CN104798303A - Rf脉冲边沿整形 - Google Patents

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Abstract

一种射频(RF)产生模块,包括功率控制模块,该功率控制模块接收RF产生模块分别在第一状态和第二状态下的输出的第一期望振幅和第二期望振幅,并且基于第一期望振幅和第二期望振幅输出与从第一状态至第二状态的转换相对应的输入功率设定值。频率控制模块接收输入功率设定值并输出与输入功率设定值相对应的频率设定值。脉冲整形模块接收输入功率设定值、频率设定值和何时从第一状态向第二状态转换的指示并且基于该输入功率设定值、该频率设定值和该指示将RF产生模块的输出从第一状态转换至第二状态。

Description

RF脉冲边沿整形
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年10月30日递交的美国发明专利申请No.13/663574的优先权。上面申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
本公开涉及RF功率系统,并且更具体地涉及RF功率系统的输出的脉冲边沿整形。
背景技术
本文提供的背景技术描述通常是为了呈现本公开的内容。就本背景技术部分所描述的程度而言,当前所称发明人的工作以及在递交时说明书中无法被另外证明是现有技术的各方面,既不明确地也不隐含地被承认是与本公开相对照的现有技术。
仅举例而言,等离子蚀刻经常被用于半导体制造。在等离子蚀刻中,离子被电场加速以蚀刻基板上的暴露表面。电场根据RF功率系统的射频(RF)产生器产生的RF功率信号而产生。由RF产生器产生的RF功率信号被精确控制,以有效执行等离子蚀刻。
RF功率系统可以包括RF产生器、匹配网络以及诸如等离子体室的负载。RF功率信号被用于驱动负载以制造各种部件,包括但不限于集成电路(IC)、太阳能面板、光盘(CD)和/或数字通用(或视频)光盘(DVD)。负载可以包括由RF信号驱动的任意数量的元件或器件,包括但不限于等离子体室。负载可以包括宽带不匹配负载(例如,具有不匹配电阻器终端的电缆)、窄带不匹配负载(例如,2-元素的匹配网络)和谐振器负载。
RF功率信号在匹配网络处被接收。匹配网络将匹配网络的输入阻抗与RF产生器和匹配网络之间的传输线的特性阻抗进行匹配。该阻抗匹配有助于最小化在朝向等离子体室的正向上施加至匹配网络的功率量(“正向功率”)和从匹配网络反射回RF产生器的功率量(“反向功率”)。阻抗匹配还有助于最大化从匹配网络至等离子体室的正向功率输出。
存在多种方法将RF信号施加至负载。一个示例方法是将连续波信号施加至负载。典型的连续波信号是由RF功率源连续输出至负载的正弦波。在连续波方法中,RF信号呈现正弦输出,并且为了改变施加至负载的输出功率,正弦波的振幅和/或频率可以被改变,以改变施加至负载的输出功率。将RF信号施加至负载的另一个示例方法包括使RF信号产生脉冲,而不是将连续波信号施加至负载。
发明内容
一种射频(RF)产生模块,包括功率控制模块,所述功率控制模块接收所述RF产生模块分别在第一状态和第二状态下的输出的第一期望振幅和第二期望振幅,并且基于所述第一期望振幅和所述第二期望振幅输出与从所述第一状态至所述第二状态的转换相对应的输入功率设定值。频率控制模块接收所述输入功率设定值并输出与所述输入功率设定值相对应的频率设定值。脉冲整形模块接收所述输入功率设定值、所述频率设定值和何时从所述第一状态向所述第二状态转换的指示并且基于所述输入功率设定值、所述频率设定值和所述指示将所述RF产生模块的输出从第一状态转换至第二状态。
一种用于操作射频(RF)产生模块的方法,包括接收所述RF产生模块分别在第一状态和第二状态下的输出的第一期望振幅和第二期望振幅,基于所述第一期望振幅和所述第二期望振幅输出与从所述第一状态至所述第二状态的转换相对应的输入功率设定值,输出与所述输入功率设定值相对应的频率设定值,接收所述输入功率设定值、所述频率设定值和何时从所述第一状态向所述第二状态转换的指示,以及基于所述输入功率设定值、所述频率设定值和所述指示,将所述RF产生模块的输出从所述第一状态转换至所述第二状态。
从此后提供的详细的描述,本公开进一步的适用领域会变得显而易见。应当理解的是,具体描述和特定示例仅被用于说明性的目的,而不是为了限制本公开的范围。
附图说明
从详细的描述和附图,本公开会被更充分地理解,其中:
图1是根据本公开的原理的示例性射频(RF)等离子体室系统的功能性框图;
图2是根据本公开的原理的射频(RF)产生模块的功能性框图;
图3A、3B和3C根据本公开的原理示出具有不同脉冲形状的输出;
图4是根据本公开的原理的脉冲整形模块的功能性框图;以及
图5是根据本公开的原理的频率状态控制模块和功率状态控制模块的功能性框图。
具体实施方式
由RF产生器产生的脉冲可以被单独调谐或可以不被调谐。例如,仅脉冲的高压侧可以被调谐或可以无脉冲部分被调谐。因此,调谐可以是缓慢的,并且在脉冲改变之前调谐不可能实现目标,由此限制阻抗匹配或脉冲频率,或者非常快速地调谐成为必需的。
根据本公开的RF产生模块针对多个不同功率水平最小化反射功率,同时脉冲化并最小化由脉冲化等离子体引起的针对多个不同负载的反射功率,减小了由突然的功率转换引起的振荡并增加了对传递的能量的控制。例如,RF产生模块实现一个或多个功率控制模块以及一个或多个频率控制模块。功率控制模块和频率控制模块控制特定过程所要求的多个离散状态。功率控制模块和频率控制模块使RF产生模块的RF输出信号在第一状态和第二状态(例如,产生RF脉冲)之间转换。然而,代替控制在第一状态和第二状态之间的瞬时转换,功率和频率被控制通过步进方式(即,在多个相应功率和频率设定值之上)在第一状态和第二状态之间转换和/或从第二状态转换至第一状态。
