JP2000144434A

JP2000144434A - 傾斜機能材料の製造方法

Info

Publication number: JP2000144434A
Application number: JP10317754A
Authority: JP
Inventors: Motokazu Yuasa; 基和湯浅; Mamoru Hino; 守日野
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 1998-11-09
Filing date: 1998-11-09
Publication date: 2000-05-26

Abstract

(57)【要約】【課題】基材に、膜の厚み方向に連続的に組成が変化
する傾斜機能薄膜を被覆でき、且つ、高度の真空度を必
要とせず、大気圧近傍でプラズマ放電を行うことによ
り、高速で薄膜を形成できる傾斜機能材料の製造方法を
提供する。【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極
３、４間に基材が配置され、該対向電極３、４間に電圧
立ち上がり時間が１００μｓ以下、電界強度が１〜１０
０ｋＶ／ｃｍのパルス状の電圧を印加して、放電プラズ
マ処理を行うに当たり、処理時間中に印加電圧又はパル
ス周波数を連続的に変化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、傾斜機能材料の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】傾斜機能材料は新しい概念に基づく材料
であり、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の気相合成法等を利用して製
造された傾斜機能材料は、電気・磁気、光学、化学、生
体・医学、航空・宇宙等の広い分野で応用が望まれてい
る。上記傾斜機能材料は、クラック防止や基材への密着
性の向上手段として効果的であることは公知である。そ
こで、近年、屈折率を連続的に変化させ新しい光学材料
への応用が報告されつつある。

【０００３】また、カラーディスプレイの普及に伴い、
高い解像度が要求されており、光の干渉を利用した多層
の蒸着膜やＣＶＤ膜を被覆した反射防止機能が付与され
たものが実用化されている。しかし、これらの多層被覆
膜による反射防止膜は、その形成コストが高いため、限
られた高級品種のみに適用されているのが現状であり、
高性能の反射防止膜を低コストで得ることが課題となっ
ている。

【０００４】例えば、プラスチック基材上にプラズマＣ
ＶＤ法でハードコート層を形成するにあたり、プラスチ
ック基材と接触する部位の屈折率が略等しく、厚さ方向
に向かって連続的に低下させることにより反射率を広域
にわたり減少させる方法（特開平７─５６００２号公
報）が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法
は、プラズマＣＶＤ法でハードコート層を形成するにあ
たり、高度の真空度が必要となり、量産化の妨げにな
り、かつ処理速度が遅いものであった。

【０００６】さらに、大気圧近傍でプラズマ放電を行う
と、基材への損傷が大きいため、耐熱性の低い基材上へ
の薄膜形成には適用できなかった。

【０００７】本発明は上記の課題を解決し、基材に、膜
の厚み方向に連続的に組成が変化する傾斜機能薄膜を被
覆でき、且つ、高度の真空度を必要とせず、大気圧近傍
でプラズマ放電を行うことにより、高速で薄膜を形成で
きる傾斜機能材料の製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の傾斜機能材料の
製造方法は、大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極間
に基材が配置され、該対向電極間に電圧立ち上がり時間
が１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍの
パルス状の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに
当たり、処理時間中に印加電圧又はパルス周波数を連続
的に変化させるものである。

【０００９】本発明において大気圧近傍の圧力下とは、
１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力下を指す。圧力調整が容
易で、装置が簡便になる７００〜７８０Ｔｏｒｒの範囲
が好ましい。

【００１０】本発明において、一対の対向電極として
は、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮
等の合金、金属間化合物等からなるものが挙げられる。
上記対向電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が略一定となる構造であ
ることが好ましい。この条件を満たす電極構造として
は、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板型、双曲
面対向平板型、同軸円筒型構造等が挙げられる。

【００１１】さらに、通常、当該電極の対向面の少なく
とも一方に固体誘電体が設置されている装置において行
われる。この場合プラズマが発生する部位は、上記電極
の一方に固体誘電体を設置した場合は、固体誘電体と電
極の間、上記電極の双方に固体誘電体を設置した場合
は、固体誘電体同士の間の空間である。

【００１２】上記固体誘電体の材質としては、ポリテト
ラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等の
プラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化
物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。

【００１３】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て決定されるが、１〜５０ｍｍであることが好ましい。
１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設置するのに充
分でない。５０ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを
発生させることが困難である。

