TWI613937B - 射頻產生器、射頻系統及使用其之方法 - Google Patents

Abstract

一種系統，具有第一RF產生器及第二RF產生器。第一RF產生器控制第二RF產生器的頻率。第一RF產生器包含電源、感應器及感應器訊號處理單元。感應器訊號處理單元耦合於電源及感應器。感應器訊號處理單元縮放第一RF產生器的頻率以控制第二RF產生器的頻率。

Description

射頻產生器、射頻系統及使用其之方法

本公開係關於一種射頻(RF)產生器，並且特別是關於一種RF電源訊號的頻率及相位控制的多RF產生器。

此文所提供的背景技術說明係用以對本公開的內容作一般性說明為目的。發明人當前提出的工作，即在此背景技術部分中描述的工作程度，以及說明書中可能尚未成為申請日之前的現有技術的內容，無論是以明確或隱含的方式均不被視為相對於本公開的現有技術。

電漿蝕刻經常在半導體製造過程中使用。在電漿蝕刻中，離子被電場加速以蝕刻基板上暴露的表面。電場是基於由RF電源系統的一或多個射頻(RF)產生器產生的RF電源訊號而產生。由RF產生器產生的RF電源訊號必須精準地控制以有效地執行電漿蝕刻。

RF電源系統可包含RF產生器、匹配網路及負載如電漿腔體。RF電源訊號可被用於驅動負載以製造各種構件如積體電路、太陽能板、CD、數位通用(或影像)碟片(DVD)等。負載可包含由RF訊號驅動的任何數量的元件或裝 置，以非限制範例的方式包含電漿腔體。負載可包含寬帶不匹配負載(即纜線有不匹配電阻端)、窄帶不匹配負載(即2元件匹配網路)及共振負載。

RF電源訊號在匹配電路被接收。匹配電路將在RF產生器及匹配電路之間的匹配電路的輸入阻抗匹配於傳輸線的特性阻抗。此阻抗匹配有助於最小化施加於匹配電路的功耗量，在朝向電漿腔的向前方向上(「正向功率(forward power)」)，並從匹配電路反射回RF產生器(「反向功率(reverse power)」)。阻抗匹配也有助於將從匹配電路輸出至電漿腔的正向功率最大化。

在RF電源供應器領域中，有兩個典型施加RF訊號至負載的方法。第一個方法包含施加連續波訊號至負載。持續波訊號典型的為正弦波，是由電源供應器持續的輸出至負載。在連續波方法中，RF訊號假設一個正弦輸出，且正弦波的振幅及/或頻率可為了改變施加於負載的輸出功率而改變。第二種方法施加RF訊號到負載係包含將射頻訊號脈衝，而不是施加連續波訊號至負載。

根據本發明之一目的，提出一種射頻(RF)產生器，其包含：RF電源；感應器，係耦合於電源；感應器訊號處理單元，耦合於電源及感應器，感應器訊號處理單元適配以從外部RF產生器源接收輸入，並產生控制訊號以控制RF產生器之相位及頻率，其中來自外部RF產生器源之輸入包含外部RF產生器源運作之頻率之縮放版本。

根據本發明之另一目的，提出一種射頻(RF)系統，係包含：第一RF產生器，其包含：電源；感應器，係耦合於電源；以及感應器訊號處理單元，係耦合於電源及感應器，感應器處理單元適配於從外部源接收輸入，並產生第 一控制訊號以控制來自第一RF產生器之RF電源訊號之第一相位及第一頻率之至少其中之一；以及第二RF產生器，係為可操作的以從第一RF產生器接收第二控制訊號，第二控制訊號控制第二RF產生器之第二相位及第二頻率之至少其中之一，其中感應器訊號處理單元縮放第一頻率以產生頻率資訊，且第二控制訊號包含頻率資訊。

根據本發明之再一目的，提出一種RF系統，其包含：第一RF產生器；以及第二RF產生器，係耦合於第一RF產生器，第一RF產生器及第二RF產生器各包含：電源；感應器，係耦合於電源；及感應器訊號處理單元，係耦合於電源及感應器，其中用於第一RF產生器之感應器訊號處理單元控制第一RF產生器之相位及頻率，且用於第二RF產生器之感應器訊號處理單元控制第二RF產生器之相位及頻率，其中第一RF產生器輸出控制訊號至第二RF產生器，且其中控制訊號包含頻率分量，且頻率分量係為相對於第一RF產生器之頻率縮放之頻率。

