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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107481751B (zh) 2017-09-06 2020-01-10 复旦大学 一种铁电存储集成电路
CN108417574B (zh) * 2018-03-12 2020-05-12 复旦大学 基于soi的铁电存储器的制造方法
CN109378313B (zh) * 2018-09-23 2020-10-30 复旦大学 一种低功耗三维非易失性存储器及其制备方法
US11646374B2 (en) * 2018-12-26 2023-05-09 Intel Corporation Ferroelectric transistors to store multiple states of resistances for memory cells
CN112310214B (zh) 2019-07-31 2021-09-24 复旦大学 一种非易失性铁电存储器及其制备方法
CN114342075A (zh) * 2019-09-26 2022-04-12 华为技术有限公司 一种存储器、存储器阵列以及存储器的数据读写方法
WO2021184205A1 (zh) * 2020-03-17 2021-09-23 华为技术有限公司 平面存储器、立体存储器以及电子设备
US11398568B2 (en) * 2020-06-17 2022-07-26 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Ferroelectric based transistors
WO2022104742A1 (zh) * 2020-11-20 2022-05-27 华为技术有限公司 一种铁电存储器及电子设备
CN112635665B (zh) * 2020-12-22 2024-07-12 上海复存信息科技有限公司 一种基于多层掩膜套刻的面内岛状铁电阻变存储器单元结构及其制备方法
CN118136073B (zh) * 2024-03-20 2025-01-07 北京超弦存储器研究院 存储装置及其数据读取方法、电子设备

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100289975B1 (ko) * 1996-07-09 2001-06-01 니시무로 타이죠 반도체장치의제조방법및반도체장치
JP2002324892A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Hitachi Ltd 強誘電体メモリ
JP2004165351A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JP4256670B2 (ja) * 2002-12-10 2009-04-22 富士通株式会社 容量素子、半導体装置およびその製造方法
WO2004107466A1 (ja) * 2003-05-08 2004-12-09 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. 電気スイッチおよびそれを用いた記憶素子
JP4015968B2 (ja) * 2003-06-09 2007-11-28 株式会社東芝 強誘電体メモリ
JP4171908B2 (ja) * 2004-01-20 2008-10-29 セイコーエプソン株式会社 強誘電体膜、強誘電体メモリ、及び圧電素子
KR20080059391A (ko) * 2005-10-19 2008-06-27 가부시키가이샤 야마즈 세라믹스 강유전체 단결정, 그것을 이용한 탄성 표면파 필터 및 그제조방법
JP2009212448A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JP5487625B2 (ja) * 2009-01-22 2014-05-07 ソニー株式会社 半導体装置
CN104637948B (zh) * 2015-01-24 2017-11-17 复旦大学 非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法
CN104637949B (zh) * 2015-01-24 2017-11-17 复旦大学 非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和操作方法
CN105256376B (zh) * 2015-11-18 2017-12-22 中国科学技术大学 一种控制铁电单晶电致形变取向的方法
CN105655342B (zh) * 2016-02-23 2019-07-23 复旦大学 非易失性铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法
CN108475523B (zh) * 2016-04-12 2021-10-19 复旦大学 大电流读出铁电单晶薄膜存储器及其制备方法和操作方法
CN107123648B (zh) * 2017-04-12 2020-09-01 复旦大学 一种面内读/写操作铁电忆阻器及其制备方法
CN107481751B (zh) * 2017-09-06 2020-01-10 复旦大学 一种铁电存储集成电路

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