JP6416494B2 - 複数の無線周波数電力供給装置の周波数および位相の制御 - Google Patents

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Description

本開示は、無線周波数(RF)発生器に関し、より詳しくは複数のRF発生器の周波数および位相制御に関する。
本明細書で提供される背景説明は、一般に本開示の文脈を提示するためのものである。現在名前を挙げられている発明者らの研究は、その研究がこの背景の節で述べられるという点で、さもなければ出願時における従来技術としての資格を得ないかもしれない記述の態様と同様に、本開示に対する従来技術として明示的にも暗示的にも認められない。
プラズマエッチングは、半導体製作でよく使用される。プラズマエッチングでは、イオンは、基板上に露出した表面をエッチングするために電場によって加速される。電場は、RF電力システムの1つまたは複数の無線周波数(RF)発生器によって発生するRF電力信号に基づいて生成される。RF発生器によって生成されるRF電力信号は、プラズマエッチングを効率的に実行するために正確に制御されなければならない。
RF電力システムは、RF発生器、整合ネットワーク、およびプラズマ室などの負荷を含むこともある。RF電力信号は、集積回路、ソーラーパネル、コンパクトディスク(CD)、デジタル多用途(またはビデオ)ディスク(DVD)、および同様のものなどの様々なコンポーネントを製作するための負荷を駆動するために使用されることもある。負荷は、限定されない例としてプラズマ室を含む、RF信号によって駆動される多数の要素またはデバイスのいずれかを含むこともある。負荷は、広帯域不整合負荷(すなわち、不整合抵抗終端付ケーブル)、狭帯域不整合負荷(すなわち、2素子整合ネットワーク)および共振器負荷を含むこともある。
RF電力信号は、整合ネットワークで受け取られる。整合ネットワークは、整合ネットワークの入力インピーダンスをRF発生器と整合ネットワークとの間の伝送線路の特性インピーダンスに一致させる。このインピーダンス整合は、プラズマ室に向かう順方向で整合ネットワークに印加され(「順方向電力」)、整合ネットワークからRF発生器に反射されて戻る電力(「逆方向電力」)の量を最小にするのに役立つ。インピーダンス整合は、更に、整合ネットワークからプラズマ室に出力される順方向電力を最大にするのに役立つ。
RF電力供給装置の分野では、典型的にはRF信号を負荷に印加するための2つの手法がある。第1の手法は、連続波信号を負荷に印加することを含む。連続波信号は、典型的には、電力供給装置によって負荷に連続的に出力される正弦波である。連続波の手法では、RF信号は、正弦波出力を前提とし、正弦波の振幅および/または周波数は、負荷に印加される出力電力を変えるために変えられる可能性もある。RF信号を負荷に印加するための第2の手法は、連続波信号を負荷に印加するよりもむしろ、RF信号をパルス化することを含む。
米国特許第7,602,127号
本発明は、無線周波数(RF)発生器であって、RF電力源と、前記電力源に結合されるセンサと、前記電力源および前記センサに結合されるセンサ信号処理ユニットとを含み、前記センサ信号処理ユニットが、外部RF発生器源から入力を受け取り、前記RF発生器の位相および周波数を制御するための制御信号を発生させるように構成され、前記外部RF発生器源からの前記入力は、前記外部RF発生器源が動作する周波数のスケールされたバージョンを含む、ことを特徴とする。
本開示は、詳細な説明および添付の図面からより完全に理解されることになる。
周波数または位相制御を共用し、プラズマ源(または負荷)に接続される複数のRF発信源(または発生器)の機能ブロック図である。 周波数または位相制御を共用し、二重電力整合ネットワークに接続される複数のRF発信源の機能ブロック図である。 それぞれの整合ネットワークを介してプラズマ室に接続される複数のRF発信源の間の周波数および相対位相制御を例示する機能ブロック図である。 二重電力整合ネットワークを介してプラズマ室に接続される複数のRF発信源の間の周波数および相対位相制御を例示する機能ブロック図である。 クロック発信源からの共通(共用)クロック信号を使用する周波数および相対位相制御を例示する機能ブロック図である。 ダイレクトデジタル合成(DDS)モジュールを使用する、基準クロック発信源からの共通基準クロック信号に基づく周波数および相対位相制御を例示する機能ブロック図である。 2つの高調波発信源の相対位相制御を使ったプラズマシース対称性の制御を例示するプロットである。 様々な実施形態に従って配置された複数のRF発信源のブロック図である。
