JP2022105037A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7122268B2 (ja) * 2019-02-05 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7336608B2 (ja) * 2021-02-04 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7699444B2 (ja) * 2021-03-09 2025-06-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP7671717B2 (ja) * 2021-08-10 2025-05-02 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2024094788A (ja) 2022-12-28 2024-07-10 株式会社ダイヘン 高周波電源装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000144434A (ja) * 1998-11-09 2000-05-26 Sekisui Chem Co Ltd 傾斜機能材料の製造方法
JP2001358129A (ja) * 2000-06-16 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US9123509B2 (en) * 2007-06-29 2015-09-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for plasma processing a substrate
JP5542509B2 (ja) * 2010-04-05 2014-07-09 株式会社東芝 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6312405B2 (ja) * 2013-11-05 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6309398B2 (ja) * 2014-08-29 2018-04-11 株式会社ダイヘン 高周波電源
JP6817889B2 (ja) * 2016-05-10 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP6770868B2 (ja) * 2016-10-26 2020-10-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のインピーダンス整合のための方法
US10927449B2 (en) * 2017-01-25 2021-02-23 Applied Materials, Inc. Extension of PVD chamber with multiple reaction gases, high bias power, and high power impulse source for deposition, implantation, and treatment

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