JP2000204475A

JP2000204475A - 傾斜機能材料の製造方法

Info

Publication number: JP2000204475A
Application number: JP11005368A
Authority: JP
Inventors: Motokazu Yuasa; 基和湯浅
Original assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 1999-01-12
Filing date: 1999-01-12
Publication date: 2000-07-25

Abstract

(57)【要約】【課題】高度の真空度を必要とせず、大気圧近傍でプ
ラズマ放電を行うことにより、高速で薄膜を形成できる
傾斜機能材料の製造方法を提供する。【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極
３、４間に基材５を配置し、該対向電極３、４間に電圧
立ち上がり時間が１００μｓ以下、電界強度が１〜１０
０ｋＶ／ｃｍのパルス状の電圧を印加して、放電プラズ
マ処理を行うに当たり、上記基材の温度を連続的に変化
させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、傾斜機能材料の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】傾斜機能材料は新しい概念に基づく材料
であり、ＰＶＤ、ＣＶＤ等の気相合成法等を利用して製
造された傾斜機能材料は、電気・磁気、光学、化学、生
体・医学、航空・宇宙等の広い分野で応用が望まれてい
る。上記傾斜機能材料は、クラック防止や基材への密着
性の向上手段として効果的であることは公知である。そ
こで、近年、屈折率を連続的に変化させ新しい光学材料
への応用が報告されつつある。

【０００３】また、カラーディスプレイの普及に伴い、
高い解像度が要求されており、光の干渉を利用した多層
の蒸着膜やＣＶＤ膜を被覆した反射防止機能が付与され
たものが実用化されている。しかし、これらの多層被覆
膜による反射防止膜は、その形成コストが高いため、限
られた高級品種のみに適用されているのが現状であり、
高性能の反射防止膜を低コストで得ることが課題となっ
ている。

【０００４】例えば、プラスチック基材上にプラズマＣ
ＶＤ法でハードコート層を形成するにあたり、プラスチ
ック基材と接触する部位の屈折率が基材の屈折率と略等
しく、厚さ方向に向かって連続的に低下させることによ
り反射率を広域にわたり減少させる方法（特開平７─５
６００２号公報）が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の方法
は、プラズマＣＶＤ法でハードコート層を形成するにあ
たり、高度の真空度が必要となり、量産化の妨げになる
ばかりでなく、長尺品に対応できないという欠点があ
り、かつ処理速度が遅いものであった。

【０００６】さらに、大気圧近傍でプラズマ放電を行う
と、基材への損傷が大きいため、耐熱性の低い基材上へ
の薄膜形成には適用できなかった。

【０００７】本発明は上記の課題を解決し、高度の真空
度を必要とせず、大気圧近傍でプラズマ放電を行うこと
により、高速で薄膜を形成できる傾斜機能材料の製造方
法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の傾斜機能材料の
製造方法は、大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極間
に基材を配置し、該対向電極間に電圧立ち上がり時間が
１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍのパ
ルス状の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに当
たり、上記基材の温度を連続的に変化させるものであ
る。

【０００９】本発明において大気圧近傍の圧力下とは、
１００〜８００Ｔｏｒｒの圧力下を指す。とりわけ、圧
力調整が容易で、装置が簡便になる７００〜７８０Ｔｏ
ｒｒの範囲が好ましい。

【００１０】本発明において、一対の対向電極として
は、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮
等の合金、金属間化合物等からなるものが挙げられる。
上記対向電極は、電界集中によるアーク放電の発生を避
けるために、対向電極間の距離が略一定となる構造であ
ることが好ましい。この条件を満たす電極構造として
は、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板型、双曲
面対向平板型、同軸円筒型構造等が挙げられる。

【００１１】本発明において、当該電極の対向面の少な
くとも一方に固体誘電体が設置されている装置において
行うのが好ましいわれる。この場合プラズマが発生する
部位は、上記電極の一方に固体誘電体を設置した場合
は、固体誘電体と電極の間、上記電極の双方に固体誘電
体を設置した場合は、固体誘電体同士の間の空間であ
る。