図面では、参照数字は、同様のかつ/または同一の要素を識別するために再使用されることもある。
プラズマエッチングは、半導体製作でよく使用される。プラズマエッチングでは、イオンは、基板上に露出した表面をエッチングするために電場によって加速される。プラズマエッチングプロセスを効率的に実行するために、無線周波数(RF)発生器からプラズマ室に送られる電力は、正確に制御されなければならない。RF発生器システムは、典型的には、RF電力源、RFセンサ、およびセンサ信号処理ユニットを含む。RF電力源は、センサによって検出されるRF電力信号を発生させる。センサは、RF電力信号を代表するアナログセンサ信号を出力する。アナログセンサ信号は、関心のある周波数および複数の干渉する周波数成分を含む。センサ信号処理ユニットは、干渉する周波数成分をアナログセンサ信号から除去するために、アナログセンサ信号を帯域制限し、それによって関心のある周波数のアナログまたはデジタル表現を残す。
RF発生器の周波数および位相は、制御することができる。米国特許第7,602,127号は、RF発生器の周波数および位相制御を開示する。米国特許第7,602,127号の全開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
以下で述べられる実装形態は、共通(共用)クロック発信源を使用して2つのRF電力供給装置(RF発生器)の間の周波数および相対位相を制御するための方法を提供する。共通クロック発信源を分割することによって、より長期間の周波数安定性が、作成される信号の組から得られてもよい。共通クロック発信源を乗算することによって、より長期間の周波数安定性が、作成される信号の組から得られてもよい。RF発生器の周波数スペクトルは、RF電力供給装置の間で送信される1つまたは複数の制御信号を介して制御される。
マスター/スレーブモードで周波数および位相を制御される2つの独立型RF電力供給装置が、開示される。クロック信号は、周波数出力および対応する相対位相のセットを作成するために共用される。デジタル位相ロックループ(PLL)が、含まれる。この技術は、連続的に調整しているデジタルPLLと対照的に長期間の周波数安定性を提供する。開示されるデジタルPLLは、制御を構成可能な逐次反復に制限し、その結果ロックされた周波数を保持する。結果として生じるデータ(図7および対応する説明を参照)は、デジタルPLLが述べられるように機能することの客観的証拠を提供する。数秒を必要とするプロセスは、継続期間中の周波数安定性を必要とする可能性がある。
RF電力供給装置の周波数および位相を制御するために2つのRF電力供給装置の間でRF制御信号を結合するための2つの方法が、開示される。これらの方法は、図1および図2にそれぞれ対応する。図1のRF電力システム100と関連する方法は、周波数情報を持つ制御信号をRF発信源1 112aからRF発信源2 112bに結合する。RF発信源2 112bは、位相および周波数を制御信号にロックすることができる。図2のRF電力システム200では、RF発信源1 212aは、RF発信源2 212bの周波数および位相のためのRF制御信号を作成し、ただし周波数は、n倍にスケール(scale)される。
