JP6169714B2 - Ｒｆ生成モジュールおよびｒｆ生成モジュールを操作するための方法 - Google Patents

Ｒｆ生成モジュールおよびｒｆ生成モジュールを操作するための方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6169714B2
JP6169714B2 JP2015539775A JP2015539775A JP6169714B2 JP 6169714 B2 JP6169714 B2 JP 6169714B2 JP 2015539775 A JP2015539775 A JP 2015539775A JP 2015539775 A JP2015539775 A JP 2015539775A JP 6169714 B2 JP6169714 B2 JP 6169714B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
state
set point
frequency
module
generation module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015539775A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016503558A (ja
Inventor
アミッシュ・ルゴーヌンドン
ラリー・ジェイ・フィスク・セカンド
アーロン・ティ・ラドムスキー
Original Assignee
エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド
エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド, エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド filed Critical エムケーエス インストゥルメンツ，インコーポレイテッド
Publication of JP2016503558A publication Critical patent/JP2016503558A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6169714B2 publication Critical patent/JP6169714B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K4/00—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions
    • H03K4/02—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having stepped portions, e.g. staircase waveform
    • H03K4/026—Generating pulses having essentially a finite slope or stepped portions having stepped portions, e.g. staircase waveform using digital techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/00006—Changing the frequency

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2012年10月30日に出願された米国実用特許出願番号13/663,574号の優先権を主張する。上記出願の開示は、その全体が参照により本願に組み込まれる。
本開示はRF電力システムに関し、より具体的には、RF電力システムの出力のパルスエッジ整形に関する。
本明細書で提供される背景の説明は、本開示の文脈を一般的に提示する目的のためのものである。背景技術の欄において説明される内容、ならびに、それ以外でも出願時に先行技術として認定されないであろう説明の態様である本願の発明者の仕事は、明示的にも暗黙的にも本開示に対する先行技術として認められるものではない。
プラズマエッチングは、単なる例として、半導体製造にしばしば使用される。プラズマエッチングにおいて、イオンは基盤の露出面をエッチングするために電界によって加速される。電界は無線周波数(RF)電力システムのRF生成器によって生成されるRF電力信号に従って生成される。RF生成器によって生成されるRF電力信号はプラズマエッチングを効果的に実行するために正確に制御される。
RF電力システムは、RF生成器、マッチングネットワーク、およびプラズマチャンバのような負荷(load)を含んでもよい。RF電力信号は、限定ではないが、集積回路(IC)、ソーラーパネル、コンパクトディスク(CD)、および/またはデジタル多用途（またはビデオ）ディスク(DVD)を含む様々なコンポーネントを製造するための負荷を駆動するために使用される。負荷は、限定ではないがプラズマチャンバを含む、RF信号によって駆動される任意の数の要素またはデバイスを含んでもよい。負荷は、広帯域のミスマッチ負荷（例えば、ミスマッチ抵抗終端のケーブル(cables with mismatched resistor terminations)）、狭帯域のミスマッチ負荷（例えば、2要素マッチングネットワーク）、および共振器の負荷を含んでもよい。
RF電力信号は、マッチングネットワークで受信される。マッチングネットワークは、マッチングネットワークの入力インピーダンスをRF生成器とマッチングネットワークとの間の伝送線の特性インピーダンスにマッチさせる。このインピーダンスマッチングは、プラズマチャンバに向かう順方向におけるマッチングネットワークに印加される電力量（「順方向電力」）およびマッチングネットワークからRF生成器へ戻って反射される電力量(「逆方向電力」)の最小化を助ける。インピーダンスマッチングはまた、マッチングネットワークからプラズマチャンバへ出力される順方向電力を最大化する補助もする。RF信号を負荷に印加するための様々なアプローチが存在する。1つの例示的アプローチは、連続波形信号を負荷に印加することである。連続波形信号は、典型的には負荷へのRF電力供給によって連続的に出力される正弦波である。連続波形アプローチにおいて、RF信号は正弦出力であると仮定され、正弦波の振幅および/または周波数は負荷に印加される出力電力を変化させるために変化させることが可能である。負荷へRF信号を印加するための別の例示的アプローチは、負荷への連続波形信号の印加ではなく、RF信号をパルス化(pulsing)することを伴う。
無線周波数(RF)生成モジュールは、第1の状態と第2の状態のそれぞれにおいて、RF生成モジュールの出力の第1の所望の振幅および第2の所望の振幅を受信するとともに、第1の所望の振幅および第2の所望の振幅に基づいて、第1の状態から第2の状態への遷移に対応する入力電力設定点を出力する、電力制御モジュールを含む。周波数制御モジュールは、入力電力設定点を受け取るとともに、入力電力設定点に対応する周波数設定点を出力する。パルス整形モジュールは、入力電力設定点、周波数設定点、およびいつ第1の状態から第2の状態へ遷移するかの指示を受信するとともに、入力電力設定点、周波数設定点、および指示に基づいて、RF生成モジュールの出力を第1の状態から第2の状態へ遷移する。
無線周波数(RF)生成モジュールを操作するための方法は、第1の状態と第2の状態のそれぞれにおいて、RF生成モジュールの出力の第1の所望の振幅および第2の所望の振幅を受信するステップと、第1の所望の振幅および第2の所望の振幅に基づいて、第1の状態から第2の状態への遷移に対応する入力電力設定点を出力するステップと、入力電力設定点に対応する周波数設定点を出力するステップと、入力電力設定点と、周波数設定点と、いつ第1の状態から第2の状態へ遷移するかの指示とを受信するステップと、入力電力設定点、周波数設定点、および指示に基づいて、第1の状態から第2の状態へRF生成モジュールの出力を遷移するステップとを含む。
