステップＳ１８参照）。これにより、レジスト膜の周縁部（ハンプ部）が除去される。なお、ステップＳ１７，Ｓ１８の処理は、塗布液Ｌ１の粘度が所定値よりも高い場合などに実行されてもよく、必ずしも常に実行されなくてもよい。

上述したウエハＷの処理方法において、ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ近傍に対する溶剤Ｌ３の供給に先だって、ウエハＷの周縁部に対する溶剤Ｌ２の供給が行われてもよい。ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ近傍に対する溶剤Ｌ３の供給と、ウエハＷの周縁部に対する溶剤Ｌ２の供給とが、略同時に行われてもよい。ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ近傍に対する溶剤Ｌ３の供給と、ウエハＷの周縁部に対する溶剤Ｌ２の供給との少なくとも一方が行われてもよい。

上述したウエハＷの処理方法において、ステップＳ１１の処理は、ステップＳ１８の処理の後に実行されてもよい。この場合、ステップＳ１１の処理は、キャリア１１内に収容されている少なくとも一つのウエハＷのうち最後のウエハＷがステップＳ１８で処理された後にだけ実行されてもよい。ステップＳ１１の処理は、ウエハＷがカバー部材３０内に存在していない状態で実行されてもよいし、ウエハＷがカバー部材３０内に存在している状態（例えば、ウエハＷが保持部２３に保持されている状態）で実行されてもよい。

［作用］
以上の例によれば、導入孔１１２から外側貯留室Ｖ１に導入された溶剤Ｌ４は、外側貯留室Ｖ１を満たしながら、複数の連通孔１１４を通って徐々に内側貯留室Ｖ２に供給される。このとき、複数の連通孔１１４は、周方向に沿って所定間隔で並ぶように仕切壁１１０に設けられているので、内側貯留室Ｖ２内に流入する溶剤Ｌ４の圧力が略均等となる。そのため、複数の滴下孔１１６から滴下する溶剤Ｌ４の流量が略均等となるので、捕集部材８０の全体にわたって略均等に溶剤Ｌ４が供給される。したがって、捕集部材８０に捕集されている綿状塊を効果的に除去することが可能となる。

以上の例によれば、吐出部材１００は、底壁１０６の下面から、下方に位置する捕集部材８０に向けて突出する突出部材１１８を含みうる。この場合、滴下孔１１６から吐出された溶剤Ｌ４が、直ちには下方に落下せずに底壁１０６の下面を伝って流れるような状況であっても、溶剤Ｌ４は、突出部材１１８において集液されて、突出部材１１８の下端部から捕集部材８０に向けて落下する。また、ウエハＷの裏面Ｗｂや周縁部に対して溶剤Ｌ２，Ｌ３を供給する際に、ウエハＷの回転に伴って周囲に振り切られた溶剤Ｌ２，Ｌ３が、突出部材１１８に衝突し、突出部材１１８から捕集部材８０に向けて落下する。したがって、捕集部材８０に対してより効果的に溶剤を供給することが可能となる。

以上の例によれば、複数の連通孔１１４は、外側貯留室Ｖ１から内側貯留室Ｖ２に向かうにつれて拡径しうる。この場合、連通孔１１４から内側貯留室Ｖ２に溶剤Ｌ４が流入する際に、溶剤Ｌ４の流速が低下する。そのため、内側貯留室Ｖ２に流入する溶剤Ｌ４が、バランスよく内側貯留室Ｖ２内に拡がりやすくなる。したがって、複数の滴下孔１１６から滴下する溶剤Ｌ４の流量がより均等となるので、捕集部材８０に捕集されている綿状塊をより効果的に除去することが可能となる。

以上の例によれば、導入孔１１２は、上方から見たときに、径方向において複数の連通孔１１４のいずれとも重なり合わないように配置されうる。この場合、導入孔１１２から外側貯留室Ｖ１に導入された溶剤Ｌ４が直ちに特定の連通孔１１４に流れて、当該特定の連通孔１１４から内側貯留室Ｖ２内へと溶剤Ｌ４が流入しやすくなるといった事態が抑制される。そのため、内側貯留室Ｖ２内に溶剤Ｌ４がより均等に流入しやすくなる。したがって、複数の滴下孔１１６から滴下する溶剤Ｌ４の流量がより均等となるので、捕集部材８０に捕集されている綿状塊をより効果的に除去することが可能となる。