図3および図4での2つのブロック図は、2つのRF電力供給装置312a、412aと312b、412bとのそれぞれの間の周波数および位相を制御するためのそれぞれのRF電力システム300および400を示す。制御信号は、マスター電力(RF発信源1 312a、412a)と関連する周波数および位相を持つスレーブ(RF発信源2 312b、412b)のRF電力を励起するために電力供給装置の間で結合されるRF信号である。図3および図4の実装形態は、インピーダンス整合ネットワークの機能によって異なる。図3では、各RF電力供給装置の出力は、プラズマ源320に直接接続される整合ネットワーク314a、314bに接続される。代替案として、2つのRF電力供給装置(例えば、412a、412b)のRF出力電力は、図4で示されるように、RF出力電力がプラズマ源420に提供される前に、二重整合ネットワーク414によって合成されてもよい。下記の開示は、共通クロック発信源を使用してRF電力供給装置のための周波数を導き出すことを説明する。
図5では、モジュール500での制御信号z(kT)の周波数および位相は、RF発信源1(マスター源)の周波数および位相を代表する信号x(kT)に基づいている。周波数スケーリング(Frequency scaling)および位相シフトは、周期Tを持つ共通クロック信号によってRF発信源1の周波数および位相に適用され、制御信号z(kT)が、RF発信源1の周波数および位相に参照を付けられる安定な周波数を有することを可能にする。周波数スケールプロセス(frequency scale process)516の出力は、y(kT)=x(nkT)を生成する。n>1の場合は、周波数は、n倍だけ増加する。もし0<n<1ならば、周波数は、減少する。必要とされる制御信号の相対位相をシフトさせるために、位相シフトモジュール518では、ndの遅延が、制御信号z(kT)=x(nkT+nd)を生じさせるために加えられ、ただしndは、信号zの周期性のためにθの位相シフトに対応する遅延である。この実装形態で使用されるデジタル信号型への制限はない。信号は、正弦波または二値であってもよい。二値信号のための回路は、位相シフト(遅延)のためのデジタル分周器(divider)および計数器(counter)のセットを含んでもよい。
図6で示される次の例では、周波数合成モジュール600は、信号対が整数の倍数だけ異なるときに相対位相シフトを持つ2つの出力信号を作成するために一組のダイレクトデジタル合成(DDS)モジュール622a、622bを使用する。位相ワード(word)φwは、DDSモジュールによって生成される周波数を制御し、位相シフトは、φsによって調節される。共通(または基準)クロック624は、DDS出力の発生を参照するために使用される。局部PA周波数のDDS出力に基づいて周波数を発生させるために、第2のDDSモジュール622bは、位相ワードnφwで構成される。第2のDDSモジュール622bの出力は、RF発信源2の励起のために構成された周波数および位相を持つ制御信号を提供する。2つのDDSモジュールの間の位相シフトは、DDSモジュールの周波数が同じであるか、または互いの整数の倍数であるときにDDSモジュールによって作成される2つの信号の間の相対位相を制御する能力を示すための指標で区別される。
この実装形態は、共通クロック発信源を利用し、制御信号または制御信号の任意の派生物の長期周波数安定性を改善することができる。周波数安定性は、少なくとも薄膜製造プロセスの長さの逆数について、維持されなければならない。例えば、もしプロセスが、10秒(s)であるならば、周波数安定性は、10mHzよりも良好である。
解析結果は、相対位相制御による多周波高調波駆動の新しい概念を支持する。初期の経験的結果は、第二高調波駆動の位相を変えることによる制御可能イオンエネルギー分布スキュー（skew：ゆがみ）制御を示す初期モデリングの取り組み(effort)と合致する。分布をより低いエネルギーへとゆがめることによって、高アスペクト比(HAR)のシリコンエッチングでのイオン強化堆積の制御の改善が達成されることができる。反対に、分布をより高いエネルギーへとゆがめることによって、誘電体でのHARプロセスの性能が改善されることができる。重要な実現技術は、整数の倍数である2つの周波数を位相ロックする能力である。