本開示のさらなる適用可能領域は、以下に記載される発明の詳細な説明によって明らかになるであろう。発明の詳細な説明および特定の例は図示の目的のみであり、本開示の範囲を限定する意図ではないことを理解されたい。
本開示は、発明の詳細な説明および添付の図面からより完全に理解されるであろう。
図１は、本開示の原理に従う例示的な無線周波数(RF)プラズマチャンバシステムの機能ブロック図である。 図２は、本開示の原理に従うRF生成モジュールの機能ブロック図である。 図３Ａは、本開示の原理に従う様々なパルス波形を有する出力を図示する図である。 図３Ｂは、本開示の原理に従う様々なパルス波形を有する出力を図示する図である。 図３Ｃは、本開示の原理に従う様々なパルス波形を有する出力を図示する図である。 図４は、本開示の原理に従うパルス整形モジュールの機能ブロック図である。 図５は、本開示の原理に従う周波数状態制御モジュールおよび電力状態制御モジュールの機能ブロック図である。
RF生成器によって生成されるパルスは、個々にチューニングされても、またはされなくてもよい。例えば、パルスのHigh側だけがチューニングされてもよく、またはパルスのどの部分もチューニングされなくてもよい。その結果、チューニングが遅くなることがあり、パルスが変化する前に目標を達成できずに、インピーダンスマッチングまたはパルスレートのどちらかを制限するか、または非常に高速なチューニングを必要とすることがある。
本開示に従うRF生成モジュールは、パルス化されたプラズマによって引き起こされる複数の異なる負荷に対する反射電力をパルス化するとともに最小化しながら複数の異なる電力レベルに対する反射電力を最小化し、突然の電力遷移によって引き起こされる振動(oscillation)を削減し、伝達されるエネルギーに対する制御を増大させる。例えば、RF生成モジュールは、1つまたは複数の電力制御モジュールと1つまたは複数の周波数制御モジュールとを実装する。電力制御モジュールおよび周波数制御モジュールは、特定の処理によって要求される個別の状態の数を制御する。電力制御モジュールおよび周波数制御モジュールは、第1の状態および第2の状態の間でRF生成モジュールのRF出力信号を遷移する（例えば、RFパルスを生成する）。しかし、第1の状態および第2の状態の間の瞬時の遷移を制御する代わりに、電力および周波数が段階的な方法で(step-wise fashion)（すなわち、複数の電力設定点および周波数設定点のそれぞれに対して）第1の状態および第2の状態の間の、ならびに/または第2の状態から第1の状態への遷移するように制御される。
例えば、RF生成器モジュールは、第1の状態から第2の状態への遷移に対する電力設定点（例えば、PDEL(0)，PDEL(1)，…，PDEL(n)）の間をパルス化してもよい。同様に、RF生成器モジュールは各電力設定点間（例えば、f(0)，f(1)，…，f(n))に対して異なるRF周波数設定点を維持する。パルス変化が発生すると、RF電力とRF周波数との両方が第1の期間に対して電力設定点および周波数設定点の範囲の間で徐々に変化する。この方法において、RF生成器モジュールは、単に矩形波パルスを生成する代わりに様々な所望のエッジ波形に従ってRFパルスのエッジを整形する。例でしかないが、RFパルスのエッジは、所望の電力レベル、電圧、もしくは電流、または任意の他の適切な入力に基づいて整形されてもよい。
ここで図１を参照すれば、例示的な無線周波数(RF)プラズマチャンバシステム100の例示的な実装の機能ブロック図が提示される。図１はデュアルチャネルRFプラズマチャンバシステムを図示するが、本開示の原理は2つまたはそれ以上のチャネルを含むRF生成器システムに適用される。
RF生成器モジュール102(例えば、RF生成器)は、交流(AC)入力電力を受け取り、AC入力電力を使用してRF出力を生成する。例でしかないが、AC入力電力は、ほぼ480ボルトAC(VAC)の三相AC電力または他の適切な電圧であってもよい。単なる議論の目的でしかないが、RF生成器モジュール102は、以降2つのRF出力を生成するものとして議論される（すなわち、RF生成器モジュール102はデュアルチャネルRF生成器モジュールとして説明される）。しかしながら、RF生成器モジュール102はより多くの数のRF出力を生成してもよく、または単一のRF出力のみを生成してもよい。例でしかないが、RF生成器モジュール102は、プラズマチャンバ106のような、1つまたは複数のプラズマチャンバに実装されたプラズマ電極あたり1つのRF出力を生成してもよい。
マッチングモジュール110はRF出力を受け取り、プラズマチャンバ106にRF出力を供給する前に各RF出力をインピーダンスマッチングする。RF生成器モジュール102は、マッチングモジュール110を制御してもよい。より具体的には、RF生成器モジュール102は、マッチングモジュール110がインピーダンスマッチングを実行する程度を制御してもよい。
マッチングモジュール110は、プラズマチャンバ106内で、実装されたRF出力をプラズマ電極にそれぞれ印加する。プラズマ電極へのRF出力の印加は、例えば、薄膜堆積(thin film deposition)システム、薄膜エッチングシステム、および他の適切なシステムにおいて実行されてもよい。
RF生成器モジュール102は、出力制御モジュール140、ユーザインターフェースモジュール144、共通加振(common excitation(CEX))モジュール148、およびRF生成モジュール152を含んでもよい。RF生成器モジュール102はまた、センサモジュール156およびマッチング制御モジュール160も含んでもよい。
出力制御モジュール140は、RF生成モジュール152(Pセット)によって生成され、プラズマ電極に伝達されるRF出力に対する入力電力設定点を受け取る。入力電力設定点は、例えば、ユーザインターフェースモジュール144または他の適切なソースによって提供されてもよい。他の適切な入力電力設定点のソースは、例えば、ユニバーサル標準(US)232接続を介して、イーサネット（登録商標）接続を介して、無線接続を介して、またはフロント入力パネルを介して提供される診断(diagnostic)またはユーザ入力を含んでもよい。外部ソース（図示せず）は、出力制御モジュール140によって使用されてもよいRF信号(CEX In)を入力してもよい。RF信号は、CEXモジュール148(CEX Out)による入力または出力のために出力されるか、または利用可能にされてもよい。例でしかないが、RF信号は1つまたは複数の他のプラズマチャンバ(図示せず)のためのRF出力を生成する1つまたは複数の他のRF生成器モジュールに出力されてもよい。
センサモジュール156は、RF生成モジュール152によって生成されるRF出力の電圧および電流を測定してもよい。センサモジュール156は、電圧および電流をそれぞれ示す信号を出力制御モジュール140に提供してもよい。例でしかないが、センサモジュール156は、方向性カプラもしくはVIプローブ、または他の適切な種類のセンサを含んでもよい。他の実装において、センサモジュール156はRF出力に関連付けられた第1および第2の順方向および逆方向電力を示す信号を出力してもよい。順方向電力はRF生成器モジュール152を離れる電力量と称されてもよい。逆方向電力は、RF生成器モジュール152に反射して戻ってくる電力量と称されてもよい。センサモジュール156の出力は、フィードバック信号と称されてもよい。フィードバック信号は、デジタル信号またはアナログ信号であってもよい。