以上の例によれば、導入孔１１２は、上方から見たときに、複数の連通孔１１４のうち周方向において隣り合う２つの連通孔１１４の中央近傍に対応する仕切壁１１０の領域と、径方向において重なり合うように配置されうる。この場合、導入孔１１２から導入された溶剤Ｌ４は、まず仕切壁１１０に衝突し、続いて外側貯留室Ｖ１を満たすように周方向に沿って流れる。そのため、内側貯留室Ｖ２内に溶剤Ｌ４がいっそう均等に流入しやすくなる。

以上の例によれば、塗布液Ｌ１の粘度が１００ｃＰ以上でありうる。この場合、特に綿状塊が生じやすい高粘度の塗布液Ｌ１を用いても、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

（１）吐出部材１００は、複数の内側貯留室を含んでいてもよい。例えば、吐出部材１００は、内側貯留室Ｖ２と、内側貯留室Ｖ２の上方に位置し且つ上方から見てウエハＷの周囲を取り囲むように構成された内側貯留室Ｖ１２（別の内側貯留室）をさらに含んでいてもよい。図１１に例示されるように、外側貯留室Ｖ１と、内側貯留室Ｖ２と、内側貯留室Ｖ１２とは、仕切壁１１０によって区画されていてもよい。

内側貯留室Ｖ２は、底壁１０６及び仕切壁１１０で囲まれる空間によって形成されていてもよい。内側貯留室Ｖ１２は、内周壁１０４、底壁１０６、天壁１０８及び仕切壁１１０で囲まれる空間によって形成されていてもよい。

仕切壁１１０には、複数の連通孔１１４に加えて、外側貯留室Ｖ１と内側貯留室Ｖ１２とを連通するように仕切壁１１０を貫通する複数の連通孔１２４（別の連通孔）とが設けられていてもよい。外側貯留室Ｖ１内の溶剤Ｌ４は、複数の連通孔１１４を通じて内側貯留室Ｖ２内に供給されると共に、複数の連通孔１２４を通じて内側貯留室Ｖ１２内に供給される。複数の連通孔１２４は、周方向に沿って並んでいる。複数の連通孔１２４は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。

底壁１０６のうち内側貯留室Ｖ１２を形成する部分１０６ｃには、内側貯留室Ｖ１２と吐出部材１００の内側の空間（経路ＣＨ）とを連通するように底壁１０６を貫通する複数の滴下孔１２６（別の滴下孔）が設けられている。連通孔１２４を通じて外側貯留室Ｖ１から内側貯留室Ｖ１２に流入した溶剤Ｌ４は、複数の滴下孔１２６を通じて下方に滴下される。複数の滴下孔１２６は、周方向に沿って並んでいる。複数の滴下孔１２６は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。複数の滴下孔１２６は、鉛直方向に沿って延びていてもよい。複数の滴下孔１２６の下端（吐出口）は、斜壁３７の傾斜面Ｓの上方に位置していてもよいし、捕集部材８０の上方に位置していてもよい。

図１１に例示される形態によれば、滴下孔１１６，１２６からそれぞれ溶剤Ｌ４が吐出されるので、捕集部材８０のみならず、カバー部材３０の内壁面（斜壁３７の傾斜面Ｓ）にわたって溶剤Ｌ４が供給される。そのため、傾斜面Ｓの綿状塊をも効果的に除去することが可能となる。