例如,RF产生器模块可以针对从第一状态至第二状态的转换在功率设定值(例如,PDEL(0)和PDEL(1),……以及PDEL(n))之间施加脉冲。类似地,RF产生器模块针对功率设定值中的每一个维持不同的RF频率设定值(例如,f(0)、f(1)……和f(n))。在脉冲发生改变时,RF功率和RF频率在第一时段都在功率和频率设定值的范围之间逐渐改变。以这种方式,RF产生器根据多种期望的边沿形状将RF脉冲的边沿整形而不是仅仅产生方波脉冲。仅举例而言,RF脉冲的边沿可以基于期望的功率水平、电压或电流,或者任何其他适合的输入而被整形。
现在参见图1,呈现了示例性射频(RF)等离子体室系统100的示例性实施方式的功能性框图。虽然图1示出双通道RF等离子体室系统,但是本公开的原理适用于包括两个或多个通道的RF产生器系统。
RF产生器模块102(例如,RF产生器)接收交流(AC)输入功率并使用AC输入功率产生RF输出。仅举例而言,AC输入功率可以是大约480伏特AC(VAC)或另一个适合电压的三相AC功率。仅为了论述,RF产生器模块102此后会被论述为产生两个RF输出(即,RF产生器模块102被描述为双通道RF产生器模块)。然而,RF产生器模块102可以产生更多数量的RF输出,或者可以仅产生单个RF输出。仅举例而言,RF产生器模块102可以以一个或多个等离子体室(诸如等离子体室106)中实现的每个等离子体电极产生一个RF输出。
匹配模块110接收RF输出,并且在将RF输出提供至等离子体室106之前将阻抗与该RF输出中的每一个进行匹配。RF产生器模块102可以控制匹配模块110。更具体地说,RF产生器模块102可以控制匹配模块110执行阻抗匹配的程度。
匹配模块110将RF输出分别施加至在等离子体室106内实现的等离子体电极。将RF输出施加至等离子体电极可以在例如薄膜沉积系统、薄膜蚀刻系统或其他适合的系统中被执行。RF输出还可以被用于其他适合的系统中。
RF产生器模块102可以包括输出控制模块140、用户界面模块144、公用激励(CEX)模块148和RF产生模块152。RF产生器模块102还可以包括传感器模块156和匹配控制模块160。
输出控制模块140接收由RF产生模块152(P设置)产生并被传递至等离子体电极的RF输出的输入功率设定值。输入功率设定值可以由例如用户界面模块144或另一个适合的源提供。输入功率设定值的另一个适合的源可以包括例如经由通用标准(US)232连接、经由以太网连接、经由无线连接、或经由前面板输入提供的诊断或用户输入。外部源(未示出)可以输入可被输出控制模块140使用的RF信号(CEX In)。RF信号还可以被CEX模块148(CEX Out)输出或供输入或输出之用。仅举例而言,RF信号可以被输出至针对一个或多个其他等离子体室(未示出)产生RF输出的一个或多个其他RF产生器模块。
传感器模块156可以测量由RF产生模块152产生的RF输出的电压和电流。传感器模块156可以将指示电压和电流的信号分别提供至输出控制模块140。仅举例而言,传感器模块156可以包括定向耦合器或VI探针,或另一种适合的传感器。在其他实施方式中,传感器模块156可以输出与RF输出关联的指示第一正向功率和第二正向功率以及反向功率的信号。正向功率可以指离开RF产生器模块152的功率量。反向功率可以指反射回RF产生器模块152的功率量。传感器模块156的输出可以被称作反馈信号。反馈信号可以是数字信号或模拟信号。
基于来自传感器模块156的反馈信号,输出控制模块140可以确定用于RF输出的正向功率。输出控制模块140还可以基于传感器模块156输出的反馈信号确定反射系数。
输出控制模块140使用基于第一正向功率和第二正向功率以及第一反射系数和第二反射系数的反馈方法分别控制第一RF输出和第二RF输出的产生。更具体地说,输出控制模块140将一个或多个干线电压设定值和/或一个或多个驱动器控制信号提供至RF产生模块152。RF产生模块152基于干线电压设定值控制一个或多个干线电压(即,从RF产生模块152输出并输入至功率放大器的电压),并基于驱动器控制信号控制功率放大器的驱动。
RF产生模块152根据本公开的原理实现RF脉冲边沿整形。例如,RF产生模块152可以接收一个或多个输入,包括但不限于,干线电压设定值和驱动器控制信号、脉冲图形、各种脉冲源的输出,和/或何时在第一脉冲状态和第二脉冲状态之间转换的指示。RF产生模块152接收(和/或,产生)多个输入功率设定值和频率设定值。仅举例而言,RF产生模块152根据一个或多个输入(例如,何时在第一脉冲状态和第二脉冲状态之间转换的指示)、输入功率设定值和频率设定值产生输出。
现在参见图2、3A、3B和3C,示例RF产生模块200产生包括诸如统称为脉冲208的脉冲208-1、208-2和208-3的输出204。RF产生模块200将脉冲208从第一状态(例如,状态0)转换至第二状态(例如,状态1)和从第二状态转换至第一状态。脉冲208可以包括第一状态和第二状态之间的一个或多个中间状态(例如,状态n)。第一状态可以与第一输入功率设定值(例如,PDEL(0))和对应的第一频率设定值(例如,f(0))相对应。相反,第二状态可以与第二输入功率设定值(例如,PDEL(1))和对应的第二频率设定值(例如,f(1))相对应。
在第一状态和第二状态之间的第一转换时段212,输入功率设定值可以从PDEL(0)被调节(例如,逐步地)至PDEL(1)。例如,输入功率设定值在第一转换时段212可以根据增量偏移(即,PDEL(0)和PDEL(1)之间的多个中间设定值)来调节。类似地,频率设定值可以在第一转换时段212通过多个中间设定值从f(0)被逐步调节至f(1)。相反,输入功率设定值和频率设定值可以在第二转换时段216通过多个中间设定值分别从PDEL(1)被调节至PDEL(0)和从f(1)被调节至f(0)。第一转换时段212和216可以相同或不同,并且针对不同的脉冲类型可以相同或不同。