【００１２】上記固体誘電体の材質としては、ポリテト
ラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等の
プラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウ
ム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化
物、チタン酸バリウム等の複酸化物等が挙げられる。

【００１３】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮し
て決定されるが、１〜５０ｍｍであることが好ましい。
１ｍｍ未満では、電極間の間隔を置いて設置するのに充
分でない。５０ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを
発生させることが困難である。

【００１４】本発明においては、上記電極間に印加され
る電界がパルス化されたものであり電圧立ち上がり時間
が１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍ４
０ｎｓ〜１００μｓ、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍ
となされている。

【００１５】図１にパルス電圧波形の例を示す。波形
（Ａ）、（Ｂ）はインパルス型、波形（Ｃ）は方形波
型、波形（Ｄ）は変調型の波形である。図１には電圧印
加が正負の繰り返しであるものを挙げたが、正又は負の
いずれかの極性側に電圧を印加する、いわゆる片波状の
波形を用いてもよい。

【００１６】本発明におけるパルス電圧波形は、ここで
挙げた波形に限定されないが、パルスの立ち上がり時間
が短いほどプラズマ発生の際の処理用ガスの電離が効率
よく行われる。パルスの立ち上がり時間が１００μｓを
超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なもの
となり、パルス電界による高密度プラズマ状態を期待で
きなくなる。また、立ち上がり時間は速いほうがよい
が、常圧でプラズマが発生する程度の大きさの電界強度
を有し、かつ、立ち上がり時間が速い電界を発生させる
装置には制約があり、現実的には４０ｎｓ未満の立ち上
がり時間のパルス電界を実現することは困難である。よ
り好ましくは立ち上がり時間が５０ｎｓ〜５μｓであ
る。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧変化が
連続して正である時間を指すものとする。

【００１７】また、パルス電界の立ち下がり時間も急峻
であることが好ましく、立ち上がり時間と同様の１００
μｓ以下のタイムスケールであることが好ましい。パル
ス電界発生技術によっても異なるが、例えば、本発明の
実施例で使用した電源装置では、立ち上がり時間と立ち
上がり時間が同じ時間に設定できる。

【００１８】さらに、パルス波形、立ち下がり時間、周
波数の異なるパルスを用いて変調を行ってもよい。

【００１９】パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ〜１
００ｋＨｚであることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満で
あるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりす
ぎ、１００ｋＨｚを超えるとアーク放電が発生しやすく
なる。より好ましくは、１ｋＨｚ以上であり、このよう
な高周波数のパルス電界を印加することにより、処理速
度を大きく向上させることができる。

【００２０】また、上記パルス電界におけるパルス継続
時間は、１〜１０００μｓであることが好ましい。１μ
ｓ未満であると放電が不安定なものとなり、１０００μ
ｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。より好ま
しくは、３μｓ〜２００μｓである。ここで、ひとつの
パルス継続時間とは、図２中に例を示してあるが、Ｏ
Ｎ、ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、パ
ルスが連続する時間をいう。図２（ａ）のような間欠型
のパルスでは、パルス継続時間はパルス幅時間と等しい
が、図２（ｂ）のような波形のパルスでは、パルス幅時
間とは異なり、一連の複数のパルスを含んだ時間をい
う。

【００２１】さらに、放電を安定させるためには、放電
時間１ｍｓ内に、少なくとも１μｓ継続するＯＦＦ時間
を有することが好ましい。

【００２２】本発明において、上記放電電圧を印加する
にあたり、印加する電圧の一サイクル中の最大値及び最
小値を、連続的に変化させるものである。また、パルス
電圧の印加において、直流を重畳してもよい。