（２）吐出部材１００は、複数の外側貯留室と、複数の内側貯留室とを含んでいてもよい。例えば、吐出部材１００は、内側貯留室Ｖ２の上方に位置し且つ上方から見てウエハＷの周囲を取り囲むように構成された内側貯留室Ｖ１２（別の内側貯留室）と、外側貯留室Ｖ１の上方に位置し且つ上方から見て内側貯留室Ｖ１２の周囲を取り囲むように構成された外側貯留室Ｖ１１（別の外側貯留室）とをさらに含んでいてもよい。図１２に例示されるように、外側貯留室Ｖ１と、内側貯留室Ｖ２と、外側貯留室Ｖ１１と、内側貯留室Ｖ１２とは、仕切壁１１０によって区画されていてもよい。

外側貯留室Ｖ１は、外周壁１０２、底壁１０６及び仕切壁１１０で囲まれる空間によって形成されていてもよい。外側貯留室Ｖ１１は、外周壁１０２、天壁１０８及び仕切壁１１０で囲まれる空間によって形成されていてもよい。内側貯留室Ｖ２は、底壁１０６及び仕切壁１１０で囲まれる空間によって形成されていてもよい。内側貯留室Ｖ１２は、内周壁１０４、底壁１０６、天壁１０８及び仕切壁１１０で囲まれる空間によって形成されていてもよい。

外周壁１０２には、外側貯留室Ｖ１１と吐出部材１００の外側の空間とを連通するように外周壁１０２を貫通する導入孔１２２（別の導入孔）が設けられていてもよい。ポンプ７２によって液源７１から吸引された溶剤Ｌ４は、導入孔１１２を通じて外側貯留室Ｖ１内に導入されると共に、導入孔１２２を通じて外側貯留室Ｖ１１内に導入される。導入孔１２２は、水平方向に沿って延びていてもよい。

仕切壁１１０には、複数の連通孔１１４に加えて、外側貯留室Ｖ１と内側貯留室Ｖ１２とを連通するように仕切壁１１０を貫通する複数の連通孔１２４（別の連通孔）とが設けられていてもよい。外側貯留室Ｖ１内の溶剤Ｌ４は、複数の連通孔１１４を通じて内側貯留室Ｖ２内に供給される。外側貯留室Ｖ１１内の溶剤Ｌ４は、複数の連通孔１２４を通じて内側貯留室Ｖ１２内に供給される。複数の連通孔１２４は、周方向に沿って並んでいる。複数の連通孔１２４は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。

上方から見たときに、導入孔１２２は、径方向において複数の連通孔１２４のいずれとも重なり合わないように配置されていてもよい。上方から見たときに、導入孔１２２は、複数の連通孔１２４のうち周方向において隣り合う２つの連通孔１２４の中央近傍に対応する仕切壁１１０の領域と、径方向において重なり合うように配置されていてもよい。すなわち、導入孔１２２は、径方向において複数の連通孔１２４とは対向せず、仕切壁１１０と対向していてもよい。

底壁１０６のうち内側貯留室Ｖ１２を形成する部分１０６ｃには、内側貯留室Ｖ１２と吐出部材１００の内側の空間（経路ＣＨ）とを連通するように底壁１０６を貫通する複数の滴下孔１２６（別の滴下孔）が設けられている。連通孔１２４を通じて外側貯留室Ｖ１１から内側貯留室Ｖ１２に流入した溶剤Ｌ４は、複数の滴下孔１２６を通じて下方に滴下される。複数の滴下孔１２６は、周方向に沿って並んでいる。複数の滴下孔１２６は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。複数の滴下孔１２６は、鉛直方向に沿って延びていてもよい。複数の滴下孔１２６の下端（吐出口）は、斜壁３７の傾斜面Ｓの上方に位置していてもよいし、捕集部材８０の上方に位置していてもよい。

図１２に例示される形態によれば、滴下孔１１６，１２６からそれぞれ溶剤Ｌ４が吐出されるので、捕集部材８０のみならず、カバー部材３０の内壁面（斜壁３７の傾斜面Ｓ）にわたって溶剤Ｌ４が供給される。そのため、傾斜面Ｓの綿状塊をも効果的に除去することが可能となる。また、図１２に例示される形態によれば、外側貯留室Ｖ１及び内側貯留室Ｖ２を流れる溶剤Ｌ４と、外側貯留室Ｖ１１及び内側貯留室Ｖ１２を流れる溶剤Ｌ４とは、互いに独立している。そのため、滴下孔１１６から吐出される溶剤Ｌ４の流量と、滴下孔１２６から吐出される溶剤Ｌ４の流量とは、相互に影響を受けない。したがって、滴下孔１１６から滴下する溶剤Ｌ４の流量も、滴下孔１２６から滴下する溶剤Ｌ４の流量も、共に略均等となるので、綿状塊をよりいっそう効果的に除去することが可能となる。