以这种方式递增地调节输入功率和频率设定值允许RF产生模块200整形脉冲208的边沿。例如,脉冲208-1被控制为具有指数脉冲边沿。脉冲208-2被控制为具有线性脉冲边沿。脉冲208-3被控制为具有圆形脉冲边沿。各种其他脉冲边沿形状可以使用RF产生模块200来控制。仅举例而言,在不改变脉冲208的整个宽度的情况下,调节输入功率设定值和频率设定值改变脉冲208的脉冲边沿形状(即,斜坡)。
脉冲图形控制模块220确定针对输出204的期望的脉冲频率(例如,整个脉冲频率)和对应于例如期望的脉冲图形的占空比。期望的脉冲频率和占空比提供何时从第一状态向第二状态转换和从第二状态向第一状态转换的指示。脉冲图形控制模块220可以与主脉冲源模块224、一个或多个从脉冲源模块228和/或其他脉冲源模块232通信。仅举例而言,脉冲图形控制模块220和脉冲源模块224、228和232可以部分地根据从输出控制模块140接收的输入来操作。
脉冲状态控制模块236产生第一状态和第二状态中的输出204的期望振幅的输出指示,以及何时在第一状态和第二状态之间转换的指示。功率控制模块240从脉冲状态控制模块236接收输出,以及从功率设定值模块244接收指示输入功率设定值的一个或多个信号。仅举例而言,功率设定值模块244可以存储预定的输入功率设定值,和/或可以实现用户界面以接收用户选择的输入功率设定值。仅举例而言,功率控制模块240还可以接收与图3A、3B和3C中所示的脉冲中的一个相对应的期望的脉冲形状(例如,从脉冲状态控制模块236)的指示。期望的脉冲形状可以确定从功率设定值模块244接收的输入功率设定值。
功率控制模块240基于例如期望振幅和期望的脉冲形状将输入功率设定值的指示传递至频率控制模块248和脉冲整形模块252。仅举例而言,从功率控制模块240传递的指示可以包括与第一状态(例如,PDEL(0))相对应的功率设定值、与第二状态(例如,PDEL(1))相对应的功率设定值以及与第一状态和第二状态之间的中间设定值的每一个之间的增量偏移相对应的步长。
相反,频率控制模块248可以确定与输入功率设定值相对应的频率设定值。或者,频率控制模块248可以存储与各个输入功率设定值相对应的预定的频率设定值。频率控制模块248将频率设定值的指示传递至脉冲整形模块252。仅举例而言,从频率控制模块248传递的指示可以包括与第一状态(例如,f(0))相对应的频率设定值、与第二状态(例如,f(1))相对应的功率设定值以及与第一状态和第二状态之间的中间设定值的每一个之间的增量偏移相对应的步长。脉冲整形模块252基于脉冲状态控制模块236、功率控制模块240和频率控制模块248的输出产生具有期望类型的脉冲的输出204。
现在参见图4,示例脉冲整形模块300包括频率状态控制模块304、功率状态控制模块308和输出控制模块312。频率状态控制模块304接收多个输入信号316,多个输入信号316指示例如第一状态(状态0)频率设定值、第一状态步长(例如,指示从第一状态至第二状态用于转换频率的步长)、第二状态(状态1)频率设定值和第二状态步长(例如,指示从第一状态至第二状态用于转换频率的步长)。虽然描述为第一状态步长,但是仅举例而言,第一状态和/或第二状态也可以对应于从第一状态至第二状态用于转换频率的步数、步进时间和/或总斜坡时间。输入信号316还可以指示是否在第一状态和第二状态之间逐步转换(即,是否在第一状态和第二状态之间形成斜坡)或瞬时转换。频率状态控制模块304还接收指示何时在第一状态和第二状态之间转换的脉冲信号320。频率状态控制模块304基于输入信号316和脉冲信号320输出频率控制信号324。
功率状态控制模块308接收多个输入信号328,多个输入信号328指示例如第一状态(状态0)功率设定值、第一状态步长(例如,指示从第一状态至第二状态用于转换功率的步长)、第二状态(状态1)功率设定值和第二状态步长(例如,指示从第一状态至第二状态用于转换功率的步长)。虽然描述为第一状态步长,但是仅举例而言,第一状态和/或第二状态也可以对应于从第一状态至第二状态用于转换功率的步数、步进时间和/或总斜坡时间。输入信号328还可以指示是否在第一状态和第二状态之间逐步转换(即,是否在第一状态和第二状态之间形成斜坡)或瞬时转换。功率状态控制模块308还接收指示何时在第一状态和第二状态之间转换的脉冲信号320。功率状态控制模块308基于输入信号328和脉冲信号320输出功率控制信号332。
输出控制模块312接收频率控制信号324和功率控制信号332。输出控制模块312产生具有根据频率控制信号324和/或功率控制信号332整形的脉冲的输出336。
现在参见图5,更详细的示出示例频率状态控制模块400和示例功率状态控制模块404。频率状态控制模块400包括状态0转换模块408、状态1转换模块412、多路复用器416、420和424、以及逻辑与模块428和432。状态0转换模块408接收状态0频率设定值和状态0步长,并根据状态0步长(或者,状态0的步数、步进时间或总斜坡时间)从状态1频率转换至状态0频率。例如,状态0转换模块408响应于脉冲信号336而重复地使用状态0步长(或者,状态0的步数、步进时间和/或总斜坡时间)以转换至状态0频率。状态0转换模块408接收状态0频率设定值,并且在从状态1频率设定值至状态0频率设定值的转换完成时钳位为状态0频率设定值。状态0转换模块408输出转换频率信号440。
状态1转换模块412接收状态1频率设定值和状态1步长,并根据状态1步长(或者,状态1的步数、步进时间和/或总斜坡时间)从状态0频率转换至状态1频率。例如,状态1转换模块412响应于脉冲信号336而重复地使用状态1步长(或者,状态1的步数、步进时间和/或总斜坡时间)以转换至状态1频率。状态1转换模块412接收状态1频率设定值,并且在从状态0频率设定值至状态1频率设定值的转换完成时钳位为状态1频率设定值。状态1转换模块412输出转换频率信号444。