センサモジュール156からのフィードバック信号に基づいて、出力制御モジュール140は、RF出力に対する順方向電力を決定してもよい。出力制御モジュール140はまた、センサモジュール156によって出力されたフィードバック信号に基づいて、反射係数を決定してもよい。
出力制御モジュール140は、第1および第2の順方向電力ならびに第1および第2の反射係数のそれぞれに基づくフィードバックアプローチを使用して、第1および第2のRF出力の生成を制御する。より具体的には、出力制御モジュール140は、1つまたは複数のレール電圧 設定点および/または1つまたは複数のドライバ制御信号をRF生成モジュール152に供給する。RF生成モジュール152は、レール電圧設定点に基づいて1つまたは複数のレール電圧（すなわち、RF生成モジュール152から出力され、パワーアンプへ出力される電圧）を制御し、ドライバ制御信号に基づいてパワーアンプの駆動を制御する。
RF生成モジュール152は、本開示の原理に従うRFパルスエッジ整形を実装する。例えば、RF生成モジュール152は、限定はしないが、レール電圧設定点ならびにドライバ制御信号、パルスパタン、様々なパルスソースの出力および/またはいつ第1のパルス状態および第2のパルス状態の間を遷移するかの指示を含む1つまたは複数の入力を受信してもよい。RF生成モジュール152は、複数の入力電力設定点および周波数設定点を受け取る（および/または生成する）。RF生成モジュール152は、例でしかないが、1つまたは複数の入力（例えば、いつ第1のパルス状態および第2のパルス状態の間を遷移するかの指示）、入力電力設定点、および周波数設定点に従って、出力を生成する。
図２、図３Ａ、図３Ｂ、および図３Ｃを参照すれば、例示的なRF生成モジュール200は、集合的にパルス208と称される、パルス208-1、208-2、208-3のようなパルスを含む出力204を生成する。RF生成モジュール200は、第1の状態（例えば、状態0）から第2の状態（例えば、状態1）へ、および第2の状態から第1の状態へパルス208を遷移する。パルス208は、第1の状態および第2の状態の間の1つまたは複数の中間状態（例えば、状態n）を含んでもよい。第1の状態は、第1の入力電力設定点（例えば、PDEL(0)）および対応する第1の周波数設定点（例えば、f(0)）に対応してもよい。逆に、第2の状態は、第2の入力電力設定点（例えば、PDEL(1)）および対応する第2の周波数設定点（例えば、f(1)）に対応してもよい。
第1の状態および第2の状態の間の第1の遷移期間212にわたって、入力電力設定点は、PDEL(0)からPDEL(1)に（例えば、段階的に）調整されてもよい。例えば、入力電力設定点は、第1の遷移期間212にわたってインクリメンタルオフセット（すなわち、PDEL(0)とPDEL(1)との間の複数の中間設定点）に従って調整されてもよい。同様に、周波数設定点は、第1の遷移期間212にわたって複数の中間設定点を通じてf(0)からf(1)へ段階的に調整されてもよい。逆に、入力電力設定点および周波数設定点は、第2の遷移期間216にわたって複数の中間設定点を通じてPDEL(1)からPDEL(0)へ、およびf(1)からf(0)へ、それぞれ調整されてもよい。第1の遷移期間212および216は同じであってもまたは異なっていてもよく、異なるパルスの種類に対して同じであってもまたは異なっていてもよい。
本方法における入力電力設定点および周波数設定点のインクリメンタルな調整は、RF生成モジュール200がパルス208のエッジを整形することを可能にする。例えば、パルス208-1は、指数形(exponential)パルスエッジを有するように制御される。パルス208-2は、線形(linear)パルスエッジを有するように制御される。パルス208-3は、なまり(rounded)パルスエッジを有するように制御される。様々な他のパルスエッジ整形がRF生成モジュール200を用いて制御されてもよい。例でしかないが、入力電力設定点および周波数設定点の調整は、パルス208の全体の幅を変化することなくパルス208のパルスエッジ整形（すなわち、勾配(ramp)）を変化させる。
パルスパタン制御モジュール220は、出力204に対する所望のパルス周波数（例えば、全体のパルス周波数）および例えば所望のパルスパタンに対応するデューティサイクルを決定する。所望のパルス周波数およびデューティサイクルは、いつ第1の状態から第2の状態へ、および第2の状態から第1の状態へ遷移するかの指示を提供する。パルスパタン制御モジュール220は、マスタパルスソースモジュール224、1つまたは複数のスレーブパルスソースモジュール228、および/または他のパルスソースモジュール232と通信してもよい。例でしかないが、パルスパタン制御モジュール220およびパルスソースモジュール224、228、および232は、出力制御モジュール140から受信された入力に部分的に従って動作してもよい。
パルス状態制御モジュール236は、第1の状態および第2の状態における出力204の所望の振幅を示す出力と、いつ第1の状態と第2の状態との間を遷移するかの指示とを生成する。電力制御モジュール240は、パルス状態制御モジュール236からの出力と、電力設定点モジュール244からの入力電力設定点を示す1つまたは複数の信号とを受信する。例でしかないが、電力設定点モジュール244は所定の入力電力設定点を記憶してもよく、および/またはユーザ選択された入力電力設定点を受け取るためのユーザインターフェースを実装してもよい。電力制御モジュール240はまた、例でしかないが、図３Ａ、図３Ｂ、および図３Ｃに示されるパルスのうちの1つに対応する（例えば、パルス状態制御モジュール236からの）所望のパルス波形の指示を受け取ってもよい。所望のパルス波形は、電力設定点モジュール244から受け取られた入力電力設定点を決定してもよい。
電力制御モジュール240は、入力電力設定点の指示を、例えば所望の振幅および所望のパルス波形に基づいて、周波数制御モジュール248およびパルス整形モジュール252と通信する。例でしかないが、電力制御モジュール240から通信される指示は、第1の状態に対応する電力設定点（例えば、PDEL(0)）、第2の状態に対応する電力設定点（例えば、PDEL(1)）、および第1の状態および第2の状態の間の各中間設定点のインクリメンタルオフセットに対応するステップサイズを含んでもよい。
逆に、周波数制御モジュール248は、入力電力設定点に対応する周波数設定点を決定してもよい。または、周波数制御モジュール248は、様々な入力電力設定点に対応する所定の周波数設定点を記憶してもよい。周波数制御モジュール248は、周波数設定点の指示をパルス整形モジュール252と通信する。例でしかないが、周波数制御モジュール248から通信される指示は、第1の状態に対応する周波数設定点（例えば、f(0)）、第2の状態に対応する電力設定点（例えば、f(1)）、および、第1の状態および第2の状態の間の各中間設定点のインクリメンタルオフセットに対応するステップサイズを含んでもよい。パルス整形モジュール252は、パルス状態制御モジュール236、電力制御モジュール240、および周波数制御モジュール248の出力に基づく所望のタイプのパルスを有する出力204を生成する。
ここで図４を参照すれば、例示的なパルス整形モジュール300は、周波数状態制御モジュール304、電力状態制御モジュール308、および出力制御モジュール312を含む。周波数状態制御モジュール304は、例えば、第1の状態（状態0）周波数設定点、（例えば、第1の状態から第2の状態へ周波数を遷移するためのステップサイズを示す）第1の状態ステップサイズ、第2の状態（状態1）周波数設定点、および（例えば、第1の状態から第2の状態へ周波数を遷移するためのステップサイズを示す）第2の状態ステップサイズを示す、複数の入力信号316を受け取る。第1の状態ステップサイズについて説明したが、第1の状態および/または第2の状態はまた、例でしかないが、ステップ数、ステップ時間、および/または第1の状態から第2の状態へ周波数を遷移するための合計勾配時間に対応してもよい。入力信号316はまた、第1の状態および第2の状態の間を徐々に遷移するかどうか（すなわち、第1の状態および第2の状態の間で勾配を与える(ramp)かどうか）、または瞬間的に遷移するかどうかを示してもよい。周波数状態制御モジュール304はまた、第1の状態および第2の状態の間でいつ遷移するかを示すパルス信号320を受信する。周波数状態制御モジュール304は、入力信号316およびパルス信号320に基づいて周波数制御信号324を出力する。