此外，本發明更提出一種用於使用射頻產生器之方法包含：將感應器耦合於電源；將感應器訊號處理單元耦合於電源及感應器；控制第一RF產生器以輸出第一RF頻率訊號；縮放第一RF頻率訊號；以及產生控制訊號，以根據縮放之第一RF頻率訊號控制第二RF產生器之相位及頻率。

100、200、300、400‧‧‧RF電源系統

112a、212a、312a、412a‧‧‧RF源1

112b、212b、312b、412b‧‧‧RF源2

n‧‧‧因子

314a、314b‧‧‧匹配電路

320‧‧‧電漿源

420‧‧‧電漿源

414‧‧‧雙匹配電路

x(kT)‧‧‧訊號

516‧‧‧頻率縮放處理

500‧‧‧模組

518‧‧‧相位平移模組

730、732、730'，732'，734'‧‧‧峰值

726‧‧‧對稱電漿源

728‧‧‧非對稱電漿源

θ‧‧‧相位

820‧‧‧電漿腔

800‧‧‧電漿系統

814a，814b‧‧‧匹配電路

812a，812b‧‧‧RF產生器

840a，840b‧‧‧RF電源

844a，844b‧‧‧RF感應器

842a，842b‧‧‧感應器訊號處理單元

600‧‧‧頻率合成模組

622a，622b‧‧‧直接數位合成模組

624‧‧‧共用時鐘

846‧‧‧頻率定標器

本公開將從詳細說明及附圖而變得更充份地理解，其中：第1圖是多RF源(或產生器)分享RF電源訊號的頻率或相位控制並連接於電漿源(或負載)的功能方塊圖； 第2圖是多RF源分享RF電源訊號的頻率或相位控制並連接於雙功率匹配電路的功能方塊圖；第3圖是示出在透過各自的匹配電路連接到電漿腔的多RF源之間的RF電源訊號的頻率及相對的相位控制的功能方塊圖；第4圖是示出在透過雙功率匹配電路連接到電漿腔的多RF源之間的RF電源訊號的頻率及相對的相位控制的功能方塊圖；第5圖是示出使用來自時鐘源的共用(分享)時鐘訊號的RF電源訊號的頻率及相對的相位控制的功能方塊圖；第6圖是示出基於使用直接數位合成(DDS)模組的來自參考時鐘源的共用參考時鐘訊號的RF電源訊號的頻率及相對的相位控制的功能方塊圖；第7圖是示出以兩個諧波源的RF電源訊號的相對的相位控制的電漿鞘對稱的圖表；第8圖是根據各種實施例設置的多RF源的方塊圖。

在附圖中，元件符號可被再次用於相同或相似的元件。

電漿蝕刻經常在半導體製造過程中使用。在電漿蝕刻中，離子被電場加速以蝕刻基板上暴露的表面。為了有效的執行電漿蝕刻過程，從射頻(RF)產生器傳送到電漿腔的功率必須被精確的控制。RF產生器系統典型的包含RF電源、RF感應器及感應器訊號處理單元。RF電源會產生藉由感應器偵測到的RF電源訊號。感應器輸出RF電源訊號的類比化感應器訊號表示。類比感應器訊號包含所關注的頻率及複數個干擾頻率分量。感應器訊號處理單元頻帶限制了類比 感應器訊號，以從類比感應器訊號中移除干涉頻率分量，從而留下所關注的頻率的類比化或數位化表示。

RF產生器的RF電源訊號的頻率或相位可被控制。美國專利號第7,602,127號揭露了RF產生器的RF電源訊號的頻率及相位控制。美國專利號第7,602,127號的全部揭露內容以引用的方式併入本文。

下文中描述的實施方式提供一種方法，以控制頻率及在兩個RF電源供應器(RF產生器)之間的RF電源訊號的相對相位，係使用共用(分享)時鐘源。藉由劃分共用時鐘源，可由產生的訊號組獲得更長遠的頻率穩定性。藉由增加共用時鐘源，可由產生的訊號組獲得更長遠的頻率穩定性。RF產生器的頻譜是透過在RF電源供應器之間傳輸的一或多個控制訊號而控制。

以主/從模式控制頻率及相位的兩個獨立的RF電源供應器被揭露了。時鐘訊號被分享以產生一組頻率輸出及對應的相對相位。數位相位鎖定迴路(PLL)被包含。本技術提供長期的頻率穩定性，對比於持續地調節的數位相位鎖定迴路(PLL)。揭露的數位PLL限制控制以配置連續重複且接著維持頻率鎖定。所得數據(見第7圖及對應敘述)提供了數位PLL如所述執行的客觀證據。需要數秒的過程可要求對於時間的頻率穩定。