多路复用器420根据从逻辑与模块432接收的选择信号448输出转换频率信号440或状态0频率设定值。逻辑与模块432接收指示是否从状态1和状态0形成斜坡的状态0斜坡开/关信号以及闭锁(hold off)信号。例如,闭锁信号可以根据系统的一个或多个其他条件指示脉冲边沿整形是否被使能。因此,如果状态0斜坡开/关信号为关或者闭锁信号指示脉冲边沿整形未被使能,则多路复用器420输出状态0频率设定值,而不是转换频率信号440。
多路复用器416根据从逻辑与模块428接收的选择信号452输出转换频率信号444或状态1频率设定值。逻辑与模块428接收指示是否从状态0和状态1形成斜坡的状态1斜坡开/关信号以及闭锁信号。因此,如果状态1斜坡开/关信号为关或者闭锁信号指示脉冲边沿整形未被使能,则多路复用器416输出状态1频率设定值,而不是转换频率信号444。多路复用器424基于脉冲信号336输出由多路复用器416选择的信号或由多路复用器420选择的信号,并将频率控制信号456相应地输出至输出控制模块460。
功率状态控制模块404包括状态0转换模块464、状态1转换模块468、多路复用器472、476和480、以及逻辑与模块484和488。状态0转换模块464接收状态0功率设定值和状态1步长并且根据状态1步长在状态0功率和状态1功率之间转换。例如,状态0转换模块464响应于脉冲信号336而将状态1步长重复地添加至状态0功率以转换至状态1频率。状态0转换模块464接收状态1功率设定值,并且在从状态0功率设定值至状态1功率设定值的转换完成时钳位为状态1功率设定值。状态0转换模块464输出第一转换功率信号492。
状态1转换模块468接收状态1功率设定值和状态0步长并且根据状态0步长在状态1功率和状态0功率之间转换。例如,状态1转换模块468响应于脉冲信号336而将状态0步长重复地添加至状态1功率以转换至状态0频率。状态1转换模块468接收状态0功率设定值,并且在从状态1功率设定值至状态0频率设定值的转换完成时钳位为状态0功率设定值。状态1转换模块468输出第二转换功率信号496。
多路复用器476根据从逻辑与模块488接收的选择信号500输出转换功率信号492或状态0功率设定值。逻辑与模块488接收指示是否在状态1和状态0之间形成斜坡的下降斜坡开/关信号以及闭锁信号。因此,如果下降斜坡开/关信号为关或者闭锁信号指示脉冲边沿整形未被使能,则多路复用器476输出状态0功率设定值,而不是转换功率信号492。
多路复用器472根据从逻辑与模块484接收的选择信号504输出转换功率信号496或状态1功率设定值。逻辑与模块484接收指示是否在状态0和状态1之间形成斜坡的上升斜坡开/关信号以及闭锁信号。因此,如果上升斜坡开/关信号为关或者闭锁信号指示脉冲边沿整形未被使能,则多路复用器472输出状态1功率设定值,而不是转换功率信号496。多路复用器480基于脉冲信号336输出由多路复用器472选择的信号或由多路复用器476选择的信号,并将功率控制信号508相应地输出至输出控制模块460。输出控制模块460根据频率控制信号456和功率控制信号508产生具有整形的脉冲的输出512。
上面的描述本质上仅仅为说明性的,并且决不旨在限制本公开、其应用或使用。本公开的宽泛教导可以通过多种形式实现。因此,虽然本公开包括特定示例,但是本公开的真实范围不应受此限制,因为根据附图、说明书和以下权利要求的研究,其他改变会变得显而易见。为了清楚起见,相同的附图标记会被用于附图中以标识类似的元件。如本文所使用的,使用非排他性逻辑或,A、B和C中至少一个的短语应当被解释为逻辑(A或B或C)。应当理解的是,在不改变本公开原理的情况下,方法内的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时)执行。
如本文所使用的,术语模块可以指、成为其中的一部分或包括专用集成电路(ASIC)、电子电路、组合逻辑电路、现场可编程门阵列(FPGA)、执行代码的处理器(共享、专用或组)、提供所描述的功能的其他适合的硬件部件或上面的一些或全部的组合,诸如在片上系统中。术语模块可以包括存储由处理器执行的代码的存储器(共享、专用或组)。
术语代码,如上面所使用的,可以包括软件、固件和/或微代码,并且可以指程序、例程、函数、类和/或对象。术语共享,如上面所使用的,意味着来自多个模块的一些或全部代码可以使用单个(共享)处理器执行。此外,来自多个模块的一些或全部代码可以由单个(共享)存储器存储。术语组,如上面所使用的,意味着来自单个模块的一些或全部代码可以使用处理器组来执行。此外,来自单个模块的一些或全部代码可以使用存储器组来存储。
本文描述的装置和方法可以通过由一个或多个处理器执行的一个或多个计算机程序来实施。计算机程序包括存储在非瞬态有形计算机可读介质上的处理器可执行指令。计算机程序还可以包括存储的数据。非瞬态有形计算机可读介质的非限制性示例为非易失性存储器、磁存储器和光存储器。

Claims (18)

1.一种射频(RF)产生模块,包括:
功率控制模块,接收所述RF产生模块分别在第一状态和第二状态下的输出的第一期望振幅和第二期望振幅,并且基于所述第一期望振幅和所述第二期望振幅输出与从所述第一状态至所述第二状态的转换相对应的输入功率设定值;
频率控制模块,所述频率控制模块接收所述输入功率设定值并且输出与所述输入功率设定值相对应的频率设定值;以及
脉冲整形模块,所述脉冲整形模块接收所述输入功率设定值、所述频率设定值和何时从所述第一状态向所述第二状态转换的指示,并且基于所述输入功率设定值、所述频率设定值和所述指示将输出信号从所述第一状态转换至所述第二状态。
2.根据权利要求1所述的RF产生模块,其中:
