JP2020188266A - 六方格子結晶構造を有するiii−v族半導体層を含んだ半導体構造 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 208
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 25
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 460
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 34
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002258 gallium Chemical class 0.000 description 1
- 238000001534 heteroepitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
- H01L21/02507—Alternating layers, e.g. superlattice
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02463—Arsenides
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/0251—Graded layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
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- H01L29/107—Substrate region of field-effect devices
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
基板と、
上記基板の上に配置される、立方晶または六方晶格子構造を有するIII−VまたはII−VI族半導体の第1の層において、上記基板が、その材料の格子定数と上記半導体の格子定数が異なるような、第1の層と、
上記基板と上記第1の層の間に、交互に配置された互いに接触する上記半導体を含んだ複数の第2および第3の層からなる第1の積層体とを、少なくとも含んだ、半導体構造であって、
上記第2の層における半導体元素の比率が、上記基板から上記第1の層に向かう方向に沿って、上記第2の層ごとに変化しながら増加し、
上記第3の層における上記半導体元素の比率が、立方晶格子構造の事例では、隣接する第2の層と第3の層からなる各グループの平均格子定数値が第1の積層体内でほぼ一定であるように、上記方向に沿って上記第3の層ごとに変化しながら減少し、あるいは、六方晶格子構造の事例では、隣接する第2の層と第3の層からなる各グループの平均格子定数値が上記方向に沿って第1の積層体内でひとグループごとに増加するように、ほぼ一定または上記方向に沿って上記第3の層ごとに減少するように変化し、
上記第2および第3の層のそれぞれの厚さが約5nmより薄い、半導体構造である。
基板と、
上記基板の上に配置され、格子定数が上記基板の材料の格子定数と同一でないような、AlXGaYIn(1−X−Y)Nに対応する半導体の第1の層と、ここで0≦X<1、0<Y≦1かつ(X+Y)≦1であり、
上記半導体を含んだ、互いに交互に配置された複数の第2および第3の層からなる、第1および第2の積層体において、上記第1の積層体が、上記基板と上記第1の層の間に配置され、上記第2の積層体が、上記第1の積層体と上記第1の層の間に配置される、第1および第2の積層体と、
上記第1の積層体と上記第2の積層体の間に配置される、上記第1の層における上記半導体とほぼ同じ組成を有する半導体の第4の層と、
上記第4の層と上記第2の積層体の間に配置される、AlNを含んだ緩和層とを、少なくとも備える半導体構造において、
上記第1および上記第2の積層体のそれぞれで、
上記第2の層における上記半導体のGaの比率が、上記基板から上記第1の層に向かう方向に沿って、上記第2の層ごとに変化しながら増加し、
上記第3の層における上記半導体のGaの比率がほぼ一定、または、1つの第2の層とそれに隣接する第3の層からなる各グループの平均格子定数が、上記第1の積層体内で上記方向に沿ってひとグループごとに増加するように、上記方向に沿って上記第3の層ごとに変化しながら減少し、
上記第2および第3の層のそれぞれの厚さが約5nmより薄い、半導体構造に対応する。
上記第1の積層体と上記第1の層の間に配置される、上記半導体を含み上下に交互に配置された複数の第2および第3の層からなる、n個の第2の積層体と、
上記第1の層の半導体の組成に非常に類似した組成を有する半導体の、n個の第4の層において、上記第4の層の1つが上記第1の積層体に接触して配置され、上記第4の層または他の各第4の層が他の第2の積層体のうちの1つに隣接して配置されるような、n個の第4の層と、
上記第4の層の1つと上記第2の積層体の1つの間にそれぞれ配置される、AlNを含んだ複数の緩和層とを備えるようなものでありうる。
ここでnは2〜19の整数である。
上記第1の積層体と上記第1の層の間に配置される、上記第1の積層体における第2および第3の層に類似した、それぞれ互いに接触して交互に配置された複数の第2および第3の層からなる第2の積層体と、
上記第1の積層体と上記第2の積層体の間に配置される、上記第1の層の半導体とほぼ同じ組成を有する半導体の第4の層とを、少なくとも含みうる。
<請求項1>
基板(102)と、
前記基板(102)の上に配置され、格子定数が前記基板(102)の材料の格子定数と同一でないような、AlXGaYIn(1−X−Y)Nに対応する半導体の第1の層(106)と、ここで0≦X<1、0<Y≦1かつ(X+Y)≦1であり、
前記半導体を含んだ、互いに交互に配置された複数の第2および第3の層(108、110)からなる、第1および第2の積層体(107、109)において、前記第1の積層体(107)が、前記基板(102)と前記第1の層(106)の間に配置され、前記第2の積層体(109)が、前記第1の積層体(107)と前記第1の層(106)の間に配置される、第1および第2の積層体(107、109)と、
前記第1の積層体(107)と前記第2の積層体(109)の間に配置される、前記第1の層(106)における前記半導体とほぼ同じ組成を有する半導体の第4の層(112)と、
前記第4の層(112)と前記第2の積層体(109)の間に配置される、AlNを含んだ緩和層(114)とを、少なくとも備える半導体構造(100)であって、
前記第1および前記第2の積層体(107、109)のそれぞれで、
前記第2の層(108)における前記半導体のGaの比率が、前記基板(102)から前記第1の層(106)に向かう方向に沿って、前記第2の層ごとに変化しながら増加し、
前記第3の層(110)における前記半導体のGaの比率がほぼ一定、または、1つの第2の層とそれに隣接する第3の層(108、110)からなる各グループの平均格子定数が、前記第1の積層体内で前記方向に沿ってひとグループごとに増加するように、前記方向に沿って前記第3の層ごとに変化しながら減少し、
前記第2および第3の層(108、110)のそれぞれの厚さが約5nmより薄い、半導体構造(100)。
<請求項2>
請求項1に記載の半導体構造(100)であって、
前記第1の積層体(107)と前記第1の層(106)の間に配置される、前記半導体を含み上下に交互に配置された複数の第2および第3の層(108、110)からなる、n個の第2の積層体(109)と、
前記第1の層(106)の半導体の組成に非常に類似した組成を有する半導体の、n個の第4の層(112)において、前記第4の層(112)の1つが前記第1の積層体(107)に接触して配置され、前記第4の層(112)または他の各第4の層(112)が他の第2の積層体(109)のうちの1つに隣接して配置されるような、n個の第4の層(112)と、
