JP5188545B2 - 化合物半導体基板 - Google Patents
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Description
このような多層バッファ層を設けることにより、窒化物活性層でのクラックの発生および基板の反りを抑制することができ、かつ、この基板を用いたデバイスのノーマリオフ化と高耐圧化を図ることができる。
炭素含有濃度が高いAlxGa1-xN単結晶層は、その直上のAlyGa1-yN単結晶層の結晶との格子定数差が大きくなり、強い圧縮応力を生じ得る。
上記濃度範囲のホウ素を含むことにより、前記AlxGa1-xN単結晶層および前記AlyGa1-yN単結晶層の炭素含有濃度が増加し、耐圧をより向上させることができる。
デバイスの高速性向上の観点からは、前記電子走行層中のAl濃度はできるだけ低いことが好ましい。
さらに、本発明に係る化合物半導体基板は、これを用いてデバイス作製することにより、耐電圧の向上を図ることができるため、高耐圧デバイス、特に、ノーマリオフ型スイッチングデバイスに好適に適用することができる。
図1に、本発明に係る化合物半導体基板の層構造の概略を示す。図1に示す化合物半導体基板は、Si単結晶基板1上に、多層バッファ層2、電子走行層31と電子供給層32からなる窒化物活性層3が、順次積層された構成を備えているものである。
前記多層バッファ層2は、AlxGa1-xN単結晶層(0.6≦x≦1.0)21およびAlyGa1-yN単結晶層(0≦y≦0.5)22が、この順にSi基板1側から交互に繰り返し積層された多層構造からなる。
そして、前記AlxGa1-xN単結晶層(0.6≦x≦1.0)21には、炭素が1×1018atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下含まれており、前記AlyGa1-yN単結晶層(0≦y≦0.5)22には、炭素が1×1017atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下含まれている。
このような多層バッファ層2を設けることにより、窒化物活性層3でのクラックの発生および基板全体の反りを抑制することができる。しかも、この基板を用いたデバイスの高耐圧化を図ることができるという効果が得られる。
このようなキャリアを抑制するためには、多層バッファ層中に炭素を含有していることが効果的である。
本発明においては、炭素を意図的に上記のような濃度範囲となるように添加することにより、デバイスの耐電圧を向上させることができる。
x<0.6、また、y>0.5の場合は、AlxGa1-xN単結晶層とAlyGa1-yN単結晶層の結晶格子定数の差が小さいため、圧縮応力が発生しにくくなる。
一方、y<0.1の場合は、AlyGa1-yN層のAl組成が低すぎて、従来並みの低耐圧デバイスまたは従来のノーマリオン型デバイスしか得られない。
基板1側は、高い炭素含有濃度のため、残留キャリアが低減して高耐圧となる。物理的には、フェルミ準位が伝導帯から離れる。
そして、活性層3側を低い炭素含有濃度とすることにより、ゲート電圧が印加されない場合、キャリアが誘起されない状態となる。物理的には、フェルミ準位が伝導帯に近づくが、デバイスにおけるオフ・オン制御が、ゲートにおける数V程度の正電圧で可能となる、すなわち、ノーマリオフとなる。
したがって、単に、基板1側から活性層3側に向かって、全体的に一定割合で炭素含有濃度が減少するような構成では、ノーマリオフ化は達成されない。上記のような本発明に係る炭素含有濃度の変化および層構成が、良好なノーマリオフの高耐圧デバイスを実現する上で重要である。
炭素含有濃度が高いAlxGa1-xN単結晶層21は、結晶が柔らかいため、転位が発生しやすくなり、結晶が緩和する。緩和した結晶は、その直上のAlyGa1-yN単結晶層22の結晶との格子定数差が大きいため、強い圧縮応力が発生する。
上記濃度範囲のホウ素を含むことにより、AlxGa1-xN単結晶層21およびAlyGa1-yN単結晶層22の炭素含有濃度を、より増加させることができ、耐圧の向上が図られる。
AlxGa1-xN単結晶層21およびAlyGa1-yN単結晶層22の結晶格子において、Gaの格子位置にホウ素が入ることにより、格子間の隙間が増大し、格子への炭素の取込みが増したためと考えられる。
一方、前記ホウ素濃度が1×1019atoms/cm3を超える場合、炭素含有濃度が上記において規定した上限値を超えて、結晶性が悪化する。
多層バッファ層2を構成する2種のAlGaN系単結晶層について、上記のように膜厚に差をつけて形成することにより、基板と窒化物半導体による多層バッファ層との間で生じる応力の制御性が向上し、例えば、4インチ径の基板において、反りを30μm以下に抑制することができる。