容量結合プラズマ源は、対称的または非対称的シースで特徴付けることができる。図7は、2つの高調波発信源の相対位相制御によるプラズマシース対称性の制御を例示するプロット700を示す。対称的プラズマ源726は、プラズマの両側に同一のシースを有し、非対称的プラズマ源728は、プラズマの両側に異なるシースを有する。高調波(13.56および27.12MHz)として駆動される2つのRF発信源でプラズマ源を駆動することは、相対位相θ調節による対称的プラズマ源726または非対称的プラズマ源728の間の制御を可能にする。非対称的プラズマ(θ=±π)に関しては、イオンエネルギー分布関数(IEDF)に2つの異なるピークがあるはずである。対称的プラズマ(θ≠±π)に関しては、IEDFに3つの異なるピークがあるはずである。位相を調節することによって、シースおよび対応するIEDFは、変更される。
図7でのプロットは、位相制御を介してシースの対称性を制御する能力を示す。非対称的な場合は、2つのピーク、すなわち掃引エネルギー範囲の下端(≒70eV)における1つのピーク730、および2つのRF電力供給装置の間の相対位相によって調節されている第3のピークを含む上端(≒90eV)における第2のピーク732を有する。このことが、より高いピークがより低いピークのほぼ2倍である理由である。位相が、調節されると、プラズマ源は、対称的シースに変更される。このことは、3つのピーク730'、732'、734'をすべて含有するほぼ一様なIEDF分布で見られる。対称的な場合は、3つの異なるピークを有してもよく、非対称的な場合は、2つの異なるピークを有してもよい。IEDF測定は、Impedans社が提供するSemionセンサで行われてもよい。
図7で示される対称的および非対称的曲線については、IEDF測定は、2eV分解能のエネルギー掃引で行われた。このことは、x軸に沿ったより高い分解能プロットについて改善されてもよい。外側のピーク位置は、プラズマに供給されている電流によって規定された。エネルギー分布の幅および2つのRF発信源の電流比は、最適化されなかった。
図8は、プラズマ室820によって表される相互排他的な負荷を駆動するために一対の無線周波数(RF)信号発生器を含むプラズマシステム800を描写する。プラズマシステム800は、第1および第2のRF発生器812a、812b、整合ネットワーク814a、814b、ならびにプラズマ室820を含む。RF発生器812a、812bは、制御信号を使用してマスター/スレーブ構成を実施することができる。RF発生器812aは、マスターに指定され、RF発生器812bは、スレーブに指定される。RF発生器812bの周波数および位相は、RF発生器812aからRF発生器812bに送られる制御信号を使用して、RF発生器812aの周波数に従属させられてもよい。制御信号がないときは、RF発生器812aおよび812bは、自律的に動作することができる。
RF発生器812a、812bは、それぞれのRF電力源840a、840b、RFセンサ844a、844b、およびセンサ信号処理ユニット842a、842bを含む。RF電力源840a、840bは、それぞれのRFセンサ844a、844bに出力されるRF電力を発生させる。RFセンサ844a、844bは、出力されたRF電力を検出し、RF電力に従って変化するそれぞれのRF電力信号を発生させる。RFセンサ844a、844bは、それぞれの電圧プローブおよび電流プローブを含む。これらのプローブは、RF電圧信号およびRF電流信号を出力する。別法として、RFセンサ844a、844bは、方向センサであってもよい。方向センサは、反射された電力または電圧(REV)および順方向電力または電圧(FWD)に対応する出力を有する。
いくつかの実施形態では、センサ信号処理ユニット842a、842bは、例えばRFセンサ844a、844bからそれぞれの信号を受け取って帯域制限することができる。このことは、干渉する周波数成分を除去し、所望周波数での関心のある成分を残す。センサ信号処理ユニット842a、842bは、更に、それぞれのRF発生器812a、812bに関するRF電力の位相および周波数関係を制御する。RF電力信号は、それぞれの整合ネットワーク814a、814bに出力される。整合ネットワーク814a、814bは、プラズマ室820のインピーダンスを第1および第2のRF発生器812a、812bによって期待されるインピーダンスに一致させる。このことは、反射される電力を最小にし、プラズマ室820への電力移送を最大にする。いくつかの実施形態では、2つのRF発生器812a、812bより多いRF発生器が、図8の相互排他的負荷構成で配置されてもよい。