前記第4の層(112)の1つと前記第2の積層体(109)の1つの間にそれぞれ配置される、AlNを含んだ複数の緩和層(114)とを備え、
ここでnは2〜19の整数である、半導体構造(100)。
<請求項3>
1つまたは複数の前記第4の層(112)のそれぞれの厚さが、その第4の層(112)が接触して配置される前記積層体(107、109)の厚さの約0.5〜1.5倍である、請求項1から請求項2のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項4>
前記第1の層(106)の半導体がGaNであり、かつ/または前記第2の層(108)の半導体がAlXGa(1−X)Nであり、かつ/または前記第3の層(110)の半導体がGaNである、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項5>
前記第1および第2の積層体(107、109)のそれぞれで、前記第2の層(108)の半導体が、前記基板(102)から前記第1の層(106)に向かう方向に沿って、前記第2の層ごとにXが約1から約0.3まで変化するような、AlXGa(1−X)Nである、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項6>
前記第1および第2の積層体の1つまたは複数の中において、前記第2および第3の層(108、110)の半導体の組成と異なる組成を有する、AlNまたはAlGaNを含んだ第5の層(116)が、それぞれ第2および第3の層(108、110)からなる層グループ同士の間に差し挟まれる、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項7>
前記基板(102)と前記第1の積層体(107)の間に配置される、AlNを含んだ第1の緩衝層(104)もまた備える、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項8>
前記第2および第3の層(108、110)のそれぞれの厚さが約2nmより薄い、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項9>
各前記第2の層(108)の厚さが同様の厚さであり、かつ/または全ての前記第3の層(110)の厚さが同様の厚さである、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項10>
前記基板(102)が単結晶シリコンを含む、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項11>
前記第1の積層体(107)の全体の厚さおよび/または1つまたは複数の前記第2の積層体(109)のそれぞれの全体の厚さが、約5μm以下である、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
<請求項12>
少なくとも前記第1、第2、第3および第4の層(106、108、110、112)と前記緩和層(114)が、分子線エピタキシまたは気相エピタキシによって作製される、請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の半導体構造(100)を作製する方法。
<請求項13>
請求項1〜11のいずれか一項に記載の少なくとも1つの半導体構造(100)と活性域とを含んだ半導体デバイス(200、300)であって、前記活性域が、前記半導体構造(110)の前記第1の層(106)を含む、あるいは前記半導体構造(110)の前記第1の層(106)の上に配置される、半導体デバイス(200、300)。
<請求項14>
前記活性域を含んだ少なくとも1つの発光ダイオード(300)および/または少なくとも1つのトランジスタ(200)を含む、請求項13に記載の半導体デバイス(200、300)。
102 基板
104 緩衝層
106 第1の半導体層
107 第1の積層体
108 第2の半導体層
109 第2の積層体
110 第3の半導体層
112 第4の半導体層
114 緩和層
116 第5の層
200 HEMTトランジスタ
202 追加の層
204 スペーサ層
206 AlGaN層
208 ソース領域
210 ドレイン領域
212 ゲート
300 発光ダイオード
302 量子井戸構造
304 pドープされたGaN層
Claims (15)
- 基板(102)と、
GaNを含み、前記基板(102)の上に配置される第1の層(106)と、
前記基板と前記第1の層の間に配置され、互いに交互に配置された複数の第2および第3の層(108、110)からなる積層体であって、前記第2の層(108)の半導体はAlXGa(1−X)Nで、ここで、0≦X<1であり、前記第3の層の半導体はGaNである、積層体
とを、少なくとも備える半導体構造(100)であって、
前記基板の材料は、GaNの格子定数とは異なる格子定数を含み、
前記第2の層(108)の前記半導体におけるGaの比率が、前記基板(102)から前記第1の層(106)に向かう方向に沿って、第2の層ごとに変化しながら増加し、
前記第2および第3の層(108、110)のそれぞれの厚さが約2nmより薄い、半導体構造(100)。 - 前記第1の層(106)の厚さが、約100nmから5μmの間である、請求項1に記載の半導体構造(100)。
- 前記第2および第3の層(108、110)の総数が約150から2000の間である、請求項1または2に記載の半導体構造(100)。
- 前記基板(102)に最も近い前記第2の層(108)の前記半導体におけるGaの前記比率は約0から0.2の間であり、および/または前記第1の層(106)に最も近い前記第2の層(108)の前記半導体におけるGaの前記比率は約0.6から1の間であり、および/または前記第1の層(106)に最も近い前記第2の層(108)と前記第1の層(106)に最も近い前記第3の層(110)の平均組成のGaの前記比率は約0.2より高い、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- AlNを含み、かつ前記基板(102)と前記第2および第3の層(108、110)を含む前記積層体の間に配置される緩衝層(104)も備える、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- 前記緩衝層(104)の厚さが約5nmから1μmの間である、請求項5に記載の半導体構造(100)。
- 前記第2の層(108)の厚さが同様の厚さであり、かつ/または前記第3の層(110)の厚さが同様の厚さである、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- 前記基板(102)が単結晶シリコンを含む、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- 前記第2および第3の層(108、110)を含む前記積層体の全体の厚さが、約5μm以下である、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- GaNを含み、前記第1の層(106)の厚さよりも薄い厚さを有する追加の層(202)をさらに含み、前記第1の層(106)は前記追加の層(202)と前記第2および第3の層(108、110)を含む前記積層体との間に配置される、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- AINを含むスペーサ層(204)をさらに含み、前記追加の層(202)が前記スペーサ層(204)と前記第1の層(106)の間に配置される、請求項10に記載の半導体構造(100)。
- AlGaN層(206)をさらに含み、前記スペーサ層(204)は前記AlGaN層(206)と前記追加の層(202)の間に配置される、請求項11に記載の半導体構造(100)。