【００１４】本発明において使用される基材としては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラ
フルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガ
ラス、セラミック、金属等が挙げられる。基材の形状と
しては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特
にこれらに限定されない。本発明の表面処理方法によれ
ば、様々な形状を有する基材の処理に容易に対応するこ
とができる。

【００１５】本発明においては、上記電極間に印加され
る電界がパルス化されたものであり電圧立ち上がり時間
が１００μｓ、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍとなさ
れている。

【００１６】図１にパルス電圧波形の例を示す。波形
（Ａ）、（Ｂ）はインパルス型、波形（Ｃ）は方形波
型、波形（Ｄ）は変調型の波形である。図１には電圧印
加が正負の繰り返しであるものを挙げたが、正又は負の
いずれかの極性側に電圧を印加する、いわゆる片波状の
波形を用いてもよい。

【００１７】本発明におけるパルス電圧波形は、ここで
挙げた波形に限定されないが、パルスの立ち上がり時間
が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行
われる。パルスの立ち上がり時間が１００μｓを超える
と放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとな
り、パルス電界による高密度プラズマ状態を期待できな
くなる。また、立ち上がり時間は早いほうがよいが、常
圧でプラズマが発生する程度の大きさの電界強度を有
し、かつ、立ち上がり時間が早い電界を発生させる装置
には制約があり、現実的には４０ｎｓ未満の立ち上がり
時間のパルス電界を実現することは困難である。より好
ましくは立ち上がり時間が５０ｎｓ〜５μｓである。な
お、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧変化が連続し
て正である時間を指すものとする。

【００１８】また、パルス電界の立ち下がり時間も急峻
であることが好ましく、立ち上がり時間と同様の１００
μｓ以下のタイムスケールであることが好ましい。パル
ス電界発生技術によっても異なるが、例えば、本発明の
実施例で使用した電源装置では、立ち上がり時間と立ち
下がり時間が同じ時間に設定できる。

【００１９】さらに、パルス波形、立ち上がり時間、周
波数の異なるパルスを用いて変調を行ってもよい。

【００２０】パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１
００ｋＨｚであることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満で
あるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりす
ぎ、１００ｋＨｚを超えるとアーク放電が発生しやすく
なる。より好ましくは、１ｋＨｚ以上であり、このよう
な高周波数のパルス電界を印加することにより、処理速
度を大きく向上させることができる。

【００２１】また、上記パルス電界におけるパルス継続
時間は、１〜１０００μｓであることが好ましい。１μ
ｓ未満であると放電が不安定なものとなり、１０００μ
ｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。より好ま
しくは、３μｓ〜２００μｓである。ここで、ひとつの
パルス継続時間とは、図２中に例を示してあるが、Ｏ
Ｎ、ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、パ
ルスが連続する時間をいう。図２（ａ）のような間欠型
のパルスでは、パルス継続時間はパルス幅時間と等しい
が、図２（ｂ）のような波形のパルスでは、パルス幅時
間とは異なり、一連の複数のパルスを含んだ時間をい
う。

【００２２】さらに、放電を安定させるためには、放電
時間１ｍｓ内に、少なくとも１μｓ継続するＯＦＦ時間
を有することが好ましい。

【００２３】上記放電は電圧の印加によって行われる。
電圧の大きさは適宜決められるが、本発明においては、
電極間の電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍとなる範囲に
する。１ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりす
ぎ、１００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しや
すくなる。また、パルス電圧の印加において、直流を重
畳してもよい。

【００２４】図３に、このようなパルス電界を印加する
際の電源のブロック図を示す。さらに、図４に、電源の
等価回路図を示す。図４にＳＷと記されているのはスイ
ッチとして機能する半導体素子である。上記スイッチと
して５００ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時
間を有する半導体素子を用いることにより、上記のよう
な電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍであり、かつ、パル
スの立ち上がり時間及び立ち下がり時間が１００μｓ以
下であるような高電圧かつ高速のパルス電界を実現する
ことができる。

【００２５】以下、図４の等価回路図を参照して、電源
の原理を簡単に説明する。＋Ｅは、正極性の直流電圧供
給部、−Ｅは、負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１
〜４は、上記のような高速半導体素子から構成されるス
イッチ素子である。Ｄ１〜４はダイオードを示してい
る。Ｉ₁〜Ｉ₄は電流の流れ方向を表している。