RF発生器812aは、更に、周波数スケーラ846を含む。周波数スケーラ846は、センサ信号処理ユニット842aから周波数信号を受け取り、センサ信号処理ユニット842aから受け取った周波数をスケール(scale)し、スケールされた周波数を制御信号として第2のRF発生器812bに出力する。様々な実施形態では、周波数スケーラ846は、図5の周波数スケーラおよび位相シフタを含むことができる。様々な他の実施形態では、周波数スケーラ846は、更に、周波数合成モジュール600またはそれの一部を含むことができる。
先の記述は、本来は単に例示的であり、決して本開示、その応用、または用途を限定することを意図していない。本開示の広い教示は、様々な形で実施されてもよい。従って、この開示は、特定例を含むが、本開示の真の範囲は、他の変更形態が図面、明細書、および添付の請求項の研究に基づいて明らかになるので、そのように限定されるべきでない。本明細書で使用されるように、語句A、B、およびCの少なくとも1つは、非排他的論理ORを使用して、論理(AまたはBまたはC)を意味すると解釈すべきである。方法内の1つまたは複数のステップは、本開示の原理を変更することなく異なる順序で(または同時に)実行されてもよいと理解すべきである。
以下の定義を含むこの出願では、用語モジュールは、用語回路と置き換えられてもよい。用語モジュールは、特定用途向け集積回路(ASIC)、デジタル、アナログ、もしくは混合アナログ/デジタル個別回路、デジタル、アナログ、もしくは混合アナログ/デジタル集積回路、組合せ論理回路、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、コードを実行するプロセッサ(共用、専用、もしくは群)、プロセッサによって実行されるコードを保存するメモリ(共用、専用、もしくは群)、述べられた機能性を提供する他の適切なハードウェアコンポーネント、またはシステムオンチップなどでの上記のいくつかもしくはすべての組合せを指し、その一部であり、または含んでもよい。
上記で使用されるような用語コードは、ソフトウェア、ファームウェア、および/またはマイクロコードを含んでもよく、プログラム、ルーチン、関数、クラス、および/またはオブジェクトを指してもよい。用語共用プロセッサは、複数のモジュールからのいくつかのまたはすべてのコードを実行する単一プロセッサを包含する。用語群プロセッサは、追加のプロセッサとの組合せで、1つまたは複数のモジュールからのいくつかのまたはすべてのコードを実行するプロセッサを包含する。用語共用メモリは、複数のモジュールからのいくつかまたはすべてのコードを保存する単一メモリを包含する。用語群メモリは、追加のメモリとの組合せで、1つまたは複数のモジュールからのいくつかのまたはすべてのコードを保存するメモリを包含する。用語メモリは、用語コンピュータ可読媒体のサブセットであってもよい。用語コンピュータ可読媒体は、媒体を通って伝搬する一時的な電気的および電磁気的信号を包含せず、従って有形でかつ非一時的と考えられてもよい。非一時的有形コンピュータ可読媒体の限定されない例は、不揮発性メモリ、揮発性メモリ、磁気記憶媒体、および光学式記憶媒体を含む。
用語第1、第2、第3、その他は、本明細書では様々な要素、コンポーネント、ループ、回路、および/またはモジュールを述べるために使用されることもあるけれども、これらの要素、コンポーネント、ループ、回路、および/またはモジュールは、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、1つの要素、コンポーネント、ループ、回路またはモジュールを別の要素、コンポーネント、ループ、回路またはモジュールから区別するために使用されるだけであってもよい。「第1」、「第2」などの用語および他の数的用語は、本明細書で使用されるとき、文脈によって明瞭に示されない限り、シーケンスまたは順序を暗示しない。それ故に、本明細書で論じられる第1の要素、コンポーネント、ループ、回路またはモジュールは、本明細書で開示される例となる実装形態の教示から逸脱することなく第2の要素、コンポーネント、ループ、回路またはモジュールと名付けられることもあり得る。