- pドープされたGaN層(304)をさらに含み、前記第1の層(106)は前記pドープされたGaN層(304)と前記第2および第3の層(108、110)を含む前記積層体の間に配置される、請求項1から請求項9のいずれか一項に記載の半導体構造(100)。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載の少なくとも1つの半導体構造(100)と活性域とを含んだ半導体デバイス(200、300)であって、前記活性域が、前記半導体構造(100)の前記第1の層(106)を含む、あるいは前記半導体構造(100)の前記第1の層(106)の上に配置される、半導体デバイス(200、300)。
- 前記活性域を含んだ少なくとも1つの発光ダイオード(300)および/または少なくとも1つのトランジスタ(200)を含む、請求項14に記載の半導体デバイス(200、300)。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1461109 | 2014-11-18 | ||
FR1461109A FR3028670B1 (fr) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | Structure semi-conductrice a couche de semi-conducteur du groupe iii-v ou ii-vi comprenant une structure cristalline a mailles cubiques ou hexagonales |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526553A Division JP6770516B2 (ja) | 2014-11-18 | 2015-11-17 | 六方格子結晶構造を有するiii−v族半導体層を含んだ半導体構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020188266A true JP2020188266A (ja) | 2020-11-19 |
JP7073446B2 JP7073446B2 (ja) | 2022-05-23 |
Family
ID=53039491
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526553A Active JP6770516B2 (ja) | 2014-11-18 | 2015-11-17 | 六方格子結晶構造を有するiii−v族半導体層を含んだ半導体構造 |
JP2020117912A Active JP7073446B2 (ja) | 2014-11-18 | 2020-07-08 | 六方格子結晶構造を有するiii-v族半導体層を含んだ半導体構造 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017526553A Active JP6770516B2 (ja) | 2014-11-18 | 2015-11-17 | 六方格子結晶構造を有するiii−v族半導体層を含んだ半導体構造 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11081346B2 (ja) |
EP (2) | EP3333880B1 (ja) |
JP (2) | JP6770516B2 (ja) |
FR (1) | FR3028670B1 (ja) |
WO (1) | WO2016079115A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3041470B1 (fr) | 2015-09-17 | 2017-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Structure semi-conductrice a tenue en tension amelioree |
KR102432226B1 (ko) * | 2017-12-01 | 2022-08-12 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 |
JP6812333B2 (ja) * | 2017-12-08 | 2021-01-13 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体基板 |
FR3094782B1 (fr) | 2019-04-04 | 2021-03-05 | Air Liquide | Purification et liquéfaction du biogaz par combinaison d’un système de cristallisation avec un échangeur de liquéfaction |
TWI735212B (zh) * | 2020-04-24 | 2021-08-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 具有超晶格疊層體的磊晶結構 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009188252A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2009531859A (ja) * | 2006-03-29 | 2009-09-03 | クリー インコーポレイテッド | 高効率および/または高電力密度のワイドバンドギャップトランジスタ |
JP2012243871A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Advanced Power Device Research Association | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2013235873A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014057020A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその作製条件特定方法 |
Family Cites Families (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01222430A (ja) * | 1988-03-01 | 1989-09-05 | Fujitsu Ltd | 歪超格子バッファ |
JPH1168158A (ja) * | 1997-08-20 | 1999-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
JP3505405B2 (ja) * | 1998-10-22 | 2004-03-08 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子及びその製造方法 |
US6535536B2 (en) * | 2000-04-10 | 2003-03-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser element |
US6649287B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
US6635904B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-10-21 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices |
JP4119158B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2008-07-16 | 三菱電機株式会社 | 傾斜状多重量子バリアを用いた半導体発光素子 |
