JP2020057819A - 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 - Google Patents
酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020057819A JP2020057819A JP2020002686A JP2020002686A JP2020057819A JP 2020057819 A JP2020057819 A JP 2020057819A JP 2020002686 A JP2020002686 A JP 2020002686A JP 2020002686 A JP2020002686 A JP 2020002686A JP 2020057819 A JP2020057819 A JP 2020057819A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- layer
- film
- transistor
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 320
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 103
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 85
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 135
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 123
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 118
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 117
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 42
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 155
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 155
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 153
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 17
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 756
- 239000010408 film Substances 0.000 description 746
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 130
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 88
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 62
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 61
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 57
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 45
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 45
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 45
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 40
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 230000006870 function Effects 0.000 description 36
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 24
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 23
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 23
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 17
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 14
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 2-[4-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]butanoyloxy]ethyl (5z,8z,11z,14z)-icosa-5,8,11,14-tetraenoate Chemical group CCCCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCC(=O)OCCOC(=O)CCCC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 VUFNLQXQSDUXKB-DOFZRALJSA-N 0.000 description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 10
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- -1 hafnium aluminate Chemical class 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910005535 GaOx Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000156302 Porcine hemagglutinating encephalomyelitis virus Species 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- CHEANNSDVJOIBS-MHZLTWQESA-N (3s)-3-cyclopropyl-3-[3-[[3-(5,5-dimethylcyclopenten-1-yl)-4-(2-fluoro-5-methoxyphenyl)phenyl]methoxy]phenyl]propanoic acid Chemical compound COC1=CC=C(F)C(C=2C(=CC(COC=3C=C(C=CC=3)[C@@H](CC(O)=O)C3CC3)=CC=2)C=2C(CCC=2)(C)C)=C1 CHEANNSDVJOIBS-MHZLTWQESA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015842 Hesperis Nutrition 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 235000012633 Iberis amara Nutrition 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000747 cardiac effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
- H01L21/471—Inorganic layers
- H01L21/473—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
- H01L21/4757—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
Abstract
Description
ュファクチャ)、または組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。特に本発明
は、半導体装置、表示装置、発光装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法等に
関する。特に本発明は、酸化物半導体を有する半導体装置、表示装置、または発光装置等
に関する。
機能しうる装置の全てをその範疇とし、例えば、電気光学装置や半導体回路、電気機器等
はいずれも半導体装置に含まれる。
薄膜トランジスタ、またはTFT(Thin Film Transistorの略称。
)ともいう。)やダイオード等の半導体素子は、集積回路(IC)や画像表示装置(単に
表示装置とも表記する)のような半導体装置に広く応用されている。このような半導体素
子に適用可能な半導体薄膜としてシリコン膜が広く知られている。
ることができるため低コストで作製することができるものの、電界効果移動度が低い。一
方、多結晶シリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が高いもののレーザアニー
ルなどの結晶化工程が必要であり製造工程数が多く、またガラス基板の大面積化には必ず
しも適応しない。
、例えば、酸化亜鉛(ZnO)やIn−Ga−Zn酸化物等の材料が挙げられる。このよ
うな酸化物半導体を材料とした半導体薄膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタを作
製する技術の開発が進められている(特許文献1参照)。
って得られる高い電界効果移動度と、非晶質シリコンによって得られる均一な素子特性と
を併せ持ったトランジスタを作製することができる。該トランジスタは電界効果移動度が
高いため、例えばこれを表示装置に用いた場合には、小さな面積のトランジスタでも十分
なオン電流を得ることができ、画素の高開口率化や、それに伴う表示装置の低消費電力化
を図ることができる。また、酸化物半導体膜は、スパッタリング法を用いて成膜できるた
め、大面積基板上に半導体装置を作製する場合に好適である。大面積基板に半導体装置を
作製することで、半導体装置の作製コストを低くすることができる。さらに、非晶質シリ
コン膜を用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用することが可能であるため
、設備投資を抑えられるメリットもある。
られている(特許文献2参照)。
に形成される酸素欠損(本明細書においては、Voとも表記する。)はトランジスタ特性
に影響を与えるため問題となる。酸化物半導体は、酸素欠損に起因してキャリアを発生す
る場合がある。そのため、酸化物半導体中に酸素欠損が多く存在すると、キャリアである
電子が発生する場合があるため、チャネル形成領域がn型化(例えばn−化)し、低抵抗
化してしまうことがある。そのため、トランジスタのノーマリオン化、リーク電流の増大
、ストレス印加によるしきい値電圧のシフト等、トランジスタの電気特性の不良が誘発さ
れる。従って、チャネル形成領域においては、酸化物半導体中に酸素欠損が少ない程好ま
しい。
し、電気特性の安定した、または信頼性の高いトランジスタを含む半導体装置を提供する
ことを課題の一とする。
ることを低減または抑制したトランジスタを含む半導体装置を提供することを課題の一と
する。
微細なトランジスタを含む半導体装置を提供することを課題の一とする。
。
とを課題の一とする。
ことを課題の一とする。
の一とする。または、本発明の一態様は、リーク電流が増えにくい半導体装置を提供する
ことを課題の一とする。または、本発明の一態様は、しきい値電圧が変動しにくい半導体
装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、ショートチャネル効
果の影響を受けにくい半導体装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一
態様は、ソース領域とドレイン領域とがショートしづらい半導体装置を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様は、チャネル長のばらつきの影響を受けにくい半
導体装置を提供することを課題の一とする。
お、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、こ
れら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであ
り、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能であ
る。
成領域として用いたトランジスタを含む半導体装置、およびその作製方法である。
縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物積層膜と、酸化物積層膜と接するソース電極およ
びドレイン電極と、を有し、酸化物積層膜は、ソース電極およびドレイン電極と接する部
分がもっとも低抵抗であり、かつソース電極およびドレイン電極から遠ざかるに従って抵
抗が高くなる半導体装置である。
縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物積層膜と、酸化物積層膜と接するソース電極およ
びドレイン電極と、を有し、酸化物積層膜は、ソース電極とドレイン電極との間に凹部を
有し、ソース電極およびドレイン電極と接する部分から凹部の側面の一部に渡って低抵抗
領域を有する半導体装置である。
上の酸化物積層膜と、酸化物積層膜と接するソース電極およびドレイン電極と、ソース電
極およびドレイン電極と接する酸化物積層膜の部分に設けられたn+領域と、を有し、酸
化物積層膜中において、n+領域は前記ソース電極とドレイン電極との間の領域に延びて
いる半導体装置である。
上の酸化物積層膜と、酸化物積層膜と接するソース電極およびドレイン電極と、ソース電
極およびドレイン電極と接する酸化物積層膜の部分に設けられたn+領域と、を有し、ソ
ース電極とドレイン電極との間において、酸化物積層膜は凹部を有し、n+領域は凹部の
側面の一部と接している半導体装置である。
絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に、スパッタリング法により酸
化物層を形成して、酸化物半導体層と酸化物層とを含む酸化物積層膜を形成し、酸化物積
層膜を所定の形状に加工し、所定の形状に加工した酸化物積層膜に接して、Tiを主成分
とする導電膜を形成し、導電膜をエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成
するとともに、バックチャネル側に凹部を形成し、熱処理により、酸化物積層膜がソース
電極およびドレイン電極と接する部分をn型化することを特徴とする半導体装置の作製方
法である。
を含む酸化物(MはAl、Ga、Y、La、CeまたはNd)であり、酸化物層は、酸化
物半導体層よりも含有するMの割合が高いことが好ましい。
体装置を提供することができる。
動することを低減または抑制したトランジスタを含む半導体装置を提供することができる
。
る)微細なトランジスタを含む半導体装置を提供することができる。
ることができる。
することができる。
とは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内
容に限定して解釈されるものではない。
構成要素の大きさは、個々に説明の明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、
必ずしも各構成要素はその大きさに限定されず、また各構成要素間での相対的な大きさに
限定されない。
であって工程の順番や積層の順番などを示すものではない。また、本明細書等において発
明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。ま
た、同様の機能を有する部分を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付
さない場合がある。
せずに目減りすることがあるが、理解を容易にするため、図面においては省略して示すこ
とがある。
たは「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電
極」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外
しない。
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。
限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり
、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「
配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。そのため
、本明細書等においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることが
できるものとする。
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
さらに、現実の回路においては、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場
合もある。
などのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有す
る素子などが含まれる。
酸化物半導体(OS)層を用いたトランジスタの信頼性を高めるためには、信頼性に影響
を与える要因を明らかにすることが重要である。そこで、酸化物半導体層を用いたトラン
ジスタの信頼性を高めるために、以下のような劣化機構のモデルを立てた。
l DOS(Density Of State))を形成する。deep level
DOSを低減するためには、酸化物半導体層を化学量論的組成よりも過剰に酸素を含む
状態にすること、外部から酸素欠損を補う酸素を与えることが重要である。
gate bias temperature)試験を行うと、初期のVg−Id特性と
比べてしきい値電圧(Vth)がプラス方向へ変動する。また、プラスゲートBT試験を
行ったトランジスタに対し、マイナスゲートBT(−GBT:minus gate b
ias temperature)試験を行うと、Vg−Id特性がマイナス方向へ変動
する。このように、プラスゲートBT試験とマイナスゲートBT試験とを交互に繰り返す
ことで、トランジスタのしきい値電圧がプラス方向、マイナス方向に交互に変動する(図
7参照)。
はなく準位(トラップ準位)が関係していることが示唆される。
以下に、酸化物半導体層を用いたトランジスタの劣化モードが、どのように起こるかを説
明する。
にトラップされる。プラスゲートBT試験時にトラップされた電子、即ちマイナス電荷は
、緩和時間が長く、固定電荷のように振る舞う。このマイナス電荷により、ゲート電圧(
バイアス)をオフ状態とした後も、実効的にマイナスの電圧が与えられた状態と等しくな
る。よって、プラスゲートBT試験後のトランジスタの電気特性を測定した時に、トラン
ジスタ特性(Vg−Id特性)のしきい値電圧がプラス方向へ変動する。
行う。
するとDOSに正孔、即ちプラス電荷がトラップされる。伝導体下端のエネルギー(Ec
)とDOSのエネルギーとの差が大きい、また価電子帯上端のエネルギー(Ev)とDO
Sのエネルギーとの差が大きいため、正孔が誘起されるのに要する時間が長い。また酸化
物半導体層中の正孔は有効質量が大きく、ドレイン電極からも正孔の注入は起こりにくい
。また、プラス電荷は、緩和時間が長く固定電荷のように振る舞う。このプラス電荷によ
り、ゲート電圧(バイアス)をオフ状態とした後も、実効的にプラスの電圧が与えられた
状態と等しくなる。よって、マイナスゲートBT試験後のトランジスタの電気特性を測定
した時に、トランジスタ特性(Vg−Id特性)のしきい値電圧がマイナス方向へ変動す
る。
いて、図8を用いて説明を行う。図8は、酸化物半導体層を用いたトランジスタの断面図
を示しており、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
上に形成された酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に形成されたソース電極およびドレ
イン電極と、酸化物半導体層、ソース電極、およびドレイン電極上に形成された絶縁膜(
exO含有の絶縁膜)と、を有する構成である。
形成する。例えば、ソース電極およびドレイン電極をスパッタリング法で成膜した場合、
酸化物半導体層の膜中に成膜時のプラズマダメージ、または成膜時にソース電極およびド
レイン電極に用いる材料の原子または分子の衝突により、酸化物半導体層の一部がn型化
し、n型領域(n+領域)が形成される。
れる。例えば、該熱処理により、酸化物半導体層中に酸素欠損の位置に水素が入る(Vo
Hが形成される)、または酸化物半導体層がInを含む場合、酸化物半導体層中に含まれ
るInが還元され、n型領域が形成される。
ャネルが形成される領域は、酸化物半導体層と接して過剰な酸素を有する絶縁膜(exO
含有の絶縁膜)が形成されているため、この過剰な酸素を有する絶縁膜の形成後に熱処理
を行うことによって、酸化物半導体層中に過剰酸素(exO)が補填され、酸素欠損が低
減することによりi型化(i層)となる。
小さいインジウムと結合している酸素が抜けやすい(In−Voが形成されやすい)。な
お、n型領域の形成には、In−VoHが関係していると考えられる。また、酸素欠損は
、In−Vo−Inのように存在していると考えられる。
ある。具体的には、酸化物半導体層中へのSiの混入を防ぎ、または過剰酸素を補填する
ことで酸素欠損を低減することができる。また、酸素欠損に水素が捕獲されると、n型領
域が形成されるため、酸化物半導体層中の水素を低減すると好ましい。
以下では、酸素欠損を低減し、安定した電気特性を有する酸化物半導体を用いたトランジ
スタについて説明する。
図1(A)乃至図1(C)に、半導体装置が有するトランジスタ100の上面図および断
面図を示す。図1(A)はトランジスタ100の上面図であり、図1(B)は、図1(A
)の一点鎖線A1−A2間の断面図であり、図1(C)は、図1(A)の一点鎖線B1−
B2間の断面図である。なお、図1(A)では、明瞭化のため、トランジスタ100の構
成要素の一部(例えば、基板101、ゲート絶縁膜103、層間絶縁膜109など)を省
略している。
ート電極102を有する。また、基板101およびゲート電極102上に、ゲート絶縁膜
103が形成され、ゲート絶縁膜103を介して、ゲート電極102と重なる酸化物積層
膜104と、酸化物積層膜104に接するソース電極108aおよびドレイン電極108
bとを有する。また、ゲート絶縁膜103、酸化物積層膜104、およびソース電極10
8aおよびドレイン電極108b上には、層間絶縁膜109が形成される。層間絶縁膜1
09は、酸化物絶縁膜109aと酸化物絶縁膜109bとの積層構造である。また、層間