所述输入功率设定值包括与所述第一状态相对应的第一功率设定值、与所述第二状态相对应的第二功率设定值以及用于在所述第一功率设定值和所述第二功率设定值之间转换的步长、步数、步进时间和斜坡时间中的至少一个;并且
所述频率设定值包括与所述第一状态相对应的第一频率设定值、与所述第二状态相对应的第二频率设定值以及用于在所述第一频率设定值和所述第二频率设定值之间转换的步长、步数、步进时间和斜坡时间中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的RF产生模块,其中所述输入功率设定值是以下至少一种:i)被预先确定并且存储在所述RF产生模块中的和ii)作为输入从用户界面接收的。
4.根据权利要求1所述的RF产生模块,进一步包括:
脉冲状态控制模块,所述脉冲状态控制模块基于期望的脉冲频率和期望的占空比中的至少一个输出所述第一期望振幅和所述第二期望振幅以及所述指示。
5.根据权利要求4所述的RF产生模块,其中:
所述脉冲状态控制模块进一步将期望的脉冲形状输出至所述功率控制模块和所述脉冲整形模块中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的RF产生模块,其中所述输入功率设定值和所述频率设定值中的至少一个进一步基于所述RF产生模块的输出的期望的脉冲形状。
7.根据权利要求6所述的RF产生模块,其中所述期望的脉冲形状包括指数脉冲边沿、线性脉冲边沿和圆形脉冲边沿中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的RF产生模块,其中所述期望的脉冲形状不改变所述RF产生模块的输出的期望的脉冲宽度。
9.根据权利要求1所述的RF产生模块,其中所述脉冲整形模块进一步包括:
频率状态控制模块,所述频率状态控制模块基于所述频率设定值输出频率控制信号;
功率状态控制模块,所述功率状态控制模块基于所述输入功率设定值输出功率控制信号;以及
输出模块,所述输出模块输出具有根据所述频率控制信号和所述功率控制信号整形的脉冲的所述RF产生模块的输出。
10.一种用于操作射频(RF)产生模块的方法,所述方法包括:
接收所述RF产生模块分别在第一状态和第二状态下的输出的第一期望振幅和第二期望振幅;
基于所述第一期望振幅和所述第二期望振幅输出与从所述第一状态至所述第二状态的转换相对应的输入功率设定值;
输出与所述输入功率设定值相对应的频率设定值;
接收所述输入功率设定值、所述频率设定值和何时从所述第一状态向所述第二状态转换的指示;以及
基于所述输入功率设定值、所述频率设定值和所述指示,将所述RF产生模块的输出从所述第一状态转换至所述第二状态。
11.根据权利要求10所述的方法,其中:
所述输入功率设定值包括与所述第一状态相对应的第一功率设定值、与所述第二状态相对应的第二功率设定值以及用于在所述第一功率设定值和所述第二功率设定值之间转换的步长、步数、步进时间和斜坡时间中的至少一个;并且
所述频率设定值包括与所述第一状态相对应的第一频率设定值、与所述第二状态相对应的第二频率设定值以及用于在所述第一频率设定值和所述第二频率设定值之间转换的步长、步数、步进时间和斜坡时间中的至少一个。
12.根据权利要求10所述的方法,其中所述输入功率设定值是以下至少一种:i)被预先确定并存储在所述RF产生模块中的和ii)作为输入从用户界面接收的。
13.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:
基于期望的脉冲频率和期望的占空比中的至少一个输出所述第一期望振幅和所述第二期望振幅以及所述指示。
14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括:
输出期望的脉冲形状。
15.根据权利要求10所述的方法,其中所述输入功率设定值和所述频率设定值中的至少一个进一步基于所述RF产生模块的输出的期望的脉冲形状。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述期望的脉冲形状包括指数脉冲边沿、线性脉冲边沿和圆形脉冲边沿中的至少一个。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述期望的脉冲形状不改变所述RF产生模块的输出的期望的脉冲宽度。
18.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:
基于所述频率设定值输出频率控制信号;
基于所述输入功率设定值输出功率控制信号;并且
输出具有根据所述频率控制信号和所述功率控制信号整形的脉冲的所述RF产生模块的输出。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106920734A (zh) * 2015-12-23 2017-07-04 三星电子株式会社 等离子体系统、等离子体处理方法以及等离子体刻蚀方法

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8952765B2 (en) * 2012-03-23 2015-02-10 Mks Instruments, Inc. System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
US9196459B2 (en) 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9755641B1 (en) 2014-01-10 2017-09-05 Reno Technologies, Inc. High speed high voltage switching circuit
