JP2020004710A5 - - Google Patents
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Priority Applications (30)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020257030648A KR20250138835A (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| PCT/JP2019/023238 WO2019244734A1 (ja) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 制御方法及びプラズマ処理装置 |
| CN202110571547.7A CN113345788B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质 |
| KR1020247042137A KR20250006324A (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| CN202411459225.3A CN119340188A (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 控制方法和等离子体处理装置 |
| CN202310348168.0A CN116387129A (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质 |
| CN201980017588.2A CN111886935B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 控制方法和等离子体处理装置 |
| KR1020207025364A KR102554164B1 (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 제어 방법, 플라즈마 처리 장치, 프로그램 및 기억 매체 |
| CN202411459091.5A CN119340186A (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 控制方法和等离子体处理装置 |
| KR1020217018369A KR102545994B1 (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| KR1020237010884A KR20230048459A (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| KR1020247042385A KR20250006326A (ko) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 제어 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| CN202411459146.2A CN119340187A (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-12 | 控制方法和等离子体处理装置 |
| TW108120409A TWI814838B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-13 | 控制方法、電漿處理裝置、電腦程式及電腦記錄媒體 |
| TW112141660A TWI880421B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-13 | 電漿處理裝置、控制方法、處理器及非暫時性電腦可讀記錄媒體 |
| TW112110807A TWI822617B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-13 | 射頻產生器及用於產生射頻訊號的方法 |
| TW111138746A TWI824768B (zh) | 2018-06-22 | 2019-06-13 | 電漿處理裝置、處理器、控制方法、非暫時性電腦可讀記錄媒體及電腦程式 |
| US17/017,039 US11476089B2 (en) | 2018-06-22 | 2020-09-10 | Control method and plasma processing apparatus |
| US17/359,642 US11742181B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-06-28 | Control method and plasma processing apparatus |
| JP2021112410A JP7155354B2 (ja) | 2018-06-22 | 2021-07-06 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及びプログラム |
| US17/700,496 US11742182B2 (en) | 2018-06-22 | 2022-03-22 | Control method and plasma processing apparatus |
| JP2022160397A JP7455174B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-10-04 | Ｒｆ発生器及び方法 |
| US18/227,986 US12165842B2 (en) | 2018-06-22 | 2023-07-31 | Control method and plasma processing apparatus |
| JP2023191356A JP7551887B2 (ja) | 2018-06-22 | 2023-11-09 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及び電源システム |
| JP2024133822A JP7634755B2 (ja) | 2018-06-22 | 2024-08-09 | プラズマ処理装置、制御方法、プログラム及び電源システム |
| US18/935,665 US20250062101A1 (en) | 2018-06-22 | 2024-11-04 | Control method and plasma processing apparatus |
| JP2024217445A JP7660257B2 (ja) | 2018-06-22 | 2024-12-12 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及び電源システム |
| JP2025049758A JP2025098142A (ja) | 2018-06-22 | 2025-03-25 | プラズマ処理装置、電源システム、制御方法、及びプログラム |
| US19/232,884 US20250308843A1 (en) | 2018-06-22 | 2025-06-10 | Control method and plasma processing apparatus |
| US19/233,036 US20250308844A1 (en) | 2018-06-22 | 2025-06-10 | Control method and plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018119344 | 2018-06-22 | ||
| JP2018119344 | 2018-06-22 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021112410A Division JP7155354B2 (ja) | 2018-06-22 | 2021-07-06 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及びプログラム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020004710A JP2020004710A (ja) | 2020-01-09 |
| JP2020004710A5 true JP2020004710A5 (enExample) | 2021-08-26 |
| JP7175239B2 JP7175239B2 (ja) | 2022-11-18 |
Family
ID=69100426
Family Applications (7)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019105708A Active JP7175239B2 (ja) | 2018-06-22 | 2019-06-05 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
| JP2021112410A Active JP7155354B2 (ja) | 2018-06-22 | 2021-07-06 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及びプログラム |
| JP2022160397A Active JP7455174B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-10-04 | Ｒｆ発生器及び方法 |
| JP2023191356A Active JP7551887B2 (ja) | 2018-06-22 | 2023-11-09 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及び電源システム |
| JP2024133822A Active JP7634755B2 (ja) | 2018-06-22 | 2024-08-09 | プラズマ処理装置、制御方法、プログラム及び電源システム |
| JP2024217445A Active JP7660257B2 (ja) | 2018-06-22 | 2024-12-12 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及び電源システム |
| JP2025049758A Pending JP2025098142A (ja) | 2018-06-22 | 2025-03-25 | プラズマ処理装置、電源システム、制御方法、及びプログラム |