一方、前記AlxGa1-xN単結晶層21の厚さが50nmを超える場合、あるいはまた、AlyGa1-yN単結晶層22の厚さが500nm未満である場合、製造コストが高くなり、また、それに見合った効果が得られない。
積層組数が少なすぎると、膜成長過程において、多層バッファ層による応力緩和が十分でなく、クラックや反りの抑制効果が十分に得られない。
一方、積層組数が多すぎる場合、コスト高となり、製造効率の点でも劣り、好ましくない。
電子走行層31中に炭素が存在すると、電子が散乱されて移動度が低下するため、デバイスの高速性が低下することから、炭素含有濃度は低い方が好ましいが、前記炭素含有濃度が5×1017atoms/cm3以下であれば、デバイスの高速性の差が小さい。
なお、二次イオン質量分析(SIMS)法による測定では、現在の技術水準では、炭素濃度の検出下限は5×1016atoms/cm3であり、5×1017atoms/cm3を超えた場合に、デバイスの高速性の著しい低下が確認された。
電子走行層31中にアルミニウム(Al)が存在すると、電子が散乱されて移動度が低下するため、この場合も、デバイスの高速性が低下する。このため、Al濃度は低いほどよいが、電子走行層31の形成時において、炉内の残留Alの混入を考慮すると、z=0とすることは実際上困難であるため、意図的に含有させる濃度以下として、z≦0.01であることが好ましい。
より好ましくは、z=0、すなわち、前記電子走行層31はGaN層がよい。このように、電子走行層31をGaN層とし、前記多層バッファ層2とAl濃度の差をつけることは、物理的には、フェルミ準位が伝導帯から離れることなり、ノーマリオフ化の観点からも好ましい。
ノーマリオフ型とは、ゲート電極と呼ばれる制電電極に電圧を印加しない場合(電圧ゼロ)、停止(オフ)状態となり、プラス電圧を印加すると、動作(オン)状態となるものである。
これに対して、ノーマリオン型とは、ゲート電極(制電電極)に電圧を印加しなくても(電圧ゼロ)、動作(オン)状態となり、マイナス電圧を印加すると、停止(オフ)状態となるものである。
回路の安全性等の観点から、スイッチングデバイスとしては、ノーマリオン型よりもノーマリオフ型の方が望まれており、本発明に係る化合物半導体基板は、デバイス形成に、非常に有用である。
窒化物半導体をSi単結晶基板上にエピタキシャル成長させることにより、従来のSi半導体製造プロセスにおいて用いられている装置および技術を利用することができ、大口径かつ低コストでの製造が可能となる。
SiとGaは非常に反応性が高く、成長初期においてSi基板表面にGaが付着した場合、メルトバックエッチング反応により、Si単結晶基板表面に荒れが生じる。
このため、前記初期バッファは、多層バッファ層を形成する前のSi単結晶基板表面の保護および下地として有効である。
また、各層をエピタキシャル成長させる際に用いられる原料も、下記実施例で用いられているものに限定されるものではなく、例えば、炭素を含有させるための原料ガスは、メタン以外に、アセチレン、エタン、プロパン、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウムであってもよい。
下記に示すような各条件にて化合物半導体基板の試料を作製し、以下のようにして、各基板およびそれを用いて作製したデバイスの評価を行った。
各化合物半導体基板試料について、電子走行層31として用いられるAlzGa1-zN単結晶層における転位密度を、透過型電子顕微鏡により評価した。また、反りおよびクラックの発生についても、レーザ変位計および光学顕微鏡により評価した。
各化合物半導体基板試料に、リセスゲート領域および素子分離領域の溝をドライエッチングにより形成し、活性層側にゲート電極としてAu電極を、ソースおよびドレイン電極としてAl電極を、また、Si基板の裏面側に裏面電極としてAl電極を、それぞれ真空蒸着により形成し、化合物半導体デバイスを作製した。
続いて、ゲート電極にピンチオフ電圧を印加しつつ、ソース−ドレイン電極間に電圧を印加した際の電流−電圧特性を測定し、耐電圧特性を求めた。
なお、デバイスの測定の際、ソース電極と裏面電極を電気的にショートさせた。
[試料1](標準試料)
図1に示すような層構造を備えた化合物半導体基板を、以下の工程により作製した。