（３）図１２に例示されるように、底壁１０６のうち外側貯留室Ｖ１１を形成する部分１０６ｃには、部分１０６ｃの下面から下方に向けて突出する突出部材１２８（別の突出部材）が設けられていてもよい。突出部材１２８は、円筒状を呈していてもよいし、略Ｃ字形状を呈する突条であってもよいし、弧状を呈する複数の突条が全体として環状を呈するように配列されたものであってもよい。突出部材１２８は、斜壁３７の傾斜面Ｓの上方に配置されていてもよい。突出部材１２８は、底壁１０６と一体成形されていてもよいし、底壁１０６とは別体であってもよい。

この形態によれば、滴下孔１２６から吐出される溶剤Ｌ４は、表面張力によって、滴下孔１１６から吐出される溶剤Ｌ４に対して引き寄せられ難くなり、突出部材１２８の下端から下方に向けて落下しやすくなる。そのため、滴下孔１２６からカバー部材３０の内壁面（斜壁３７の傾斜面Ｓ）に対して溶剤Ｌ４が効果的に滴下するので、傾斜面Ｓの綿状塊をより効果的に除去することが可能となる。

（４）溶剤供給部７０（吐出部材１００）から溶剤Ｌ４を捕集部材８０に供給するタイミングは、特に限定されない。コントローラＣｔｒは、例えば、捕集部材８０が乾燥しているときにポンプ７２及びバルブ７３を制御して、捕集部材８０に対し、吐出部材１００から溶剤Ｌ４を供給するようにしてもよい。この場合、溶剤Ｌ４が必要な状況となったときに捕集部材８０に溶剤が供給される。そのため、溶剤Ｌ４の使用量を低減しつつ、綿状塊を効果的に除去することが可能となる。

コントローラＣｔｒは、例えば、捕集部材８０に溶剤が供給されてから所定時間（例えば、４０秒〜６０秒程度）が経過したときに、捕集部材８０に溶剤Ｌ４を供給するように溶剤供給部７０を制御してもよい。コントローラＣｔｒは、例えば、捕集部材８０に溶剤が供給されてから所定時間が経過するまでの間に、溶剤供給部５０又は溶剤供給部６０からの新たな溶剤の供給が行われなかったときに、捕集部材８０に溶剤Ｌ４を供給するように溶剤供給部７０を制御してもよい。この場合、当該所定時間を溶剤が気化する時間よりも短く設定することで、捕集部材８０が乾燥する前に、捕集部材８０に対して溶剤が自動的に供給される。そのため、溶剤の使用量を低減しつつ、綿状塊を効果的に且つ自動的に除去することが可能となる。当該所定時間は、例えば、４０秒〜６０秒程度であってもよい。

コントローラＣｔｒは、例えば、センサ９０によって捕集部材８０の乾燥状態が検知されたときに、捕集部材８０に溶剤Ｌ４を供給するように溶剤供給部７０を制御してもよい。この場合、捕集部材８０の乾燥状態がセンサによってより正確に検知される。そのため、捕集部材８０が乾燥する前に、捕集部材８０に対して必要最小限の溶剤が自動的に供給される。そのため、溶剤の使用量をより低減しつつ、綿状塊を効果的に且つ自動的に除去することが可能となる。