この出願で述べられる装置および方法は、1つまたは複数のプロセッサによって実行される1つまたは複数のコンピュータプログラムによって部分的にまたは完全に実施されてもよい。コンピュータプログラムは、少なくとも1つの非一時的有形コンピュータ可読媒体に保存されるプロセッサ実行可能命令を含む。コンピュータプログラムは、更に、保存されたデータを含み得るか、及び／または頼りにしてよい。
100 RF電力システム
112a RF発信源1
112b RF発信源2
200 RF電力システム
212a RF発信源1
212b RF発信源2
300 RF電力システム
312a RF電力供給装置、RF発信源1
312b RF電力供給装置、RF発信源2
314a 整合ネットワーク
314b 整合ネットワーク
320 プラズマ源
400 RF電力システム
412a RF電力供給装置、RF発信源1
412b RF電力供給装置、RF発信源2
414 二重整合ネットワーク
420 プラズマ源
500 モジュール
516 周波数スケールプロセス
518 位相シフトモジュール
600 周波数合成モジュール
622a ダイレクトデジタル合成(DDS)モジュール
622b ダイレクトデジタル合成(DDS)モジュール
624 共通(基準)クロック
700 プロット
726 対称的プラズマ源
728 非対称的プラズマ源
730 ピーク
730' ピーク
732 第2のピーク
732' ピーク
734' ピーク
800 プラズマシステム
812a RF発生器
812b RF発生器
814a 整合ネットワーク
814b 整合ネットワーク
820 プラズマ室
840a RF電力源
840b RF電力源
842a センサ信号処理ユニット
842b センサ信号処理ユニット
844a RFセンサ
844b RFセンサ
846 周波数スケーラ

Claims (29)

  1. RF発生器システムであって、
    外部RF発生器と、
    第2のRF発生器とを含み、前記第2のRF発生器が、
    RF電力源と、
    前記RF電力源に結合されるセンサと、
    前記RF電力源および前記センサに結合されるセンサ信号処理ユニットとを含み、
    前記センサ信号処理ユニットが、前記外部RF発生器から入力信号を受け取り、前記第2のRF発生器の位相および周波数を制御するための制御信号を発生させるように構成され、
    前記外部RF発生器からの前記入力信号は、前記外部RF発生器が動作する周波数をn倍にスケールした周波数を有する、RF発生器システム。
  2. 前記入力信号は、更に、位相シフトを含む、請求項1に記載のRF発生器システム。
  3. 前記第2のRF発生器は、連続波で、またはパルス化動作モードで動作する、請求項1に記載のRF発生器システム。
  4. 前記センサ信号処理ユニットは、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)ユニットおよびデジタル信号処理ユニットを含む、請求項1に記載のRF発生器システム。
  5. 前記センサ信号処理ユニットは、前記制御信号を発生させるように動作可能である、請求項4に記載のRF発生器システム。
  6. 前記第2のRF発生器は、前記第2のRF発生器によって出力されるRF信号の振幅を変える、請求項1に記載のRF発生器システム。
  7. 前記位相は、少なくとも2つの位相の間で変えられる、請求項1に記載のRF発生器システム。
  8. 前記周波数は、1の値にスケールされる、請求項7に記載のRF発生器システム。
  9. 前記位相は、所定の範囲にわたって掃引される、請求項1に記載のRF発生器システム。
  10. RFシステムにおいて、
    電力源、
    前記電力源に結合されるセンサ、ならびに