【００２６】第一に、ＳＷ１をＯＮにすると、正極性の
負荷が電流Ｉ₁の流れ方向に充電する。次に、ＳＷ１が
ＯＦＦになってから、ＳＷ２を瞬時にＯＮにすることに
より、充電された電荷が、ＳＷ２とＤ４を通ってＩ₃の
方向に充電される。また次に、ＳＷ２がＯＦＦになって
から、ＳＷ３をＯＮにすると、負極性の負荷が電流Ｉ₂
の流れ方向に充電する。次に、ＳＷ３がＯＦＦになって
から、ＳＷ４を瞬時にＯＮにすることにより、充電され
た電荷が、ＳＷ４とＤ２を通ってＩ₄の方向に充電され
る。上記一連の操作を繰り返し、図５の出力パルスを得
ることができる。

【００２７】この回路の利点は、負荷のインピーダンス
が高い場合であっても、充電されている電荷をＳＷ２と
Ｄ４又はＳＷ４とＤ２を動作させることによって確実に
放電することができる点、及び、高速ターンオンのスイ
ッチ素子であるＳＷ１、ＳＷ３を使って高速に充電を行
うことができる点にあり、このため、図５のように立ち
上がり時間、立ち下がり時間の非常に早いパルス信号を
得ることができる。

【００２８】本発明においては、後述するプラズマ処理
時間中に印加電圧又はパルス周波数を連続的に変化させ
るこの場合、電源電圧Ｅ⁺ _,Ｅ^-を処理時間中に連続的に
変化させることにより、印加電圧を、上記一連の操作を
繰り返す時間を連続的に変化させることにより、パルス
周波数を連続的に変化させることができる。

【００２９】この場合、印加電圧のみを又はパルス周波
数のみを連続的に変化させてもよいし、印加電圧及びパ
ルス周波数双方を連続的に変化させてもよい。

【００３０】上記の方法により得られる放電において、
対向電極間の放電電流密度は、０．２〜３００ｍＡ／ｃ
ｍ²となされていることが好ましい。

【００３１】上記放電電流密度とは、放電により電極間
に流れる電流値を、放電空間における電流の流れ方向と
直交する方向の面積で除した値をいい、電極として平行
平板型のものを用いた場合には、その対向面積で上記電
流値を除した値に相当する。本発明では電極間にパルス
電界を形成するため、パルス状の電流が流れるが、この
場合にはそのパルス電流の最大値、つまりピーク−ピー
ク値を、上記の面積で除した値をいう。

【００３２】大気圧近傍の圧力下でのグロー放電では、
下記に示すように、放電電流密度がプラズマ密度を反映
し、表面処理効果を左右する値であることが、本発明者
らの研究により明らかにされており、電極間の放電電流
密度を前記した０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ²の範囲とす
ることにより、均一な放電プラズマを発生して良好な表
面処理を行うことができる。

【００３３】上記表面処理においては、上記放電プラズ
マ発生空間に存在する気体（以下、反応ガスという。）
の選択により任意の処理が可能である。

【００３４】上記反応ガスとして、金属含有ガスが好適
に使用できる。金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｓ、Ｂ
ｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、
Ａｕ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ｍｎ、Ｈｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｔ、Ｐｏ、Ｒｈ、
Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、
Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属が挙げられ、該金属を含有する
ガスとしては、金属有機化合物、金属−ハロゲン化合
物、金属−水素化合物、金属−ハロゲン化合物、金属ア
ルコキシド等の反応ガスが挙げられる。これらは単独で
使用されてもよいし、２種類以上併用されてもよい。

【００３５】上記金属がＳｉである場合、例えば、テト
ラメチルシラン〔Ｓｉ（ＣＨ₃)₄]、ジメチルシラン〔Ｓ
ｉ（ＣＨ₃)₂Ｈ₂]、テトラエチルシラン〔Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅)
₄]等の有機金属化合物；４フッ化珪素（ＳｉＦ₄)、４塩
化珪素（ＳｉＣｌ₄)、２塩化珪素（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂)等の
金属ハロゲン化合物；モノシラン（ＳｉＨ₄)、ジシラン
（ＳｉＨ₃ＳｉＨ₃)、トリシラン（ＳｉＨ₃ＳｉＨ₂Ｓｉ
Ｈ₃)等の金属水素化合物；テトラメトキシシラン〔Ｓｉ
（ＯＣＨ₃)₄]、テトラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ
₂Ｈ₅)₄]、トリエトキシメチルシラン〔ＳｉＣＨ₃(ＯＣ₂
Ｈ₅)] 等の金属アルコキシドなどが挙げられる。これら
は単独で使用されてもよいし、２種類以上併用されても
よい。