（５）内側貯留室Ｖ２の底面のうち滴下孔１１６が設けられている領域の高さ位置は、内側貯留室Ｖ２の底面のうち他の領域の高さ位置よりも高くてもよい。この場合、ポンプ７２の駆動が停止して溶剤Ｌ４が外側貯留室Ｖ１及び内側貯留室Ｖ２に供給されなくなると、その直後に、滴下孔１１６からの溶剤Ｌ４の滴下も停止する。そのため、滴下孔１１６からの溶剤Ｌ４の滴下をより精度よくコントロールすることが可能となる。内側貯留室Ｖ２の底面のうち滴下孔１１６が設けられている領域の高さ位置は、内側貯留室Ｖ２の底面のうち他の領域の高さ位置と同等であってもよいし、内側貯留室Ｖ２の底面のうち他の領域の高さ位置よりも低くてもよい。内側貯留室Ｖ１２の底面のうち滴下孔１２６が設けられている領域の高さ位置についても、上記と同様に設定されていてもよい。

［他の例］
例１．本開示の一つの例に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させるように構成された回転保持部と、基板に塗布液を供給するように構成された塗布液供給部と、保持部に保持された基板の周囲を取り囲むように配置されたカバー部材と、カバー部材と回転保持部との間の排気経路に配置された捕集部材と、捕集部材の上方に配置され、捕集部材に溶剤を供給するように構成された溶剤供給部とを備える。溶剤供給部は、上方から見て基板の周囲を取り囲むように構成された内側貯留室と、上方から見て内側貯留室の周囲を取り囲むように構成された外側貯留室と、内側貯留室と外側貯留室とを区画するように基板の周方向に沿って延びる仕切壁とを含む。内側貯留室には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の滴下孔が設けられている。外側貯留室には、溶剤が導入される導入孔が設けられている。仕切壁には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の連通孔が設けられている。複数の連通孔は、外側貯留室に導入された溶剤が内側貯留室へと流通可能となるように仕切壁を貫通して延びている。複数の滴下孔は、内側貯留室内の溶剤が捕集部材に向けて滴下するように内側貯留室の底壁を貫通して延びている。この場合、導入孔から外側貯留室に導入された溶剤は、外側貯留室を満たしながら、複数の連通孔を通って徐々に内側貯留室に供給される。このとき、複数の連通孔は、周方向に沿って所定間隔で並ぶように仕切壁に設けられているので、内側貯留室内に流入する溶剤の圧力が略均等となる。そのため、複数の滴下孔から滴下する溶剤の流量が略均等となるので、捕集部材の全体にわたって略均等に溶剤が供給される。したがって、捕集部材に捕集されている綿状塊を効果的に除去することが可能となる。

例２．例１の装置において、溶剤供給部は、溶剤供給部の底壁の下面から、下方に位置する捕集部材に向けて突出する突出部材をさらに含んでいてもよい。この場合、滴下孔から吐出された溶剤が、直ちには下方に落下せずに溶剤供給部の底壁の下面を伝って流れるときでも、当該溶剤は、突出部材において集液されて、突出部材の下端部から捕集部材に向けて落下する。また、例えば、基板の裏面や周縁に対して溶剤を供給する処理を行う場合には、基板の回転に伴って周囲に振り切られた溶剤が、突出部材に衝突し、突出部材から捕集部材に向けて落下する。そのため、捕集部材に対してより効果的に溶剤を供給することが可能となる。

例３．例１又は例２の装置において、複数の連通孔は、外側貯留室から内側貯留室に向かうにつれて拡径する連通孔を含んでいてもよい。この場合、連通孔から内側貯留室に溶剤が流入する際に、溶剤の流速が低下する。そのため、内側貯留室に流入する溶剤が、バランスよく内側貯留室内に拡がりやすくなる。したがって、複数の滴下孔から滴下する溶剤の流量がより均等となるので、捕集部材に捕集されている綿状塊をより効果的に除去することが可能となる。

例４．例１〜例３のいずれかの装置において、導入孔は、上方から見たときに、基板の径方向において複数の連通孔のいずれとも重なり合わないように配置されていてもよい。この場合、導入孔から外側貯留室に導入された溶剤が直ちに特定の連通孔に流れて、当該特定の連通孔から内側貯留室内へと溶剤が流入しやすくなるといった事態が抑制される。そのため、内側貯留室内に溶剤がより均等に流入しやすくなる。したがって、複数の滴下孔から滴下する溶剤の流量がより均等となるので、捕集部材に捕集されている綿状塊をより効果的に除去することが可能となる。