【００２３】図３に、このようなパルス電界を印加する
際の電源のブロック図を示す。さらに、図４に、電源の
等価回路図を示す。図４にＳＷと記されているのはスイ
ッチとして機能する半導体素子である。上記スイッチと
して５００ｎｓ以下のターンオン時間及びターンオフ時
間を有する半導体素子を用いることにより、上記のよう
な電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍであり、かつ、パル
スの立ち上がり時間及び立ち下がり時間が１００μｓ以
下であるような高電圧かつ高速のパルス電界を実現する
ことができる。

【００２４】以下、図４の等価回路図を参照して、電源
の原理を簡単に説明する。＋Ｅは、正極性の直流電圧供
給部、−Ｅは、負極性の直流電圧供給部である。ＳＷ１
〜４は、上記のような高速半導体素子から構成されるス
イッチ素子である。Ｄ１〜４はダイオードを示してい
る。Ｉ₁〜Ｉ₄は電流の流れ方向を表している。

【００２５】第一に、ＳＷ１をＯＮにすると、正極性の
負荷が電流Ｉ₁の流れ方向に充電する。次に、ＳＷ１が
ＯＦＦになってから、ＳＷ２を瞬時にＯＮにすることに
より、充電された電荷が、ＳＷ２とＤ４を通ってＩ₃の
方向に充電される。また次に、ＳＷ２がＯＦＦになって
から、ＳＷ３をＯＮにすると、負極性の負荷が電流Ｉ₂
の流れ方向に充電する。次に、ＳＷ３がＯＦＦになって
から、ＳＷ４を瞬時にＯＮにすることにより、充電され
た電荷が、ＳＷ４とＤ２を通ってＩ₄の方向に充電され
る。上記一連の操作を繰り返し、図５の出力パルスを得
ることができる。この回路の利点は、負荷のインピーダ
ンスが高い場合であっても、充電されている電荷をＳＷ
２とＤ４又はＳＷ４とＤ２を動作させることによって確
実に放電することができる点、及び、高速ターンオンの
スイッチ素子であるＳＷ１、ＳＷ３を使って高速に充電
を行うことができる点にあり、このため、図５のように
立ち上がり時間、立ち下がり時間の非常に速いパルス信
号を得ることができる。

【００２６】上記の方法により得られる放電において、
対向電極間の放電電流密度は、０．２〜３００ｍＡ／ｃ
ｍ²となされていることが好ましい。

【００２７】上記放電電流密度とは、放電により電極間
に流れる電流値を、放電空間における電流の流れ方向と
直交する方向の面積で除した値をいい、電極として平行
平板型のものを用いた場合には、その対向面積で上記電
流値を除した値に相当する。本発明では電極間にパルス
電界を形成するため、パルス状の電流が流れるが、この
場合にはそのパルス電流の最大値、つまりピーク−ピー
ク値を、上記の面積で除した値をいう。

【００２８】大気圧近傍の圧力下でのグロー放電では、
下記に示すように、放電電流密度がプラズマ密度を反映
し、表面処理効果を左右する値であることが、本発明者
らの研究により明らかにされており、電極間の放電電流
密度を前記した０．２〜３００ｍＡ／ｃｍ²の範囲とす
ることにより、均一な放電プラズマを発生して良好な表
面処理を行うことができる。

【００２９】本発明において使用される基材としては、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラ
フルオロエチレン、アクリル樹脂等のプラスチック、ガ
ラス、セラミック、金属等が挙げられる。基材の形状と
しては、板状、フィルム状等のものが挙げられるが、特
にこれらに限定されない。本発明によれば、様々な形状
を有する基材の処理に容易に対応することができる。

【００３０】本発明の傾斜機能材料の製造方法は、放電
プラズマ処理を行うに当たり、上記基材の温度を、連続
的に変化させるものである。

【００３１】上記基材温度を連続的に変化させる方法は
特に限定されず、例えば、ドライヤー、赤外線ヒーター
などにより基材を加熱する方法、基材が接触している側
の電極を所定速度で加熱・冷却する方法などが挙げられ
る。上記連続的に変化させる基材温度は特に限定されな
いが、低すぎると後述するを処理用ガスが基材等に結露
することがあり、高すぎると基材の劣化が発生する虞が
あるので、処理用ガスの露点温度〜基材の耐熱温度の範
囲が好ましい。