US9865432B1 (en) 2014-01-10 2018-01-09 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9496122B1 (en) 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US10455729B2 (en) 2014-01-10 2019-10-22 Reno Technologies, Inc. Enclosure cooling system
US9697991B2 (en) 2014-01-10 2017-07-04 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9844127B2 (en) 2014-01-10 2017-12-12 Reno Technologies, Inc. High voltage switching circuit
TWI574296B (zh) * 2014-12-04 2017-03-11 萬機科技股份有限公司 功率輸出產生系統與適用於週期性波形之方法
US10049857B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Mks Instruments, Inc. Adaptive periodic waveform controller
US9536749B2 (en) * 2014-12-15 2017-01-03 Lam Research Corporation Ion energy control by RF pulse shape
US9729122B2 (en) 2015-02-18 2017-08-08 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US11017983B2 (en) 2015-02-18 2021-05-25 Reno Technologies, Inc. RF power amplifier
US9525412B2 (en) 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9306533B1 (en) 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US10340879B2 (en) 2015-02-18 2019-07-02 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US10692699B2 (en) 2015-06-29 2020-06-23 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with restricted capacitor switching
US11081316B2 (en) 2015-06-29 2021-08-03 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11342160B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Filter for impedance matching
US11342161B2 (en) 2015-06-29 2022-05-24 Reno Technologies, Inc. Switching circuit with voltage bias
US10984986B2 (en) 2015-06-29 2021-04-20 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11150283B2 (en) 2015-06-29 2021-10-19 Reno Technologies, Inc. Amplitude and phase detection circuit
US11335540B2 (en) 2015-06-29 2022-05-17 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US9721758B2 (en) * 2015-07-13 2017-08-01 Mks Instruments, Inc. Unified RF power delivery single input, multiple output control for continuous and pulse mode operation
US11615943B2 (en) * 2017-07-07 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source
US11651939B2 (en) * 2017-07-07 2023-05-16 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control system for plasma power delivery system and method of operating same
EP3616235A4 (en) * 2017-07-07 2021-02-24 Advanced Energy Industries, Inc. INTER-PERIODIC CONTROL SYSTEM FOR PLASMA POWER SUPPLY SYSTEM AND ITS OPERATING PROCESS
US11101110B2 (en) 2017-07-10 2021-08-24 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10727029B2 (en) 2017-07-10 2020-07-28 Reno Technologies, Inc Impedance matching using independent capacitance and frequency control