例５．例４の装置において、導入孔は、上方から見たときに、複数の連通孔のうち周方向において隣り合う２つの連通孔の中央近傍に対応する仕切壁の領域と、径方向において重なり合うように配置されていてもよい。この場合、導入孔から導入された溶剤は、まず仕切壁に衝突し、続いて外側貯留室を満たすように周方向に沿って流れる。そのため、内側貯留室内に溶剤がいっそう均等に流入しやすくなる。

例６．例１〜例５のいずれかの装置において、溶剤供給部は、内側貯留室の上方に位置し且つ上方から見て基板の周囲を取り囲むように構成された別の内側貯留室をさらに含み、仕切壁は、内側貯留室及び別の内側貯留室と外側貯留室とを区画しており、別の内側貯留室には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の滴下孔が設けられており、仕切壁には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の連通孔が設けられており、複数の別の連通孔は、外側貯留室に導入された溶剤が別の内側貯留室へと流通可能となるように仕切壁を貫通して延びており、複数の別の滴下孔は、別の内側貯留室内の溶剤が下方に向けて滴下するように別の内側貯留室の底壁を貫通して延びていてもよい。この場合、滴下孔と、別の滴下孔とからそれぞれ溶剤が吐出されるので、捕集部材のみならず、カバー部材の内壁面にわたって溶剤が供給される。そのため、当該内壁面の綿状塊をも効果的に除去することが可能となる。

例７．例１〜例５のいずれかの装置において、溶剤供給部は、内側貯留室の上方に位置し且つ上方から見て基板の周囲を取り囲むように構成された別の内側貯留室と、外側貯留室の上方に位置し且つ上方から見て別の内側貯留室の周囲を取り囲むように構成された別の外側貯留室とをさらに含み、仕切壁は、内側貯留室と、外側貯留室と、別の内側貯留室と、別の外側貯留室とを区画しており、別の内側貯留室には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の滴下孔が設けられており、別の外側貯留室には、溶剤が導入される別の導入孔が設けられており、仕切壁には、周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の連通孔が設けられており、複数の別の連通孔は、別の外側貯留室に導入された溶剤が別の内側貯留室へと流通可能となるように仕切壁を貫通して延びており、複数の別の滴下孔は、別の内側貯留室内の溶剤が下方に向けて滴下するように別の内側貯留室の底壁を貫通して延びていてもよい。この場合、例６と同様の作用効果が得られる。また、この場合、外側貯留室及び内側貯留室を流れる溶剤と、別の外側貯留室及び別の内側貯留室を流れる溶剤とは、互いに独立している。そのため、滴下孔から吐出される溶剤の流量と、別の滴下孔から吐出される溶剤の流量とは、相互に影響を受けない。したがって、滴下孔から滴下する溶剤の流量も、別の滴下孔から滴下する溶剤の流量も、共に略均等となるので、綿状塊をよりいっそう効果的に除去することが可能となる。

例８．例６又は例７の装置において、溶剤供給部は、別の内側貯留室の底壁の下面から下方に向けて突出する別の突出部材をさらに含み、複数の別の滴下孔は、別の内側貯留室及び別の突出部材を貫通して延びる別の滴下孔を含んでいてもよい。この場合、別の滴下孔から吐出される溶剤は、表面張力によって、滴下孔から吐出される溶剤に対して引き寄せられ難くなり、別の突出部材の下端から下方に向けて落下しやすくなる。そのため、別の滴下孔からカバー部材の内壁面に対して溶剤が効果的に滴下するので、当該内壁面の綿状塊をより効果的に洗浄することが可能となる。

例９．例１〜例８のいずれかの装置は、溶剤供給部を制御するように構成された制御部をさらに備え、制御部は、捕集部材が乾燥しているときに、複数の滴下孔から溶剤を滴下させるように溶剤供給部を制御することを実行してもよい。この場合、溶剤が必要な状況となったときに捕集部材に溶剤が供給される。そのため、溶剤の使用量を低減しつつ、綿状塊を効果的に除去することが可能となる。

