JP2018190983A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. チャンバコンポーネントであって、
   本体内に表面と約１：１〜約３００：１のアスペクト比を有する複数の高アスペクト比構成とを含む前記本体と、
   前記表面と前記複数の高アスペクト比構成の壁の上にあるコンフォーマルな第１のプラズマ耐性層であって、 多孔率約０％で厚さ約１００ｎｍ〜約１ミクロンを有する前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層と、
   前記表面の一領域で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆うが、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁では覆わない第２のプラズマ耐性層であって、多孔率１％未満で厚さ約１〜１０ミクロンを有する前記第２のプラズマ耐性層を備えるチャンバコンポーネント。
2. 前記チャンバコンポーネントはプラズマエッチングリアクタ用チャンバコンポーネントであり、前記チャンバコンポーネントは金属又は焼結セラミックのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
3. 前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｅｒ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_５Ｏ_４Ｆ_７及びＹＦ_３からなる群から選択される原子層堆積（ＡＬＤ）コーティングである請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
4. 前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＮｉを含むメッキコーティングである請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
5. 前記第２のプラズマ耐性層はＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｅｒ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_５Ｏ_４Ｆ_７及びＹＦ_３からなる群から選択されるコンフォーマルプラズマ耐性層である請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
6. 前記チャンバコンポーネントは処理チャンバ用シャワーヘッドであり、前記複数の高アスペクト比構成は前記シャワーヘッド内の複数の孔である請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
7. 前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層及び前記第２のプラズマ耐性層を含む前記チャンバコンポーネントの絶縁破壊電圧は、約１０００〜１５００ボルト／ミルである請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
8. チャンバコンポーネントであって、
   本体内に表面と高アスペクト比構成とを含む前記本体であって、前記高アスペクト比構成は約１：１〜約３００：１のアスペクト比を有し、前記表面の一領域は約２００〜３００マイクロインチの表面粗さを有する本体と、
   前記表面と前記複数の高アスペクト比構成の壁の上にあり、多孔率約０％で厚さ約１００ｎｍ〜約１０ミクロンを有するコンフォーマルな第１のプラズマ耐性層であって、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層の表面は、前記表面の前記領域で前記表面粗さに基づく表面粗さを有する前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層と、
   前記表面の前記領域で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆うが、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁では覆わず、多孔率約１〜５％で厚さ約４〜２０ｍｉｌを有する第２のプラズマ耐性層であって、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層の前記表面粗さは前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層への前記第２のプラズマ耐性層の接着を容易にする前記第２のプラズマ耐性層とを備えるチャンバコンポーネント。
9. 前記表面の前記領域で前記第２のプラズマ耐性層を覆い、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆う、厚さ約１００ｎｍ〜約１０μｍで多孔率約０％を有するコンフォーマルな第３のプラズマ耐性層を更に備え、前記コンフォーマルな第３のプラズマ耐性層はＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｅｒ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_５Ｏ_４Ｆ_７及びＹＦ_３からなる群から選択される請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
10. 前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＹ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｅｒ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_５Ｏ_４Ｆ_７及びＹＦ_３からなる群から選択される原子層堆積（ＡＬＤ）コーティングである請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
11. 前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＮｉを含むメッキコーティングである請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
12. 前記第２のプラズマ耐性層はＹ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｅｒ_３Ａｌ_５Ｏ_１２、Ｙ_５Ｏ_４Ｆ_７及びＹＦ_３からなる群から選択される請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
13. 前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層の前記表面は、約２００〜３００マイクロインチの前記表面粗さを有する請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
14. 方法であって、
    メッキ又は原子層堆積（ＡＬＤ）を実施しチャンバコンポーネント上にコンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を形成するステップであって、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層は前記チャンバコンポーネントの表面上と、前記チャンバコンポーネント内の複数の高アスペクト比構成の壁上に形成され、前記複数の高アスペクト比構成は約１：１〜約３００：１のアスペクト比を有し、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層は多孔率約０％で厚さ約１００ｎｍ〜約１ミクロンを有するステップと、
    電子ビームイオンアシスト堆積（ＥＢ−ＩＡＤ）、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）、エアロゾル堆積又はプラズマ溶射のうちの１つを実施し、前記表面の一領域で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆うが、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁では覆わない第２のプラズマ耐性層を形成するステップとを含み、
    前記第２のプラズマ耐性層は多孔率約１％未満で厚さ約１〜１０ミクロンを有する、方法。
15. 前記メッキ又は前記ＡＬＤを実施する前に、前記チャンバコンポーネントの前記表面の前記領域を約２００〜３００マイクロインチの表面粗さに粗面化するステップを更に含み、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層は約２００〜３００マイクロインチの前記表面粗さを有する請求項１４に記載の方法。