絶縁膜109上に層間絶縁膜111を有する。
体層105、酸化物層106を有する。また、酸化物半導体層105が主としてチャネル
として機能する。また、酸化物積層膜104に接するように、層間絶縁膜109が形成さ
れている。即ち、酸化物半導体層105と層間絶縁膜109との間に、酸化物層106が
設けられている。
−Zn酸化物(MはAl、Ga、Y、La、CeまたはNd)を用いることができる。
は、好ましくは、Inが50atomic%未満、Mが50atomic%以上、さらに
好ましくは、Inが25atomic%未満、Mが75atomic%以上とする。
、より好ましくは3eV以上である。このように、エネルギーギャップの広い酸化物半導
体を用いることで、トランジスタ100のオフ電流を低減することができる。
0nm以下、さらに好ましくは3nm以上50nm以下である。
酸化物であり、且つ酸化物半導体層105よりも伝導帯の下端のエネルギーが真空準位に
近く、代表的には、InもしくはGaを含む酸化物層106の伝導帯の下端のエネルギー
と、酸化物半導体層105の伝導帯の下端のエネルギーとの差が、0.05eV以上、0
.07eV以上、0.1eV以上、または0.15eV以上、且つ2eV以下、1eV以
下、0.5eV以下、または0.4eV以下である。
は、Inが25atomic%以上、Mが75atomic%未満、さらに好ましくは、
Inが34atomic%以上、Mが66atomic%未満とする。
物半導体層105と比較して、酸化物層106に含まれるMの原子数比が大きく、代表的
には、酸化物半導体層105に含まれる上記原子と比較して、1.5倍以上、好ましくは
2倍以上、さらに好ましくは3倍以上高い原子数比である。
物層106をIn:M:Zn=x1:y1:z1[原子数比]、酸化物半導体層105を
In:M:Zn=x2:y2:z2[原子数比]とすると、y1/x1がy2/x2より
も大きく、好ましくは、y1/x1がy2/x2よりも1.5倍以上である。さらに好ま
しくは、y1/x1がy2/x2よりも2倍以上大きく、より好ましくは、y1/x1が
y2/x2よりも3倍以上大きい。このとき、酸化物積層膜において、y2がx2以上で
あると、当該酸化物積層膜を用いたトランジスタに安定した電気特性を付与できるため好
ましい。ただし、y2がx2の3倍以上になると、当該酸化物積層膜を用いたトランジス
タの電界効果移動度が低下してしまうため、y2はx2の3倍未満であると好ましい。
原子数比のIn−Ga−Zn酸化物を用いることができる。また、酸化物層106として
In:Ga:Zn=1:3:2、1:6:4、または1:9:6の原子数比のIn−Ga
−Zn酸化物を用いることができる。なお、酸化物半導体層105および酸化物層106
の原子数比はそれぞれ、誤差として上記の原子数比のプラスマイナス20%の変動を含む
。
果移動度、しきい値電圧等)に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とす
るトランジスタの半導体特性を得るために、酸化物半導体層105のキャリア密度や不純
物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとする
ことが好ましい。
5へのダメージ緩和膜としても機能する。
ある。
、酸化物半導体層105において酸素欠損が増加し、n型化してしまう。そのため、酸化
物半導体層105の一部または全てにおけるシリコンや炭素の濃度、または酸化物層10
6と酸化物半導体層105との界面近傍のシリコンや炭素の濃度を、2×1018ato
ms/cm3以下、好ましくは2×1017atoms/cm3以下とする。
導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流の上昇の原因
となる。このため、酸化物半導体層105のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度
は、1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは2×1016atoms/
cm3以下であることが望ましい。
ように、層間絶縁膜109が形成されている。層間絶縁膜109は、酸化物絶縁膜109
aと、その上の酸化物絶縁膜109bとからなる。
9aは、後に形成する酸化物絶縁膜109bを形成する際の、酸化物積層膜104へのダ
メージ緩和膜としても機能する。
上50nm以下の酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。なお、本明
細書中において、酸化窒化シリコン膜とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が
多い膜を指し、窒化酸化シリコン膜とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多
い膜を指す。
定により、シリコンのダングリングボンドに由来するg=2.001に現れる信号のスピ
ン密度が3×1017spins/cm3以下であることが好ましい。これは、酸化物絶
縁膜109aに含まれる欠陥密度が多いと、当該欠陥に酸素が結合してしまい、酸化物絶
縁膜109aにおける酸素の透過量が減少してしまうためである。
が好ましく、代表的には、ESR測定により、酸化物積層膜104の欠陥に由来するg=
1.93に現れる信号のスピン密度が1×1017spins/cm3以下、さらには検
出下限以下であることが好ましい。
全て酸化物絶縁膜109aの外部に移動せず、酸化物絶縁膜109aにとどまる酸素もあ
る。また、酸化物絶縁膜109aに酸素が入るとともに、酸化物絶縁膜109aに含まれ
る酸素が酸化物絶縁膜109aの外部へ移動することで、酸化物絶縁膜109aにおいて
酸素の移動が生じる場合もある。
09a上に設けられる、酸化物絶縁膜109bから脱離する酸素を、酸化物絶縁膜109
aを介して酸化物積層膜104に移動させることができる。
縁膜109bは、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用
いて形成する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜は、加
熱により酸素の一部が脱離する。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸
化物絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法(TDS:Thermal Desorption
Spectroscopy)にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×101
8atoms/cm3以上、好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上である
酸化物絶縁膜である。
m以上400nm以下の、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を用いることができる。
定により、シリコンのダングリングボンドに由来するg=2.001に現れる信号のスピ
ン密度が1.5×1018spins/cm3未満、さらには1×1018spins/
cm3以下であることが好ましい。なお、酸化物絶縁膜109bは、酸化物絶縁膜109
aと比較して酸化物積層膜104から離れているため、酸化物絶縁膜109aより、欠陥
密度が多くともよい。
ここで、図1(B)の酸化物積層膜104近傍の一点破線C1−C2におけるエネルギー
バンド構造について、図3(A)を用いて説明し、トランジスタ100におけるキャリア
の流れについて、図3(B)および図3(C)を用いて説明する。
ギャップが3.15eVであるIn−Ga−Zn酸化物(In:Ga:Zn=1:1:1
)を用い、酸化物層106としてエネルギーギャップが3.5eVであるIn−Ga−Z
n酸化物(In:Ga:Zn=1:3:2)を用いる。
層106との界面近傍には混合領域が存在し、伝導帯の下端のエネルギーが連続的に変化
している。即ち、酸化物半導体層105と酸化物層106との界面近傍では、トラップ中
心や再結合中心のような欠陥準位を形成する不純物が存在しないまたは極めて少ないため
、障壁が無く緩やかに変化している。このような接合を本明細書においては連続接合と呼
ぶ。酸化物半導体層105と酸化物層106との間で酸素が相互的に移動することでこの
ようなバンド形状を形成する。仮に、積層された酸化物半導体層と酸化物層との間に不純
物が混在していると、エネルギーバンドの連続性が失われ、界面に、キャリアをトラップ
する欠陥準位が形成される場合がある。酸化物積層膜104において、酸化物半導体層1
05における伝導帯の下端のエネルギーが最も低いため、当該領域がチャネル形成領域と
して機能する。
膜装置(スパッタリング装置)を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層す
ることが必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、酸化物半導体層にと
って不純物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気
ポンプを用いて高真空排気(1×10−4Pa以上5×10−7Pa程度まで)すること
が好ましい。または、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチ
ャンバー内に気体、特に炭素または水素を含む気体が逆流しないようにしておくことが好
ましい。
うに、成膜時以外においても、チャンバーに少量の希ガス等の不活性ガスを導入すること
が好ましい。
らずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴ
ンガスは、露点が−40℃以下、好ましくは−80℃以下、より好ましくは−100℃以
下、より好ましくは−120℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体
層に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。また、チャンバーに近接
するように精製機を設けることで、スパッタガスは、該精製機で不純物が低減されると共
に、精製機からチャンバーへ移動する際における配管での汚染が少ない。この結果、高純
度化されたスパッタガスをチャンバーに導入できる。
ネルギー差(電子親和力ともいう)は、各層において真空準位と価電子帯上端のエネルギ
ー差(イオン化ポテンシャルともいう)からエネルギーギャップを引くことで求めること
ができる。エネルギーギャップは分光エリプソメータを用いて測定することができ、イオ
ン化ポテンシャルは紫外線光電子分光分析(UPS:Ultraviolet Phot
oelectron Spectroscopy)装置を用いて測定することができる。
および図3(C)を用いて説明する。なお、図3(B)および図3(C)において、酸化
物半導体層105を流れる電子の量を破線矢印の大きさで表す。
りトラップ準位120が形成される。そのため、例えば、図3(B)に示すように、トラ
ンジスタのチャネル形成領域が酸化物半導体層105の単層である場合、酸化物半導体層
105において、電子は主にゲート絶縁膜103側を流れるが、酸化物絶縁膜109a側
においても流れる。この結果、電子の一部がトラップ準位120に捕獲されてしまう。
導体層105と酸化物絶縁膜109aとの間に酸化物層106が設けられているため、酸
化物半導体層105とトラップ準位120との間に隔たりがある。この結果、電子がトラ
ップ準位120に捕獲されにくくなる。トラップ準位に電子が捕獲されると、捕獲された
電子がマイナスの固定電荷として機能する。この結果、トランジスタのしきい値電圧が変
動してしまう。しかしながら、酸化物半導体層105とトラップ準位120との間に隔た
りがあるため、トラップ準位120における電子の捕獲を低減することが可能であり、し
きい値電圧の変動を低減することができる。
ルギー差ΔE1が小さいと、電子がエネルギー差ΔE1を越え、トラップ準位120に捕
獲されてしまう。そのため、酸化物半導体層105と酸化物層106との伝導帯の下端の
エネルギー差ΔE1を0.1eV以上、好ましくは0.15eV以上とするとよい。
102と対向する面と反対側の面)側に、酸素を透過する酸化物絶縁膜109aを介して
、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜109b(図1(B
)参照。)が設けられている。そのため、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素
を含む酸化物絶縁膜109bから酸化物積層膜104に含まれる酸化物半導体層105に
酸素を移動させることが可能であり、酸化物半導体層105の酸素欠損を低減することが
できる。
4を設けることで、酸化物積層膜104における酸素欠損を低減することが可能である。
また、酸化物積層膜104上に、酸素を透過する酸化物絶縁膜109aを介して、化学量
論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁膜109b設けることでも、酸
素欠損を低減することが可能である。また、酸化物半導体層105と酸化物絶縁膜109
aの間に酸化物層106を設けることで、酸化物半導体層105または酸化物層106と
、酸化物半導体層105との界面近傍におけるシリコンや炭素の濃度を低減することがで
きる。
Photocurrent Method)で導出される吸収係数は、1×10−3/
cm未満、好ましくは1×10−4/cm未満となる。吸収係数は、酸素欠損および不純
物の混入に由来する局在準位に応じたエネルギー(波長により換算)と正の相関があるた
め、酸化物積層膜104における局在準位が極めて少ない。
クテールとよばれる吸収係数分を除くことにより、局在準位よる吸収係数を以下の式から
算出することができる。なお、アーバックテールとは、CPM測定によって得られた吸収
係数のカーブにおいて一定の傾きを有する領域をいい、当該傾きをアーバックエネルギー
という。
による吸収係数を表す。
104において、チャネル形成領域の欠陥が極めて少ないため、トランジスタの電気特性
を向上させることが可能である。また、ストレス試験の一例であるBTストレス試験およ
び光BTストレス試験によってしきい値電圧が変動しない、またはマイナス方向もしくは
プラス方向への変動量が1.0V以下、好ましくは0.5V以下であり、高い信頼性を得
ることができる。
以下に、トランジスタ100の具体的な構成要素について、図1を参照して説明する。
程度の耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板
、サファイア基板等を、基板101として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコン
などの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基
板、SOI基板等を適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられ
たものを、基板101として用いてもよい。
を形成してもよい。また、基板101とトランジスタ100の間に剥離層を設けてもよい
。剥離層上にトランジスタを含む半導体装置の一部または全部を作製した後、剥離層にお
いて基板101からトランジスタ等を分離し、他の基板に転載することができる。この剥
離による転載の方法を用いると、トランジスタ100を耐熱性の劣る基板や可撓性の基板
上に形成することができる。
グステン、ネオジム、ニオブ、スカンジウム、マンガン、ジルコニウムから選ばれた金属
材料、これらの金属材料の少なくとも一つを成分とする合金材料、これらの金属材料を複
数組み合わせた合金材料、またはこれらの材料の窒化物材料等を用いて形成することがで
きる。また、ゲート電極102は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例
えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にモリブデン膜を積
層する2層構造、ネオジムを含むアルミニウム膜上にモリブデン膜を積層する2層構造、
アルミニウム膜上にチタン膜を積層する2層構造、銅膜上にモリブデン膜を積層する2層
構造、モリブデンとチタンの合金膜上に銅膜を積層する2層構造、窒化チタン膜上にチタ
ン膜を積層する2層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する2層構造、窒化タ
ンタル膜上にタングステン膜を積層する2層構造、モリブデン膜とそのモリブデン膜上に
アルミニウム膜を積層しさらにその上にモリブデン膜を形成する3層構造、チタン膜とそ
のチタン膜上にアルミニウム膜を積層しさらにその上にチタン膜を形成する3層構造等が
ある。
酸化物膜、In酸化物膜、Zn酸化物膜、およびSn酸化物膜などの酸化物膜を用いれば
よい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量に添加されていてもよ
い。また、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm〜30nm程度)を用いる
こともできる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合金膜を用
いてもよい。また、グラフェンを用いてもよい。また、上記透光性を有する導電性材料と
上記金属材料との積層構造とすることもできる。
体膜、In−Sn酸窒化物半導体膜、In−Ga酸窒化物半導体膜、In−Zn酸窒化物
半導体膜、Sn酸窒化物半導体膜、In酸窒化物半導体膜、金属窒化膜(InN、ZnN
等)等を設けてもよい。これらの膜は5eV以上、好ましくは5.5eV以上の仕事関数
を有し、酸化物半導体の電子親和力よりも大きい値であるため、酸化物半導体を用いたト
ランジスタのしきい値電圧をプラスにシフトすることができ、所謂ノーマリーオフ特性の
スイッチング素子を実現することができる。例えば、In−Ga−Zn酸窒化物半導体膜
を用いる場合、少なくとも酸化物半導体層105より高い窒素濃度、具体的には7原子%
以上のIn−Ga−Zn酸窒化物半導体膜を用いる。
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたはGa−Zn金属酸
化物などを用いればよく、単層または積層構造とすることができる。
ゲート絶縁膜103に加熱により酸素が脱離する膜を用いることで、酸化物積層膜104
およびゲート絶縁膜103の界面における界面準位を低減することが可能であり、電気特
性の劣化の少ないトランジスタを得ることができる。
けることで、酸化物積層膜104からの酸素の外部への拡散と、外部から酸化物積層膜1
04への水素、水等の混入を防ぐことができる。酸素、水素、水等のブロッキング効果を
有する絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化
アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリ
ウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
加熱により酸素が脱離する酸化絶縁膜を設け、ゲート電極102に近い側に酸素、水素、
水等のブロッキング効果を有する絶縁膜を設けることが特に好ましい。
されたハフニウムシリケート(HfSixOyNz)、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート(HfAlxOyNz)、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのhigh−
k材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減することができる。
0nm以下、より好ましくは50nm以上250nm以下とするとよい。
ロッキング効果を有する層間絶縁膜111を設けることで、酸化物積層膜104からの酸
素の外部への拡散と、外部から酸化物積層膜104への水素、水等の混入を防ぐことがで
きる。
極108bは、低抵抗な金属材料を用いるとよい。特に、大面積の表示を行う表示モジュ
ールを製造する場合、配線の抵抗による信号の遅延問題が顕著になってくる。従って、配
線や電極の材料としては、電気抵抗値の低い金属材料を用いることが望ましい。
bと、酸化物積層膜104とが接する構造とすると、コンタクト抵抗が高くなるおそれが
ある。コンタクト抵抗が高くなる要因として、ソース電極108aおよびドレイン電極1
08bと、酸化物積層膜104との接触面でショットキー接合が形成されることが考えら
れる。また、ソース電極108aおよびドレイン電極108bと、酸化物積層膜104と
が直接接する部分には容量が形成され、周波数特性(f特性ともよばれる)が低くなる。
そのため、トランジスタ100の高速動作が妨げられるおそれがある。
108bと、酸化物積層膜104とが直接接する部分にn+領域110を設けることが好
ましい。
、タングステン、チタン、アルミニウム、銅、モリブデン、クロムもしくはタンタル、ま
たは少なくともこれらの一つを成分とする合金等の、酸素と結合のしやすい導電材料を用
いる。これらの材料を用いることで、ソース電極108aおよびドレイン電極108bに
接する酸化物積層膜104に含まれる酸素と、ソース電極108aおよびドレイン電極1
08bに含まれる導電材料とが結合し、酸化物積層膜104中に酸素欠損を含む領域が形
成される。この領域がn+領域110として機能するため、ソース電極108aおよびド
レイン電極108bと酸化物積層膜104とのコンタクト抵抗を低減するとともに、容量
の形成を防止することができる。
損を含む領域を形成するということである。このような酸化物積層膜104中のn+領域
110は、ソース電極108aおよびドレイン電極108bを作製するための導電材料か
らなる膜の成膜時、および酸化物積層膜104の熱処理時に主として形成される。
される酸化物積層膜104中のn+領域110は、例えば、ソース電極108aおよびド
レイン電極108bを構成する導電材料中へ酸化物積層膜104中の酸素が引き抜かれ、
Inが還元されることで形成される。または、ソース電極108aおよびドレイン電極1
08bを構成する導電材料が酸化物積層膜104中に拡散することによっても、酸化物積
層膜104中にn+領域110が形成される。これらの場合、n+領域は、ソース電極1
08aおよびドレイン電極108bと接する部分近傍の酸化物積層膜104に形成される
ため、チャネル形成領域のn型化は免れうる。
場合、ソース電極108aおよびドレイン電極108bの作製のために酸化物積層膜10
4上にタングステン膜をスパッタリング法により成膜した段階で、タングステン膜が成膜
された酸化物積層膜104の上面全域が損傷する。これは、タングステンの成膜時におけ
るプラズマによるダメージや、タングステン原子または分子の衝突によるダメージに起因
すると考えられる。
の結合が分断されて、酸素欠損が形成された領域である。従って、酸化物積層膜104の
上面近傍は一様にn型化されるため、形成されたタングステン膜を加工してソース電極1
08aおよびドレイン電極108bを作製した場合に、ソース電極108aおよびドレイ