まず、直径4インチのSi単結晶基板1をMOCVD装置にセットし、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム(TMA)ガス、NH3ガス、メタンガスおよびジボランガスを用い、1000℃での気相成長により、炭素を1×1020atoms/cm3含む厚さ20nmのAlN単結晶層(AlxGa1-xN単結晶層(x=1))21を形成し、さらにその上に、原料ガスとして、トリメチルガリウム(TMG)ガス、TMAガス、NH3ガス、メタンガスおよびジボランガスを用い、1000℃での気相成長により、炭素を5×1019atoms/cm3含む厚さ80nmのGaN単結晶層(AlyGa1-yN単結晶層(y=0.2))22を積層させ、これらを同様の工程にて、炭素含有濃度が、いずれも、それぞれ、前記基板側から前記活性層側に向かって減少するように、交互に繰り返し、各10層、合計20層積層させ、多層バッファ層2を形成した。
前記多層バッファ層2上に、原料ガスとして、TMGガス、TMAガス、NH3ガスおよびメタンガスを用い、1000℃での気相成長により、炭素を5×1017atoms/cm3含む厚さ1000nmのAl0.02Ga0.98N単結晶層(AlzGa1-zN層(z=0.02))を電子走行層31として積層させ、さらに、厚さ30nmのAl0.25Ga0.75N単結晶による電子供給層32を積層させ、窒化物活性層3を形成して化合物半導体基板を得た。
なお、気相成長により形成した各層の厚さの調整は、ガス流量および供給時間の調整により行った。
試料1において、電子走行層31であるAlzGa1-zN層をGaN層(z=0)、厚さ500nmとし、また、AlyGa1-yN単結晶層22をAl0.2Ga0.8N単結晶層(y=0.2)とし、AlxGa1-xN単結晶層21のxの数値を変化させ、Al0.5Ga0.5N(x=0.5)(試料2)、Al0.6Ga 0.4 N(x=0.6)(試料3)、AlN(x=1)(試料4)とした。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
試料4において、AlyGa1-yN単結晶層22のyの数値を変化させ、GaN(y=0)(試料5)Al0.1Ga0.9N(y=0.1)(試料6)、Al0.5Ga0.5N(y=0.5)(試料7)、Al0.6Ga 0.4 N(y=0.6)(試料8)とした。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
なお、試料1を他の試料と比較する際の標準試料とする。表1において、リーク電流は、試料1を1としたときの相対指数で表す。以下の評価結果においても、同様とする。
試料2および8以外の試料については、ノーマリオフ特性に優れ、デバイスの高速性が向上することが認められた。
試料4において、AlxGa1-xN単結晶層21の炭素含有濃度を下記表2の試料9〜11に示すように変化させた。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
試料4において、AlyGa1-yN単結晶層22の炭素含有濃度を下記表2の試料12〜15に示すように変化させた。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
Si単結晶基板1上に、AlN単結晶層21とAl0.2Ga0.8N単結晶層22を積層させた後、10層目のAlN単結晶層21の炭素含有濃度が3×1020atoms/cm3、10層目のAlN0.2Ga0.8N単結晶層22の炭素含有濃度が2×1020atoms/cm3となるように、いずれの炭素含有濃度も、前記基板側から前記活性層側に向かって一定の割合で増加するように、交互に繰り返し、各10層、合計20層積層させ、多層バッファ層2を形成した。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
また、AlxGa1-xN単結晶層21の炭素含有濃度が1×1021atoms/cm3超(試料11)、AlyGa1-yN単結晶層22の炭素含有濃度が1×1021atoms/cm3超(試料15)の場合は、基板の転位密度が1×1010cm-2超以上であり、結晶性に劣り、デバイスとして好ましくなく、デバイスのリーク電流も大きかった。
また、AlxGa1-xN単結晶層21およびAlyGa1-yN単結晶層22の炭素含有濃度を増加するように傾斜させて積層した場合(試料16)は、基板の転位密度が高く、反りも大きく、クラックが発生した。
試料10,13および14は、応力の制御特性およびノーマリオフ特性に優れ、また、デバイスの高速性が向上することが認められた。
試料4において、AlxGa1-xN単結晶層21およびAlyGa1-yN単結晶層22にホウ素を添加し、試料4を基準として、ホウ素含有濃度を下記表3の試料17〜20に示すように変化させた。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