電力状態制御モジュール308は、例えば、第1の状態（状態0）電力設定点、（例えば、第1の状態から第2の状態へ電力を遷移するためのステップサイズを示す）第1の状態ステップサイズ、第2の状態（状態1）電力設定点、および（例えば、第1の状態から第2の状態へ電力を遷移するためのステップサイズを示す）第2の状態ステップサイズを示す、複数の入力信号328を受信する。第1の状態ステップサイズについて説明したが、第1の状態および/または第2の状態は、例でしかないが、ステップ数、ステップ時間、および/または第1の状態から第2の状態へ電力を遷移するための合計勾配時間に対応してもよい。入力信号328はまた、第1の状態および第2の状態の間を徐々に遷移するかどうか（すなわち、第1の状態および第2の状態の間で勾配を与えるかどうか）、または瞬間的に遷移するかどうかを示してもよい。電力状態制御モジュール308はまた、第1の状態および第2の状態の間でいつ遷移するかを示すパルス信号320を受信してもよい。電力状態制御モジュール308は、入力信号328およびパルス信号320に基づいて電力制御信号332を出力する。
出力制御モジュール312は、周波数制御信号324および電力制御信号332を受信する。出力制御モジュール312は、周波数制御信号324および/または電力制御信号332に従って整形されたパルスを有する出力336を生成する。
ここで図５を参照すれば、例示的な周波数状態制御モジュール400および例示的な電力状態制御モジュール404がより詳細に図示される。周波数状態制御モジュール400は、状態0遷移モジュール408と、状態1遷移モジュール412と、マルチプレクサ416、420、および424と、論理ANDモジュール428および432とを含む。状態0遷移モジュール408は、状態0周波数設定点および状態0ステップサイズを受信し、状態0ステップサイズ（または、状態0ステップ数、ステップ時間、および/もしくは合計勾配時間）に従って、状態1周波数から状態0周波数へ遷移する。例えば、状態0遷移モジュール408は、状態0ステップサイズ（または状態0ステップ数、ステップ時間、および/もしくは合計勾配時間）を反復的に使用し、パルス信号336に応答して状態0周波数に遷移する。状態1周波数設定点から状態0周波数設定点への遷移が完了したとき、状態0遷移モジュール408は状態0周波数設定点を受け取るとともに状態0周波数設定点をクランプする。状態0遷移モジュール408は遷移周波数信号440を出力する。
状態1遷移モジュール412は状態1周波数設定点および状態1ステップサイズを受信するとともに、状態1ステップサイズ（または状態1ステップ数、ステップ時間、および/もしくは合計勾配時間）に従って、状態0周波数から状態1周波数へ遷移する。例えば、状態1遷移モジュール412は、状態1ステップサイズ（または状態1ステップ数、ステップ時間、および/もしくは合計勾配時間）を反復的に使用して、パルス信号336に応答して状態1周波数へ遷移する。状態0周波数設定点から状態1周波数設定点への遷移が完了したとき、状態1遷移モジュール412は状態1周波数設定点を受け取るとともに状態1周波数設定点をクランプする。状態1遷移モジュール412は遷移周波数信号444を出力する。
マルチプレクサ420は論理ANDモジュール432から受信した選択信号448に従って、遷移周波数信号440または状態0周波数設定点のいずれかを出力する。論理ANDモジュール432は、状態1からへ状態0へ勾配するかどうかを示す状態0勾配オン/オフ信号および阻止(holdoff)信号を受信する。例えば、阻止信号はパルスエッジ整形が1つまたは複数のシステムの他の条件に従って有効にされるかどうかを示してもよい。従って、状態0勾配オン/オフ信号がオフであるか、または、パルスエッジ整形が有効にされていないことを阻止信号が示している場合、マルチプレクサ420は遷移周波数信号440の代わりに状態0周波数設定点を出力する。
マルチプレクサ416は、論理ANDモジュール428から受信した選択信号452に従って遷移周波数信号444または状態1周波数設定点のいずれかを出力する。論理ANDモジュール428は状態0から状態1へ勾配するかどうかを示す状態1勾配オン/オフ信号および阻止信号を受信する。従って、状態1勾配オン/オフ信号がオフであるか、または、パルスエッジ整形が有効にされていないことを阻止信号が示している場合、マルチプレクサ416は遷移周波数信号444の代わりに状態1周波数設定点を出力する。マルチプレクサ424は、パルス信号336に基づいて、マルチプレクサ416によって選択された信号か、またはマルチプレクサ420によって出力された信号かのいずれかを出力し、従って、出力制御モジュール460に周波数制御信号456を出力する。
電力状態制御モジュール404は状態0遷移モジュール464と、状態1遷移モジュール468と、マルチプレクサ472、476、および480と、論理ANDモジュール484および488とを含む。状態0遷移モジュール464は状態0電力設定点および状態1ステップサイズを受信し、状態1ステップサイズに従って状態0電力と状態1電力との間を遷移する。例えば、状態0遷移モジュール464は、状態1ステップサイズを状態の電力に反復的に加えて、パルス信号336に応答して状態1電力に遷移する。状態0電力設定点から状態1電力設定点への遷移が完了したとき、状態0遷移モジュール464は状態1電力設定点を受け取るとともに状態1電力設定点にクランプする。状態0遷移モジュール464は第1の遷移電力信号492を出力する。
状態1遷移モジュール468は状態1電力設定点および状態0ステップサイズを受信し、状態0ステップサイズに従って状態1電力と状態0電力との間を遷移する。例えば、状態1遷移モジュール468は、状態0ステップサイズを状態1電力に反復的に加えて、パルス信号336に応答して状態0電力に遷移する。状態1電力設定点から状態0電力設定点への遷移が完了したとき、状態1遷移モジュール468は状態0電力設定点を受け取るとともに、状態0電力設定点にクランプする。状態1遷移モジュール468は第2の遷移電力信号496を出力する。
マルチプレクサ476は、論理ANDモジュール488から受信した選択信号500に従って遷移電力信号492または状態0電力設定点のいずれかを出力する。論理ANDモジュール488は、状態1と状態0との間で勾配するかどうかを示す立下り勾配オン/オフ信号および阻止信号を受信する。従って、立下り勾配オン/オフ信号がオフであるか、またはパルスエッジ整形が有効にされていないことを阻止信号が示す場合、マルチプレクサ476は、遷移電力信号492の代わりに状態0電力設定点を出力する。
マルチプレクサ472は、論理ANDモジュール484から受信した選択信号504に従って遷移電力信号496または状態1電力設定点のいずれかを出力する。論理ANDモジュール484は、状態0と状態1との間で勾配するかどうかを示す立上がり勾配オン/オフ信号および阻止信号を受信する。従って、立上がり勾配オン/オフ信号がオフであるか、またはパルスエッジ整形が有効にされていないことを阻止信号が示す場合、マルチプレクサ472は遷移電力信号496の代わりに状態1電力設定点を出力する。マルチプレクサ480は、パルス信号336に基づいて、マルチプレクサ472によって選択された信号またはマルチプレクサ476によって選択された信号のいずれかを出力し、従って電力制御信号508を出力制御モジュール460に出力する。出力制御モジュール460は周波数制御信号456および電力制御信号508に従って整形されたパルスを有する出力512を生成する。