兩個方法被揭露來將RF控制訊號耦合在兩個RF電源供應器之間，目的以控制RF電源供應器的RF電源訊號的頻率及相位。這些方法分別對應於第1圖及第2圖。聯合RF電源系統100的方法在第1圖將帶有頻率資訊的控制訊號從RF源1 112a耦合至RF源2 112b。RF源2 112b可相位及頻率鎖定於控制訊號。在第2圖的RF電源系統200中，RF源1 212a產生對於RF源2 212b的RF電源訊號的頻率及相位的控制訊號，其中頻率係以因子n倍所縮放。

兩個方塊圖在第3圖及第4圖中分別示出RF電源系統300及400來分別控制在兩個RF電源供應器，像是RF源1 312a、RF源1 412a及RF源2 312b、RF源2 412b之間的RF電源訊號的頻率及相位。控制訊號是一種RF訊號，係耦合在電源供應器之間，以與主方電源(RF源1 312a、RF源1 412a)相關的頻率及相位來激發從方的RF電源(RF源2 312b、RF源2 412b)。第3圖及第4圖的實行不同在於阻抗匹配電路的功能。在第3圖中，各RF電源供應器的輸出連接於匹配電路314a、314b，匹配電路314a、314b是直接連接於電漿源320。作為替代方案，兩個RF電源供應器(例如RF源1 412a、RF源2 412b)的RF輸出功率可在RD輸出功率被提供至電漿源420前先與雙匹配電路414結合，如第4圖中所示。隨後的揭露說明使用共用時鐘源導出用於RF電源供應器的頻率。

在第5圖中，模組500中控制訊號z(kT)的相位及頻率是取決於訊號x(kT)代表RF源1(主方源)的頻率及相位。頻率縮放及相位位移藉由共用時鐘訊號以週期T，施加於RF源1的RF電源訊號的頻率及相位，允許控制訊號z(kT)來具有參考RF源1的RF電源訊號的頻率及相位的穩定訊號。頻率縮放處理516的輸出產生y(kT)=x(nkT)。當n>1，頻率藉由n的因子提昇。若0<n<1，頻率下降。為了位移所需控制訊號的相對相位，在相位位移模組518中，延遲nd被施加以產生控制訊號z(kT)=x(nkT+nd)，其中nd是對應於對於訊號z的週期性的θ的相位位移的延遲。在本實施方式中不限制數位訊號種類。訊號可為正弦或二進位的。用於二進位訊號的電路可包含一組數位分頻器及用於相位位移(延遲)的計數器。

在第6圖中所示的下一個範例中，頻率合成模組600使用一組直接數位合成(DDS)模組622a、622b，以產生兩個有相對相位位移的輸出訊號，當訊號對相差整數倍。相位字Φw控制由DDS模組所產生的頻率且相位位移是由 Φs調整。共用(或引用)時鐘624用於引用一個DDS輸出的產生。為了基於本體PA頻率的DDS輸出而產生頻率，DDS模組622b以相位字nΦw配置。DDS模組622b的輸出提供控制訊號用於RF源2的激發的配置頻率及相位。兩個DDS模組的RF電源訊號之間的相位位移是以指出控制在兩個由DDS模組產生的RF電源訊號之間的相對相位的能力為指標來區分，當DDS模組的頻率是相同的或彼此的整數倍。

本實施例利用共同時鐘源，並且可以提高控制訊號或控制訊號的任何衍生物的長期頻率穩定性。頻率穩定度必須保持至少薄膜製造過程時間的倒數。例如，如果製程是10秒(s)，頻率穩定度必須比10mHz更好。

分析結果支持多頻諧波傳動的相對相位控制的新概念。早期的實證結果與藉由改變第二諧波傳動的RF電源訊號的相位而顯示可控的離子能量分佈偏斜控制的初始建模工作相符。藉由扭曲分佈以降低能源，在高寬比(high aspect ratio,HAR)矽蝕刻的離子增強沉積的改善控制可被實現。相反地，藉由扭曲分佈以提昇能量，在介電質中的HAR製程的性能可以得到改善。關鍵達成技術是將是整數倍的兩個頻率的相位鎖定的能力。