ン電極108bと接する酸化物積層膜104の部分においては、n+領域110として当
該領域を用いることができるために都合がよい。
とドレイン電極108bとの間のバックチャネル側に設けられる凹部112(図6(B)
、(C)参照。)においてもn型化される。そのため、トランジスタ100のノーマリオ
ン化、リーク電流の増大、ストレス印加によるしきい値電圧のシフト等、トランジスタ1
00の電気特性についての不良が誘発される。
要がある。そのために、凹部112の酸化物積層膜104の上面に接して上述した酸素を
透過する酸化物絶縁膜109aを設け、その上に過剰な酸素を有する酸化物絶縁膜109
bを設け、熱処理を行うことにより、酸化物積層膜104中に過剰酸素(exO)を補填
して酸素欠損を低減し凹部112における酸化物積層膜104をi型化するなどの工程が
必要となる。
ても、十分にi型化されないおそれがある。
酸化物積層膜104をi型とするトランジスタの作製方法について、以下に説明する。
[3.1.ゲート電極およびゲート絶縁膜の形成]
トランジスタ100の作製方法について、図5および図6を用いて説明する。本作製方法
においては、トランジスタ100のソース電極108aおよびドレイン電極108bの導
電材料にチタンを用いる場合について説明する。
上にゲート絶縁膜103を形成する。ここでは、基板101としてガラス基板を用いる。
導電膜を形成し、導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストマスクを形成
する。次に、該フォトレジストマスクを用いて導電膜の一部をエッチングして、ゲート電
極102を形成する。この後、フォトレジストマスクを除去する。
ット法等で形成してもよい。
フォトリソグラフィ工程によりフォトレジストマスクを形成し、当該フォトレジストマス
クを用いてタングステン膜をドライエッチングして、ゲート電極102を形成する。
ン膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を
用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体としては、例えばシラン、ジシラン、
トリシラン、フッ化シラン等を用いることができる。酸化性気体としては、例えば酸素、
オゾン、一酸化二窒素、二酸化窒素等を用いることができる。
いることが好ましい。はじめに、シラン、窒素、およびアンモニアの混合ガスを原料ガス
として用いたプラズマCVD法により、欠陥の少ない第1の窒化シリコン膜を形成する。
次に、原料ガスを、シランおよび窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ
水素をブロッキングすることが可能な第2の窒化シリコン膜を成膜する。このような形成
方法により、ゲート絶縁膜103として、欠陥が少なく、且つ水素ブロッキング性を有す
る窒化シリコン膜を形成することができる。
tal Organic Chemical Vapor Deposition)法を
用いて形成することができる。
次に、図5(B)に示すように、ゲート絶縁膜103上に酸化物積層膜104を形成する
。ここでは、酸化物積層膜104は、下層の酸化物半導体層105と上層の酸化物層10
6とにより構成される2層構造である。ただし、酸化物積層膜104は2層構造に限られ
ず、三層以上の積層構造であってもよく、また酸化物半導体層105の単層構造であって
もよい。
106とをスパッタリング法等により、連続的に成膜する。次に、酸化物積層膜104上
にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストマスクを形成した後、該フォトレジスト
マスクを用いて酸化物半導体層105、および酸化物層106のそれぞれ一部をエッチン
グする。これにより、図5(C)に示すように、ゲート絶縁膜103上であって、ゲート
電極102の一部と重畳するように素子分離された酸化物半導体層105と酸化物層10
6とが積層した所定の形状の酸化物積層膜104が形成される。酸化物積層膜のエッチン
グには、例えばメタン(CH4)とアルゴン(Ar)との混合ガスを用いたドライエッチ
ング法を用いることができる。または、リン酸と硝酸と酢酸との混合液等を用いたウェッ
トエッチング法を用いてもよい。また、この後、フォトレジストマスクを除去する。
リング法の他、塗布法、パルスレーザ蒸着法、レーザブレーション法等を用いて形成する
ことができるが、特にスパッタリング法を用いることが好ましい。
を発生させるための電源装置には、RF電源装置、AC電源装置、DC電源装置等を適宜
用いることができる。ただし、酸化物半導体層105または酸化物層106として後述す
るCAAC−OS層を用いる場合には、特にDC電源を用いることが好ましい。
合ガス雰囲気を適宜用いる。希ガスおよび酸素の混合ガス雰囲気を用いる場合には、希ガ
スに対して酸素のガス比を高めることが好ましい。
組成にあわせて、適宜選択すればよい。
ここで、酸化物半導体層および酸化物層について詳説する。酸化物積層膜104を構成す
る酸化物半導体層105と酸化物層106とは、少なくともインジウム(In)を含み、
スパッタリング法、好ましくはDCスパッタリング法で成膜することのできるスパッタリ
ングターゲットを用いて成膜することができる。スパッタリングターゲットにインジウム
を含ませることで導電性が高まるため、DCスパッタリング法で成膜することを容易なも
のとする。
、Zr、Sn、La、CeまたはHf等の金属)で表記される材料を用いる。Mとしては
、Gaを用いることが好ましい。
比が少なく、Mの原子数比が多い材料を用いる。酸化物層中のインジウムやガリウムなど
の含有量は、飛行時間型二次イオン質量分析法(TOF−SIMS)や、X線電子分光法
(XPS)で比較することができる。
よい。非単結晶酸化物半導体層は、非晶質酸化物半導体層、微結晶酸化物半導体層、多結
晶酸化物半導体層、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystall
ine Oxide Semiconductor)層などである。ただし、酸化物層1
06または酸化物半導体層105は、単結晶酸化物半導体層であってもよい。
非晶質酸化物半導体の混合層であってもよい。混合層は、例えば、非晶質酸化物半導体の
領域と、微結晶酸化物半導体の領域と、CAAC−OSの領域と、を有する。また、混合
層は、例えば、非晶質酸化物半導体の領域と、微結晶酸化物半導体の領域と、CAAC−
OSの領域と、の積層構造を有してもよい。
は、非晶質酸化物半導体層は、例えば、完全な非晶質であり、結晶部を有さない。
ともいう。)を層中に含む。なお、微結晶酸化物半導体層は、非晶質酸化物半導体層より
も欠陥準位密度が低い。
面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に結晶のc軸が配向し、a軸お
よびb軸は揃っていない。なお、CAAC−OS層は、非晶質酸化物半導体層および微結
晶酸化物半導体層よりも欠陥準位密度が低い。
平行な方向に結晶のc軸が配向し、a軸およびb軸は揃っていない。一方、CAAC−O
S層に含まれる一つの結晶部内では、ab面に垂直な方向から見て金属原子が三角形状ま
たは六角形状に配列し、c軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または金属原子と酸素
原子とが層状に配列している。なお、本明細書において、単に垂直と記載する場合、80
°以上100°以下、好ましくは85°以上95°以下の範囲も含まれることとする。ま
た、単に平行と記載する場合、−10°以上10°以下、好ましくは−5°以上5°以下
の範囲も含まれることとする。
であることが多い。また、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission El
ectron Microscope)による観察像では、CAAC−OS層に含まれる
結晶部と結晶部との境界は明確ではない。また、CAAC−OS層は、明確な粒界(グレ
インバウンダリーともいう。)がTEMによって確認できない。そのため、CAAC−O
S層は、粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくい。
C−OS層の形成過程において、酸化物半導体層の表面側から結晶成長させる場合、被形
成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、CA
AC−OS層へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部の結晶
性が低下することもある。
形成される領域のCAAC−OS層の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトル
に平行な方向になるように揃う。そのため、結晶のc軸は、CAAC−OS層の形状によ
って様々な方向を向く場合がある。つまり、CAAC−OS層の形状(被形成面の断面形
状または表面の断面形状)によっては、複数の結晶部における結晶のc軸は、互いに異な
る方向を向くことがある。
加熱処理などの結晶化処理を行ったときに形成される。従って、結晶部のc軸は、CAA
C−OS層が形成されたときの被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行
な方向になるように揃う。例えば、結晶部の形成後に、エッチングなどによってCAAC
−OS層の形状を変化させた場合、形状を変化させた後のCAAC−OS層の表面の法線
ベクトルと、結晶のc軸の方向とが平行にならない場合がある。
X−Ray Diffraction)装置を用い、out−of−plane法による
分析を行うと、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れる
場合がある。2θが36°近傍のピークは、CAAC−OS膜中の一部に、c軸配向性を
有さない結晶が含まれることを示している。CAAC−OS膜は、2θが31°近傍にピ
ークを示し、2θが36°近傍にピークを示さないことが好ましい。
用い、c軸に垂直な方向からX線を入射させるin−plane法による分析を行うと、
2θが56°近傍のピークが現れる場合がある。2θが56°近傍のピークは、InGa
ZnO4の結晶の(110)面を示す。ここで、2θを56°近傍で固定し、表面の法線
ベクトルを軸(φ軸)として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行うと、a軸お
よびb軸の向きが揃っている単結晶酸化物半導体層の場合は、(110)面と等価な面を
示す6つのピークが現れるが、CAAC−OS層の場合は明瞭なピークが現れない。
が小さい。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
導体層の結晶性を低下させることがある。上述したように酸化物積層膜104において、
少なくとも酸化物半導体層105は、CAAC−OS膜とすることが好ましいため、酸化
物半導体層105のシリコン濃度および炭素濃度を低減することが好ましい。具体的には
、酸化物半導体層105の一部または全てのシリコン濃度を1×1019atoms/c
m3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×10
18atoms/cm3未満とすればよい。また、酸化物半導体層105の一部または全
ての炭素濃度を1×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atom
s/cm3未満、さらに好ましくは1×1018atoms/cm3未満とすればよい。
し、結晶部を有する酸化物半導体層105上に酸化物層106を成膜すると、酸化物層1
06も結晶構造を有する膜になりやすく、その場合には、酸化物半導体層105と酸化物
層106の境界を断面TEM(TEM:Transmission Electron
Microscope)観察では判別することが困難となる場合もある。ただし、酸化物
層106の結晶性は酸化物半導体層105よりも低いため、結晶性の程度で境界を判別す
ることができるといえる。
CAAC−OS層を形成するために、以下の条件を適用することが好ましい。
度を100℃以上740℃以下、好ましくは200℃以上500℃以下、さらに好ましく
は150℃以上450℃以下として酸化物半導体層を成膜することによりCAAC−OS
層を形成することができる。
酸化物半導体の結晶状態の崩壊を抑制することができる。例えば、スパッタリング装置の
成膜室内に存在する不純物(水素、水、二酸化炭素、および窒素など)を低減することが
好ましい。また、成膜ガス中の不純物を低減することが好ましい。例えば、成膜ガスとし
て露点が−80℃以下、さらには−100℃以下である成膜ガスを用いることが好ましい
。
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100体
積%とする。
以上740℃以下、好ましくは200℃以上500℃以下とする。また、加熱処理の時間
は1分以上24時間以下、好ましくは6分以上4時間以下とする。また、加熱処理は、不
活性雰囲気または酸化性雰囲気で行えばよい。好ましくは、不活性雰囲気で加熱処理を行
った後、酸化性雰囲気で加熱処理を行う。不活性雰囲気での加熱処理により、CAAC−
OS層の不純物濃度を短時間で低減することができる。一方、不活性雰囲気での加熱処理
によりCAAC−OS層に酸素欠損が生成されることがある。その場合、酸化性雰囲気で
の加熱処理によって該酸素欠損を低減することができる。また、加熱処理を行うことで、
CAAC−OS層の結晶性をさらに高めることができる。なお、加熱処理は1000Pa
以下、100Pa以下、10Pa以下または1Pa以下の減圧下で行ってもよい。減圧下
では、CAAC−OS層の不純物濃度をさらに短時間で低減することができる。
Secondary Ion Mass Spectrometry)において、2×1
020atoms/cm3以下、好ましくは5×1019atoms/cm3以下、より
好ましくは1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1018ato
ms/cm3以下とすることができる。
019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より
好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017ato
ms/cm3以下とすることができる。
019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より
好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017ato
ms/cm3以下とすることができる。
×1019atoms/cm3未満、好ましくは5×1018atoms/cm3以下、
より好ましくは1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは5×1017a
toms/cm3以下とすることができる。
mal Desorption Spectroscopy)分析によるm/zが2(水
素分子など)である気体分子(原子)、m/zが18である気体分子(原子)、m/zが
28である気体分子(原子)およびm/zが44である気体分子(原子)の放出量が、そ
れぞれ1×1019個/cm3以下、好ましくは1×1018個/cm3以下とすること
ができる。
素は不純物となる。酸化物積層膜104中の不純物濃度を低減するためには、近接するゲ
ート絶縁膜103および層間絶縁膜109中の不純物濃度も低減することが好ましい。例
えば、層間絶縁膜109中でシリコンは、不純物準位を形成してしまう。また、該不純物
準位がトラップとなり、トランジスタの電気特性を劣化させることがある。
電流(ここでは、オフ状態のとき、例えばソース電位を基準としたときのゲート電位との
電位差がしきい値電圧以下のときのドレイン電流とする)を十分に低くすることが可能で
ある。高純度化された酸化物半導体層を用いたトランジスタで、チャネル長が10μm、
酸化物膜の膜厚が30nm、ドレイン電圧が1V以上10V程度の範囲である場合、オフ
電流を、1×10−13A以下とすることが可能である。またチャネル幅あたりのオフ電
流(オフ電流をトランジスタのチャネル幅で除した値)を1×10−23A/μm(10
yA/μm)から1×10−22A/μm(100yA/μm)程度とすることが可能で
ある。
、酸化物積層膜104における酸化物半導体層105や酸化物層106として好適に用い
ることができる。
うことが好ましい。例えば、脱水や脱水素のために、窒素雰囲気で450℃1時間の熱処
理を行うとよい。
で450℃1時間などの熱処理をさらに行うとよい。
次に、酸化物積層膜104上にソース電極およびドレイン電極を形成する。
07を形成する。次に、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりフォトレジストマス
クを形成する。次に、該フォトレジストマスクを用いて導電膜107をエッチングして、
ソース電極108aおよびドレイン電極108bを形成する。この後、フォトレジストマ
スクを除去する。以上により、図5(E)に示すソース電極108aおよびドレイン電極
108bが形成される。
8bを単層として図示しているが、これらは導電性材料の積層構造を用いることができる
。ただし、ここでは酸化物積層膜104と接する導電性材料にチタンを用いる。従って、
ソース電極108aおよびドレイン電極108bが単層構造の場合には、チタンの単層膜
であり、複数の導電性材料が積層された積層構造の場合には、酸化物積層膜104と接す
る電極の最下層がチタンを含む層で構成される。
ず、不純物程度の他の元素を含有するチタンであってもよく、後述するチタンの特性を発
現できる範囲においては、他の元素を主成分程度(例えば1重量%以上)に含有するチタ
ンであってもよい。従って、導電材料としてのチタンは、他の金属との合金や窒化物等の
化合物であってもよい。
以上の積層構造を用いる場合には、二層目以上の積層にはアルミニウム、チタン、クロム
、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタン
グステン等の単体金属、またはこれを主成分とする合金、窒化物を単層構造または積層構
造として用いことができる。具体的には、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する2層構
造、チタン膜上にアルミニウム膜と該アルミニウム膜上にチタン膜とを積層する3層構造
、チタン膜上にアルミニウムとネオジムの合金膜と該アルミニウムとネオジムの合金膜上
にチタン膜とを積層する3層構造、チタン膜上に窒化チタン膜と該窒化チタン膜上にアル
ミニウム膜と該アルミニウム膜上にチタン膜とを積層する4層構造等を用いることができ
る。
、アルミニウム膜、チタン膜の順に積層された4層構造を用いた場合には、窒化チタン膜
を挿入することにより一層目のチタン膜の膜厚を薄膜化することができるため、後述する
n+領域の伸張を抑制または制御することができるため、トランジスタの実効的なチャネ
ル長を制御する点で好ましい。
化物膜、In−Sn酸化物膜、In−Zn酸化物膜、In酸化物膜、Zn酸化物膜、およ
びSn酸化物膜などの酸化物膜との積層を用いればよい。また、前述の酸化物膜は、Al
、Ga、Sb、Fなどが微量に添加されていてもよい。また、光を透過する程度の金属薄
膜(好ましくは、5nm以上30nm程度)を用いることもできる。例えば5nmの膜厚
を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合金膜を用いてもよい。また、グラフェンを用
いてもよい。
さ100nmのチタン膜を順にスパッタリング法により積層する(図5(D)においては
、単層の導電膜107として記載)。次に、導電膜107上にフォトリソグラフィ工程に
よりフォトレジストマスクを形成し、当該フォトレジストマスクを用いてチタン膜、アル
ミニウム膜、およびチタン膜をドライエッチングして、ソース電極108aおよびドレイ
ン電極108bを形成する(図5(E)参照)。
有する場合には、その最下層に例えばタングステン膜を用いた場合)、成膜時の酸化物積
層膜104へのダメージにより、酸素欠損が生じる。そのため、実施例において説明する
シート抵抗の測定からも明らかなように、酸化物積層膜104のシート抵抗が減少し、即
ち酸化物積層膜104がn型化してしまうおそれがある。従って、ソース電極108aお
よびドレイン電極108b直下の酸化物積層膜104に限らず、バックチャネル側におい
ても酸化物積層膜104がn型化するため、トランジスタのノーマリオン化などの特性不
良を招く。
は、その最下層にチタン膜を用いた場合)、同様にスパッタリング法により成膜したにも
関わらず、後述するようにチタン膜の下の酸化物積層膜104のシート抵抗は低下しない
場合がある。
中における酸素欠損はほとんど生じない可能性がある。従って、特にバックチャネル側で
は酸化物積層膜104の形成時のi型を維持することができ、その結果、良好なトランジ
スタ特性を得ることができる。
aおよびドレイン電極108bの加工のためのエッチング前に熱処理は行わない。例えば
350℃程度の熱処理を行うことで、後述するように導電膜107へ酸素が引き抜かれ、
酸化物積層膜104のn型化が進むため、導電膜107の除去前においてはバックチャネ
ル側においてもn型化してしまうためである。
グには、ウェットエッチング法またはドライエッチング法を用いることができる。
水素酸、フッ化水素酸と硝酸との混合液、フッ化アンモニウム、フッ化アンモニウムと硝
酸との混合液、BHF(バッファードフッ化水素酸)等を用いることができる。また、チ
タンの他、他の金属材料としてアルミニウムやニオブを含有したアルミニウムを用いる場
合には、リン酸と硝酸と酢酸との混合液等を用いることができる。また、モリブデンやモ
リブデンとタングステンとの合金を用いる場合には、リン酸と硝酸と酢酸との混合液等を
用いることができる。また、タンタルを用いる場合には、フッ化水素酸、フッ化水素酸と
硝酸との混合液、フッ化アンモニウム、フッ化アンモニウムと硝酸との混合液、BHF(
バッファードフッ化水素酸)等を用いることができる。また、銅や銅とその他の元素との
合金を用いる場合には、塩化第二銅(または塩化第二鉄)と塩酸(または硝酸)との混合
液、リン酸と硝酸と酢酸との混合液等を用いることができる。また、クロムを用いる場合
には、硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸(または硝酸)との混合液等を用いるこ
とができる。なお、導電膜107のウェットエッチングで用いるエッチャントは上記の溶
液に限られない。また、導電膜107が積層構造の場合には、それぞれの層ごとに適当な
エッチャントを選択してエッチングしてもよく、同一のエッチャントを選択して二層以上
の積層を一度にエッチングしてもよい。
(Reactive Ion Etching)法や、ICP(Inductively
Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用いることがで
きる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件(コイル型の電極に印