上述の説明は本質的に単に例示的なものであり、本開示、その適用、および使用を限定することを意図したものでは全くない。本開示の広範囲の教示は多様な形式で実施することが可能である。従って、本開示が特定の例を含んでいるとはいえ、他の変形が図面、明細書および添付の特許請求の範囲の理解により明らかになるであろうことから、本開示の真の範囲が限定されるべきものではない。明確性の目的のため、同様の要素を識別するために同一の参照番号が図面において使用される。本明細書で使用する場合、「A、B、およびCの少なくとも1つ」とのフレーズは、非排他的な論理的ORを使用した論理的な「AまたはBまたはC」を意味するように解釈されるべきである。方法内の1つまたは複数のステップは、本開示の原理を変更することなく異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。
本明細書で使用する場合、モジュールという用語は、特定用途向け集積回路(ASIC)、電気回路、組み合わせ論理回路、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、コードを実行するプロセッサ（共有、専用、またはグループ）、上述の機能を提供する他の適切なハードウェアコンポーネント、またはシステムオンチップのようなこれらのいくつかまたは全ての組み合わせの一部であるか、または含むように称されてもよい。モジュールという用語は、プロセッサによって実行されるコードを記憶するメモリ（共有、専用、またはグループ）を含んでもよい。
コードという用語は、本明細書で使用する場合、ソフトウェア、ファームウェア、および/またはマイクロコードを含んでもよく、プログラム、ルーチン、関数、クラスおよび/またはオブジェクトと称されてもよい。共有という用語は、本明細書で使用する場合、複数のモジュールからのいくつかまたは全てのコードが単一（共有）のプロセッサを使用して実行されてもよいことを意味する。さらに、複数のモジュールからのいくつかまたは全てのコードが単一（共有）のメモリによって記憶されてもよい。グループという用語は、本明細書で使用する場合、単一のモジュールからのいくつかまたは全てのコードがプロセッサのグループを使用して実行されてもよいことを意味する。さらに、単一のモジュールからのいくつかまたは全てのコードがメモリのグループを使用して記憶されてもよい。
本明細書で説明される装置および方法は、1つまたは複数のプロセッサによって実行される1つまたは複数のコンピュータプログラムによって実装されてもよい。コンピュータプログラムは、非一時的有形コンピュータ可読媒体に記憶されるプロセッサ実行可能命令を含む。コンピュータプログラムは記憶されたデータを含んでもよい。非一時的有形コンピュータ可読媒体の非限定的な例は不揮発性メモリ、磁気ストレージ、および光ストレージである。
100 プラズマチャンバシステム
102 RF生成器モジュール
106 プラズマチャンバ
110 マッチングモジュール
140 出力制御モジュール
144 ユーザインターフェースモジュール
148 CEXモジュール
152 RF生成モジュール
156 センサモジュール
160 マッチング制御モジュール
200 RF生成モジュール
204 出力
208 パルス
208-1 パルス
208-2 パルス
208-3 パルス
212 第1の遷移期間
216 第2の遷移期間
220 パルスパタン制御モジュール
224 マスタパルスソースモジュール
228 スレーブパルスソースモジュール
232 他のパルスソースモジュール
236 パルス状態制御モジュール
240 電力制御モジュール
244 電力設定点モジュール
248 周波数制御モジュール
252 パルス整形モジュール
300 パルス整形モジュール
304 周波数状態制御モジュール
308 電力状態制御モジュール
312 出力制御モジュール
316 入力信号
320 パルス信号
324 周波数制御信号
328 入力信号
332 電力制御信号
336 パルス信号
400 周波数状態制御モジュール
404 電力状態制御モジュール
408 状態0遷移モジュール
412 状態1遷移モジュール
416 マルチプレクサ
420 マルチプレクサ
424 マルチプレクサ
428 ANDモジュール
432 ANDモジュール
440 遷移周波数信号
444 遷移周波数信号
448 選択信号
452 選択信号
456 周波数制御信号
460 出力制御モジュール
464 状態0遷移モジュール
468 状態1遷移モジュール
472 マルチプレクサ
476 マルチプレクサ
480 マルチプレクサ
484 ANDモジュール
488 ANDモジュール
492 遷移電力信号
496 第2の遷移電力信号

Claims (18)

  1. 無線周波数(RF)生成モジュールであって、
    第1の状態および第2の状態のそれぞれにおいて、前記RF生成モジュールの出力の第1の所望の振幅および第2の所望の振幅を受信するとともに、前記第1の所望の振幅および前記第2の所望の振幅に基づいて、前記第1の状態から前記第2の状態への遷移に対応する入力電力設定点を出力する、電力制御モジュールと、
    前記入力電力設定点を受け取るとともに、前記入力電力設定点に対応する周波数設定点を出力する、周波数制御モジュールと、
    前記入力電力設定点、前記周波数設定点、および、いつ前記第1の状態から前記第2の状態へ遷移するかの指示を受信するとともに、前記入力電力設定点、前記周波数設定点、および前記指示に基づいて、前記第1の状態から前記第2の状態へ出力信号を遷移する、パルス整形モジュールとを備えるRF生成モジュール。
  2. 前記入力電力設定点は、前記第1の状態に対応する第1の電力設定点と、前記第2の状態に対応する第2の電力設定点と、ステップサイズ、ステップ数、ステップ時間、および前記第1の電力設定点と前記第2の電力設定点との間を遷移するための勾配時間のうちの少なくとも1つとを含み、
    前記周波数設定点は、前記第1の状態に対応する第1の周波数設定点と、前記第2の状態に対応する第2の周波数設定点と、ステップサイズ、ステップ数、ステップ時間、および前記第1の周波数設定点と前記第2の周波数設定点との間を遷移するための勾配時間のうちの少なくとも1つを含む、請求項１に記載のRF生成モジュール。
  3. 前記入力電力設定点は、i)所定のものであって前記RF生成モジュールに記憶される、および、ii)ユーザインターフェースからの入力として受信される、のうちの少なくとも1つである、請求項１に記載のRF生成モジュール。
  4. 前記第1の所望の振幅および前記第2の所望の振幅、ならびに、所望のパルス周波数および所望のデューティサイクルのうちの少なくとも1つに基づく指示を出力する、パルス状態制御モジュールをさらに備える、請求項１に記載のRF生成モジュール。
  5. 前記パルス状態制御モジュールは、所望のパルス波形を前記電力制御モジュールと前記パルス整形モジュールとのうちの少なくとも1つにさらに出力する、請求項４に記載のRF生成モジュール。
  6. 前記入力電力設定点と前記周波数設定点とのうちの少なくとも1つは、前記RF生成モジュールの前記出力の所望のパルス波形にさらに基づく、請求項１に記載のRF生成モジュール。
  7. 前記所望のパルス波形は、指数形パルスエッジ、線形パルスエッジ、なまりパルスエッジのうちの少なくとも1つを含む、請求項６に記載のRF生成モジュール。
  8. 前記所望のパルス波形は、前記RF生成モジュールの前記出力の所望のパルス幅を変更しない、請求項６に記載のRF生成モジュール。
  9. 前記パルス整形モジュールは、