US7115896B2 (en) * | 2002-12-04 | 2006-10-03 | Emcore Corporation | Semiconductor structures for gallium nitride-based devices |
US6841809B2 (en) * | 2003-04-08 | 2005-01-11 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Heterostructure semiconductor device |
JP4525894B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2010-08-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体素子形成用板状基体及びこの製造方法及びこれを使用した半導体素子 |
JP4332720B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2009-09-16 | サンケン電気株式会社 | 半導体素子形成用板状基体の製造方法 |
JP4826703B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2011-11-30 | サンケン電気株式会社 | 半導体素子の形成に使用するための板状基体 |
KR100664985B1 (ko) * | 2004-10-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 소자 |
KR100718129B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | Ⅲ-Ⅴ족 GaN계 화합물 반도체 소자 |
KR100674862B1 (ko) * | 2005-08-25 | 2007-01-29 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
KR100703096B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2007-04-06 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
KR100649749B1 (ko) * | 2005-10-25 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
JP2007150074A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
KR20070062686A (ko) * | 2005-12-13 | 2007-06-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 제조 방법 |
CN101390201B (zh) * | 2005-12-28 | 2010-12-08 | 日本电气株式会社 | 场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜 |
KR100756841B1 (ko) * | 2006-03-13 | 2007-09-07 | 서울옵토디바이스주식회사 | AlxGa1-xN 버퍼층을 갖는 발광 다이오드 및 이의제조 방법 |
PL1883119T3 (pl) * | 2006-07-27 | 2016-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Półprzewodnikowa struktura warstwowa z supersiecią |
EP1883141B1 (de) * | 2006-07-27 | 2017-05-24 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht |
JP5309452B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-10-09 | サンケン電気株式会社 | 半導体ウエーハ及び半導体素子及び製造方法 |
US8067787B2 (en) * | 2008-02-07 | 2011-11-29 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor electronic device |
JP5477685B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-04-23 | サンケン電気株式会社 | 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法 |
JP5572976B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-08-20 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2010238752A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5188545B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2013-04-24 | コバレントマテリアル株式会社 | 化合物半導体基板 |
JP5576771B2 (ja) | 2009-11-04 | 2014-08-20 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物エピタキシャル積層基板 |
EP2538434B1 (en) * | 2010-02-16 | 2018-05-02 | NGK Insulators, Ltd. | Epitaxial substrate and method for producing same |
JP5533744B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-06-25 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
WO2011136052A1 (ja) | 2010-04-28 | 2011-11-03 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法 |
JP5706102B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2015-04-22 | ローム株式会社 | 窒化物半導体素子 |
US8426844B2 (en) * | 2010-08-04 | 2013-04-23 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device, light emitting device package, and display device therewith |
KR101712049B1 (ko) * | 2010-11-17 | 2017-03-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP5708187B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-04-30 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