Family Applications After (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021112410A Active JP7155354B2 (ja) | 2018-06-22 | 2021-07-06 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及びプログラム |
| JP2022160397A Active JP7455174B2 (ja) | 2018-06-22 | 2022-10-04 | Ｒｆ発生器及び方法 |
| JP2023191356A Active JP7551887B2 (ja) | 2018-06-22 | 2023-11-09 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及び電源システム |
| JP2024133822A Active JP7634755B2 (ja) | 2018-06-22 | 2024-08-09 | プラズマ処理装置、制御方法、プログラム及び電源システム |
| JP2024217445A Active JP7660257B2 (ja) | 2018-06-22 | 2024-12-12 | プラズマ処理装置、プロセッサ、制御方法、非一時的コンピュータ可読記録媒体及び電源システム |
| JP2025049758A Pending JP2025098142A (ja) | 2018-06-22 | 2025-03-25 | プラズマ処理装置、電源システム、制御方法、及びプログラム |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US11476089B2 (enExample) |
| JP (7) | JP7175239B2 (enExample) |
| KR (6) | KR20230048459A (enExample) |
| CN (6) | CN111886935B (enExample) |
| TW (4) | TWI824768B (enExample) |
| WO (1) | WO2019244734A1 (enExample) |
Families Citing this family (98)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10510575B2 (en) | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
| US12288673B2 (en) | 2017-11-29 | 2025-04-29 | COMET Technologies USA, Inc. | Retuning for impedance matching network control |
| US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
| JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
| JP6846387B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2021-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
| KR20250100790A (ko) | 2019-01-22 | 2025-07-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 펄스 전압 파형을 제어하기 위한 피드백 루프 |
| US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
| US11114279B2 (en) | 2019-06-28 | 2021-09-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Arc suppression device for plasma processing equipment |
| US11527385B2 (en) | 2021-04-29 | 2022-12-13 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks |
| US11596309B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-07 | COMET Technologies USA, Inc. | Hybrid matching network topology |
| US12205796B2 (en) | 2019-07-31 | 2025-01-21 | Lam Research Corporation | Radio frequency power generator having multiple output ports |
| CN114342049B (zh) * | 2019-08-22 | 2025-08-19 | 朗姆研究公司 | 用于控制掩模形状并打破选择性与工艺裕度权衡的多态rf脉冲 |
| JP7285742B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2023-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| KR20220106820A (ko) | 2019-12-02 | 2022-07-29 | 램 리써치 코포레이션 | Rf (radio-frequency) 보조된 플라즈마 생성시 임피던스 변환 |
| JP7474591B2 (ja) * | 2019-12-27 | 2024-04-25 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源システム |
| US12027351B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-07-02 | COMET Technologies USA, Inc. | Plasma non-uniformity detection |
| US11830708B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-11-28 | COMET Technologies USA, Inc. | Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves |
| US11521832B2 (en) | 2020-01-10 | 2022-12-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Uniformity control for radio frequency plasma processing systems |
| US11887820B2 (en) | 2020-01-10 | 2024-01-30 | COMET Technologies USA, Inc. | Sector shunts for plasma-based wafer processing systems |
| US11670488B2 (en) | 2020-01-10 | 2023-06-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Fast arc detecting match network |
| US11961711B2 (en) | 2020-01-20 | 2024-04-16 | COMET Technologies USA, Inc. | Radio frequency match network and generator |
| US11605527B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-03-14 | COMET Technologies USA, Inc. | Pulsing control match network |
| US11742184B2 (en) * | 2020-02-28 | 2023-08-29 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP7535438B2 (ja) * | 2020-02-28 | 2024-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP7383533B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2023-11-20 | 株式会社京三製作所 | 高周波電源装置及びその出力制御方法 |
| JP7291091B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2023-06-14 | 株式会社京三製作所 | 高周波電源装置及びその出力制御方法 |
| JP7454971B2 (ja) * | 2020-03-17 | 2024-03-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 検出方法及びプラズマ処理装置 |
| JP7450435B2 (ja) * | 2020-03-30 | 2024-03-15 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源システム |
| JP7433271B2 (ja) * | 2020-04-27 | 2024-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の制御方法 |
| WO2021252353A1 (en) * | 2020-06-12 | 2021-12-16 | Lam Research Corporation | Control of plasma formation by rf coupling structures |
| US11462388B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing assembly using pulsed-voltage and radio-frequency power |
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| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| JP7052162B1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-04-11 | 株式会社アルバック | 高周波電力回路、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法 |