例１０．例９の装置は、基板に向けて溶剤を供給するように構成された別の溶剤供給部をさらに備え、制御部は、溶剤供給部又は別の溶剤供給部から溶剤が供給されてから所定時間経過するまでの間に、別の溶剤供給部から新たな溶剤の供給が行われなかったときに、複数の滴下孔から溶剤を滴下させるように溶剤供給部を制御することを実行してもよい。この場合、当該所定時間を溶剤が気化する時間よりも短く設定することで、捕集部材が乾燥する前に、捕集部材に対して溶剤が自動的に供給される。そのため、溶剤の使用量を低減しつつ、綿状塊を効果的に且つ自動的に除去することが可能となる。

例１１．例９の装置は、捕集部材の乾燥状態を検知するように構成されたセンサをさらに備え、制御部は、センサが捕集部材の乾燥状態を検知したときに、複数の滴下孔から溶剤を滴下させるように溶剤供給部を制御することを実行してもよい。この場合、捕集部材の乾燥状態がセンサによってより正確に検知される。そのため、捕集部材が乾燥する前に、捕集部材に対して必要最小限の溶剤が自動的に供給される。そのため、溶剤の使用量をより低減しつつ、綿状塊を効果的に且つ自動的に除去することが可能となる。

例１２．例１〜例１１のいずれかの装置において、塗布液の粘度は１００ｃＰ以上であってもよい。この場合、特に綿状塊が生じやすい高粘度の塗布液を用いても、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。

１…基板処理システム、２…塗布現像装置（基板処理装置）、２０…回転保持部、３０…カバー部材、４０…塗布液供給部、５０，６０…溶剤供給部（別の溶剤供給部）、７０…溶剤供給部、８０…捕集部材、９０…センサ、１００…吐出部材、１０２…外周壁、１０４…内周壁、１０６…底壁、１０８…天壁、１１０…仕切壁、１１２…導入孔、１１４…連通孔、１１６…滴下孔、１１８…突出部材、１２２…導入孔（別の導入孔）、１２４…連通孔（別の連通孔）、１２６…滴下孔（別の滴下孔）、１２８…突出部材（別の突出部材）、ＣＨ…経路（排気経路）、Ｃｔｒ…コントローラ（制御部）、Ｕ１…液処理ユニット（基板処理装置）、Ｖ１…外側貯留室、Ｖ２…内側貯留室、Ｖ１１…外側貯留室（別の外側貯留室）、Ｖ１２…内側貯留室（別の内側貯留室）、Ｗ…ウエハ（基板）。

Claims (12)