【００３２】本発明において、放電プラズマ処理を行う
に当たり、処理時間中に処理用ガスを基材に供給する。
上記処理用ガスは、放電プラズマ発生空間で励起分解
し、基材上に薄膜を形成するものであれば特に限定され
ず、この選択により任意の処理が可能である。

【００３３】上記処理用ガスとして、金属含有ガスが好
適に使用できる。金属としては、例えば、Ａｌ、Ａｓ、
Ｂｉ、Ｂ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｌｉ、Ｎ
ａ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｈｇ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｔ、Ｐｏ、
Ｒｈ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒ等の金属が挙げられ、該金属を
含有する処理用ガスとしては、金属有機化合物、金属−
ハロゲン化合物、金属−水素化合物、金属−ハロゲン化
合物、金属アルコキシド等の処理用ガスが挙げられる。
これらは単独で使用されてもよいし、２種類以上併用さ
れてもよい。

【００３４】上記金属がＳｉである場合、例えば、テト
ラメチルシラン〔Ｓｉ（ＣＨ₃)₄]、ジメチルシラン〔Ｓ
ｉ（ＣＨ₃)₂Ｈ₂]、テトラエチルシラン〔Ｓｉ（Ｃ₂Ｈ₅)
₄]等の有機金属化合物；４フッ化珪素（ＳｉＦ₄)、４塩
化珪素（ＳｉＣｌ₄)、２塩化珪素（ＳｉＨ₂Ｃｌ₂)等の
金属ハロゲン化合物；モノシラン（ＳｉＨ₄)、ジシラン
（ＳｉＨ₃ＳｉＨ₃)、トリシラン（ＳｉＨ₃ＳｉＨ₂Ｓｉ
Ｈ₃)等の金属水素化合物；テトラメトキシシラン〔Ｓｉ
（ＯＣＨ₃)₄]、テトラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ
₂Ｈ₅)₄]、トリエトキシメチルシラン〔ＳｉＣＨ₃(ＯＣ₂
Ｈ₅)] 等の金属アルコキシドなどが挙げられる。これら
は単独で使用されてもよいし、２種類以上併用されても
よい。

【００３５】上記金属がＴｉである場合、例えば、テト
ラメチルチタン〔Ｔｉ（ＣＨ₃)₄]、ジメチルチタン〔Ｔ
ｉ（ＣＨ₃)₂Ｈ₂]、テトラエチルチタン〔Ｔｉ（Ｃ₂Ｈ₅)
₄]等の有機金属化合物；４フッ化珪素（ＴｉＦ₄)、４塩
化珪素（ＴｉＣｌ₄)、２塩化珪素（ＴｉＨ₂Ｃｌ₂)等の
金属ハロゲン化合物；モノチタン（ＴｉＨ₄)、ジチタン
（ＴｉＨ₃ＴｉＨ₃)、トリチタン（ＴｉＨ₃ＴｉＨ₂Ｔｉ
Ｈ₃)等の金属水素化合物；テトラメトキシチタン〔Ｔｉ
（ＯＣＨ₃)₄]、テトライソプロポキシチタン〔Ｔｉ（Ｏ
ＣＨ₃ＣＨＣＨ₃)₄]等の金属アルコキシドなどが挙げら
れる。これらは単独で使用されてもよいし、２種類以上
併用されてもよい。上記の金属含有ガスに於いて、安全
性を考慮して、金属アルコキシドや金属ハロゲン化合物
などの常温、大気中で発火、爆発など危険性がないもの
が好ましく、腐食性、有害ガスの発生の点から、金属ア
ルコキシドが好適に使用される。