電容性耦合電漿源可以用對稱或不對稱鞘而賦予特色。第7圖顯示一個圖表700，說明具有兩個諧波源的RF電源訊號的相對相位控制的電漿鞘對稱的控制。對稱電漿源726具有相同的鞘，而不對稱電漿源728在電漿的兩側上具有不同的鞘。驅動含有諧波(13.56及27.12MHz)所導出的兩個RF源的電漿源允許對稱電漿源726或不對稱電漿源728之間的以相對相位，θ，控制，與調整。以不對稱電漿(θ=±π)，在離子能量分佈函數(IEDF)中應有兩個不同的峰。 至於對稱(θ≠±π)，在IEDF中應有三個不同的峰。藉由調整相位，鞘及對應的IEDF被改變。

第7圖中的圖表通過相位控制而顯示控制鞘對稱性的能力。不對稱具有兩個峰：一個峰值730在掃能量範圍(

70eV)的下端，而第二峰值732在高端(

90eV)，其包含藉由在兩個RF電源供應器之間的相對相位而調整的第三峰值。這是較高的峰值幾乎是較低的峰值的兩倍的原因。當相位被調整，電漿源被改變為對稱的鞘。這可以從包含所有三個峰值730'、732'、734'的幾乎均勻的IEDF分佈看出。對稱的情況下，可以有三個明顯的峰值，而不對稱的情況下可以有兩個明顯的峰值。IEDF的測量可由來自Impedans的Semion感應器執行。

對於第7圖所示的對稱及不對稱曲線而言，IEDF測量是採取2eV的解析度的能量掃描。這可以用於沿x軸更高的解析度圖表的改善。外峰值的位置由電漿來源的電流定義。能量分佈的寬度及兩個RF源電流比未經優化。

第8圖示出一種電漿系統800，包含用於驅動以電漿腔820代表的互斥負載的一對射頻(RF)訊號產生器。電漿系統800包含第一及第二RF產生器812a、812b、匹配電路814a、814a及電漿腔820。RF產生器812a、812b可以使用控制訊號實現主-從配置。RF產生器812a被指定為主方，而RF產生器812b被指定為從方。RF產生器812b的RF電源訊號的頻率及相位可以使用從RF產生器812a發送到RF產生器812b的控制訊號而從屬於射頻產生器812a的RF電源訊號的頻率。當控制訊號不存在時，射頻產生器812a及812b可以自主操作。

RF產生器812a，812b包含各自的RF電源840a，840b、RF感應器844a，844b以及感應器訊號處理單元842a，842b。RF電源840a，840b產生RF功 率輸出至相應的RF感應器844a，844b。RF感應器844a，844b偵測RF功率輸出，並產生根據RF功率而變化的各自的RF電源訊號。RF感應器844a，844b包含各自的電壓探針及電流探針。這些探針輸出RF電壓訊號及RF電流訊號。或者，RF感應器844a，844b可以是定向感應器。定向感應器具有對應於反射功率或電壓(REV)及正向功率或電壓(FWD)的輸出。

在一些實施例中，舉例來說，感應器訊號處理單元842a，842b可以接收且頻帶限制來自射頻感應器844a，844b的相應訊號。這消除了干擾頻率分量並留下所需的頻率的期望分量。感應器訊號處理單元842a，842b也控制用於各自的RF產生器812a，812b的RF功率的相位及頻率的關係。RF電源訊號被輸出到各自的匹配電路814a，814b。匹配網絡814a，814b將電漿腔820的阻抗與預期由第一及第二RF產生器812a，812b的阻抗相匹配。這最小化反射功率並最大化傳輸到電漿腔820的功率，在一些實施例中，兩個以上的RF產生器812a，812b可以被設置在第8圖的互斥負載配置中。

RF產生器812a還包含頻率定標器846。頻率定標器846接收來自感應器訊號處理單元842a的頻率訊號，並縮放從感應器訊號處理單元842a接收到的頻率，並輸出經縮放的頻率作為控制訊號給第二RF產生器812b。在各種實施例中，頻率定標器846a可以包含第5圖的頻率定標器及移相器。在各種其他實施例中，頻率定標器846還可以包含頻率合成模組600或其部分。

前面的描述在本質上僅僅是說明性的，並且決不旨在限制本公開、其應用或用途。本公開的廣泛教示可以以各種形式來實現。因此，雖然本公開包含特定範例，本公開的真實範圍不應當受此限制，因為其他的修改將根據附圖、說明書及以下申請專利範圍的研究而變得顯而易見。如本文所用，用 語A、B及C中的至少一個應該被解釋為意味著邏輯(A或B或C)，使用非排他性的邏輯OR。應當理解的是，在方法中的一或多個步驟可以以不同的順序(或同時)在不改變本公開的原理下來執行。