加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節す
る。エッチングガスとしては、塩素を含むガス、例えば、塩素(Cl2)、三塩化ホウ素
(BCl3)、四塩化シリコン(SiCl4)、四塩化炭素(CCl4)などを含むガス
を用いることができる。また、ハロゲンを含むガスとして、フッ素を含むガス、例えば、
四フッ化炭素(CF4)、六フッ化硫黄(SF6)、三フッ化窒素(NF3)、トリフル
オロメタン(CHF3)、オクタフルオロシクロブタン(C4F8)などを含むガスを用
いることができる。また、これらのガスにヘリウム(He)やアルゴン(Ar)などの希
ガスを添加したガス、などを用いることができる。これらのガスを、導電膜107の材料
にあわせて適宜選択すればよい。
物積層膜104の上面を部分的に除去してもよい。酸化物積層膜104の上面の部分的な
除去は、導電膜107のエッチングと同時にまたは異なるタイミングで行うことができる
。導電膜107のエッチングと同時に行う場合には、導電膜107のエッチングに用いた
エッチャントまたはエッチングガスを用いて酸化物積層膜104の上面を部分的に除去す
ることができ、作製工程を短縮化することができる。
件と酸化物積層膜104を構成する酸化物半導体層105および酸化物層106の材料に
よって適宜調整することができる。または、例えば酸化物半導体層105と酸化物層10
6との間にエッチングストッパーとして機能するエッチングレートの遅い酸化物層を別途
設けることにより、バックチャネル側における酸化物層106を完全に除去する構成とす
ることもできる。本構成については、後に詳説する。
の電気的な短絡の防止の他、ソース電極およびドレイン電極のエッチングにより発生する
残渣物により、ソース電極とドレイン電極との間が電気的に短絡することを抑制すること
ができる。
ネル側における酸化物積層膜104の表面を、例えばTMAH(Tetramethyl
ammonium Hydroxide)溶液などのアルカリ性の溶液、希フッ化水素酸
、シュウ酸、リン酸などの酸性の溶液等により洗浄することが好ましい。これにより、ソ
ース電極108aおよびドレイン電極108bの間に流れるリーク電流の発生を抑制する
ことができる。
20℃等の温度による真空熱処理やN2Oを用いたプラズマ処理を行い、露出したバック
チャネル側における酸化物積層膜104の表面の不純物を除去することが好ましい。
その後、酸化物積層膜104およびソース電極108aおよびドレイン電極108b上に
、酸化物絶縁膜109aを形成する。次に、酸化物絶縁膜109a上に酸化物絶縁膜10
9bを形成する(図6(A)参照)。
109bを形成することが好ましい。酸化物絶縁膜109aを形成した後、大気開放せず
、原料ガスの流量、圧力、高周波電力および基板温度の一以上を調整して、酸化物絶縁膜
109bを連続的に形成することで、酸化物絶縁膜109aおよび酸化物絶縁膜109b
における界面の大気成分由来の不純物濃度を低減することができるとともに、酸化物絶縁
膜109bに含まれる酸素を酸化物積層膜104に移動させることが可能であり、酸化物
積層膜104の酸素欠損量を低減することができる。
れた基板を180℃以上400℃以下、さらに好ましくは200℃以上370℃以下に保
持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を20Pa以上250Pa以下
、さらに好ましくは100Pa以上250Pa以下とし、処理室内に設けられる電極に高
周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を形成するこ
とができる。
を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラ
ン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二
窒素、二酸化窒素等がある。
膜を形成することができる。なお、処理室の圧力を100Pa以上250Pa以下とする
ことで、酸化物絶縁膜109aに含まれる水の含有量が少なくなるため、トランジスタ1
00の電気特性のばらつきを低減するとともに、しきい値電圧の変動を抑制することがで
きる。また、処理室の圧力を100Pa以上250Pa以下とすることで、酸化物絶縁膜
109aを成膜する際に、酸化物積層膜104へのダメージを低減することが可能であり
、酸化物積層膜104に含まれる酸素欠損量を低減することができる。また、酸化物絶縁
膜109aまたは後に形成される酸化物絶縁膜109bの成膜温度を高くする、例えば2
20℃より高い温度とすることで、酸化物積層膜104に含まれる酸素の一部が脱離し、
酸素欠損が形成されてしまう。また、トランジスタの信頼性を高めるため、後に形成する
酸化物絶縁膜109bの欠陥量を低減するための成膜条件を用いると、酸素脱離量が低減
してしまう。これらの結果、酸化物積層膜104の酸素欠損を補填することが困難となる
。しかしながら、処理室の圧力を100Pa以上250Pa以下とし、酸化物絶縁膜10
9aの成膜時における酸化物積層膜104へのダメージを低減することで、少ない酸素脱
離量で酸化物積層膜104の酸素欠損を低減することが可能である。
化物絶縁膜109aに含まれる水素含有量を低減することが可能である。この結果、酸化
物積層膜104に混入する水素量を低減できるため、トランジスタのしきい値電圧のシフ
トを抑制することができる。
置された基板を300℃以上400℃以下、さらに好ましくは320℃以上370℃以下
に保持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250P
a以下とし、処理室内に設けられる電極に高周波電力を供給する条件により、酸化シリコ
ン膜または酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
結合力が強くなる。この結果、酸化物絶縁膜109aとして、酸素が透過し、緻密であり
、かつ硬い酸化物絶縁膜、例えば25℃において0.5重量%のフッ化水素酸に対するエ
ッチング速度が10nm/分以下、好ましくは8nm/分以下である酸化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜を形成することができる。
れた基板を180℃以上260℃以下、さらに好ましくは200℃以上240℃以下に保
持し、処理室に原料ガスを導入して処理室内における圧力を100Pa以上250Pa以
下、さらに好ましくは100Pa以上200Pa以下とし、処理室内に設けられる電極に
0.17W/cm2以上0.5W/cm2以下、さらに好ましくは0.25W/cm2以
上0.35W/cm2以下の高周波電力を供給する条件により、酸化シリコン膜または酸
化窒化シリコン膜を形成する。
を用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラ
ン、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二
窒素、二酸化窒素等がある。
周波電力を供給することで、プラズマ中で原料ガスの分解効率が高まり、酸素ラジカルが
増加し、原料ガスの酸化が進むため、酸化物絶縁膜109b中における酸素含有量が化学
量論的組成よりも多くなる。しかしながら、基板温度が上記温度であると、シリコンと酸
素の結合力が弱いため、加熱により酸素の一部が脱離する。この結果、化学量論的組成を
満たす酸素よりも多くの酸素を含み、加熱により酸素の一部が脱離する酸化物絶縁膜10
9bを形成することができる。また、酸化物絶縁膜109bの成膜時において、酸化物積
層膜104上の酸化物絶縁膜109aは酸化物絶縁膜109bの保護膜として機能し、酸
化物半導体層105上の酸化物層106は、酸化物半導体層105の保護膜として機能す
る。これらの結果、チャネルが主として形成される酸化物半導体層105へのダメージを
低減しつつ、パワー密度の高い高周波電力を用いて酸化物絶縁膜109bを形成すること
ができる。
積性気体の流量を増加することで、酸化物絶縁膜109bの欠陥量を低減することが可能
である。代表的には、ESR測定により、シリコンのダングリングボンドに由来するg=
2.001に現れる信号のスピン密度が6×1017spins/cm3未満、好ましく
は3×1017spins/cm3以下、好ましくは1.5×1017spins/cm
3以下である欠陥量の少ない酸化物絶縁膜を形成することができる。この結果トランジス
タの信頼性を高めることができる。
0℃以下、好ましくは200℃以上450℃以下、さらに好ましくは300℃以上450
℃以下とする。
、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処理を行うことができる。そのため加熱処
理時間を短縮することができる。
m以下、好ましくは10ppb以下の空気)、または希ガス(アルゴン、ヘリウム等)の
雰囲気下で行えばよい。なお、上記窒素、酸素、超乾燥空気、または希ガスに水素、水等
が含まれないことが好ましい。
に移動させ、酸化物積層膜104に含まれる酸素欠損を補填することが可能である。この
結果、酸化物積層膜104に含まれる酸素欠損の量を低減することができる。
もに、ソース電極108aおよびドレイン電極108bと酸化物積層膜104とが接する
部分において、酸化物積層膜104中にn+領域110を形成する(図6(B)および(
C)参照)。
たトランジスタは、酸化物積層膜104の酸素欠損が低減されているため、DOSが少な
く、安定した電気特性を有する。
104に接する部分の導電性材料がチタンである場合について説明したが、これに限られ
ず、その他の金属材料、合金材料等の導電性材料を用いてもよい。例えば、チタンの代わ
りにタングステンを用いることができる。タングステンを用いた場合には、チタンに比べ
て成膜時の酸化物積層膜104へのダメージが大きくn+領域が形成されやすいが、この
場合であっても後に酸素イオンの注入や、層間絶縁膜からの酸素の供給によって、酸素欠
損を低減させることができる。
D法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱CVD(Chemical
Vapor Deposition)法により形成してもよい。熱CVD法の例としてM
OCVD法やALD(Atomic Layer Deposition)法を使っても
良い。
されることが無いという利点を有する。
たは減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
ってもよい。
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。
例えば、それぞれのスイッチングバルブ(高速バルブとも呼ぶ)を切り替えて2種類以上
の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第1の原
料ガスと同時またはその後に不活性ガス(アルゴン、或いは窒素など)などを導入し、第
2の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキ
ャリアガスとなり、また、第2の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよ
い。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第1の原料ガスを排出した後
、第2の原料ガスを導入してもよい。第1の原料ガスが基板の表面に吸着して第1の層を
成膜し、後から導入される第2の原料ガスと反応して、第2の層が第1の層上に積層され
て薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返
すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順
序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微
細なFETを作製する場合に適している。
金属膜、半導体膜、無機絶縁膜など様々な膜を形成することができ、例えば、In−Ga
−Zn−O膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム、トリメチルガリウム、及びジ
メチル亜鉛を用いる。なお、トリメチルインジウムの化学式は、In(CH3)3である
。また、トリメチルガリウムの化学式は、Ga(CH3)3である。また、ジメチル亜鉛
の化学式は、Zn(CH3)2である。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメ
チルガリウムに代えてトリエチルガリウム(化学式Ga(C2H5)3)を用いることも
でき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛(化学式Zn(C2H5)2)を用いることも
できる。
ハフニウム前駆体化合物を含む液体(ハフニウムアルコキシド溶液、代表的にはテトラキ
スジメチルアミドハフニウム(TDMAH))を気化させた原料ガスと、酸化剤としてオ
ゾン(O3)の2種類のガスを用いる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化
学式はHf[N(CH3)2]4である。また、他の材料液としては、テトラキス(エチ
ルメチルアミド)ハフニウムなどがある。
とアルミニウム前駆体化合物を含む液体(トリメチルアルミニウム(TMA)など)を気
化させた原料ガスと、酸化剤としてH2Oの2種類のガスを用いる。なお、トリメチルア
ルミニウムの化学式はAl(CH3)3である。また、他の材料液としては、トリス(ジ
メチルアミド)アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス(2,
2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナート)などがある。
ロロジシランを被成膜面に吸着させ、吸着物に含まれる塩素を除去し、酸化性ガス(O2
、一酸化二窒素)のラジカルを供給して吸着物と反応させる。
スとB2H6ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、WF6
ガスとH2ガスを同時に導入してタングステン膜を形成する。なお、B2H6ガスに代え
てSiH4ガスを用いてもよい。
膜を成膜する場合には、In(CH3)3ガスとO3ガスを順次繰り返し導入してIn−
O層を形成し、その後、Ga(CH3)3ガスとO3ガスを同時に導入してGa−O層を
形成し、更にその後Zn(CH3)2とO3ガスを同時に導入してZn−O層を形成する
。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを混ぜてIn−Ga
−O層やIn−Zn−O層、Ga−Zn−O層などの混合化合物層を形成しても良い。な
お、O3ガスに変えてAr等の不活性ガスでバブリングして得られたH2Oガスを用いて
も良いが、Hを含まないO3ガスを用いる方が好ましい。また、In(CH3)3ガスに
かえて、In(C2H5)3ガスを用いても良い。また、Ga(CH3)3ガスにかえて
、Ga(C2H5)3ガスを用いても良い。また、In(CH3)3ガスにかえて、In
(C2H5)3ガスを用いても良い。また、Zn(CH3)2ガスを用いても良い。
ここでは、上記のようにして作製されるトランジスタの構造について詳述する。
示すトランジスタ100a、100b、100cは、いずれも図1(A)のトランジスタ
100の上面図における一点鎖線A1−A2間の断面図である。
単層として記載しているが上述したように酸化物半導体層105と酸化物層106との二
層積層であってもよいし、三層以上の積層構造を有していてもよい。また、酸化物積層膜
104は、酸化物半導体層105の単層構造であってもよい。
図2(A)に示すトランジスタ100aは、基板101上に設けられるゲート電極102
を有する。また、基板101およびゲート電極102上に、ゲート絶縁膜103が形成さ
れ、ゲート絶縁膜103を介して、ゲート電極102と重なる酸化物積層膜104と、酸
化物積層膜104に接するソース電極108aおよびドレイン電極108bとを有する。
また、ゲート絶縁膜103、酸化物積層膜104、およびソース電極108aおよびドレ
イン電極108b上には、層間絶縁膜109が形成される。層間絶縁膜109は、酸化物
絶縁膜109aと酸化物絶縁膜109bとの積層構造である。また、層間絶縁膜109上
に層間絶縁膜111を有する。
よびドレイン電極108bと接する部分にn+領域110を有する。n+領域110を有
することで、上述したように、ソース電極108aおよびドレイン電極108bと酸化物
積層膜104とのコンタクト抵抗を低減することができる。
極108bの直下に形成され、かつソース電極108aおよびドレイン電極108bと酸
化物積層膜104との界面から浅い領域である。そのため、n+領域110はほとんど伸
びておらず、従ってチャネル長(L)は、設計におけるチャネル長であるソース電極10
8aとドレイン電極108bとの間の距離に概略等しい。
の距離をチャネル長とできるため、所望の特性を有するトランジスタの設計が容易である
。
す模式図である。
浅いものであってもよい。この場合、後述するn+領域110が伸びる材料や作製条件を
用いた場合であっても、n+領域110どうしが接触することを防止することができる。
例えば、ソース電極108aおよびドレイン電極108bにおいて少なくとも酸化物積層
膜104と接する部分にチタンを用いた場合、酸化物層106をIn:Ga:Zn=1:
3:2の組成のターゲットを用いて高い基板温度でスパッタリング法により成膜すること
により、n+領域110を形成することができる。
05中にまで形成してもよく、さらにゲート絶縁膜103の上面に接するように酸化物積
層膜104の膜厚分を完全にn+領域110とした構造としてもよい。ソース電極108
aおよびドレイン電極108bと酸化物積層膜104とのコンタクト抵抗を十分低減する
ことができる。
]
図2(B)に示すトランジスタ100bは、ソース電極108aおよびドレイン電極10
8bの直下に形成されたn+領域110がトランジスタ100aよりも広く、深く拡散し
ている。そのため、ソース電極108aとドレイン電極108bとの間の領域にまでn+
領域110が伸びている。トランジスタ100bの実効的なチャネル長(Leff)は、
設計におけるチャネル長であるソース電極108aとドレイン電極108bとの間の距離
よりも短く、ソース電極108aおよびドレイン電極108bよりも内側のn+領域11
0間の距離となる。
まで伸ばすことで、実効的なチャネル長(Leff)を短くすることができる。これによ
り、ソース電極108aとドレイン電極108bとの間の設計におけるチャネル長よりも
チャネル長が短いトランジスタを作製することができる。
ある。
。トランジスタ100bにおいては、実効的なチャネル長(Leff)は、設計における
チャネル長(L)であるソース電極108aとドレイン電極108bとの距離よりも短い
。n+領域110が、ソース電極108aまたはドレイン電極108bの端部よりも伸び
、突出しているためである。n+領域110の突出している長さをLnとすると、Lef
f=L−2Lnとなる。ただし、ここではn+領域110の突出している長さを左右対称
としたがこれに限らず、左右でLnが異なっていてもよい。
、図10(B)に示す。ソース電極108a側でn+領域110の突出している長さをL
n1とし、ドレイン電極108b側でn+領域110の突出している長さをLn2とした
とき、図10(B)においてはLn1<Ln2である。Lnを左右で異なるものとするた
めに、例えばソース電極108aとドレイン電極108bとの材料を異ならせてもよく、
ソース電極108aまたはドレイン電極108bの一方の端部の近傍に別途酸素を注入す
ることなどが挙げられる。
よりも伸びた構造のトランジスタ100bにおいては、実効的なチャネル長(Leff)
は5μm以下が好ましく、より好ましくは2μm以下である。また、n+領域110の深
さd2は、チャネル長(L)に対して半分となるLeff/2以下とすることが好ましい
。これにより、n+領域110どうしの接触を抑制することができる。
示す模式図である。
る浅いものであってもよい。この場合、n+領域110が延びる材料や作製条件を用いた
場合であっても、n+領域110どうしが接触することを防止することができる。
層105中にまで形成してもよく、さらにゲート絶縁膜103の上面に接するように酸化
物積層膜104の膜厚分を完全にn+領域110とした構造としてもよい。n+領域11
0を酸化物積層膜104中に深く形成することで、十分なn+領域110の突出した部分
を形成することができ、その結果、実効的なチャネル長(Leff)の短いトランジスタ
を作製することができる。ソース電極108aおよびドレイン電極108bと酸化物積層
膜104とのコンタクト抵抗を十分低減することができる。
イン電極108bとの間にn+領域110が距離Lnだけ伸びるため、実効的なチャネル
長(Leff)は、ソース電極108aとドレイン電極108bとの間隔よりも短い。図
12(A)に示すように、n+領域の広がりは等方的であるとすると、バックチャネル側
においてソース電極108aとドレイン電極108bとの端部が直線的な形状である場合
には、どの場所においてもLnの値はほとんど同じである。
8aとドレイン電極108bとを有するトランジスタでは、バックチャネル側の露出部が
U字型、または馬蹄形と表現しうる形状となる。このとき、n+領域110は、n+領域
の伸張が等方的であるとすると、ソース電極108aまたはドレイン電極108bが内側
に湾曲した部分においてはn+領域110がより伸びて形成される。
を用いたトランジスタ]
図2(C)に示すトランジスタ100cは、ソース電極108aおよびドレイン電極10
8bの間の領域において、酸化物積層膜104の一部が除去された凹部を有する構造であ
る。
ソース電極108aおよびドレイン電極108bと酸化物積層膜104との接する部分に
n+領域110を有する。ここで、上記の酸化物積層膜104の凹部は、このn+領域1
10の深さ方向よりも深く形成されている。そのため、ソース電極108a下のn+領域
110とドレイン電極108b下のn+領域110とは、酸化物積層膜104の凹部によ
って分離されている。換言すれば、n+領域110は、酸化物積層膜104の凹部の側面
に接し、かつ酸化物積層膜104の凹部の深さよりも浅い。
08b下のn+領域110とが接触することを防止することができる。
ある。
10との接触について、図13を用いて説明する。
8bの形成のためのスパッタリングによるダメージや、層間絶縁膜形成後の熱処理等によ
り形成または伸びる(図13(A)参照)。n+領域110の形状は、トランジスタやそ
の周辺構造の材料や設計、作製条件等に依存する。そのため、例えばn+領域110が伸
び過ぎた場合や、チャネル長を短く設計した場合には、ソース電極108a下のn+領域
110とドレイン電極108b下のn+領域110とが近接することとなる(図13(B
)参照)。この場合、ソース電極108a下のn+領域110とドレイン電極108b下
のn+領域110とが完全に接触することがなくても、ソース電極108aおよびドレイ
ン電極108bの材料がウィスカー状(髭状)に伸びることでn+領域が伸び(図13(