    前記周波数設定点に基づいて周波数制御信号を出力する、周波数状態制御モジュールと、
    前記入力電力設定点に基づいて電力制御信号を出力する電力状態制御モジュールと、
    前記周波数制御信号および前記電力制御信号に従って整形されたパルスを有する前記RF生成モジュールの前記出力を出力する、出力モジュールとをさらに備える、請求項１に記載のRF生成モジュール。
  10. 無線周波数(RF)生成モジュールを操作するための方法であって、
    第1の状態と第2の状態のそれぞれにおいて、前記RF生成モジュールの出力の第1の所望の振幅および第2の所望の振幅を受信するステップと、
    前記第1の所望の振幅および第2の所望の振幅に基づいて、前記第1の状態から前記第2の状態への遷移に対応する入力電力設定点を出力するステップと、
    前記入力電力設定点に対応する周波数設定点を出力するステップと、
    前記入力電力設定点と、前記周波数設定点と、いつ前記第1の状態から前記第2の状態へ遷移するかの指示とを受信するステップと、
    前記入力電力設定点、前記周波数設定点、および前記指示に基づいて、前記第1の状態から前記第2の状態へ前記RF生成モジュールの前記出力を遷移するステップとを備える方法。
  11. 前記入力電力設定点は、前記第1の状態に対応する第1の電力設定点と、前記第2の状態に対応する第2の電力設定点と、ステップサイズ、ステップ数、ステップ時間、および前記第1の電力設定点と前記第2の電力設定点との間を遷移するための勾配時間のうちの少なくとも1つとを含み、
    前記周波数設定点は、前記第1の状態に対応する第1の周波数設定点と、前記第2の状態に対応する第2の周波数設定点と、ステップサイズ、ステップ数、ステップ時間、および前記第1の周波数設定点と前記第2の周波数設定点との間を遷移するための勾配時間のうちの少なくとも1つを含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記入力電力設定点は、i)所定のものであって前記RF生成モジュールに記憶される、および、ii)ユーザインターフェースからの入力として受信される、のうちの少なくとも1つである、請求項１０に記載の方法。
  13. 前記第1の所望の振幅および前記第2の所望の振幅、ならびに、所望のパルス周波数および所望のデューティサイクルとのうちの少なくとも1つに基づく指示を出力するステップとをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
  14. 所望のパルス波形を出力するステップをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記入力電力設定点と前記周波数設定点とのうちの少なくとも1つは、前記RF生成モジュールの前記出力の所望のパルス波形にさらに基づく、請求項１０に記載の方法。
  16. 前記所望のパルス波形は、指数形パルスエッジ、線形パルスエッジ、なまりパルスエッジのうちの少なくとも1つを含む、請求項１５に記載の方法。
  17. 前記所望のパルス波形は、前記RF生成モジュールの前記出力の所望のパルス幅を変更しない、請求項１５に記載の方法。
  18. 前記周波数設定点に基づいて周波数制御信号を出力するステップと、
    前記入力電力設定点に基づいて電力制御信号を出力するステップと、
    前記周波数制御信号および前記電力制御信号に従って整形されたパルスを有する前記RF生成モジュールの前記出力を出力するステップとをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
JP2015539775A 2012-10-30 2013-10-24 Ｒｆ生成モジュールおよびｒｆ生成モジュールを操作するための方法 Active JP6169714B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/663,574 US8736377B2 (en) 2012-10-30 2012-10-30 RF pulse edge shaping
US13/663,574 2012-10-30
PCT/US2013/066499 WO2014070566A1 (en) 2012-10-30 2013-10-24 Rf pulse edge shaping

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016503558A JP2016503558A (ja) 2016-02-04
JP6169714B2 true JP6169714B2 (ja) 2017-07-26

Family

ID=50546491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015539775A Active JP6169714B2 (ja) 2012-10-30 2013-10-24 Ｒｆ生成モジュールおよびｒｆ生成モジュールを操作するための方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8736377B2 (ja)
EP (2) EP2915252B1 (ja)
JP (1) JP6169714B2 (ja)
KR (1) KR101932154B1 (ja)
CN (1) CN104798303B (ja)
SG (1) SG11201502885SA (ja)
TW (1) TWI544840B (ja)
WO (1) WO2014070566A1 (ja)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8952765B2 (en) * 2012-03-23 2015-02-10 Mks Instruments, Inc. System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9755641B1 (en) 2014-01-10 2017-09-05 Reno Technologies, Inc. High speed high voltage switching circuit
US9865432B1 (en) 2014-01-10 2018-01-09 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9844127B2 (en) 2014-01-10 2017-12-12 Reno Technologies, Inc. High voltage switching circuit
US10455729B2 (en) 2014-01-10 2019-10-22 Reno Technologies, Inc. Enclosure cooling system
US9697991B2 (en) 2014-01-10 2017-07-04 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9496122B1 (en) 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US10049857B2 (en) * 2014-12-04 2018-08-14 Mks Instruments, Inc. Adaptive periodic waveform controller
TWI574296B (zh) * 2014-12-04 2017-03-11 萬機科技股份有限公司 功率輸出產生系統與適用於週期性波形之方法
US9536749B2 (en) * 2014-12-15 2017-01-03 Lam Research Corporation Ion energy control by RF pulse shape