【００３６】上記の金属含有ガスが気体であれば、放電
空間にそのまま導入することができるが、液体、固体状
であれば、気化装置を経て放電空間に導入すればよい。
このような処理用ガスを用いることによりＳｉＯ₂、Ｔ
ｉＯ₂、ＳｎＯ₂等の金属酸化物薄膜を形成させ、基材
表面に電気的、光学的機能を与えることが出来る。

【００３７】経済性及び安全性の観点から、上記処理用
ガス単独の雰囲気よりも、希釈ガスで薄められた雰囲気
中で処理を行うことが好ましい。希釈ガスとしては、例
えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン等の希ガ
ス、窒素ガス等が挙げられ、これらは単独で使用されて
もよいし、２種類以上併用されてもよい。処理用ガスが
液体で、沸点が高い場合には、加熱するか、超音波を利
用した気化器で気化し、大量の希釈ガスで希釈して用い
るのが好適である。

【００３８】なお、希釈ガスとしては電子を多く有する
化合物のほうがプラズマ密度を高め高速処理を行う上で
有利である。しかし、アルゴン又は窒素が、入手が容易
で、安価である点で好適である。又、希釈ガスを用いる
場合、処理用ガスの濃度は０．０１〜１０体積％である
ことが好ましい。また、処理用ガスとして金属アルコキ
シドを使用する場合には、有機成分が少ない緻密な金属
酸化物薄膜を形成するためには、酸素ガスを添加しても
よい。

【００３９】さらに、上記処理用ガスとしてフッ素含有
化合物ガスを用いることによって、基材表面にフッ素含
有重合膜を形成させて表面エネルギーを低くし、撥水性
表面を得ることが出来る。

【００４０】また、分子内に親水性基と重合性不飽和結
合を有するモノマーの雰囲気下で処理を行うことによ
り、親水性の重合膜を堆積させることもできる。

【００４１】本発明で得られる傾斜機能材料を、光学用
途に利用する場合には、上記の処理用ガスとして上記の
中からＴｉＯ_2,ＺｒＯ₂などの高屈折率の膜を形成する
処理用ガス、ＳｉＯ_2,Ａｌ₂Ｏ_3,フッ素系薄膜などの低
屈折率の膜を形成する処理用ガスを、上気した処理用ガ
スから適宜選択して用いればよい。

【００４２】（作用）本発明の傾斜機能材料の製造方法
は、大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極間に基材を
配置し、該対向電極間に電圧立ち上がり時間が１００μ
ｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍのパルス状の
電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うものであるか
ら、パルス化された電界を印加することにより、アーク
放電に移行する前に放電を止め、再び放電を開始すると
いうサイクルが実現されていると考えられ、ヘリウム等
のプラズマ放電状態からアーク放電状態に至る時間が長
い成分を含有しない雰囲気において、プラズマ発生空間
中に存在する気体の種類を問わず、安定して放電プラズ
マを発生させることが可能となる。さらに急峻な電圧印
加により、効率よく反応ガスを分解することができる。

【００４３】さらに本発明によれば、放電プラズマ処理
を行うに当たり、上記基材の温度を連続的に変化させる
ものであるから、厚み方向に膜質が連続して傾斜的に変
化し、明確な界面が存在しない膜が基材上に形成され
た、傾斜機能材料を得ることができる。

【００４４】

【実施例】本発明を実施例をもってさらに詳しく説明す
る。なお、以下の実施例では、図３の等価回路図による
電源（ハイデン研究所社製、半導体素子：ＩＸＹＳ社
製、型番ＴＯ−２４７ＡＤを使用）を用いた。