US10483090B2 (en) 2017-07-10 2019-11-19 Reno Technologies, Inc. Restricted capacitor switching
US11393659B2 (en) 2017-07-10 2022-07-19 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US10714314B1 (en) 2017-07-10 2020-07-14 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11521833B2 (en) 2017-07-10 2022-12-06 Reno Technologies, Inc. Combined RF generator and RF solid-state matching network
US11289307B2 (en) 2017-07-10 2022-03-29 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method
US11114280B2 (en) 2017-07-10 2021-09-07 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with multi-level power setpoint
US11315758B2 (en) 2017-07-10 2022-04-26 Reno Technologies, Inc. Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations
US11398370B2 (en) 2017-07-10 2022-07-26 Reno Technologies, Inc. Semiconductor manufacturing using artificial intelligence
US11476091B2 (en) 2017-07-10 2022-10-18 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network for diagnosing plasma chamber
US20200058469A1 (en) 2018-08-14 2020-02-20 Tokyo Electron Limited Systems and methods of control for plasma processing
KR102126937B1 (ko) * 2018-12-03 2020-06-25 주식회사 뉴파워 프라즈마 역방향 전력 저감 방법 및 이를 이용한 플라즈마 전력 장치
US11538662B2 (en) 2019-05-21 2022-12-27 Reno Technologies, Inc. Impedance matching network and method with reduced memory requirements
US11328902B1 (en) 2021-06-09 2022-05-10 XP Power Limited Radio frequency generator providing complex RF pulse pattern

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1074598A (ja) * 1996-04-30 1998-03-17 Samsung Electron Co Ltd Rf発生装置及びこれを用いたパルスプラズマ形成方法
CN1873815A (zh) * 2005-03-10 2006-12-06 松下电器产业株式会社 跳动检测装置
CN1964233A (zh) * 2005-11-07 2007-05-16 Jds尤尼弗思公司 脉冲整形电路
CN101777891A (zh) * 2009-12-18 2010-07-14 广东正业科技股份有限公司 超快边沿阶跃脉冲发生方法及其发生器
US8134394B1 (en) * 2008-03-18 2012-03-13 University Of South Florida RF microwave circuit and pulse shaping method

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4372315A (en) * 1980-07-03 1983-02-08 Hair Free Centers Impedance sensing epilator
US5450088A (en) * 1992-11-25 1995-09-12 Texas Instruments Deutschland Gmbh Transponder arrangement
US6351683B1 (en) * 1997-09-17 2002-02-26 Tokyo Electron Limited System and method for monitoring and controlling gas plasma processes
US6472822B1 (en) * 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing
US6459067B1 (en) * 2001-04-06 2002-10-01 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
US6586887B1 (en) * 2002-03-06 2003-07-01 Hitachi High-Technologies Corporation High-frequency power supply apparatus for plasma generation apparatus
JP4141803B2 (ja) * 2002-11-05 2008-08-27 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
JP4490969B2 (ja) * 2003-09-22 2010-06-30 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド 無線周波数プラズマ処理における不安定性を防止する方法及び装置
PL1701376T3 (pl) * 2005-03-10 2007-04-30 Huettinger Elektronik Gmbh Co Kg Próżniowy generator plazmowy
US20080179948A1 (en) * 2005-10-31 2008-07-31 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power delivery system
US9123509B2 (en) * 2007-06-29 2015-09-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Techniques for plasma processing a substrate
US20090004836A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Plasma doping with enhanced charge neutralization
US8040068B2 (en) * 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
US8659335B2 (en) * 2009-06-25 2014-02-25 Mks Instruments, Inc. Method and system for controlling radio frequency power
EP2416629B1 (en) * 2009-08-07 2021-04-21 Kyosan Electric Mfg. Co. Ltd Pulse-modulated high-frequency power control method and pulse-modulated high-frequency power source device
US8436643B2 (en) * 2010-11-04 2013-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. High frequency solid state switching for impedance matching
KR101675625B1 (ko) * 2011-01-04 2016-11-22 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드 플라즈마 처리 부하에 대한 시스템 레벨 전원 공급
JP5748204B2 (ja) * 2011-03-03 2015-07-15 株式会社ダイヘン 高周波電源装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1074598A (ja) * 1996-04-30 1998-03-17 Samsung Electron Co Ltd Rf発生装置及びこれを用いたパルスプラズマ形成方法
CN1873815A (zh) * 2005-03-10 2006-12-06 松下电器产业株式会社 跳动检测装置
CN1964233A (zh) * 2005-11-07 2007-05-16 Jds尤尼弗思公司 脉冲整形电路
US8134394B1 (en) * 2008-03-18 2012-03-13 University Of South Florida RF microwave circuit and pulse shaping method
CN101777891A (zh) * 2009-12-18 2010-07-14 广东正业科技股份有限公司 超快边沿阶跃脉冲发生方法及其发生器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106920734A (zh) * 2015-12-23 2017-07-04 三星电子株式会社 等离子体系统、等离子体处理方法以及等离子体刻蚀方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6169714B2 (ja) 2017-07-26
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EP2915252B1 (en) 2019-10-16
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EP3637617A1 (en) 2020-04-15
WO2014070566A1 (en) 2014-05-08

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