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US11017983B2 (en) 2015-02-18 2021-05-25 Reno Technologies, Inc. RF power amplifier
US11335540B2 (en) 2015-06-29 2022-05-17 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11342161B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Switching circuit with voltage bias
US10692699B2 (en) 2015-06-29 2020-06-23 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with restricted capacitor switching
US11342160B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Filter for impedance matching
US11150283B2 (en) 2015-06-29 2021-10-19 Reno Technologies, Inc. Amplitude and phase detection circuit
US11081316B2 (en) 2015-06-29 2021-08-03 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10984986B2 (en) 2015-06-29 2021-04-20 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US9721758B2 (en) 2015-07-13 2017-08-01 Mks Instruments, Inc. Unified RF power delivery single input, multiple output control for continuous and pulse mode operation
KR20170075887A (ko) * 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치, 그의 플라즈마 처리 방법, 및 플라즈마 식각 방법
CN110870039B (zh) * 2017-07-07 2022-09-16 先进能源工业公司 等离子体功率输送系统的周期间控制系统及其操作方法
US11615943B2 (en) * 2017-07-07 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source
US11651939B2 (en) * 2017-07-07 2023-05-16 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control system for plasma power delivery system and method of operating same
US11393659B2 (en) 2017-07-10 2022-07-19 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11476091B2 (en) 2017-07-10 2022-10-18 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network for diagnosing plasma chamber
US10483090B2 (en) 2017-07-10 2019-11-19 Reno Technologies, Inc. Restricted capacitor switching
US10727029B2 (en) 2017-07-10 2020-07-28 Reno Technologies, Inc Impedance matching using independent capacitance and frequency control
US10714314B1 (en) 2017-07-10 2020-07-14 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11114280B2 (en) 2017-07-10 2021-09-07 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with multi-level power setpoint
US11521833B2 (en) 2017-07-10 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Combined RF generator and RF solid-state matching network
US11289307B2 (en) 2017-07-10 2022-03-29 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11315758B2 (en) 2017-07-10 2022-04-26 Reno Technologies, Inc. Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations
US11398370B2 (en) 2017-07-10 2022-07-26 Reno Technologies, Inc. Semiconductor manufacturing using artificial intelligence
US11101110B2 (en) 2017-07-10 2021-08-24 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US20200058469A1 (en) 2018-08-14 2020-02-20 Tokyo Electron Limited Systems and methods of control for plasma processing
KR102126937B1 (ko) * 2018-12-03 2020-06-25 주식회사 뉴파워 프라즈마 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치
US11521831B2 (en) 2019-05-21 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method with reduced memory requirements
US11328902B1 (en) 2021-06-09 2022-05-10 XP Power Limited Radio frequency generator providing complex RF pulse pattern

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4372315A (en) * 1980-07-03 1983-02-08 Hair Free Centers Impedance sensing epilator
US5450088A (en) * 1992-11-25 1995-09-12 Texas Instruments Deutschland Gmbh Transponder arrangement
KR0183844B1 (ko) * 1996-04-30 1999-05-15 김광호 알에프 발생 장치 및 이를 이용한 펄스 플라즈마 형성 방법