B)参照)、n+領域110間が電気的に接続されてしまう場合がある。この現象は、ソ
ース電極108aおよびドレイン電極108bの材料がチタンであるときに起こりやすい
可能性がある。さらに、図13(C)に示すように、ソース電極108a下のn+領域1
10とドレイン電極108b下のn+領域110とが接した場合には、ソースとドレイン
とが電気的に短絡して所望のトランジスタ特性を得ることができなくなってしまう。
04を除去して凹部を設けることで、n+領域110が接触するおそれを無くすことが可
能となる。
ンジスタ100cにおいては、チャネル長(L)はソース電極108aとドレイン電極1
08bとの距離と概略等しい。ここで酸化物積層膜104の膜厚をd1、n+領域110
の膜厚をd2、酸化物積層膜104の凹部の深さをd3とすると、d1>d3>d2の関
係が成り立つようにするとよい。ただし、d2とd3とが等しくてもよく、またd2>d
3であってもよい。n+領域110の伸張による接触は、ソース電極108aまたはドレ
イン電極108bに近いほど起こりやすいため、d2>d3としても酸化物積層膜104
の深部にあってはn+領域110が接触するおそれは少ないと考えられるためである。
また、n+領域110の深さd2は、チャネル長(L)に対して半分となるL/2以下と
することが好ましい。これにより、n+領域110どうしの接触のおそれを無くすことが
できる。
中であることが好ましい。酸化物半導体においてCAAC−OSはエッチングによる加工
性に優れ、良好な側面形状の凹部を形成することができるためである。
回避することができるため、信頼性の高いトランジスタを形成することができる。
15(A)は、酸化物積層膜104の凹部の深さd3を浅くし、酸化物積層膜104の上
層である酸化物層106中に設けた構造である。この場合、酸化物半導体層105の上面
が酸化物層106により保護されるため、酸化物半導体層105と酸化物層106との界
面状態を良好に保つことができる。従って、図3(A)に記載のエネルギーバンド構造と
することができる。
致させた場合の構造である。即ち、ソース電極108aおよびドレイン電極108bと重
ならない領域の酸化物層106を除去した形状となる。
C3−C4におけるエネルギーバンド構造を図4に示す。図4に表すEcは、ゲート絶縁
膜103、酸化物半導体層105、酸化物絶縁膜109aのそれぞれの伝導帯下端のエネ
ルギーを示す。
8bの形成時に酸化物積層膜104の上方、即ち酸化物層106がエッチングされる場合
がある。特に酸化物層106をウェットエッチング法によりエッチングした場合、Inが
優先的に除去される場合がある。そのため、酸化物半導体層105の上面は、酸化物層1
06のエッチング時にGaOx層または酸化物半導体層105と酸化物層106との混合
層(以下、GaOx層または混合層113と呼ぶ)が形成される場合がある。
Ga−Zn酸化物、またはIn:Ga:Zn=3:1:2[原子数比]のIn−Ga−Z
n酸化物であり、酸化物層106が、In:Ga:Zn=1:3:2[原子数比]のIn
−Ga−Zn酸化物、またはIn:Ga:Zn=1:6:4[原子数比]のIn−Ga−
Zn酸化物である場合、酸化物半導体層105よりも酸化物層106のGaの含有量が多
いため、酸化物半導体層105の上面には、GaOx層または混合層113が形成されう
る。
導体層105の伝導帯下端のエネルギーが高くなり、図4に示すバンド構造のようになる
と考えられる。
に達する場合を示す。図15(A)および図15(B)に示す凹部の深さd3よりもさら
に深く凹部を形成することで、上述したようにn+領域110どうしが接するおそれをよ
り確実に無くすことが可能となる。
4を有するトランジスタの構成について、図16を用いて説明する。
導体層105と酸化物層106との間に設けられている。特に酸化物層114は、酸化物
層106に比べてエッチング耐性の高い酸化物層114である。そのため、酸化物積層膜
104中に凹部を形成するために、上述したようなウェットエッチングまたはドライエッ
チングを行った場合、バックチャネル側において酸化物層106が除去される一方で、酸
化物層114はエッチングストッパーとして機能し、ほとんどエッチングされない。
5がエッチングされることを防止し、酸化物半導体層105の膜厚を均一に形成すること
ができる。そのため、基板上に設けた複数のトランジスタの特性ばらつきを抑制すること
ができる。
ような材料を用いることで、ソース側とドレイン側のn+領域が電気的に短絡することを
防止することができる。
いて説明した。チャネルエッチ型のトランジスタは、従来の非晶質シリコンを用いたトラ
ンジスタの作製工程と類似しており、また短いチャネル長のトランジスタを作製できるた
め好ましい。しかし、本発明はチャネルエッチ型に限定されず、酸化物積層膜104上に
チャネル保護膜を用いたチャネル保護型でボトムゲート構造のトランジスタであってもよ
い。トランジスタをチャネル保護型とした場合には、チャネル形成領域においてチャネル
保護膜を有するため、チャネル形成領域上の酸化物積層膜がエッチングされることがなく
、酸化物積層膜の膜厚を薄く設計することができる。また、チャネル保護膜に酸素を過剰
に含ませることで、チャネル保護膜から酸化物積層膜へ酸素を供給させて、酸化物積層膜
中の酸素欠損を低減することができる。
に酸化物積層膜104を介してゲート電極に対向するようにゲート電極(バックゲート電
極)を設けたデュアルゲート構造のトランジスタであってもよい。トランジスタをデュア
ルゲート構造とした場合、バックゲート電極を用いてトランジスタのしきい値電圧を制御
することなどが可能となる。
上述したトランジスタを用いた半導体装置について説明する。なお、本発明の一態様に係
る半導体装置は、マイクロプロセッサ、画像処理回路、表示モジュール用のコントローラ
、DSP(Digital Signal Processor)、マイクロコントロー
ラなどの、半導体素子を用いた各種半導体集積回路をその範疇に含む。また、本発明の一
態様に係る半導体装置は、表示モジュールや、上記半導体集積回路を用いたRFタグなど
の各種装置も、その範疇に含む。
液晶素子(液晶表示素子ともいう。)等を用いることができる。発光素子は、電流または
電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(El
ectro Luminescence)、有機EL等を含む。また、電子インク等、電
気的作用によりコントラストが変化する電子ペーパーや、DMD(Digital Mi
cromirror Device)、PDP(Plasma Display Pan
el)、FED(Field Emission Display)等の表示モジュール
にも適用することができる。ここでは、表示モジュールの一例としてEL素子を用いた表
示モジュールおよび液晶素子を用いた表示モジュールについて説明する。
た状態にあるパネルや、該パネルに走査線駆動回路や信号線駆動回路を内蔵したICを実
装したパネル、その他、コントローラ等の演算装置やR(抵抗)、C(コンデンサ)、L
(コイル)素子などを実装したプリント基板、偏光板等の光学的機能フィルム、冷陰極管
(CCFL:Cold Cathode Fluorescent Lamp)やLED
(Light Emitting Diode)等の光源(照明装置含む)、抵抗被膜方
式や静電容量方式などのタッチセンサ等の入力デバイス、冷却装置、該パネルを保護する
ベゼル(枠)等を有するパネルが含まれる。
パネルにCOG方式により直接実装してもよい。
図17は、EL素子を用いた表示モジュール(以下、EL表示モジュールという)の画素
の回路図の一例である。
ャパシタ742と、発光素子719と、を有する。
と電気的に接続される。トランジスタ741のソースは発光素子719の一端と電気的に
接続される。トランジスタ741のドレインはキャパシタ742の他端と電気的に接続さ
れ、VDDの電源電位が与えられる。スイッチ素子743の他端は信号線744と電気的
に接続される。発光素子719の他端は定電位が与えられる。なお、定電位は接地電位(
GND)またはそれより小さい電位とする。
該トランジスタは、安定した電気特性を有する。そのため、表示品位の高い表示モジュー
ルとすることができる。
ことで、画素の面積を小さくでき、解像度の高い表示モジュールとすることができる。ま
た、スイッチ素子743として、本発明の一態様に係るトランジスタを用いてもよい。ス
イッチ素子743として当該トランジスタを用いることで、トランジスタ741と同一工
程によってスイッチ素子743を作製することができ、表示モジュールの生産性を高める
ことができる。
1と、基板700と、シール材734と、駆動回路735と、駆動回路736と、画素領
域737と、FPC732(FPC:Flexible printed circui
t)と、を有する。シール材734は、画素領域737、駆動回路735および駆動回路
736を囲むように基板701と基板700との間に設けられる。なお、駆動回路735
または/および駆動回路736をシール材734の外側に設けても構わない。
動作不良を招来する。そこで、半導体装置の信頼性を維持・向上させるためにシール材7
34による十分な封止が必要である。
を用いることができる。これらの樹脂材料には、熱硬化型、光硬化型またはその両方のい
ずれを用いてもよい。また、シール材734として、アクリル系樹脂とエポキシ系樹脂と
を混合するような、異なる種類の樹脂を混合した樹脂を用いてもよい。これらの樹脂に、
UV開始剤、熱硬化剤、カップリング剤など適宜混合して用いる。
リットを用いたガラス材料)を用いることができる。シール材734としてフリットガラ
スを用いた場合、樹脂を用いた場合に比べて高い気密性を得ることができる。
が、信頼性を向上させるために画素領域737を二重以上の多重に取り囲んでもよく、さ
らにシール材734を基板700や701の側面に配置してもよい。
である。FPC732は、端子731を介して配線733aと電気的に接続される。なお
、配線733aは、ゲート電極702と同一層である。
れた例を示す。このような構造とすることで、キャパシタ742をトランジスタ741の
ゲート電極、ゲート絶縁膜およびソース電極(ドレイン電極)と同一平面に作製すること
ができる。このように、トランジスタ741とキャパシタ742とを同一平面に設けるこ
とにより、表示モジュールの作製工程を短縮化し、生産性を高めることができる。
のうち、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した例を示す。即ち、基板701上にゲ
ート電極702が設けられ、ゲート電極702上にゲート絶縁膜705を介して酸化物膜
706が設けられている。トランジスタ741の詳細については、先の説明を参照する。
04aに達する開口部が設けられる。
絶縁膜703に設けられた開口部を介してトランジスタ741のソース電極704aと接
する。
設けられる。
シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸
化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜か
ら選択して、単層または積層で用いればよい。また、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いることもできる。
ば、図18(C)に示すような構造とすればよい。図18(C)は、中間層785a、発
光層786a、中間層785b、発光層786b、中間層785c、発光層786cおよ
び中間層785dの順番で積層した構造である。このとき、発光層786a、発光層78
6bおよび発光層786cに適切な発光色の発光層を用いると演色性の高い、または発光
効率の高い、発光素子719を形成することができる。
が、着色層を介して白色光を取り出す構造としても構わない。
ものではなく、適宜発光層の数および中間層の数を変更することができる。例えば、中間
層785a、発光層786a、中間層785b、発光層786bおよび中間層785cの
みで構成することもできる。また、中間層785a、発光層786a、中間層785b、
発光層786b、発光層786cおよび中間層785dで構成し、中間層785cを省い
た構造としても構わない。
造で用いることができる。なお、中間層は、これらの層を全て備えなくてもよい。これら
の層は適宜選択して設ければよい。なお、同様の機能を有する層を重複して設けてもよい
。また、中間層としてキャリア発生層のほか、電子リレー層などを適宜加えてもよい。
、可視光領域(例えば400nm以上800nmの波長範囲)における平均の透過率が7
0%以上、特に80%以上であることをいう。
n酸化物膜、In酸化物膜、Zn酸化物膜、およびSn酸化物膜などの酸化物膜を用いれ
ばよい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量に添加されていても
よい。また、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm以上30nm程度)を用
いることもできる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合金膜
を用いてもよい。また、グラフェンを用いてもよい。
、リチウム、アルミニウム、チタン、マグネシウム、ランタン、銀、シリコンまたはニッ
ケルを含む膜を用いればよい。
極781が可視光透過性を有する場合は、電極783が可視光を効率よく反射すると好ま
しい。また、電極781が可視光を効率よく反射する場合は、電極783が可視光透過性
を有すると好ましい。
1と電極783を入れ替えても構わない。アノードとして機能する電極には、仕事関数の
大きい導電膜を用いることが好ましく、カソードとして機能する電極には仕事関数の小さ
い導電膜を用いることが好ましい。ただし、アノードと接してキャリア発生層を設ける場
合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電膜を陽極に用いることができる。
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いることもできる。
、表示品位の高い表示モジュールを提供することができる。
断面図の一例である。具体的には、FPC732と接続する配線が異なる。図19(A)
では、端子731を介してFPC732と配線733bが接続している。配線733bは
、ソース電極704aおよびドレイン電極704bと同一層である。図19(B)では、
端子731を介してFPC732と配線733cとが電気的に接続している。配線733
cは、電極781と同一層である。
次に、液晶素子を用いた表示モジュール(以下、液晶表示モジュールという)について説
明する。
50は、トランジスタ751と、キャパシタ752と、一対の電極間に液晶の充填された
素子(以下液晶素子ともいう)753とを有する。
れ、ゲートが走査線754に電気的に接続されている。
に電気的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。
電気的に接続され、他方の電極が共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。な
お、上述のキャパシタ752の他方の電極が電気的に接続する配線に与えられる共通電位
と、液晶素子753の他方の電極に与えられる共通電位とが異なる電位であってもよい。
る。図18(A)の一点鎖線M−Nに対応する液晶表示モジュールの断面図を図21(A
)に示す。図21(A)において、FPC732は、端子731を介して配線733aと
電気的に接続される。なお、配線733aは、ゲート電極702と同一層である。
例を示す。このような構造とすることで、キャパシタ752をトランジスタ751のゲー
ト電極、ゲート絶縁膜およびソース電極(ドレイン電極)と同一平面に作製することがで
きる。このように、トランジスタ751とキャパシタ752とを同一平面に設けることに
より、表示モジュールの作製工程を短縮化し、生産性を高めることができる。
る。図21(A)においては、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した例を示す。即
ち、基板701上にゲート電極702が設けられ、ゲート電極702上にゲート絶縁膜7
05を介して酸化物膜706が設けられている。トランジスタ751の詳細については、
先の説明を参照する。
従って、キャパシタ752に保持された電荷がリークしにくく、長期間に渡って液晶素子
753に印加される電圧を維持することができる。そのため、動きの少ない動画や静止画
の表示の際に、トランジスタ751をオフ状態とすることで、トランジスタ751の動作
のための電極が不要となり、消費電力の小さい表示モジュールとすることができる。
04aに達する開口部が設けられる。
絶縁膜703に設けられた開口部を介してトランジスタ751のドレイン電極704bと
接する。
る絶縁膜794が設けられる。
797が設けられる。
シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸
化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルを一種以上含む絶縁膜か
ら選択して、単層または積層で用いればよい。また、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エ
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂膜を用いることもできる。
強誘電性液晶、反強誘電性液晶などを用いることができる。これらの液晶は、条件により
、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相
などを示す。
て機能する絶縁膜792および絶縁膜794を設けない構成とすることができる。ブルー
相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から
等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないた
め、温度範囲を改善するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用い
て液晶層に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が
1msec以下と短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が
小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処
理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の表示パネルの不
良や破損を軽減することができる。よって表示パネルの生産性を向上させることが可能と
なる。よって液晶表示モジュールの生産性を向上させることが可能となる。酸化物膜を用
いるトランジスタは、静電気の影響によりトランジスタの電気的な特性が著しく変動して
設計範囲を逸脱するおそれがある。よって酸化物を用いるトランジスタを有する液晶表示
モジュールにブルー相を発現する液晶組成物を用いることはより効果的である。
1Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、固有
抵抗率の値は、20℃で測定した値とする。
のリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容
量の大きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。本発明の一態様に
係るトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好
ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。
御することができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、
電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少
なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表示
モジュールに用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用す
るトランジスタを同一基板上に形成することができる。即ち、別途駆動回路として、シリ
コンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置の部品点
数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを
用いることで、高画質な画像を提供することができる。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、ASM(Axially Symmetric align
ed Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensate
d Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Li
quid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal)モードなどを用いることができる。
用した透過型の液晶表示モジュールとしてもよい。ここで、垂直配向モードとは、液晶表
示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種であり、電圧が印加されていないときに
パネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。垂直配向モードとしては、いく
つか挙げられるが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを
用いることができる。また、画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピクセル)に分け
、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化またはマルチドメ
イン設計といわれる方法を用いることができる。
n酸化物膜、In酸化物膜、Zn酸化物膜、およびSn酸化物膜などの酸化物膜を用いれ
ばよい。また、これらの酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量添加されてもよい
。また、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm以上30nm程度)を用いる
こともできる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはAg−Mg合金膜を用
いてもよい。または、グラフェンを用いてもよい。
、アルミニウム、チタン、クロム、銅、モリブデン、銀、タンタルまたはタングステンを
含む膜を用いればよい。
極791が可視光透過性を有する場合は、電極796が可視光を効率よく反射すると好ま
しい。また、電極791が可視光を効率よく反射する場合は、電極796が可視光透過性
を有すると好ましい。