US8748919B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-06-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Ultraviolet light emitting device incorporating optically absorbing layers |
KR20120129029A (ko) * | 2011-05-18 | 2012-11-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
JP5665676B2 (ja) * | 2011-07-11 | 2015-02-04 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | Iii族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法 |
KR101813717B1 (ko) * | 2012-01-04 | 2017-12-29 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
US8742396B2 (en) * | 2012-01-13 | 2014-06-03 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | III nitride epitaxial substrate and deep ultraviolet light emitting device using the same |
CN102544281A (zh) * | 2012-01-20 | 2012-07-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管 |
EP2839520B1 (en) * | 2012-04-16 | 2018-04-11 | Sensor Electronic Technology Inc. | Non-uniform multiple quantum well structure |
US8946773B2 (en) * | 2012-08-09 | 2015-02-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer semiconductor buffer structure, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device using the multi-layer semiconductor buffer structure |
EP2696365B1 (en) * | 2012-08-09 | 2021-06-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device using a semiconductor buffer structure |
US8981382B2 (en) * | 2013-03-06 | 2015-03-17 | Iqe Rf, Llc | Semiconductor structure including buffer with strain compensation layers |
US9018056B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-04-28 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Complementary field effect transistors using gallium polar and nitrogen polar III-nitride material |
CN103236477B (zh) * | 2013-04-19 | 2015-08-12 | 安徽三安光电有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法 |
US8964807B1 (en) * | 2013-05-09 | 2015-02-24 | Soraa Laser Diode, Inc. | Magnesium based gettering regions for gallium and nitrogen containing laser diode devices |
-
2014
- 2014-11-18 FR FR1461109A patent/FR3028670B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-11-17 EP EP18152694.8A patent/EP3333880B1/fr active Active
- 2015-11-17 WO PCT/EP2015/076816 patent/WO2016079115A1/fr active Application Filing
- 2015-11-17 EP EP15797989.9A patent/EP3221881B1/fr active Active
- 2015-11-17 US US15/527,466 patent/US11081346B2/en active Active
- 2015-11-17 JP JP2017526553A patent/JP6770516B2/ja active Active
-
2020
- 2020-07-08 JP JP2020117912A patent/JP7073446B2/ja active Active
-
2021
- 2021-06-24 US US17/357,014 patent/US20210343525A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009531859A (ja) * | 2006-03-29 | 2009-09-03 | クリー インコーポレイテッド | 高効率および/または高電力密度のワイドバンドギャップトランジスタ |
JP2009188252A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体電子デバイス |
JP2012243871A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Advanced Power Device Research Association | 半導体素子及びその製造方法 |
JP2013235873A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014057020A (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体装置及びその作製条件特定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6770516B2 (ja) | 2020-10-14 |
EP3221881A1 (fr) | 2017-09-27 |
EP3333880B1 (fr) | 2021-03-10 |
US20180012757A1 (en) | 2018-01-11 |
US20210343525A1 (en) | 2021-11-04 |
FR3028670B1 (fr) | 2017-12-22 |
EP3221881B1 (fr) | 2019-11-06 |
WO2016079115A1 (fr) | 2016-05-26 |
US11081346B2 (en) | 2021-08-03 |
JP7073446B2 (ja) | 2022-05-23 |
EP3333880A1 (fr) | 2018-06-13 |
JP2018503968A (ja) | 2018-02-08 |
FR3028670A1 (fr) | 2016-05-20 |
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