【００４５】図６は、本発明の傾斜機能材料を製造する
ための装置の一例を示した模式断面図である。

【００４６】図６に示すように、本発明の傾斜機能材料
を製造するための装置は、容器２の中に、１対の対向電
極３、４が設けられ、上部電極３はパルス電源１に電気
的に接続され、下部電極４は接地されており、上部電極
３と下部電極４の間にパルス電圧が印加されるようにな
されている。基材５は、下部電極４上に載置され、上記
パルス電圧によりプラズマが発生するようになされてい
る。

【００４７】上部電極３と、基材５の表面には、処理用
ガス導入部６が設けられ、処理用ガス供給部７、希釈ガ
ス供給部７２から、流量制御部８によりそれぞれのガス
混合比率を所定の値とするようになされている。

【００４８】また、下部電極４には、温度調節機９によ
り冷水、温水が供給され、一定の温度、連続的な温度変
化、ステップ状の温度変化などを施し、このようにする
ことにより、基材５の温度を連続的に変化させることが
できる。

【００４９】図６に示した装置において、上部電極３と
下部電極４（ＳＵＳ３０４製、直径８０ｍｍ、厚み１０
ｍｍ）のそれぞれの対向面に、固体誘電体として８重量
％の酸化イットリウムを含むジルコニウムの溶射膜（比
誘電率１６、膜圧５００μｍ）が密着形成されているも
のを用いた。上部電極３と下部電極４の距離は３ｍｍと
し、基材５として５μｍの多官能アクリル系ハードコー
ト剤（大日精化社製、品番「ＥＸＦ−３７」）からなる
皮膜が形成された厚み８０μｍのトリアセチルセルロー
スを下部電極４上に密着するように設置し、下部電極４
は電極内部に設けられた水路（図示せず）に温度調節機
９から温水を供給し電極温度を６０℃に保った。

【００５０】次いで、容器２内を１Ｔｏｒｒになるまで
油回転ポンプ（図示せず）で排気した後、アルゴンガス
を、７６０Ｔｏｒｒになるまで導入した。次に、テトラ
イソプロポキシチタンを処理用ガス供給部７から０．５
体積％になるように、３ＳＬＭのアルゴンガスで希釈
し、処理用ガス導入部６より、上部電極３と基材５の間
に導入し、上部電極３と下部電極４間に、立ち上がり速
度１μｓ、周波数２ｋＨｚ、印加電圧±２ｋＶのパルス
電圧をパルス電源１より印加し、放電プラズマを発生さ
せた。

【００５１】その後、温水を加熱し、下部電極４の温度
を１０℃／ｍｉｎで昇温し、１分間で７０℃まで昇温し
た。

【００５２】その結果、多官能アクリル系ハードコート
皮膜上に４０００Åの膜が形成された傾斜機能材料を得
た。得られた傾斜機能材料の表面の屈折率をエリプソメ
ーター（溝尻光学社製）で測定した結果、１．９８であ
った。さらに形成された薄膜を１０００Åずつアルゴン
ガス中でプラズマ放電させながらエッチングしながら屈
折率オージェ電子分光法で厚み方向に測定した結果、夫
々、１．９６、１．９０、１．８５であった。

【００５３】

【発明の効果】本発明の傾斜機能材料の製造方法は上述
の如き構成となされているので、高度の真空度を必要と
せず、大気圧近傍でプラズマ放電を行うことにより、高
速で薄膜を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】パルス電界の例を示す電圧波形図である。

【図２】パルス継続時間の説明図である。

【図３】パルス電界を発生させる電源のブロック図であ
る。

【図４】パルス電界を発生させる電源の等価回路図であ
る。

【図５】パルス電界の動作に対応する出力パルス信号の
図である。

【図６】本発明の傾斜機能材料を製造するための装置の
一例を示した模式断面図である。

【符号の説明】

１パルス電源２容器３上部電極４下部電極５基材６処理用ガス導入部９温度調節機

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極間
に基材を配置し、該対向電極間に電圧立ち上がり時間が
１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍのパ
ルス状の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに当
たり、上記基材の温度を連続的に変化させることを特徴
とする傾斜機能材料の製造方法。