1と電極796を入れ替えても構わない。
よい。
して用いればよい。なお、スペーサ795の形状は、柱状、球状など様々な形状とするこ
とができる。
域が、液晶素子753となる。
てもよい。
、Gは緑、Bは青を表す)の三色それぞれのカラーフィルタを設けることができる。
、位相差部材、反射防止部材などの光学部材(光学基板)などを適宜設けるとよい。例え
ば、偏光基板および位相差基板による円偏光を用いてもよい。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGBの三色
に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)、またはRGBに、イエロー、シア
ン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域
の大きさが異なっていてもよい。ただし、表示モジュールはカラー表示に限定されるもの
ではなく、モノクロ表示の液晶表示モジュールに適用することもできる。
断面図の一例である。具体的には、FPC732と接続する配線が異なる。図21(B)
では、端子731を介してFPC732と配線733bが接続している。配線733bは
、ソース電極704aおよびドレイン電極704bと同一層である。図21(C)では、
端子731を介してFPC732と配線733cが接続している。配線733cは、電極
791と同一層である。
、表示品位の高い表示モジュールを提供することができる。また、トランジスタ751は
オフ電流を極めて小さくできるため、消費電力の小さい液晶表示モジュールを提供するこ
とができる。
晶素子を用いた表示モジュールについて、図22を用いて説明する。
、基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むよう
にして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回路4
004の上に基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査線駆動回路
4004とは、基板4001とシール材4005と基板4006とによって、液晶素子と
ともに封止されている。図22(A)においては、基板4001上のシール材4005に
よって囲まれている領域とは異なる領域に、ICチップ、または別途用意された基板上に
単結晶半導体膜または多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されて
いる。信号線駆動回路4003と走査線駆動回路4004を通して画素部4002に与え
られる各種信号および電位は、FPC4018から供給されている。
装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して
実装してもよいし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成し
て実装してもよい。
ip On Glass)法、ワイヤボンディング法、或いはTAB(Tape Aut
omated Bonding)法などを用いることができる。図22(A)は、COG
法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
り、本発明の一態様に係るトランジスタを適用することができる。
とは、基板上の共通電極(以下では第1の電極と記す)と画素電極(以下では第2の電極
と記す)とを平行に重ねて形成したフリンジ電界により、液晶分子を配向させる表示モー
ドである。液晶表示モジュールの開口率の向上や広視野角化を実現することができる。
ンジスタ4010のソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続する配線405
2の交差部を有する。配線4050はゲート信号線(走査線)として、配線4052はソ
ース信号線としての機能を有する。また、画素には画素ごとに分離されたまたは各画素で
共通の第1の電極4034と、画素ごとに分離された、トランジスタ4010のソース電
極またはドレイン電極の他方と電気的に接続する第2の電極4031とを有する。第2の
電極4031は、第1の電極4034と重なって設けられ、またスリットを形成するよう
に複数の開口部が設けられている。
示モジュールは、画素部4002に設けられたトランジスタ4010が液晶素子と電気的
に接続して構成される。
端子電極4015および端子電極4016を有しており、接続端子電極4015および端
子電極4016はFPC4018が有する端子と異方性導電層4019を介して、電気的
に接続されている。
16は、トランジスタ4010、4011のゲート電極と同じ導電層で形成されている。
導電層の材料としては、例えば図1に示すゲート電極102に適用可能な材料を用いるこ
とができる。
ジスタを複数有している。図22(C)では、画素部4002に含まれるトランジスタ4
010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示しており、
トランジスタ4010、4011上には絶縁膜4032a、4032bが設けられている
。
の電極4034と第2の電極4031との間に絶縁膜4042が設けられている。
リアミド、エポキシ等の有機樹脂を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘
電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂等を用いることができる。
ることができる。トランジスタ4010、4011は、ボトムゲート構造のトランジスタ
である。
することができる。ここでは、ゲート絶縁膜4020a、4020bの積層構造を含む。
また、図22(C)においては、ゲート絶縁膜4020aと、絶縁膜4032bとが、接
続端子電極4015端部を覆うように、シール材4005下に延在しており、絶縁膜40
32bは、ゲート絶縁膜4020bおよび絶縁膜4032aの側面を覆っている。ゲート
絶縁膜4020a、4020bとしては、例えば図1に示すゲート絶縁膜103に適用可
能な材料を用いることができる。
てもよい。導電層を酸化物膜と重なる位置に設けることによって、トランジスタ4011
のしきい値電圧を制御することができる。
路部)に作用しないようにする機能(特に静電気に対する静電遮蔽機能)も有する。導電
層の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によりトランジスタの電気的な特性
が変動することを防止することができる。
、および液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機
能する絶縁膜4038、4033が設けられている。液晶層4008としては、図21に
示す液晶層793に適用可能な材料の層を設けてもよい。
031を有し、絶縁膜4042を介して第2の電極4031のさらに下方に、平板状の第
1の電極4034を有する。開口パターンを有する第2の電極4031は、屈曲部や枝分
かれした櫛歯状を含む形状である。第2の電極4031に開口パターンを設けることによ
り、第1の電極4034および第2の電極4031はその電極間にフリンジ電界を形成す
ることができる。なお、平坦化絶縁膜4040上に接して平板状の第2の電極4031を
形成し、絶縁膜4042を介して第2の電極4031上に、画素電極として機能し、開口
パターンを有する第1の電極4034を有する構成としてもよい。
物膜、In−Zn酸化物膜、In酸化物膜、Zn酸化物膜、およびSn酸化物膜などの酸
化物膜を用いればよい。また、前述の酸化物膜は、Al、Ga、Sb、Fなどが微量に添
加されていてもよい。また、光を透過する程度の金属薄膜(好ましくは、5nm以上30
nm程度)を用いることもできる。例えば5nmの膜厚を有するAg膜、Mg膜またはA
g−Mg合金膜を用いてもよい。また、グラフェンを用いてもよい。
o)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)
、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(
Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、また
はその合金、もしくはその金属窒化物から一つ、または複数種を用いて形成することがで
きる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
であり、液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお
球状のスペーサを用いていてもよい。
い。この場合、液晶層4008と、第1の電極4034および第2の電極4031とは接
する構造となる。
坦化絶縁膜4040に含まれる水分を脱離することができる。但し、平坦化絶縁膜404
0上に設けられる絶縁膜4042の膜質によっては、開口を設けなくともよい。
トランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定さ
れる。保持容量の大きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。本発
明の一態様に係るトランジスタを用いることにより、保持容量の大きさを縮小することが
できる。よって、各画素における開口率を向上させることができる。
ない構成とし、第1の電極4034と第2の電極4031の間に生じる寄生容量を保持容
量として用いてもよい。このように、容量素子を設けない構成とすることにより、画素の
開口率をさらに向上させることができる。
御することができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、
書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることがで
きるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
駆動が可能である。例えば、このようなトランジスタを、液晶素子を用いた表示モジュー
ルに用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するトラン
ジスタを同一基板上に形成することができる。また、画素部においても、このようなトラ
ンジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
部材、反射防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光板およ
び位相基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライト
などを用いてもよい。
により、直感的な操作が可能になる。タッチセンサについては、後述する。
L表示モジュールおよび液晶表示モジュールについて説明したが、例えば電気泳動素子を
用いた表示モジュールなど他の表示モジュールに用いることもできる。また、半導体装置
の一例として表示モジュールについて説明したが、フォトセンサ、メモリ、CPU、マイ
クロコンピュータ等のその他の半導体装置に本発明の一態様に係るトランジスタを用いる
ことができる。
ここでは、被検知体の近接または接触を検知可能なセンサ(以降、タッチセンサと呼ぶ)
の構成例について説明する。
式など、様々な方式を用いることができる。
方式などがある。また、投影型静電容量方式としては、主に駆動方法の違いから、自己容
量方式、相互容量方式などがある。ここで、相互容量方式を用いると、同時に多点を検出
すること(多点検出またはマルチタッチともいう)が可能となるため好ましい。
含む)等により、被検知体(例えば指や手など)の動作(ジェスチャ)や、使用者の視点
動作などを検知することのできるセンサを、ヒューマンインターフェースとして用いるこ
ともできる。
図23(A)、(B)は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示す模式図と、入出力波
形の模式図である。タッチセンサは一対の電極を備え、これらの間に容量が形成されてい
る。一対の電極のうち一方の電極に入力電圧が入力される。また、他方の電極に流れる電
流(または、他方の電極の電位)を検出する検出回路を備える。
波形として鋭いピークを有する波形が検出される。
合、電極間の容量値が減少するため、これに応じて出力の電流値が減少する。
出することにより、被検知体の近接、または接触を検知することができる。
図23(C)は、マトリクス状に配置された複数の容量を備えるタッチセンサの構成例を
示す。
差し、Y方向(紙面縦方向)に延在する複数の配線とを有する。交差する2つの配線間に
は容量が形成される。
)のいずれか一方が入力される。また、Y方向に延在する配線には、検出回路(例えば、
ソースメータ、センスアンプなど)が電気的に接続され、当該配線に流れる電流(または
電位)を検出することができる。
走査し、Y方向に延在する配線に流れる電流(または電位)の変化を検出することで、被
検知体の2次元的なセンシングが可能となる。
以下では、複数の画素を有する表示部にタッチセンサを組み込んだタッチパネルの構成例
について説明する。ここでは、画素に設けられる表示素子として、液晶素子を適用した例
を示す。
における等価回路図である。
ジスタ3503のゲートに配線3501が、ソースまたはドレインの一方には配線350
2が、それぞれ電気的に接続されている。
2)と、Y方向に延在する複数の配線(例えば、配線3511)を有し、これらは互いに
交差して設けられ、その間に容量が形成される。
られる液晶素子の一方の電極が電気的に接続され、一つのブロックを形成する。当該ブロ
ックは、島状のブロック(例えば、ブロック3515_1、ブロック3515_2)と、
Y方向に延在するライン状のブロック(例えば、ブロック3516)の、2種類に分類さ
れる。
_1(またはブロック3515_2)と電気的に接続される。また、Y方向に延在する配
線3511は、ライン状のブロック3516と電気的に接続される。
3511の接続構成を示した等価回路図である。X方向に延在する配線3510の各々に
は、入力電圧または共通電位を入力することができる。また、Y方向に延在する配線35
11の各々には接地電位を入力する、または配線3511と検出回路と電気的に接続する
ことができる。
以下、図25および図26を用いて、上述したタッチパネルの動作について説明する。
期間は画素への画像データの書き込みを行う期間であり、配線3510(ゲート線ともい
う)が順次選択される。一方、検知期間は、タッチセンサによるセンシングを行う期間で
あり、X方向に延在する配線3510が順次選択され、入力電圧が入力される。
延在する配線3510と、Y方向に延在する配線3511の両方に、共通電位が入力され
る。
に延在する配線3511の各々は、検出回路と電気的に接続する。また、X方向に延在す
る配線3510のうち、選択されたものには入力電圧が入力され、それ以外のものには共
通電位が入力される。
して設けることが好ましい。これにより、画素の書き込み時のノイズに起因するタッチセ
ンサの感度の低下を抑制することができる。
以下では、上記タッチパネルに用いることのできる画素の構成例について説明する。
カラーフィルタ3525と、を備える。開口部を有する電極3523はトランジスタ35
21のソースまたはドレインの一方に電気的に接続される。また、電極3523は絶縁層
を介して電極3522上に設けられる。電極3523と電極3522は、それぞれ液晶素
子の一方の電極として機能し、これらの間に異なる電位を与えることで、液晶の配向を制
御することができる。
により、上述タッチパネルの画素を構成することができる。
、開口部を有する形状とし、絶縁層を介して電極3523上に設ければよい。
み合うように、かつ離間して同一平面上に設けられている。
により、上述したタッチパネルの画素を構成することができる。
また電極3522と重ねて配線3526が設けられている。配線3526は、例えば図2
7(C)に示す画素が属するブロックとは異なるブロック間を電気的に接続するために設
けることができる。
により、上述タッチパネルの画素を構成することができる。
次に、半導体装置を構成部品として適用した電気機器について説明する。
電気機器とは、電気の力によって作用する部分を含む工業製品をいう。電気機器は、家電
等の民生用に限られず、業務用、産業用、軍事用等、種々の用途のものを広くその範疇と
する。
ノート型等のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ、DVD(Digital V
ersatile Disc)などの記録媒体に記憶された静止画または動画を再生する
画像再生装置、CD(Compact Disc)プレーヤやデジタルオーディオプレー
ヤ等の携帯型または据置型の音響再生機器、携帯型または据置型のラジオ受信機、テープ
レコーダやICレコーダ(ボイスレコーダ)等の録音再生機器、ヘッドホンステレオ、ス
テレオ、リモートコントローラ、置き時計や壁掛け時計等の時計、コードレス電話子機、
トランシーバ、携帯電話機、自動車電話、携帯型または据置型のゲーム機、歩数計、電卓
、携帯情報端末、電子手帳、電子書籍、電子翻訳機、マイクロフォン等の音声入力機器、
スチルカメラやビデオカメラ等の写真機、玩具、電気シェーバ、電動歯ブラシ、電子レン
ジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇風機、毛髪乾
燥機、加湿器や除湿器やエアコンディショナ等の空気調和設備、食器洗い器、食器乾燥器
、衣類乾燥器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、DNA保存用冷
凍庫、懐中電灯、電動工具、煙感知器、ガス警報装置や防犯警報装置等の警報装置、補聴
器、心臓ペースメーカ、X線撮影装置、放射線測定器、電気マッサージ器や透析装置等の
健康機器や医療機器などが挙げられる。さらに、誘導灯、信号機、ガスメータや水道メー
タ等の計量器、ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、無線用中
継局、携帯電話の基地局、電力貯蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのための
蓄電装置等の産業機器が挙げられる。また、電気自動車(EV)、内燃機関と電動機を併
せ持ったハイブリッド車(HEV)、プラグインハイブリッド車(PHEV)、これらの
タイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、農業機械、電動アシスト自転車を含む原動機付
自転車、自動二輪車、電動車椅子、電動カート、小型または大型船舶、潜水艦、固定翼機
や回転翼機等の航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船などの移
動体も電気機器の範疇に含まれるものとする。
これらの電気機器の具体例を、図28(A)乃至(D)に示す。
筐体9000と、ボタン9001と、マイクロフォン9002と、表示部9003と、ス
ピーカ9004と、カメラ9005と、を具備し、携帯型電話機としての機能を有する。
本発明の一態様は表示部9003に適用することができる。また、本発明の一形態は、本
体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に適用することができる。
0と、表示部9011と、を具備する。本発明の一態様は表示部9011に適用すること
ができる。また、本発明の一形態は、本体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路
に適用することができる。
ラは、筐体9020と、ボタン9021と、マイクロフォン9022と、表示部9023
と、を具備する。本発明の一態様は表示部9023に適用することができる。また、本発
明の一形態は、本体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に適用することができ
る。
携帯情報端末は、筐体9030、表示部9031a、表示部9031b、留め具9032
、操作スイッチ9033、を有する。本発明の一態様は表示部9031aおよび表示部9
031bに適用することができる。また、本発明の一形態は、本体内部にある演算装置、
無線回路または記憶回路に適用することができる。
ネルとすることができ、表示された操作キーに触れることでデータ入力などを行うことが
できる。
部に用いた携帯型情報端末の一例である。
作ボタン9042、スピーカ9043、マイクロフォン9044、その他図示しないステ
レオヘッドフォンジャック、メモリカード挿入口、カメラ、USBコネクタなどの外部接
続ポート等を備えている。
体内部にある演算装置、無線回路または記憶回路に適用することができる。表示素子の支
持基板として、曲面を有する基板を適用することで、曲面を有するパネルを具備する携帯
型情報端末とすることができる。表示部9041は凸型に湾曲した曲面を有する例である
。
有し、筐体9040の側面に沿うように湾曲した表示部9045を具備する例である。図
28(F)に示す携帯情報端末は、図28(E)に示した携帯情報端末と同様の構成を有
し、凹型に湾曲した表示部9045を具備する例である。
して機能させることもできる。例えば、表示部に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像する
ことで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト
または近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像する
こともできる。このような機能を実現するために、本発明の一態様に係る半導体装置を用
いることができる。
当該機器の操作を行うことができる他、機器に付属のカメラや搭載されたセンサ等を用い
て使用者の動作(ジェスチャー)を認識させて操作を行うこともできる(ジェスチャー入
力という)。または、使用者の音声を認識させて操作を行うこともできる(音声入力とう
いう)。このような操作を実現するために、本発明の一態様に係る半導体装置を用いるこ
とができる。
ーネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の機器を遠隔から操作す
る端末として用いることができる。このような機能を実現するために、本発明の一態様に
係る半導体装置を用いることができる。
気機器を提供することができる。
において、酸化物半導体層のシート抵抗がどのように変化するかを測定した結果について
、図29乃至図32を用いて説明する。例えば、酸化物半導体層のシート抵抗が計測器の
測定上限値を超える(レンジオーバーする)場合には酸化物半導体層がi型であり、シー
ト抵抗が測定できた場合にはn型であると考えることができる。
1:1:1のターゲットを用いてスパッタリング法により成膜したIGZO(以下、実施
例においてIGZO(111)と呼ぶ)層を有する試料と、原子数比がIn:Ga:Zn
=1:3:2のターゲットを用いてスパッタリング法により成膜したIGZO(以下、実
施例においてIGZO(132)と呼ぶ)層とを有する試料とを作製した。ここで、IG
ZO(111)層は、アルゴンおよび酸素の流量をともに100sccmとし、圧力0.