CN1299226C (zh) * 1997-09-17 2007-02-07 东京电子株式会社 用于监视和控制气体等离子体处理的系统和方法
US6472822B1 (en) * 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing
US6459067B1 (en) * 2001-04-06 2002-10-01 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
US6586887B1 (en) * 2002-03-06 2003-07-01 Hitachi High-Technologies Corporation High-frequency power supply apparatus for plasma generation apparatus
JP4141803B2 (ja) * 2002-11-05 2008-08-27 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
KR101144449B1 (ko) * 2003-09-22 2012-05-10 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 무선 주파수 플라즈마 프로세싱 내에서 불안정성을 방지하기 위한 장치 및 방법
EP1701376B1 (de) * 2005-03-10 2006-11-08 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Vakuumplasmagenerator
JP4317826B2 (ja) * 2005-03-10 2009-08-19 パナソニック株式会社 ジッタ検出装置
US20080179948A1 (en) * 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
US7453306B2 (en) * 2005-11-07 2008-11-18 Jds Uniphase Corporation Pulse shaping circuit
US9123509B2 (en) * 2007-06-29 2015-09-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for plasma processing a substrate
US20090004836A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping with enhanced charge neutralization
US8134394B1 (en) * 2008-03-18 2012-03-13 University Of South Florida RF microwave circuit and pulse shaping method
US8040068B2 (en) * 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
US8659335B2 (en) * 2009-06-25 2014-02-25 Mks Instruments, Inc. Method and system for controlling radio frequency power
JP4932942B2 (ja) * 2009-08-07 2012-05-16 株式会社京三製作所 パルス変調高周波電力制御方法およびパルス変調高周波電源装置
CN101777891A (zh) * 2009-12-18 2010-07-14 广东正业科技股份有限公司 超快边沿阶跃脉冲发生方法及其发生器
US8436643B2 (en) * 2010-11-04 2013-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. High frequency solid state switching for impedance matching
WO2012094416A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-12 Advanced Energy Industries, Inc. System level power delivery to a plasma processing load
JP5748204B2 (ja) * 2011-03-03 2015-07-15 株式会社ダイヘン 高周波電源装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2915252A4 (en) 2016-12-14
KR20150080589A (ko) 2015-07-09
CN104798303B (zh) 2017-07-07
EP3637617A1 (en) 2020-04-15
SG11201502885SA (en) 2015-06-29
TWI544840B (zh) 2016-08-01
JP2016503558A (ja) 2016-02-04
WO2014070566A1 (en) 2014-05-08
US8736377B2 (en) 2014-05-27
CN104798303A (zh) 2015-07-22
EP2915252B1 (en) 2019-10-16
TW201417633A (zh) 2014-05-01
KR101932154B1 (ko) 2018-12-24
US20140118031A1 (en) 2014-05-01
EP2915252A1 (en) 2015-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6169714B2 (ja) Ｒｆ生成モジュールおよびｒｆ生成モジュールを操作するための方法
US8952765B2 (en) System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
TWI767088B (zh) 電漿處理系統，用於調變其中的電源的控制方法及相關的電漿處理控制系統
JP6416494B2 (ja) 複数の無線周波数電力供給装置の周波数および位相の制御
TWI695411B (zh) 用於處理基板的射頻脈衝反射減量的方法和系統
TWI716436B (zh) 用於處理基板之射頻功率傳輸調節
JP5960122B2 (ja) マルチチャンネル高周波発生器
TW201843694A (zh) 利用變頻產生器的智慧rf脈衝調整
KR20150116873A (ko) Rf 측정, 처리 및 제어를 동반하는 rf 펄스 신호의 동기화
CN115104172A (zh) 使用偏置射频产生器信号进行电弧检测的系统及方法
JP7449188B2 (ja) 複数のパルス信号をフィルタリングするためのデバイスおよび方法
US20240079213A9 (en) Synchronization of plasma processing components
CN105526981A (zh) 液体流量测量电路控制方法及装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151029

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161202

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170605

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6169714

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250