【００３６】上記金属がＴｉである場合、例えば、テト
ラメチルチタン〔Ｔｉ（ＣＨ₃)₄]、ジメチルチタン〔Ｔ
ｉ（ＣＨ₃)₂Ｈ₂]、テトラエチルチタン〔Ｔｉ（Ｃ₂Ｈ₅)
₄]等の有機金属化合物；４フッ化珪素（ＴｉＦ₄)、４塩
化珪素（ＴｉＣｌ₄)、２塩化珪素（ＴｉＨ₂Ｃｌ₂)等の
金属ハロゲン化合物；モノチタン（ＴｉＨ₄)、ジチタン
（ＴｉＨ₃ＴｉＨ₃)、トリチタン（ＴｉＨ₃ＴｉＨ₂Ｔｉ
Ｈ₃)等の金属水素化合物；テトラメトキシチタン〔Ｔｉ
（ＯＣＨ₃)₄]、テトライソプロポキシチタン〔Ｔｉ（Ｏ
ＣＨ₃ＣＨＣＨ₃)₄]等の金属アルコキシドなどが挙げら
れる。これらは単独で使用されてもよいし、２種類以上
併用されてもよい。上記の金属含有ガスに於いて、安全
性を考慮して、金属アルコキシドや金属ハロゲン化合物
などの常温、大気中で発火、爆発など危険性がないもの
が好ましく、腐食性、有害ガスの発生の点から、金属ア
ルコキシドが好適に使用される。

【００３７】上記の金属含有ガスが気体であれば、放電
空間にそのまま導入することができるが、液体、固体状
であれば、気化装置を経て放電空間に導入すればよい。
このような反応ガスを用いることによりＳｉＯ₂、Ｔｉ
Ｏ₂、ＳｎＯ₂等の金属酸化物薄膜を形成させ、基材表
面に電気的、光学的機能を与えることが出来る。

【００３８】経済性及び安全性の観点から、上記反応ガ
ス単独の雰囲気よりも、希釈ガスで薄められた雰囲気中
で処理を行うことが好ましい。希釈ガスとしては、例え
ば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガ
ス、窒素ガス等が挙げられ、これらは単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。又、希釈ガス
を用いる場合、反応ガスの割合は１〜１０体積％である
ことが好ましい。また、反応ガスとして金属アルコキシ
ドを使用する場合には、有機成分が少ない緻密な金属酸
化物薄膜を形成するためには、酸素ガスが添加されるの
が好ましい。この場合、酸素ガスは金属アルコキシドの
１０体積％以上であることが好ましい。

【００３９】さらに、上記反応ガスとしてフッ素含有化
合物ガスを用いることによって、基材表面にフッ素含有
重合膜を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性表
面を得ることが出来る。

【００４０】また、分子内に親水性基と重合性不飽和結
合を有するモノマーの雰囲気下で処理を行うことによ
り、親水性の重合膜を堆積させることもできる。

【００４１】尚、上述したように、雰囲気ガス（反応ガ
ス）としては電子を多く有する化合物のほうがプラズマ
密度を高め高速処理を行う上で有利である。しかし、ア
ルゴン又は窒素が、入手が容易で、安価である点で好適
である。

【００４２】また、経済性及び安全性の観点から、上記
反応ガスが不活性ガスによって希釈された雰囲気中で処
理を行うことが好ましい。不活性ガスとしては、ヘリウ
ムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス等の
希ガスや、窒素ガスなどが挙げられる。これらは単独で
も２種以上を混合して用いてもよい。

【００４３】また、希釈ガスを用いる場合、反応ガスの
割合は１〜１０体積％であることが好ましい。

【００４４】なお、上述したように、雰囲気ガスとして
は電子を多く有する化合物のほうがプラズマ密度を高め
高速処理を行う上で有利である。よって入手の容易さと
経済性、処理速度を考慮した上で最も望ましい選択は、
アルゴン及び／又は窒素を希釈ガスとして含有する雰囲
気である。

【００４５】（作用）本発明の傾斜機能材料の製造方法
は、大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極間に基材が
配置され、該対向電極間に電圧立ち上がり時間が１００
μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍのパルス状
の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに当たり、
処理時間中に印加電圧又はパルス周波数を連続的に変化
させることにより、基材の表面に、製膜速度や膜質の異
なる薄膜が形成され、膜自体も基材との間に明確な界面
が存在しなくなり、製膜時の応力集中がないため、基材
と薄膜との密着性し優れ、膜自身も明確な界面が存在し
ない傾斜機能材料を得ることができる。