6Pa、電力(AC)5kW、基板温度170℃の条件で成膜した。また、IGZO(1
32)層は、アルゴンの流量を135sccm、酸素の流量を15sccmとし、圧力0
.3Pa、電力(AC)5kW、基板温度100℃の条件で成膜した。いずれの場合にお
いても、IGZO層を形成後、窒素雰囲気で450℃1時間の熱処理を行った後、窒素お
よび酸素雰囲気で450℃1時間の熱処理を行った。
成膜した。タングステン層は、アルゴンの流量を100sccmとし、圧力2.0Pa、
電力(DC)20kWまたは60kW、基板温度100℃の条件で成膜した。チタン層は
、アルゴンの流量を100sccmとし、圧力0.3Pa、電力(DC)58kW、基板
温度70℃の条件で成膜した。
を除去してIGZO層を露出させた。導電層の形成後の熱処理は、窒素および酸素雰囲気
で350℃1時間の処理とした。また、導電層の除去は、エッチングガスであるSF6の
流量を900sccm、酸素の流量を100sccmとし、ICP電源電力2000W、
バイアス電力200W、圧力2.0Pa、基板温度80℃の条件によるドライエッチング
法により行った。
を測定し、エッチャントによりIGZO層を数nm程度エッチングして、さらに表面のシ
ート抵抗を測定することを繰り返し行った。これにより、導電層と接していたIGZO層
の表面から膜厚方向にかけてのシート抵抗のプロファイルを得ることができる。なお、シ
ート抵抗の測定は直流4探針法により行った。直流4探針法とは、測定試料表面上に4本
の探針を所定の間隔で直線上に並べ、外側の二つの探針間に電流を流し、内側の2つの探
針で電圧を測定することで抵抗を算出する方法である。本実施例では、4探針法を用いた
が、4探針法の代わりに4端子法等他の測定方法により測定することも可能である。
軸にIGZO層のエッチング量(単位:nm)を示し縦軸にシート抵抗(単位:Ω/□)
を示す。横軸において0nmの位置が、導電層を除去して露出したIGZO層の最表面を
示し、右方向がIGZO層の深さ方向を示す。
り、導電層形成後の熱処理を行っていない場合を図29に、導電層形成後の熱処理を行っ
た場合を図30に示す。同様に、図31および図32は、酸化物半導体層をIGZO(1
32)とした場合の測定結果であり、導電層形成後の熱処理を行っていない場合を図31
に、導電層形成後の熱処理を行った場合を図32に示す。各図において、上側に導電層と
してタングステン層を成膜して除去した場合、下側に導電層としてチタン層を成膜して除
去した場合について示す。
タングステン層をIGZO(111)上に成膜した場合、タングステン層の成膜後に熱処
理を行っていなくても、IGZO層の上部でシート抵抗が測定できる(図29参照)。タ
ングステン層の成膜時の電力によってもシート抵抗は異なり、電力が20kwのときは5
nm程度、電力が60kWのときは10nm程度の領域でシート抵抗が測定できる。従っ
て、タングステン層の成膜段階で、IGZO層の上部がn型化していることがわかった。
抗がレンジオーバーとなる(図29参照)。従って、導電層としてチタン層を成膜した場
合には、成膜した段階ではIGZO層の上部はn型化されず、i型が維持されることがわ
かった。
ン層のいずれの場合であってもIGZO層の膜厚深くまでシート抵抗が測定できる(図3
0参照)。このことから、導電層形成後の熱処理により、IGZO層の上面から膜厚方向
にかけて深い領域までn型化していることがわかった。
導電層にチタン層を用いた場合には、その成膜段階では導電層下の酸化物半導体層の領域
でもシート抵抗が下がらず、即ちi型化が維持されることが確認された。
は酸化物半導体層をIGZO(132)とした場合であっても同様であった(図31およ
び図32参照)。
リング法により成膜することでIGZO層がn型化しても、CAAC−OS層の構造自体
が破壊されるものではない。図33にCAAC−OS層を有するIGZO層の上にタング
ステン層を形成した場合のTEM観察結果を、タングステン層の形成後に熱処理を行った
場合と行っていない場合とに分けて示す。いずれの場合であっても、TEM像中に矢印で
示すように層状に揃った結晶構造が確認される。従って、CAAC−OS層が維持されて
いることが分かる。
において、酸化物半導体層のシート抵抗がどのように変化するかを測定した結果について
、ナノ結晶を有する酸化物半導体層(nc−OS層)とCAAC−OS層との比較を図3
4および図35を用いて説明する。
1:1:1のターゲットを用いてスパッタリング法により成膜したナノ結晶を有するIG
ZO(以下、実施例においてnc−OSと呼ぶ)層を有する試料と、CAACを有するI
GZO(以下、実施例においてCAAC−OSと呼ぶ)層とを有する試料とを作製した。
ここで、nc−OS層は、アルゴンの流量を135sccmおよび酸素の流量を15sc
cmとし、圧力0.6Pa、電力(AC)5kW、基板温度100℃の条件で成膜した。
また、CAAC−OS層は、アルゴンの流量を100sccmおよび酸素の流量を100
sccmとし、圧力0.6Pa、電力(AC)5kW、基板温度170℃の条件で成膜し
た。いずれの場合においても、IGZO層を形成後、窒素雰囲気で450℃1時間の熱処
理を行った後、窒素および酸素雰囲気で450℃1時間の熱処理を行った。
成膜した。タングステン層は、アルゴンの流量を100sccmとし、圧力2.0Pa、
電力(DC)20kWまたは60kW、基板温度100℃の条件で成膜した。チタン層は
、アルゴンの流量を100sccmとし、圧力0.3Pa、電力(DC)58kW、基板
温度70℃の条件で成膜した。
を除去してIGZO層を露出させた。導電層の形成後の熱処理は、窒素および酸素雰囲気
で350℃1時間の処理とした。また、導電層の除去は、エッチングガスであるSF6の
流量を900sccm、酸素の流量を100sccmとし、ICP電源電力2000W、
バイアス電力200W、圧力2.0Pa、基板温度80℃の条件によるドライエッチング
法により行った。
を測定し、エッチャントによりIGZO層を数nm程度エッチングして、さらに表面のシ
ート抵抗を測定することを繰り返し行った。なお、シート抵抗の測定は直流4探針法によ
り行った。
横軸にIGZO層のエッチング量(単位:nm)を示し縦軸にシート抵抗(単位:Ω/□
)を示す。横軸において0nmの位置が、導電層のみを除去して露出したIGZO層の最
表面を示し、右方向がIGZO層の深さ方向を示す。
合を図35に示す。各図において、上側に導電層としてタングステン層を成膜して除去し
た場合、下側に導電層としてチタン層を成膜して除去した場合について示す。
熱処理を行っていなくても、IGZO層の上部でシート抵抗が測定できる(図34参照)
。nc−OS層とCAAC−OS層との比較では、僅かにnc−OS層の方が深くまでn
型化されることがわかった。
抗がレンジオーバーとなる(図34参照)。従って、導電層としてチタン層を成膜した場
合には、成膜した段階ではIGZO層の上部はn型化されず、i型が維持されることがわ
かった。
ン層のいずれの場合であってもIGZO層の膜厚深くまでシート抵抗が測定できる(図3
5参照)。このことから、導電層形成後の熱処理により、IGZO層の上面から膜厚方向
にかけて深い領域までn型化していることがわかった。また、導電層がタングステン層の
場合、nc−OS層では、CAAC−OS層と比べてより低抵抗化し、かつ深くまでn型
化されることがわかった。また、導電層がチタン層の場合、nc−OS層では、CAAC
−OS層と比べてより低抵抗化することがわかった。
化が起こりにくく、かつn型化領域の断面積が膜厚方向に大きくならないことがわかる。
トエッチングによって、IGZO層を均一にエッチングできないことがわかった。TEM
像を図36に示す。
には続けて30分間ウェットエッチングした後のnc−OS層の断面を示す。30分間ウ
ェットエッチングした後のnc−OS層は、層が疎になっていることがわかった。これは
、nc−OS層において、チタンと反応した領域が変質しているためと考えられる。図3
6からも、チタンによるnc−OS層の変質は、全体的に起こるのではなく、局所的に起
こる可能性がある。
る、導電層に用いた金属の酸化物半導体層への拡散についての測定結果を、図37を用い
て説明する。
パッタリング法により、酸化物半導体であるIGZO層をガラス基板上に成膜した。成膜
は、アルゴンおよび酸素の流量をともに100sccmとし、圧力0.6Pa、電力(A
C)5kW、基板温度170℃の条件により行った。IGZO層の膜厚は100nmであ
る。この上に導電層を厚さ100nmで成膜した。試料は、導電層をタングステン層とし
たものとチタン層としたものとをそれぞれ2つ用意し、一方は熱処理を行わず、他方は酸
素および窒素雰囲気で350℃1時間の熱処理を行った。
素の流量を20sccmとし、アルゴンの流量を180sccmとし、圧力0.6Pa、
電力(AC)5kW、基板温度100℃の条件のスパッタリング法によりIGZO層を成
膜した。IGZO層の膜厚は100nmである。この上に導電層としてタングステンを用
いた導電層を厚さ100nmで成膜した。当該試料を2つ用意し、一方は熱処理を行わず
、他方は酸素及び窒素雰囲気で350℃1時間の熱処理を行った。また、導電層をチタン
層とした試料は、上記サンプルのタングステンに代えてチタンを用いて作製した。
、導電層を構成するタングステンまたはチタンのIGZO層への拡散の程度を調査した。
SIMSの結果を図37に示す。
側がチタン層を用いた場合の分析結果である。また、図37の上側及び下側の分析に用い
た試料はIGZO層を170℃で成膜した試料である。横軸に示す深さは、上面を0nm
としたときのIGZO層およびタングステン層またはチタン層の深さを示す。また縦軸は
、膜中のタングステンまたはチタンの濃度(単位:atoms/cm3)を示す。なお、
これら金属の濃度は、IGZO膜中の濃度として定量している。
濃度プロファイルを示す点線と、熱処理を行った後のタングステンの濃度プロファイルを
示す実線とが概略一致した。このことから、350℃の熱処理を行ってもタングステンは
ほとんどIGZO層に拡散しないことが確認された。
プロファイルを示す点線に対して、熱処理を行った後のチタンの濃度プロファイルを示す
実線は大きくIGZO膜中に移動している。これにより、チタン層とIGZO層との境界
部分において、チタンとIGZOとの混合または化合した領域が形成されていることがわ
かった。以上のことから、350℃の熱処理を行うことによって、チタンはIGZO層中
に拡散することが確認された。
と比較して、100℃で成膜したIGZO層の方が、350℃の熱処理後において、より
深い領域にチタンが拡散される。これは、IGZO層の成膜温度が低いと、IGZO層が
粗な膜となるため、チタンがより拡散しやすくなる。
に拡散するため、チタンが拡散した酸化物半導体層中の領域でn+領域が形成されること
がわかる。
ての評価結果について、図38および図39を用いて説明する。
0nmの厚さでスパッタリング法により成膜し、その上にタングステン層またはチタン層
からなる導電層を100nmの厚さでスパッタリング法により成膜した。IGZO(11
1)は、アルゴンおよび酸素の流量をともに100sccmとし、圧力0.6Pa、電力
(AC)5kW、基板温度170℃の条件で成膜した。また、IGZO(132)は、ア
ルゴンの流量を135sccm、酸素の流量を15sccmとし、圧力0.3Pa、電力
(AC)5kW、基板温度100℃の条件で成膜した。ここで、上記の酸素はその挙動を
モニタするため、酸素の同位体である18Oを用いた。
C)60kW、基板温度100℃の条件で成膜し、チタン層は、アルゴンの流量を100
sccm、圧力0.3Pa、電力(DC)58kW、基板温度100℃の条件で成膜した
。
用意した。熱処理は、導電層の形成後に窒素および酸素雰囲気で350℃1時間の条件で
行った。そしてそれぞれの試料に対し、膜中の酸素(18O)のプロファイルをSIMS
により測定した。
MS測定結果を図38に示す。図38において上側が酸化物半導体層としてIGZO(1
11)を用いた場合、下側がIGZO(132)を用いた場合のSIMS結果である。
素(18O)の濃度(単位:atoms/cm3)を示す。図中の実線で示すプロファイ
ルは導電層の形成後に熱処理を行っていない試料についてのプロファイルを示し、点線で
示すプロファイルは導電層の形成後に上記の熱処理を行った試料についてのプロファイル
を示す。なお、図中の破線で囲んだ部分は、外気に由来する酸素のプロファイルを示す。
場合に対して350℃の熱処理を行った場合であっても、IGZO層中からタングステン
層へ酸素が拡散している傾向はみられない。これは酸化物半導体層がIGZO(111)
であってもIGZO(132)であっても同様の結果であった。
場合に比べて350℃の熱処理を行った場合はチタン層中の酸素濃度が著しく増大する。
このことから、350℃の熱処理を行うことで、IGZO層からチタン層へ酸素(18O
)が大きく拡散していくことが分かった。
説明する。
)型トランジスタおよびその周辺構造を、以下の工程により作製した。
の上にプラズマCVD法によりゲート絶縁膜を形成した。ゲート絶縁膜は、窒化シリコン
層、窒化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層の順に設けられた4層構造と
した。順に50nm、300nm、50nm、50nmの厚さとした。下層3層の窒化シ
リコン層においては、1層目の窒化シリコン層はNH3のガス流量を少なく、2層目の窒
化シリコン層はNH3のガス流量を多く、3層目の窒化シリコン層はSiH4のガス流量
を多くした。即ち、1層目の窒化シリコン層は、ガス流量をSiH4を200sccm、
N2を2000sccm、NH3を100sccm、とし、2層目の窒化シリコン層は、
ガス流量をSiH4を200sccm、N2を2000sccm、NH3を2000sc
cm、とし、3層目の窒化シリコン層は、ガス流量をSiH4を200sccm、N2を
5000sccm、とし、いずれも圧力100Pa、電力2000W、基板温度350℃
とした。
層を35nmの厚さでスパッタリング法により成膜し、その上にターゲットの組成がIn
:Ga:Zn=1:3:2の酸化物層を20nmの厚さでスパッタリング法により成膜し
た。前者は、圧力0.6Pa、電力5kW、アルゴンの流量を100sccmおよび酸素
の流量を100sccmとし、基板温度170℃の条件で成膜し、後者は、圧力0.6P
a、電力5kW、アルゴンの流量を135sccmおよび酸素の流量を15sccmとし
、基板温度170℃の条件で成膜した。これらの膜は連続的に成膜を行った。この後、窒
素雰囲気で450℃1時間の熱処理をして酸化物積層膜の脱水および脱水素化を行い、さ
らに窒素および酸素雰囲気で450℃1時間の熱処理をして酸化物積層膜への加酸素化を
行った。
ン層をこの順番でスパッタリング法により成膜し、ドライエッチングにより積層されてい
るチタン層、アルミニウム層、及びチタン層を所定の形状に加工した。その後、85重量
%濃度のリン酸を1/100に希釈した溶液を用いてエッチング残渣を除去するための洗
浄をした。
層積層(50nm、400nm)を形成し、その上に窒化シリコン層を100nm形成し
た。酸化物絶縁膜の下層は、ガス流量比をSiH4を30sccm、N2Oを4000s
ccmとし、電力150W、圧力200Pa、基板温度220℃として成膜した。また、
酸化物絶縁膜の上層は、ガス流量比をSiH4を200sccm、N2Oを4000sc
cmとし、電力1500W、圧力200Pa、基板温度220℃として成膜した。窒化シ
リコン層は、酸化窒化シリコン層の2層積層の形成後に窒素および酸素雰囲気で350℃
1時間の熱処理を行った後に成膜した。成膜条件は、ガス流量をSiH4を50sccm
、N2Oを5000sccmとし、電力150W、圧力200Pa、基板温度220℃と
して成膜した。
0℃1時間焼成した。さらに、画素電極として透明導電膜を100nm成膜し、最終的な
熱処理として窒素雰囲気で250℃1時間の熱処理を行った。
なお、試料1には20個のトランジスタを含む。試料1に含まれるトランジスタの特性を
、図40に示す。ここで、図40(A)はチャネル長(L)を6μmとしチャネル幅(W
)を50μmとしたトランジスタについての特性であり、図40(B)はチャネル長(L
)を3μmとしチャネル幅(W)を50μmとしたトランジスタについての特性である。
トランジスタの特性は、ドレイン電圧(Vd)を1Vおよび10Vとした場合を示す。横
軸にゲート電圧(Vg)(単位:V)を示し、縦軸(左)にドレイン電流(単位:A)、
縦軸(右)にドレイン電圧(Vd)が10Vのときのトランジスタの電界効果移動度(単
位:cm2/Vs)を示す。この結果から、チャネル長が3μmと微細な構造であっても
、良好なトランジスタ特性が得られることが分かった。
rature)試験の結果について、図41を用いて説明する。
性変化(即ち、経時変化)を短時間で評価することができる。ゲートBT試験前後におけ
るトランジスタの特性の変動量を調べることは、信頼性を調べるための重要な指標となる
。
に、トランジスタが形成されている基板の温度(基板温度)を一定に維持し、トランジス
タのソースおよびドレインとして機能する一対の電極を同電位とし、ソースおよびドレイ
ンとして機能する一対の電極とは異なる電位をゲート電極に一定時間印加する(図41(
A)参照)。基板温度は、試験目的に応じて適宜設定すればよく、ここでは125℃とし
た。次に、基板温度を電気特性の測定時と同様に設定し、トランジスタの電気特性を測定
する。この結果、ゲートBT試験前後の電気特性におけるしきい値電圧(Vth)および
シフト値(Shift)の差を、変動量として得ることができる。
のゲート電圧(Vg)をいう。しきい値電圧(Vth)は、ゲート電圧(Vg)を横軸に
、ドレイン電流Idの平方根を縦軸にプロットした曲線(Vg−√Id特性)において、
最大傾きである接線を外挿したときの直線とドレイン電流Idの平方根が0(Idが0A
)との交点におけるゲート電圧(Vg)として算出した。また、シフト値とはゲート電圧
(Vg)を横軸、ドレイン電流Idの対数を縦軸にプロットした曲線において、最大傾き
であるドレイン電圧Idの接線を外挿したときの直線Id=1×10―12[A]との交
点とのゲート電圧(Vg)で定義する。なおシフト値は、ドレイン電圧(Vd)を10V
として算出した。
ースとドレインの電位を同じにした(ここでは、Vd=Vs=0V)とした。ストレス温
度は125℃とし、ストレスの印加時間は1時間とした。また、光照射には、白色LED
光を用い、約10000lxとした。
の変動量(ΔVth)は、光照射無しの環境(Dark)で、プラスゲートBT(+GB
T)の場合は1.93V、マイナスゲートBT(−GBT)の場合は−1.27Vであっ
た。光照射の環境(Photo)では、プラスゲートBT(+GBT)の場合は−0.7
8V、マイナスゲートBT(−GBT)の場合は−0.80Vであった。
場合は2.04V、マイナスゲートBTの場合は−1.51Vであった。光照射の環境で
は、プラスゲートBTの場合は−0.85V、マイナスゲートBTの場合は−1.05V
であった。
したトランジスタの信頼性が優れていることが分かった。
相関関係をプロットしたグラフを図42に示す。
の積層構造であり、IGZO膜(132)は、基板温度100℃の場合と170℃の場合
について測定を行った。また、それぞれについて、ソース電極およびドレイン電極を構成
する導電層として、タングステン層、アルミニウム層、チタン層の順番で設けられた3層
構造(W\Al\Tiと表記)としたものと、チタン層、アルミニウム層、チタン層の順
番で設けられた3層構造(Ti\Al\Tiと表記)としたものを用意した。
)との関係に負の相関が見られることが分かった。ここで、基板温度を100℃でIGZ
O(132)を成膜し、ソース電極およびドレイン電極をチタン層、アルミニウム層、チ
タン層の順番で設けられた3層構造とした試料のみが特異な分布になっていることが示さ
れた(図42における破線で囲んだ部分)。この条件の場合には、チタン層の成膜後に熱
処理を行うため、n型層がIGZO層の深くまで形成され、トランジスタの実効的なチャ
ネル長が短くなっていることが示唆される。
ssion Line Method)解析を行った。
長(L)についての特性を取得し、交点座標を求めることで実効的なチャネル長(Lef
f)と外部抵抗との見積もりを行う解析手法である。
抵抗は以下の数式2および数式3で与えられる。
けるチャネル長、ΔLは設計におけるチャネル長と実効的なチャネル長との差を表す。ま
た、rchはチャネル抵抗を単位長で除したものであり、ゲート電圧(Vg)に依存する
。
ャネル長(L)特性を取得し、図43(B)に示すように、交点座標を求める。交点座標
が外部抵抗(2R0)および実効的なチャネル長の設計におけるチャネル長との差(2Δ
L)に対応する。
極の条件を変えて測定したトランジスタの特性を用いて、それぞれ2ΔLおよび2R0を
算出し、実効的なチャネル長および直列抵抗の評価を行った。その結果を、図44および
図45に示す。
それぞれについてTLM解析により評価した結果である。
計におけるチャネル長と実効的なチャネル長との差(−2ΔL)を示している。また、図
44(B)は、IGZO(132)の膜質とソース電極およびドレイン電極ごとに、外部
抵抗値(2R0)を示している。
でソース電極およびドレイン電極をチタン層、アルミニウム層、チタン層の順番で設けら
れた3層構造とした場合に、2ΔLが最も大きくなった。これは実効的なチャネル長(L
eff)が短くなっていることを示す。また、IGZO(132)の成膜を基板温度17
0℃とした場合においては、ソース電極およびドレイン電極がタングステン層、アルミニ
ウム層、チタン層の順番で設けられた3層構造の場合とチタン層、アルミニウム層、チタ
ン層の順番で設けられた3層構造の場合とで、実効的なチャネル長(Leff)は同等の
結果となった。
の割合)を10体積%、30体積%、50体積%と変えてそれぞれについてTLM解析に
より評価した結果である。
計におけるチャネル長と実効的なチャネル長との差(−2ΔL)を示している。また、図
45(B)は、IGZO(132)の膜質とソース電極およびドレイン電極ごとに、外部
抵抗値(2R0)を示している。
よびドレイン電極がタングステン層、アルミニウム層、チタン層の順番で設けられた3層
構造の場合とチタン層、アルミニウム層、チタン層の順番で設けられた3層構造の場合と
で大きく変わらなかった。また図45(B)のTLM解析結果より、酸素流量比を上げて
いくことで外部抵抗の上昇傾向が見られるが、ソース電極およびドレイン電極がタングス
テン層、アルミニウム層、チタン層の順番で設けられた3層構造の場合に比べ、チタン層
、アルミニウム層、チタン層の順番で設けられた3層構造の場合では外部抵抗の上昇を抑
制することができることが明らかとなった。これは、酸化物積層膜上の導電層としてチタ
ン層を用いることによる酸化物積層膜のn型化の効果であると考えることができる。
酸化物積層膜として非晶質(またはナノ結晶)の酸化物半導体を用いるよりも、CAAC
−OS層を用いることが適していることを説明する。
用いて作製した、チャネル幅(W)が50μm、チャネル長(L)が2μmまたは6μm
のトランジスタにおけるVg−Id特性を、図46および図47に示す。特性についての
測定は、600mm×720mm基板における20点について行った。
μmのトランジスタにおいても、均一な特性を得ることができた。従って、CAAC構造
の酸化物半導体を用いることにより、微細なトランジスタを作製することが可能となる。
ル長が2μmにおいてバラツキが大きい。
物半導体を用いた方が、安定的にチャネルエッチ型のトランジスタを作製することができ
る。これは、CAAC構造の酸化物半導体が非晶質(またはナノ結晶)の酸化物半導体に
比べて定性的には構造的に強く、これにより安定なトランジスタの作製が可能となってい
ると考えられる。
晶質構造および結晶構造についての凝集エネルギーを計算した。凝集エネルギーは以下の
数式4で定義される。
ZO) (数式4)
、計算で求めた非晶質のIGZOおよび結晶質のIGZOの構造を示す。いずれの構造に
おいても、In:Ga:Zn:O=1:1:1:4[原子数比]であり、総原子数は84
であり、密度はそれぞれ非晶質のIGZOにおいては5.9g/cm3、結晶質のIGZ
Oにおいては6.1g/cm3である。非晶質の方が密度は低い。なお、この計算には第
一原理電子状態計算パッケージVASP(Vienna Ab Simulation
Package)を用いた。表1に計算条件を示す。
、表2に示す。
IGZOとで凝集エネルギー(30.007eV)とに有意な差(28.854eV−3
0.007eV=−1.153eV)が確認された。これは非晶質のIGZOの方が反応
性に富むことを意味している。
めに、各金属と酸素との間の平均結合長を調べた。表3に、その結果を示す。なお、非晶
質のIGZOについての平均結合距離は、Inに関しては6配位、GaおよびZnは5配
位として算出した。
m、Ga−Oは0.2nm、Zn−Oは0.218nm)が結晶質のIGZOの平均結合
長(In−Oは0.221nm、Ga−Oは0.197nm、Zn−Oは0.208nm
)と比較して伸張していることが分かった。よって、表2に示した凝集エネルギーにおけ
る差は、この平均結合長の差が主な要因と考えられる。
が安定的に作製できる理由として、CAAC構造の酸化物半導体は結晶性の膜であり、構
造が強固であるためと考えることができる。結晶質のIGZOは凝集エネルギーが大きく
、結合が強いため、CAAC構造の酸化物半導体がバックチャネル側においてエッチング
時のプラズマなどに曝されるチャネルエッチ型のトランジスタに適していると考えられる
。
100a トランジスタ
100b トランジスタ
100c トランジスタ
101 基板
102 ゲート電極
103 ゲート絶縁膜
104 酸化物積層膜
105 酸化物半導体層
106 酸化物層
107 導電膜
108a ソース電極
108b ドレイン電極
109 層間絶縁膜
109a 酸化物絶縁膜
109b 酸化物絶縁膜
110 n+領域
111 層間絶縁膜
112 凹部
113 GaOx層または混合層
114 酸化物層
120 トラップ準位
700 基板
701 基板
702 ゲート電極
703 保護絶縁膜
704a ソース電極
704b ドレイン電極
705 ゲート絶縁膜
706 酸化物膜
719 発光素子
720 絶縁膜
721 絶縁膜
731 端子
732 FPC
733a 配線
733b 配線
733c 配線
734 シール材
735 駆動回路
736 駆動回路
737 画素領域
741 トランジスタ
742 キャパシタ
743 スイッチ素子
744 信号線
750 画素
751 トランジスタ
752 キャパシタ
753 液晶素子
754 走査線
755 信号線
781 電極
782 発光層
783 電極
784 隔壁
785a 中間層
785b 中間層
785c 中間層
785d 中間層
786a 発光層
786b 発光層
786c 発光層
791 電極
792 絶縁膜
793 液晶層
794 絶縁膜
795 スペーサ
796 電極
797 基板
3501 配線
3502 配線
3503 トランジスタ
3504 液晶素子
3510 配線
3510_1 配線
3510_2 配線
3511 配線
3515_1 ブロック
3515_2 ブロック
3516 ブロック
3521 トランジスタ
3522 電極
3523 電極
3524 液晶
3525 カラーフィルタ
3526 配線
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電層
4020a ゲート絶縁膜
4020b ゲート絶縁膜
4031 電極
4032a 絶縁膜
4032b 絶縁膜
4033 絶縁膜
4034 電極
4035 スペーサ
4038 絶縁膜
4040 平坦化絶縁膜
4042 絶縁膜
4050 配線
4052 配線
9000 筐体
9001 ボタン
9002 マイクロフォン
9003 表示部
9004 スピーカ
9005 カメラ
9010 筐体
9011 表示部
9020 筐体
9021 ボタン
9022 マイクロフォン
9023 表示部
9030 筐体
9031a 表示部
9031b 表示部
9032 留め具
9033 操作スイッチ
9040 筐体
9041 表示部
9042 操作ボタン
9043 スピーカ
9044 マイクロフォン
9045 表示部
Claims (10)
- 酸化ハフニウムと前記酸化ハフニウム上の酸化シリコンとを有する絶縁膜上に位置する、酸化物半導体層をメタンとアルゴンの混合ガスを用いてエッチングする、酸化物半導体層のエッチング方法。
- 酸化ハフニウムと前記酸化ハフニウム上の酸化シリコンとを有する絶縁膜上に位置し、且つIn、Ga、及びZnを有する酸化物半導体層をメタンとアルゴンの混合ガスを用いてエッチングする、酸化物半導体層のエッチング方法。
- 請求項1または請求項2において、
前記絶縁膜はスパッタリング法、CVD法、または蒸着法のいずれかの方法で形成された絶縁膜である、酸化物半導体層のエッチング方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に結晶のc軸が配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体層である、酸化物半導体層のエッチング方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はIn:Ga:Zn=1:1:1または3:1:2の原子数比のIn−Ga−Zn酸化物の第1の層と、前記第1の層上のIn:Ga:Zn=1:3:2、1:6:4、または1:9:6の原子数比のIn−Ga−Zn酸化物の第2の層の積層構造である、酸化物半導体層エッチング方法。 - ゲート電極上に、酸化ハフニウムと前記酸化ハフニウム上の酸化シリコンとを有するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層をメタンとアルゴンの混合ガスを用いてエッチングし、
前記エッチング後に、前記酸化物半導体層上にチタン膜を形成し、
前記チタン膜をエッチングすることで、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成後に熱処理を行う、トランジスタの作製方法。 - ゲート電極上に、酸化ハフニウムと前記酸化ハフニウム上の酸化シリコンとを有するゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、In、Ga、及びZnを有する酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層をメタンとアルゴンの混合ガスを用いてエッチングし、