1. 基板を保持しつつ回転させるように構成された回転保持部と、
   前記基板に塗布液を供給するように構成された塗布液供給部と、
   前記保持部に保持された前記基板の周囲を取り囲むように配置されたカバー部材と、
   前記カバー部材と前記回転保持部との間の排気経路に配置された捕集部材と、
   前記捕集部材の上方に配置され、前記捕集部材に溶剤を供給するように構成された溶剤供給部とを備え、
   前記溶剤供給部は、
   上方から見て前記基板の周囲を取り囲むように構成された内側貯留室と、
   上方から見て前記内側貯留室の周囲を取り囲むように構成された外側貯留室と、
   前記内側貯留室と前記外側貯留室とを区画するように前記基板の周方向に沿って延びる仕切壁とを含み、
   前記内側貯留室には、前記周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の滴下孔が設けられており、
   前記外側貯留室には、溶剤が導入される導入孔が設けられており、
   前記仕切壁には、前記周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の連通孔が設けられており、
   前記複数の連通孔は、前記外側貯留室に導入された溶剤が前記内側貯留室へと流通可能となるように前記仕切壁を貫通して延びており、
   前記複数の滴下孔は、前記内側貯留室内の溶剤が前記捕集部材に向けて滴下するように前記内側貯留室の底壁を貫通して延びている、基板処理装置。
2. 前記溶剤供給部は、前記溶剤供給部の底壁の下面から、下方に位置する前記捕集部材に向けて突出する突出部材をさらに含む、請求項１に記載の装置。
3. 前記複数の連通孔は、前記外側貯留室から前記内側貯留室に向かうにつれて拡径する連通孔を含む、請求項１又は２に記載の装置。
4. 前記導入孔は、上方から見たときに、前記基板の径方向において前記複数の連通孔のいずれとも重なり合わないように配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
5. 前記導入孔は、上方から見たときに、前記複数の連通孔のうち前記周方向において隣り合う２つの連通孔の中央近傍に対応する前記仕切壁の領域と、前記径方向において重なり合うように配置されている、請求項４に記載の装置。
6. 前記溶剤供給部は、前記内側貯留室の上方に位置し且つ上方から見て前記基板の周囲を取り囲むように構成された別の内側貯留室をさらに含み、
   前記仕切壁は、前記内側貯留室及び前記別の内側貯留室と前記外側貯留室とを区画しており、
   前記別の内側貯留室には、前記周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の滴下孔が設けられており、
   前記仕切壁には、前記周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の連通孔が設けられており、
   前記複数の別の連通孔は、前記外側貯留室に導入された溶剤が前記別の内側貯留室へと流通可能となるように前記仕切壁を貫通して延びており、
   前記複数の別の滴下孔は、前記別の内側貯留室内の溶剤が下方に向けて滴下するように前記別の内側貯留室の底壁を貫通して延びている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
7. 前記溶剤供給部は、
   前記内側貯留室の上方に位置し且つ上方から見て前記基板の周囲を取り囲むように構成された別の内側貯留室と、
   前記外側貯留室の上方に位置し且つ上方から見て前記別の内側貯留室の周囲を取り囲むように構成された別の外側貯留室とをさらに含み、
   前記仕切壁は、前記内側貯留室と、前記外側貯留室と、前記別の内側貯留室と、前記別の外側貯留室とを区画しており、
   前記別の内側貯留室には、前記周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の滴下孔が設けられており、
   前記別の外側貯留室には、溶剤が導入される別の導入孔が設けられており、
   前記仕切壁には、前記周方向に沿って所定間隔で並ぶ複数の別の連通孔が設けられており、
   前記複数の別の連通孔は、前記別の外側貯留室に導入された溶剤が前記別の内側貯留室へと流通可能となるように前記仕切壁を貫通して延びており、
   前記複数の別の滴下孔は、前記別の内側貯留室内の溶剤が下方に向けて滴下するように前記別の内側貯留室の底壁を貫通して延びている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
8. 前記溶剤供給部は、前記別の内側貯留室の底壁の下面から下方に向けて突出する別の突出部材をさらに含み、
   前記複数の別の滴下孔は、前記別の内側貯留室及び前記別の突出部材を貫通して延びる別の滴下孔を含む、請求項６又は７に記載の装置。
9. 前記溶剤供給部を制御するように構成された制御部をさらに備え、
   前記制御部は、前記捕集部材が乾燥しているときに、前記複数の滴下孔から溶剤を滴下させるように前記溶剤供給部を制御することを実行する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
10. 前記基板に向けて溶剤を供給するように構成された別の溶剤供給部をさらに備え、
    前記制御部は、前記溶剤供給部又は前記別の溶剤供給部から溶剤が供給されてから所定時間経過するまでの間に、前記別の溶剤供給部から新たな溶剤の供給が行われなかったときに、前記複数の滴下孔から溶剤を滴下させるように前記溶剤供給部を制御することを実行する、請求項９に記載の装置。
11. 前記捕集部材の乾燥状態を検知するように構成されたセンサをさらに備え、
    前記制御部は、前記センサが前記捕集部材の乾燥状態を検知したときに、前記複数の滴下孔から溶剤を滴下させるように前記溶剤供給部を制御することを実行する、請求項９に記載の装置。
12. 前記塗布液の粘度は１００ｃＰ以上である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の装置。

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