在本申請中，包含下面的定義中，術語模組可以被替換為術語電路。術語模組可以指，其中的一部分，或包含特殊應用積體電路(ASIC)；數位，類比或類比/數位混合離散電路；數位、類比或類比/數位混合積體電路；組合邏輯電路；場可程式化閘陣列(FPGA)；執行程式碼的處理器(共享、專用或群組)；記憶體(共享，專用或群組)，其儲存由處理器執行的程式碼；提供所描述的功能性的其他合適硬體構件；或一些或所有上述情況，例如在系統級的組合。

術語程式碼，如上面所用，可以包含軟體、韌體及/或微代碼，並且可以指程式、歷程、函數、類、及/或對象。共享處理器這個詞包含一個執行從多個模組的部分或全部代碼的單處理器。術語組處理器包含一個處理器，它與附加處理器的組合，執行從一個或多個模組的部分或全部代碼。術語共享記憶體包含單記憶體用於儲存來自多個模組的部分或全部代碼。術語組記憶體包含一個記憶體，它與附加記憶體的組合，儲存從一個或多個模組的一些或全部代碼。術語記憶體可以是，術語計算機可讀介質的一個子集。術語計算機可讀介質不包含在介質中傳播的短暫電及電磁訊號，並因此可以被認為是有形及非短暫。非臨時性的有形計算機可讀介質的非限制性例子包含非易失性記憶體(nonvolatile memory)、易失性記憶體，磁儲存器及光儲存器。

雖然術語第一、第二、第三等可以在本文中用來描述各種元件、部件、迴路、電路及/或模組，但這些元件、組件、迴路、電路及/或模組不應該 受限於這些術語。這些術語可以僅用來區分一個元件、組件、迴路、電路或模組與另一個元件、組件、迴路、電路或模組。術語例如「第一」，「第二」，及本文所使用的其他數字級的術語並不意味著序列或順序，除非由上下文清楚地指示。因此，本文所討論的第一元件、組件、迴路、電路或模組可被稱為第二元件、組件、迴路、電路或模組，而不偏離本文所公開的範例實現中的教示。

在本申請中所描述的設備及方法可以是部分或完全由一或多個處理器執行的一個或多個電腦程式來實現。電腦程式包含儲存在至少一個非臨時性有形的電腦可讀取介質上的處理器可執行指令。電腦程式還可以包含及/或依靠儲存的數據。

112a‧‧‧RF源1

112b‧‧‧RF源2

100‧‧‧RF電源系統

120‧‧‧電漿源

Claims (29)