前記エッチング後に、前記酸化物半導体層上にチタン膜を形成し、
前記チタン膜をエッチングすることで、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成後に熱処理を行う、トランジスタの作製方法。 - 請求項6または請求項7において、
前記ゲート絶縁膜はスパッタリング法、CVD法、または蒸着法のいずれかの方法で形成された絶縁膜である、トランジスタの作製方法。 - 請求項6乃至8のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に結晶のc軸が配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体層である、トランジスタの作製方法。 - 請求項6乃至9のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層はIn:Ga:Zn=1:1:1または3:1:2の原子数比のIn−Ga−Zn酸化物の第1の層と、前記第1の層上のIn:Ga:Zn=1:3:2、1:6:4、または1:9:6の原子数比のIn−Ga−Zn酸化物の第2の層の積層構造である、トランジスタの作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021155048A JP2021192464A (ja) | 2012-11-30 | 2021-09-24 | 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012263814 | 2012-11-30 | ||
JP2012263814 | 2012-11-30 | ||
JP2012273866 | 2012-12-14 | ||
JP2012273866 | 2012-12-14 | ||
JP2013044876 | 2013-03-07 | ||
JP2013044876 | 2013-03-07 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019200747A Division JP2020047927A (ja) | 2012-11-30 | 2019-11-05 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021155048A Division JP2021192464A (ja) | 2012-11-30 | 2021-09-24 | 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020057819A true JP2020057819A (ja) | 2020-04-09 |
Family
ID=50824577
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013248140A Withdrawn JP2014197664A (ja) | 2012-11-30 | 2013-11-29 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2018016315A Withdrawn JP2018078339A (ja) | 2012-11-30 | 2018-02-01 | 半導体装置 |
JP2019200747A Withdrawn JP2020047927A (ja) | 2012-11-30 | 2019-11-05 | 半導体装置 |
JP2020002686A Withdrawn JP2020057819A (ja) | 2012-11-30 | 2020-01-10 | 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 |
JP2021155048A Withdrawn JP2021192464A (ja) | 2012-11-30 | 2021-09-24 | 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013248140A Withdrawn JP2014197664A (ja) | 2012-11-30 | 2013-11-29 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2018016315A Withdrawn JP2018078339A (ja) | 2012-11-30 | 2018-02-01 | 半導体装置 |
JP2019200747A Withdrawn JP2020047927A (ja) | 2012-11-30 | 2019-11-05 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021155048A Withdrawn JP2021192464A (ja) | 2012-11-30 | 2021-09-24 | 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9246011B2 (ja) |
JP (5) | JP2014197664A (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112013006219T5 (de) | 2012-12-25 | 2015-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
TWI721409B (zh) | 2013-12-19 | 2021-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
US9564535B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module |
WO2015128774A1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the semiconductor device |
TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
TWI666776B (zh) | 2014-06-20 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及包括該半導體裝置的顯示裝置 |
TWI699023B (zh) * | 2014-06-30 | 2020-07-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,模組,及電子裝置 |
JP6676316B2 (ja) | 2014-09-12 | 2020-04-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2016063169A1 (en) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
US9704704B2 (en) | 2014-10-28 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including the same |
US10680017B2 (en) | 2014-11-07 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including EL layer, electrode which has high reflectance and a high work function, display device, electronic device, and lighting device |
US10700210B2 (en) * | 2014-11-28 | 2020-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and manufacturing method for same |
US20160155803A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor Device, Method for Manufacturing the Semiconductor Device, and Display Device Including the Semiconductor Device |
US9741811B2 (en) * | 2014-12-15 | 2017-08-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit devices including source/drain extension regions and methods of forming the same |
KR20160114511A (ko) | 2015-03-24 | 2016-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
US9806200B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6850096B2 (ja) | 2015-09-24 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法及び電子機器の作製方法 |
US10714633B2 (en) | 2015-12-15 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
KR101876011B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2018-07-06 | 연세대학교 산학협력단 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
KR20180123028A (ko) | 2016-03-11 | 2018-11-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장비, 상기 반도체 장치의 제작 방법, 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치 |
CN115332356A (zh) * | 2016-04-13 | 2022-11-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及包括该半导体装置的显示装置 |
KR20170126398A (ko) * | 2016-05-09 | 2017-11-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 갖는 표시 장치 |
JP6798173B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2020-12-09 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法、表示素子、表示装置、システム |
TW201812419A (zh) * | 2016-07-25 | 2018-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電晶體的製造方法及顯示裝置 |
DE112018001348T5 (de) | 2017-03-16 | 2019-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung sowie eine Halbleitervorrichtung |
JP7143278B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2022-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6899798B2 (ja) * | 2018-06-15 | 2021-07-07 | 株式会社東海理化電機製作所 | 生体情報認証装置 |
JP7461129B2 (ja) | 2019-10-17 | 2024-04-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN111328238B (zh) * | 2020-02-28 | 2021-07-09 | 内蒙古华测电力科技有限公司 | 一种电力故障检测装置及其使用方法 |
US20210376156A1 (en) * | 2020-05-29 | 2021-12-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Raised source/drain oxide semiconducting thin film transistor and methods of making the same |
TW202229613A (zh) * | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
JP2023007231A (ja) | 2021-07-01 | 2023-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
WO2023139447A1 (ja) * | 2022-01-21 | 2023-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
KR20230153993A (ko) * | 2022-04-26 | 2023-11-07 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335505A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Canon Inc | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP2010080552A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Brother Ind Ltd | トランジスタの製造方法 |
JP2011124360A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2011141543A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
JP2011181906A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012023352A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2012199527A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (140)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN102856390B (zh) | 2004-03-12 | 2015-11-25 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 包含薄膜晶体管的lcd或有机el显示器的转换组件 |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
BRPI0517560B8 (pt) | 2004-11-10 | 2018-12-11 | Canon Kk | transistor de efeito de campo |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI472037B (zh) | 2005-01-28 | 2015-02-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101112655B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100858088B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
WO2009093462A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体素子およびその製造方法 |
JP4555358B2 (ja) | 2008-03-24 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置 |
KR100941850B1 (ko) | 2008-04-03 | 2010-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963026B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
KR100963027B1 (ko) | 2008-06-30 | 2010-06-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
JP5345456B2 (ja) | 2008-08-14 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタ |
JP5339825B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2013-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5345359B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2013-11-20 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
WO2010047288A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductordevice |
JP2010153802A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-07-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8492756B2 (en) * | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5606682B2 (ja) | 2009-01-29 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JP5504008B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5564331B2 (ja) | 2009-05-29 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4571221B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-10-27 | 富士フイルム株式会社 | Igzo系酸化物材料及びigzo系酸化物材料の製造方法 |
JP4415062B1 (ja) | 2009-06-22 | 2010-02-17 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2011002046A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR101949670B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2019-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20120107079A (ko) * | 2009-11-20 | 2012-09-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 |
KR101825345B1 (ko) | 2009-11-28 | 2018-02-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 적층 산화물 재료, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011070887A1 (en) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Field effect transistor |
JP5457827B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-04-02 | ユニ・チャーム株式会社 | パンツ型の着用物品 |
JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
JP5708910B2 (ja) | 2010-03-30 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
JP2011222767A (ja) | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
US8685787B2 (en) | 2010-08-25 | 2014-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5626978B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-11-19 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
WO2012056933A1 (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 株式会社日立製作所 | 酸化物半導体装置およびその製造方法 |
JP5723262B2 (ja) * | 2010-12-02 | 2015-05-27 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタおよびスパッタリングターゲット |
WO2012090794A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012160679A (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-23 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
JP6019329B2 (ja) | 2011-03-31 | 2016-11-02 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
US8952377B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8716073B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for processing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device |
JP6061497B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-01-18 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | 医用装置、表示装置、およびプログラム |
EP3067259B1 (en) * | 2013-11-06 | 2021-05-26 | Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha | Saddle-type electric vehicle |
-
2013
- 2013-11-26 US US14/090,244 patent/US9246011B2/en active Active
- 2013-11-29 JP JP2013248140A patent/JP2014197664A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-01-21 US US15/002,826 patent/US9583601B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-23 US US15/439,997 patent/US10121903B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-01 JP JP2018016315A patent/JP2018078339A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-11-05 JP JP2019200747A patent/JP2020047927A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-01-10 JP JP2020002686A patent/JP2020057819A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-09-24 JP JP2021155048A patent/JP2021192464A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335505A (ja) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Canon Inc | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP2010080552A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Brother Ind Ltd | トランジスタの製造方法 |
JP2011124360A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Fujifilm Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2011141543A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
JP2011181906A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-09-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2012023352A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JP2012199527A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140151686A1 (en) | 2014-06-05 |
JP2018078339A (ja) | 2018-05-17 |
US9246011B2 (en) | 2016-01-26 |
JP2020047927A (ja) | 2020-03-26 |
US10121903B2 (en) | 2018-11-06 |
JP2021192464A (ja) | 2021-12-16 |
US9583601B2 (en) | 2017-02-28 |
US20170162718A1 (en) | 2017-06-08 |
JP2014197664A (ja) | 2014-10-16 |
US20160141397A1 (en) | 2016-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020057819A (ja) | 酸化物半導体層のエッチング方法及びトランジスタの作製方法 | |
US11824105B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US11355648B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US9972718B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
TWI661542B (zh) | 顯示裝置 | |
JP6278671B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR20210043535A (ko) | 반도체 장치의 제작 방법 | |
JP6542961B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200115 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20200115 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20200226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200721 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201215 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210413 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210629 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20210928 |