試料18において、AlxGa1-xN単結晶層21、AlyGa1-yN単結晶層22および電子走行層31であるAlzGa1-zN層の各パラメータを下記表4の試料21〜27に示すように変化させた。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
試料18において、Si単結晶基板1上に、AlN単結晶層21とAl0.2Ga0.8N単結晶層22を交互に繰り返し、それぞれ7層目まで、合計14層積層させた。そして、8層目のAlN単結晶層21の炭素含有濃度を9×1019atoms/cm3、8層目のAlN0.2Ga0.8N単結晶層22の炭素含有濃度を4×1019atoms/cm3として、炭素含有濃度が、いずれも、前記基板側から前記活性層側に向かってわずかに減少するように、交互に繰り返し、それぞれ9層目まで積層した。さらに、10層目のAlN単結晶層21の炭素含有濃度を6×1019atoms/cm3、10層目のAlN0.2Ga0.8N単結晶層22の炭素含有濃度を2×1019atoms/cm3として、炭素含有濃度が減少する割合を変化させ、それぞれ10層目まで、合計20層積層させ、多層バッファ層2を形成した。それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
試料28において、10層目のAlN単結晶層21およびAlN0.2Ga0.8N単結晶層22の炭素含有濃度が、それぞれ、下記表5の試料29〜31に示すような数値となるように、いずれも、前記基板側から前記活性層側に向かって一定の割合で減少するように、交互に繰り返し、各10層、合計20層積層させ、多層バッファ層2を形成し、それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
試料28において、10層目のAlN単結晶層21の炭素含有濃度が3×1020atoms/cm3、10層目のAlN0.2Ga0.8N単結晶層22の炭素含有濃度が2×1020atoms/cm3となるように、いずれの炭素含有濃度も、前記基板側から前記活性層側に向かって増加するように、交互に繰り返し、各10層、合計20層積層させ、多層バッファ層2を形成し、それ以外は、試料1と同様の工程にて、化合物半導体基板を作製した。
また、試料28〜32の評価結果をまとめて表5に示す。
2 多層バッファ層
21 AlxGa1-xN単結晶層
22 AlyGa1-yN単結晶層
3 窒化物活性層
31 電子走行層
32 電子供給層
Claims (6)
- Si単結晶基板上に、炭素を1×1018atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下含むAlxGa1-xN単結晶層(0.6≦x≦1.0)と、炭素を1×1017atoms/cm3以上1×1021atoms/cm3以下含むAlyGa1-yN単結晶層(0≦y≦0.5)とが順に交互に繰り返し積層された多層バッファ層と、炭素含有濃度が5×1017atoms/cm3以下である電子走行層と電子供給層からなる窒化物活性層とが順次堆積された構成を備え、
前記AlxGa1-xN単結晶層の炭素含有濃度分布は、前記基板側のAl x Ga 1-x N単結晶層よりも前記活性層側のAl x Ga 1-x N単結晶層の方が炭素含有濃度が低く、
前記AlyGa1-yN単結晶層の炭素含有濃度分布は、前記基板側のAl y Ga 1-y N単結晶層よりも前記活性層側のAl y Ga 1-y N単結晶層の方が炭素含有濃度が低いことを特徴とする化合物半導体基板。 - 前記AlyGa1-yN単結晶層が0.1≦y≦0.5であることを特徴とする請求項1記載の化合物半導体基板。
- 前記AlxGa1-xN単結晶層の炭素含有濃度が、その直上のAlyGa1-yN単結晶層の炭素含有濃度よりも高いことを特徴とする請求項1または2記載の化合物半導体基板。
- 前記多層バッファ層が、ホウ素を5×1016atoms/cm3以上1×1019atoms/cm3以下含んでいることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の化合物半導体基板。
- 前記電子走行層がAlzGa1-zN単結晶層(0≦z≦0.01)であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の化合物半導体基板。
- 前記電子走行層の厚さが1nm以上500nm以下であり、ノーマリオフ型スイッチングデバイスに用いられることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の化合物半導体基板。
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