| US11527384B2 (en) | 2020-11-24 | 2022-12-13 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and tuning method for mitigating RF load impedance variations due to periodic disturbances |
| JP2022115443A (ja) * | 2021-01-28 | 2022-08-09 | 国立大学法人九州大学 | プラズマ処理装置、高周波電力給電回路、およびインピーダンス整合方法 |
| JP7597463B2 (ja) * | 2021-02-01 | 2024-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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| US12057296B2 (en) | 2021-02-22 | 2024-08-06 | COMET Technologies USA, Inc. | Electromagnetic field sensing device |
| JP7699444B2 (ja) * | 2021-03-09 | 2025-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
| US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
| US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
| JP2022185241A (ja) * | 2021-06-02 | 2022-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20220399183A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to reduce feature charging in plasma processing chamber |
| US12148595B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-11-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control in pulsed DC plasma chamber |
| US20220399185A1 (en) | 2021-06-09 | 2022-12-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
| US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
| JP7638168B2 (ja) * | 2021-06-21 | 2025-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
| JPWO2023286715A1 (enExample) | 2021-07-14 | 2023-01-19 | ||
| US11923175B2 (en) | 2021-07-28 | 2024-03-05 | COMET Technologies USA, Inc. | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks |
| US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
| KR102862057B1 (ko) | 2021-09-07 | 2025-09-18 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| US12106938B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-10-01 | Applied Materials, Inc. | Distortion current mitigation in a radio frequency plasma processing chamber |
| TW202331780A (zh) * | 2021-09-15 | 2023-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置及電漿處理方法 |
| JP7607539B2 (ja) * | 2021-09-24 | 2024-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| JP7417569B2 (ja) * | 2021-10-29 | 2024-01-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2023068818A (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
| JP2023068820A (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
| JP2023068816A (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
| JP2023068819A (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-18 | 株式会社三洋物産 | 遊技機 |
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- 2019-06-12 KR KR1020237010884A patent/KR20230048459A/ko not_active Ceased
- 2019-06-12 CN CN201980017588.2A patent/CN111886935B/zh active Active
- 2019-06-12 KR KR1020247042137A patent/KR20250006324A/ko active Pending
- 2019-06-12 KR KR1020257030648A patent/KR20250138835A/ko active Pending
- 2019-06-12 KR KR1020207025364A patent/KR102554164B1/ko active Active
- 2019-06-12 KR KR1020247042385A patent/KR20250006326A/ko active Pending
- 2019-06-12 CN CN202411459146.2A patent/CN119340187A/zh active Pending
- 2019-06-12 CN CN202411459225.3A patent/CN119340188A/zh active Pending
- 2019-06-12 CN CN202411459091.5A patent/CN119340186A/zh active Pending
- 2019-06-12 KR KR1020217018369A patent/KR102545994B1/ko active Active
- 2019-06-12 CN CN202310348168.0A patent/CN116387129A/zh active Pending
- 2019-06-12 WO PCT/JP2019/023238 patent/WO2019244734A1/ja not_active Ceased
- 2019-06-12 CN CN202110571547.7A patent/CN113345788B/zh active Active
- 2019-06-13 TW TW111138746A patent/TWI824768B/zh active
- 2019-06-13 TW TW112110807A patent/TWI822617B/zh active
- 2019-06-13 TW TW108120409A patent/TWI814838B/zh active
- 2019-06-13 TW TW112141660A patent/TWI880421B/zh active
-
2020
- 2020-09-10 US US17/017,039 patent/US11476089B2/en active Active
-
2021
- 2021-06-28 US US17/359,642 patent/US11742181B2/en active Active
- 2021-07-06 JP JP2021112410A patent/JP7155354B2/ja active Active
-
2022
- 2022-03-22 US US17/700,496 patent/US11742182B2/en active Active
- 2022-10-04 JP JP2022160397A patent/JP7455174B2/ja active Active
-
2023
- 2023-07-31 US US18/227,986 patent/US12165842B2/en active Active
- 2023-11-09 JP JP2023191356A patent/JP7551887B2/ja active Active
-
2024
- 2024-08-09 JP JP2024133822A patent/JP7634755B2/ja active Active
- 2024-11-04 US US18/935,665 patent/US20250062101A1/en active Pending
- 2024-12-12 JP JP2024217445A patent/JP7660257B2/ja active Active
-
2025
- 2025-03-25 JP JP2025049758A patent/JP2025098142A/ja active Pending
- 2025-06-10 US US19/232,884 patent/US20250308843A1/en active Pending
- 2025-06-10 US US19/233,036 patent/US20250308844A1/en active Pending
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