JP2022020007A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2022020007A5
JP2022020007A5 JP2021197905A JP2021197905A JP2022020007A5 JP 2022020007 A5 JP2022020007 A5 JP 2022020007A5 JP 2021197905 A JP2021197905 A JP 2021197905A JP 2021197905 A JP2021197905 A JP 2021197905A JP 2022020007 A5 JP2022020007 A5 JP 2022020007A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
period
processing apparatus
plasma processing
bias
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021197905A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7525464B2 (ja
JP2022020007A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2020/005847 external-priority patent/WO2021090516A1/ja
Priority claimed from JP2021512831A external-priority patent/JP6990799B2/ja
Application filed filed Critical
Publication of JP2022020007A publication Critical patent/JP2022020007A/ja
Publication of JP2022020007A5 publication Critical patent/JP2022020007A5/ja
Priority to JP2024114938A priority Critical patent/JP7775384B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7525464B2 publication Critical patent/JP7525464B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2021197905A 2019-11-08 2021-12-06 エッチング方法 Active JP7525464B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2024114938A JP7775384B2 (ja) 2019-11-08 2024-07-18 エッチング方法

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019203326 2019-11-08
JP2019203326 2019-11-08
JPPCT/JP2020/005847 2020-02-14
PCT/JP2020/005847 WO2021090516A1 (ja) 2019-11-08 2020-02-14 エッチング方法
JP2020152786 2020-09-11
JP2020152786 2020-09-11
JP2021512831A JP6990799B2 (ja) 2019-11-08 2020-11-02 エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体
PCT/JP2020/041026 WO2021090798A1 (ja) 2019-11-08 2020-11-02 エッチング方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021512831A Division JP6990799B2 (ja) 2019-11-08 2020-11-02 エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024114938A Division JP7775384B2 (ja) 2019-11-08 2024-07-18 エッチング方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022020007A JP2022020007A (ja) 2022-01-27
JP2022020007A5 true JP2022020007A5 (enExample) 2024-02-20
JP7525464B2 JP7525464B2 (ja) 2024-07-30

Family

ID=75848515

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021512831A Active JP6990799B2 (ja) 2019-11-08 2020-11-02 エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体
JP2021197905A Active JP7525464B2 (ja) 2019-11-08 2021-12-06 エッチング方法
JP2024114938A Active JP7775384B2 (ja) 2019-11-08 2024-07-18 エッチング方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021512831A Active JP6990799B2 (ja) 2019-11-08 2020-11-02 エッチング方法、プラズマ処理装置、処理ガス、デバイスの製造方法、プログラム、及び記憶媒体

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024114938A Active JP7775384B2 (ja) 2019-11-08 2024-07-18 エッチング方法

Country Status (7)