【００４６】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面に基
づいて詳しく説明する。図６は、本発明の傾斜機能材料
を製造するための装置の一例を示した模式断面図であ
る。

【００４７】図６に示すように、本発明の傾斜機能材料
を製造するための装置は、容器２の中に、１対の対向電
極３、４が設けられ、上部電極３はパルス電源１に電気
的に接続され、下部電極４は接地されており、上部電極
３と下部電極４の間にパルス電圧が印加されるようにな
されている。基材５は、下部電極４上に載置され、上記
パルス電圧によりプラズマが発生するようになされてい
る。

【００４８】上部電極３と、基材５の表面には、反応ガ
ス導入部６が設けられ、反応ガス供給部７から、流量制
御部８を介して、反応ガス導入部６から、上部電極３と
基材５との間に反応ガスを連続的に供給するようになさ
れている。

【実施例】本発明を実施例をもってさらに詳しく説明す
る。なお、以下の実施例では、図３の等価回路図による
パルス電源１として、半導体素子（ＩＸＹＳ社製、型番
「ＴＯ−２４７ＡＤ」）を用いたハイデン研究所社製の
電源を使用した。

【００４９】図６に示した装置において、上部電極３と
下部電極４（ＳＵＳ３０４製、直径８０ｍｍ、厚み１０
ｍｍ）のそれぞれの対向面に、固体誘電体として８重量
％の酸化イットリウムを含むジルコニウムの溶射膜（比
誘電率１６、膜圧５００μｍ）が密着形成されているも
のを用いた。上部電極３と下部電極４の距離は３ｍｍと
し、基材５として５μｍの多官能アクリル系ハードコー
ト剤（大日精化社製、品番「ＥＸＦ−３７」）からなる
皮膜が形成された厚み８０μｍのトリアセチルセルロー
スを下部電極４上に載置した。

【００５０】次いで、アルゴンガスを、７６０Ｔｏｒｒ
になるまで導入した後、テトライソプロポキシチタンを
反応ガス供給部７から０．５％になるように、３ＳＬＭ
のＡｒガスで希釈し、反応ガス導入部６より、上部電極
３と基材５、４に導入し、上部電極３と下部電極４間に
立ち上がり速度１μｓ、周波数２ｋＨｚ、印加電圧±２
ｋＶのパルス電圧をパルス電源１より印加し、放電プラ
ズマを発生させた。

【００５１】続いて、１分間の間に、上記パルス電圧
を、周波数８ｋＨｚ、印加電圧±４ｋＶに連続して変化
させ、基材５上に０．５μｍの薄膜が形成された傾斜機
能材料を得た。

【００５２】得られた傾斜機能材料の薄膜表面の屈折率
をエリプソメーター（溝尻光学社製）で測定した結果
２．０５であった。さらに、上記薄膜を０．１μｍづつ
エッチングし、屈折率をを測定した。その結果、薄膜表
面から基材方向に向かってそれぞれ１．９７、１．９
２、１．８６、１．８２であり、膜厚方向に屈折率が
変化していることがわかった。

【００５３】

【発明の効果】本発明の傾斜機能材料の製造方法は上述
の如き構成となされているので、膜の厚み方向に連続的
に組成が変化する傾斜機能薄膜を被覆でき、且つ、高度
の真空度を必要とせず、大気圧近傍でプラズマ放電を行
うことにより、高速で薄膜を形成できる。

【００５４】

【図面の簡単な説明】

【図１】パルス電界の例を示す電圧波形図である。

【図２】パルス継続時間の説明図である。

【図３】パルス電界を発生させる電源のブロック図であ
る。

【図４】パルス電界を発生させる電源の等価回路図であ
る。

【図５】パルス電界の動作表に対応する出力パルス信号
の図である。

【図６】本発明の傾斜機能材料を製造するための装置の
一例を示した模式断面図である。

【符号の説明】

１パルス電源２容器３上部電極４下部電極５基材６反応ガス導入部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極間
に基材が配置され、該対向電極間に電圧立ち上がり時間
が１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍの
パルス状の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに
当たり、処理時間中に印加電圧又はパルス周波数を連続
的に変化させることを特徴とする傾斜機能材料の製造方
法。