1. 一種射頻(RF)產生器，其包含：一RF電源；一感應器，係耦合於該RF電源；一感應器訊號處理單元，耦合於該RF電源及該感應器，該感應器訊號處理單元經配置以從一外部RF產生器源接收一輸入，並產生一控制訊號以控制來自該RF產生器之一RF電源訊號之相位及頻率，其中該外部RF產生器源包含一頻率定標器，經配置以產生該RF電源訊號之該頻率；以及其中該RF電源訊號之該頻率包含該外部RF產生器源運作之一頻率之一縮放版本。
2. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該輸入進一步包含一相位位移。
3. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該RF產生器在一連續波或一脈衝操作模式下運作。
4. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該感應器訊號處理單元包含一場可程式化閘陣列(FPGA)單元及一數位訊號處理單元。
5. 如申請專利範圍第4項所述之RF產生器，其中該感應器訊號處理單元係為經配置以產生該控制訊號。
6. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該RF產生器改變由該RF產生器輸出之一RF訊號之一振幅。
7. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該RF電源訊號 之一相位係在至少二相位之間變化。
8. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該頻率被縮放為1的值。
9. 如申請專利範圍第1項所述之RF產生器，其中該RF電源訊號之一相位係掃過一預定義範圍。
10. 一種射頻(RF)系統，係包含：一第一RF產生器，其包含：一電源；一感應器訊號處理單元，係耦合於該電源及該感應器，該感應器訊號處理單元經配置以從一外部源接收一輸入，並產生一第一控制訊號以控制來自該第一RF產生器之一第一RF電源訊號之一第一相位及一第一頻率之至少其中之一；以及一頻率定標器，經配置以接收一頻率訊號，該頻率訊號指示來自該感應器訊號處理單元之該RF訊號之該第一頻率，該頻率定標器經配置以縮放從該感應器訊號處理單元接收之該頻率訊號並產生經縮放之一頻率訊號；以及一第二RF產生器，係經配置以從該第一RF產生器接收經縮放之該頻率訊號，其中經縮放之該頻率訊號控制來自該第二RF產生器之一第二RF電源訊號之一第二相位及一第二頻率之至少其中之一。
11. 如申請專利範圍第10項所述之RF系統，其中經縮放之該頻率訊號也包含相位位移資訊。
12. 如申請專利範圍第10項所述之RF系統，其中該RF系統在一 連續波或一脈衝操作模式下運作。
13. 如申請專利範圍第12項所述之RF系統，其中該RF系統係藉由該第一RF產生器及該第二RF產生器所分別輸出之該第一RF電源訊號及該第二RF電源訊號之振幅而改變。
14. 如申請專利範圍第12項所述之RF系統，其中來自該第一RF產生器之該第一RF電源訊號及來自該第二RF產生器之該第二RF電源訊號之間的一相對相位係在至少二相位之間變化。
15. 如申請專利範圍第14項所述之RF系統，其中來自該第一RF產生器之該第一RF電源訊號的該第一頻率被縮放為1之值。
16. 如申請專利範圍第12項所述之RF系統，其中來自該第一RF產生器所輸出之該第一RF電源訊號及來自該第二RF產生器之該第二RF電源訊號之間的一相對相位係掃過一預定義範圍。
17. 一種RF系統，其包含：一第一RF產生器；一第二RF產生器，係耦合於該第一RF產生器，該第一RF產生器及該第二RF產生器各包含：一電源；一感應器，係耦合於該電源；及一感應器訊號處理單元，係耦合於該電源及該感應器，其中該第一RF產生器之該感應器訊號處理單元控制該第一RF產生器之一RF電源訊號之一相位及一頻率，且該第二RF產生器之該感應器訊號處理單元控制該第二RF產生器之另一RF電源訊號之一相位及一頻率；以及 一頻率定標器，係包含在該第一RF產生器中，且經配置以接收來自該第一RF產生器之該感應器訊號處理單元之一頻率訊號，該頻率訊號該第一RF產生器之該頻率，該頻率定標器係進一步經配置以縮放從該第一RF產生器之該感應器訊號處理單元接收之該頻率訊號，並產生經縮放之一頻率訊號給該第二RF產生器；其中該第二RF產生器接收經縮放之該頻率訊號，且該第二RF產生器之該頻率係根據經縮放之該頻率訊號產生變化。
18. 如申請專利範圍第17項所述之RF系統，其中經縮放之該頻率訊號也包含相位位移資訊。
19. 如申請專利範圍第17項所述之RF系統，其中該RF系統在一連續波或一脈衝操作模式下運作。
20. 如申請專利範圍第17項所述之RF系統，其中該RF系統係藉由分別來自該第一RF產生器及該第二RF產生器所之第一RF訊號及第二RF訊號之振幅而改變。
21. 如申請專利範圍第17項所述之RF系統，其中來自該第一RF產生器之該RF電源訊號及來自該第二RF產生之該等RF電源訊號之間的一相對相位係在至少二相位之間變化。
22. 如申請專利範圍第21項所述之RF系統，其中該第一RF產生器之該第一RF訊號的頻率被縮放為1之值。
23. 如申請專利範圍第19項所述之RF系統，其中來自該第一RF產生器之一RF電源訊號及來自該第二RF產生之一RF電源訊號之間的一相對相位係掃過一預定義範圍。
24. 一種用於使用射頻產生器之方法，其包含： 將一感應器耦合於一電源；將一感應器訊號處理單元耦合於該電源及該感應器；控制一第一RF產生器以輸出一第一RF頻率訊號；縮放該第一RF頻率訊號；產生一控制訊號，以根據一縮放之第一RF頻率訊號控制一第二RF產生器之一RF電源訊號之相位及頻率；以及提供一共用時鐘輸入至各該第一RF產生器及該第二RF產生器。
25. 如申請專利範圍第24項所述之方法，進一步包含在該第一RF產生器及該第二RF產生器之間產生一相位位移，且根據該相位位移產生該控制訊號。
26. 如申請專利範圍第24項所述之方法，進一步包含在一連續波或一脈衝操作模式下操作該第一RF產生器及該第二RF產生器。
27. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該RF訊號之一相位係在至少兩個相位之間變化。
28. 如申請專利範圍第27項所述之方法，其中該縮放之第一RF頻率訊號被縮放為1之值。
29. 如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該RF電源訊號之一相位係掃過一預定義範圍。