Country Link
US (4) US11551937B2 (enExample)
EP (1) EP4050641A4 (enExample)
JP (3) JP6990799B2 (enExample)
KR (3) KR20240157785A (enExample)
CN (2) CN116169018A (enExample)
TW (1) TW202536963A (enExample)
WO (1) WO2021090798A1 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210210355A1 (en) * 2020-01-08 2021-07-08 Tokyo Electron Limited Methods of Plasma Processing Using a Pulsed Electron Beam
CN116034455A (zh) * 2021-04-08 2023-04-28 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法和等离子体处理系统
JP7336623B2 (ja) * 2021-04-28 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP7767024B2 (ja) * 2021-05-07 2025-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
CN118588523A (zh) * 2021-06-21 2024-09-03 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和电源系统
JP7348672B2 (ja) * 2021-12-03 2023-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理システム
JP7675044B2 (ja) * 2022-03-24 2025-05-12 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理システム
WO2023189292A1 (ja) * 2022-03-31 2023-10-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7712242B2 (ja) * 2022-04-01 2025-07-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理システム
JP2023171269A (ja) * 2022-05-19 2023-12-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理システム
JPWO2024043239A1 (enExample) * 2022-08-26 2024-02-29
JP7536941B2 (ja) * 2022-08-30 2024-08-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
TW202431406A (zh) * 2022-09-22 2024-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
KR102733623B1 (ko) * 2022-11-11 2024-11-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치의 챔버 내부 표면의 보호막 형성 방법
WO2024117212A1 (ja) * 2022-12-01 2024-06-06 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
WO2024204321A1 (ja) * 2023-03-28 2024-10-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング装置及びエッチング方法
WO2025089102A1 (ja) * 2023-10-24 2025-05-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置
WO2025150427A1 (ja) * 2024-01-09 2025-07-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理システム
JP7751768B1 (ja) * 2025-03-21 2025-10-08 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2650970B2 (ja) * 1987-07-31 1997-09-10 株式会社日立製作所 ドライエッチング方法
JPS6482533A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Toshiba Corp Dry etching
JP3115715B2 (ja) * 1992-11-12 2000-12-11 三菱電機株式会社 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法および薄膜キャパシタ素子の製造方法
JP3191896B2 (ja) * 1993-11-02 2001-07-23 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JPH07147273A (ja) * 1993-11-24 1995-06-06 Tokyo Electron Ltd エッチング処理方法
JPH08181116A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Mitsubishi Electric Corp ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
TW487983B (en) 1996-04-26 2002-05-21 Hitachi Ltd Manufacturing method for semiconductor device
US6635185B2 (en) 1997-12-31 2003-10-21 Alliedsignal Inc. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds
JP2000294545A (ja) * 1999-04-09 2000-10-20 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2001035832A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Canon Inc ドライエッチング方法
US7338907B2 (en) * 2004-10-04 2008-03-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. Selective etching processes of silicon nitride and indium oxide thin films for FeRAM device applications
US7951683B1 (en) * 2007-04-06 2011-05-31 Novellus Systems, Inc In-situ process layer using silicon-rich-oxide for etch selectivity in high AR gapfill
US8226840B2 (en) * 2008-05-02 2012-07-24 Micron Technology, Inc. Methods of removing silicon dioxide
JP5235596B2 (ja) * 2008-10-15 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 Ｓｉエッチング方法
US7993937B2 (en) 2009-09-23 2011-08-09 Tokyo Electron Limited DC and RF hybrid processing system
US8193094B2 (en) * 2010-06-21 2012-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Post CMP planarization by cluster ION beam etch
US9793126B2 (en) * 2010-08-04 2017-10-17 Lam Research Corporation Ion to neutral control for wafer processing with dual plasma source reactor
JP2012129239A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Sekisui Chem Co Ltd エッチング装置及び方法
US8608973B1 (en) * 2012-06-01 2013-12-17 Lam Research Corporation Layer-layer etch of non volatile materials using plasma
JP2014049466A (ja) 2012-08-29 2014-03-17 Tokyo Electron Ltd エッチング処理方法及び基板処理装置
US20140248718A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Jisoo Kim Patterning of magnetic tunnel junction (mtj) film stacks
JP6211947B2 (ja) * 2013-07-31 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP6230930B2 (ja) 2014-02-17 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
TWI658509B (zh) * 2014-06-18 2019-05-01 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude 用於ｔｓｖ／ｍｅｍｓ／功率元件蝕刻的化學物質
JP6199250B2 (ja) * 2014-07-25 2017-09-20 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP6423643B2 (ja) 2014-08-08 2018-11-14 東京エレクトロン株式会社 多層膜をエッチングする方法
JP6400425B2 (ja) 2014-10-15 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 多層膜をエッチングする方法
US9997373B2 (en) 2014-12-04 2018-06-12 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
US10246772B2 (en) 2015-04-01 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition of films for improved vertical etch performance in 3D NAND memory devices
US9922806B2 (en) 2015-06-23 2018-03-20 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus
JP6327295B2 (ja) 2015-08-12 2018-05-23 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法
US9754767B2 (en) 2015-10-13 2017-09-05 Applied Materials, Inc. RF pulse reflection reduction for processing substrates
TWI692799B (zh) 2015-12-18 2020-05-01 美商應用材料股份有限公司 清潔方法
JP6568822B2 (ja) * 2016-05-16 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9960049B2 (en) * 2016-05-23 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Two-step fluorine radical etch of hafnium oxide
US10790140B2 (en) * 2017-02-14 2020-09-29 Applied Materials, Inc. High deposition rate and high quality nitride
US10361091B2 (en) * 2017-05-31 2019-07-23 Lam Research Corporation Porous low-k dielectric etch
US10586710B2 (en) * 2017-09-01 2020-03-10 Tokyo Electron Limited Etching method
JP6883495B2 (ja) * 2017-09-04 2021-06-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10410878B2 (en) 2017-10-31 2019-09-10 American Air Liquide, Inc. Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications
JP7177344B2 (ja) * 2017-11-14 2022-11-24 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法
US11594429B2 (en) * 2018-03-16 2023-02-28 Lam Research Corporation Plasma etching chemistries of high aspect ratio features in dielectrics
US10453684B1 (en) 2018-05-09 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Method for patterning a material layer with desired dimensions

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022020007A5 (enExample)
TW200612488A (en) Plasma processing apparatus, method thereof, and computer readable memory medium
TWI835826B (zh) 電漿處理裝置之控制方法及電漿處理裝置
KR102279088B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101568380B1 (ko) 플라즈마를 이용한 피부 치료 장치
KR101467947B1 (ko) 이온 에너지 분포를 제어하기 위한 시스템, 방법 및 장치
JP2020109838A5 (enExample)
JP2020004710A5 (enExample)
TWI469215B (zh) Plasma processing method
JP2011518950A5 (enExample)
JP2007250755A5 (enExample)
TW201505066A (zh) 直流脈衝蝕刻機
JP2014107363A5 (enExample)
TW200820339A (en) Plasma processing apparatus of substrate and plasma processing method thereof
JP2023041914A5 (ja) プラズマ処理装置及びエッチング方法
JP2020077862A (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
CN114709125A (zh) 半导体工艺设备及脉冲信号控制方法
MY210440A (en) Dlc preparation apparatus and preparation method
JP2020167186A5 (enExample)
JP2020102443A5 (ja) プラズマ処理装置及びインピーダンスの整合方法
JP2021064750A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2016032028A5 (enExample)
JP2020177959A5 (ja) クリーニング方法及びプラズマ処理装置
CN113035677B (zh) 等离子体处理设备以及等离子体处理方法
JP2020077657A5 (enExample)