    前記電力源および前記センサに結合されるセンサ信号処理ユニットを含む第1のRF発生器であって、前記センサ信号処理ユニットが、外部発信源から入力信号を受け取り、前記第1のRF発生器からのRF電力信号の第1の位相および第1の周波数のうちの少なくとも1つを制御する第1の制御信号を発生させるように構成される、前記第1のRF発生器と、
    前記第1のRF発生器から第2の制御信号を受け取るように動作可能な第2のRF発生器であって、前記第2の制御信号が、前記第2のRF発生器の第2の位相および第2の周波数のうちの少なくとも1つを制御する、前記第2のRF発生器とを含み、
    前記センサ信号処理ユニットは、前記第2の制御信号を生成し、前記第2の制御信号は、前記第1の周波数をスケールした周波数で動作する、RFシステム。
  11. 前記第2の制御信号は、更に、位相シフトを含む、請求項10に記載のRFシステム。
  12. 前記RFシステムは、連続波で、またはパルス化動作モードで動作する、請求項10に記載のRFシステム。
  13. 前記RFシステムは、前記第1のRF発生器によって出力されるRF信号の振幅を変える、請求項12に記載のRFシステム。
  14. 前記第2の位相は、少なくとも2つの位相の間で変えられる、請求項12に記載のRFシステム。
  15. 前記第2の周波数は、1の値にスケールされる、請求項14に記載のRFシステム。
  16. 前記第2の位相は、所定の範囲にわたって掃引される、請求項12に記載のRFシステム。
  17. RFシステムであって、
    第1のRF発生器と、
    前記第1のRF発生器に結合される第2のRF発生器とを含み、前記第1および前記第2のRF発生器が、それぞれ、
    電力源と、
    前記電力源に結合されるセンサと、
    前記電力源および前記センサに結合されるセンサ信号処理ユニットとを含み、前記第1のRF発生器のための前記センサ信号処理ユニットが、前記第1のRF発生器の位相および周波数を制御し、前記第2のRF発生器のための前記センサ信号処理ユニットが、前記第2のRF発生器の位相および周波数を制御し、
    前記第1のRF発生器は、制御信号を前記第2のRF発生器に出力し、前記制御信号は、前記第1のRF発生器の前記周波数に対してスケールされた周波数を有する、RFシステム。
  18. 前記制御信号は、更に、位相シフトを含む、請求項17に記載のRFシステム。
  19. 前記RFシステムは、連続波で、またはパルス化動作モードで動作する、請求項17に記載のRFシステム。
  20. 前記RFシステムは、前記第2のRF発生器によって出力されるRF信号の振幅を変える、請求項17に記載のRFシステム。
  21. 前記位相は、少なくとも2つの位相の間で変えられる、請求項17に記載のRFシステム。
  22. 前記周波数は、1の値にスケールされる、請求項21に記載のRFシステム。
  23. 前記位相は、所定の範囲にわたって掃引される、請求項17に記載のRFシステム。
  24. RF発生器により実行される方法であって、
    前記RF発生器が、電力源と、前記電力源に結合されるセンサと、前記電力源および前記センサに結合されるセンサ信号処理ユニットとを備え、
    前記方法が、
    第1のRF周波数信号を出力するように前記RF発生器を制御するステップと、
    前記第1のRF周波数信号をスケールするステップと、
    スケールされた第1のRF周波数信号に従って第2のRF発生器の位相および周波数を制御するための制御信号を発生させるステップとを含む、方法。
  25. 前記RF発生器と前記第2のRF発生器との間に位相シフトを発生させ、前記位相シフトに従って前記制御信号を発生させるステップを更に含む、請求項24に記載の方法。
  26. 前記RF発生器および前記第2のRF発生器が、連続波で、またはパルス化動作モードで動作する、請求項24に記載の方法。
  27. 前記位相は、少なくとも2つの位相の間で変えられる、請求項24に記載の方法。
  28. 前記第1のRF周波数信号は、1の値にスケールされる、請求項27に記載の方法。
  29. 前記位相は、所定の範囲にわたって掃引される、請求項24に記載の方法。
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