CN114256047B - 半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置 - Google Patents

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Abstract

一种半导体零部件、形成涂层的方法和等离子体反应装置，其中，半导体零部件包括：零部件本体；第一耐腐蚀涂层，位于零部件本体表面，其内具有孔隙，其材料具有第一孔隙率；第二耐腐蚀涂层，位于第一耐腐蚀涂层上，其材料具有第二孔隙率，第二孔隙率小于第一孔隙率；导电导热材料，填充于第一耐腐蚀涂层的孔隙内。本发明提供的半导体零部件表面具有导热导电的耐腐蚀涂层，由于耐腐蚀涂层具有导热导电的通道，因此提高了耐腐蚀涂层的抗热冲击性能和残留电荷释放能力，降低了由于材料热膨胀系数不同产生的颗粒污染问题，以及残留电荷过多产生的电弧问题。

Description

半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种半导体零部件、涂层形成方法和等离子体反应装置。
背景技术
在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF4、O2等)在射频(Radio Frequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而将晶圆刻蚀出具有特定的结构，完成刻蚀工序。
对于处在刻蚀腔体内的工件而言，通常会涂覆一些耐等离子体腐蚀的涂层以保护工件不被腐蚀。然而，现有的工件涂层表面易堆积颗粒污染物，由于颗粒污染物和涂层的热膨胀系数不同，因此颗粒污染物在高温下易掉落，对刻蚀腔体环境造成污染，而低温条件下又易堆积碳氟/碳氟氧颗粒污染物，并且由于涂层的绝缘性使得涂层中残留电荷不易释放，堆积过多会形成电弧对涂层造成损坏。
发明内容
本发明的第一个目的在于提供半导体零部件，以解决半导体零部件抗热冲击性能差的问题。
为了实现上述目的，本发明提供的技术方案为：一种半导体零部件，包括：
零部件本体；
第一耐腐蚀涂层，位于所述零部件本体表面，其内具有孔隙，其材料具有第一孔隙率；
第二耐腐蚀涂层，位于所述第一耐腐蚀涂层上，其材料具有第二孔隙率，所述第二孔隙率小于第一孔隙率；
导电导热材料，填充于所述第一耐腐蚀涂层的孔隙内。
这种结构的半导体零部件，通过第一耐腐蚀涂层和第二耐腐蚀涂层抵御等离子体的腐蚀，通过第一耐腐蚀涂层中的导电导热材料用作热传导和残留电荷的释放通道。该方案中导电导热材料仅填充于第一耐腐蚀涂层的孔隙内，不覆盖第一耐腐蚀涂层的表面，第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层两者直接结合，两者间的结合力更好。
可选的，所述导电导热材料还填充于第一耐腐蚀涂层的表面，所述第二耐腐蚀涂层位于所述导电导热材料的表面。该方案中导电导热材料不仅填充于第一耐腐蚀涂层的孔隙内，还覆盖与第一耐腐蚀涂层的表面，第二耐腐蚀涂层与导电导热材料结合。
可选的，所述第一耐腐蚀涂层的厚度范围为50微米～300微米。
可选的，所述第一耐腐蚀涂层的孔隙率的范围为小于5％。
上述厚度和孔隙率范围内形成的导热导电通道效果较好。
可选的，所述第二耐腐蚀涂层的厚度范围为0.2微米～5微米。
可选的，所述第二耐腐蚀涂层的孔隙率的范围为小于0.1％。
上述厚度和孔隙率范围内形成的第二耐腐蚀涂层具有致密结构，用于抵御等离子体的腐蚀。
可选的，所述第一耐腐蚀涂层和所述第二耐腐蚀涂层包括稀土元素，所述稀土元素为Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的至少一种。
可选的，所述第一耐腐蚀涂层和所述第二耐腐蚀涂层为稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种。
上述稀土元素及其化合物得到的涂层具有抗等离子体的特性。
可选的，所述导电导热材料为无机非金属材料，所述无机非金属材料包括石墨、石墨烯或碳纳米管中的至少一种。这些材料具有导电导热的特性。
相应的，本发明还提供一种在零部件本体表面形成涂层的方法，包括：
提供一零部件本体；
在所述零部件本体表面形成具有第一孔隙率的第一耐腐蚀涂层，所述第一耐腐蚀涂层内具有孔隙；
在所述孔隙内填充导电导热材料；
填充所述导电导热材料之后，在所述第一耐腐蚀涂层上形成具有第二孔隙率的第二耐腐蚀涂层，所述第二孔隙率小于第二孔隙率。
可选的，所述第一耐腐蚀涂层的形成方法为等离子体喷涂方法。
可选的，填充所述导电导热材料的方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、原子沉积法、喷涂或涂覆工艺中的至少一种。
可选的，在所述孔隙中填充导电导热材料之后，形成所述第二耐腐蚀涂层之前，还包括：热处理以消除所述第一耐腐蚀涂层中的残余应力，这样处理后的导电导热材料与第一耐腐蚀涂层的结合力更强。
可选的，所述热处理温度范围为50℃～300℃。
可选的，所述导电导热材料位于所述第一耐腐蚀涂层的孔隙内以及所述第一耐腐蚀涂层的表面，形成致密的第二耐腐蚀涂层之前，还包括：去除所述第一耐腐蚀涂层表面的导电导热材料，直至暴露出第一耐腐蚀涂层，所述第一耐腐蚀涂层的表面粗糙度小于2微米。去除第一耐腐蚀涂层表面多余的导电导热材料后，再将第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层两者直接结合，这种方式可以使两者的结合力更强。
可选的，所述第二耐腐蚀涂层的形成方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法或原子沉积法中的至少一种。这些方法能够形成致密涂层。
相应的，本发明还提供一种等离子体反应装置，包括：
反应腔，其内为等离子体环境；
上述的半导体零部件，位于所述反应腔内，暴露于所述等离子体环境中。
这种等离子体反应装置中半导体零部件表面涂层的抗热冲击性能强，还具有残留电荷释放能力，减少了等离子体反应装置中反应腔内的颗粒污染的风险。
可选的，所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置时，所述半导体零部件为气体喷淋头、上接地环、下接地环、覆盖环或绝缘环、等离子体约束装置或安装基板中的至少一种。
可选的，所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置时，所述半导体零部件为内衬、静电夹盘、等离子体约束装置或者限制环中的至少一种。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明提供的半导体零部件中，所述半导体零部件在高温环境中工作时，所述半导体零部件的第二耐腐蚀涂层表面不易堆积碳氟/碳氮氧颗粒污染物，同时，由于所述第二耐腐蚀涂层的孔隙率小于第一耐腐蚀涂层的孔隙率，使得所述第二耐腐蚀涂层的抗等离子体腐蚀的能力较强。并且，所述第一耐腐蚀涂层内的空隙内还填充有导电导热材料，使热量较容易由第二耐腐蚀涂层的表面传输至与第一耐腐蚀涂层接触的表面，所述热量再经导电导热材料传输至外界，有利于热量的快速疏散。氟化物或氟氧化物的产生是化学反应，该化学反应与化学反应界面(即第二耐腐蚀涂层表面)温度有关，由于第一耐腐蚀涂层有助于第二耐腐蚀涂层表面温度快速疏散，因此降低了化学反应界面的温度，减少了氟化物或氟氧化物的产生；并且由于传热效果好，温差小，能够避免氟化物或氟氧化物掉落。综上，所述半导体零部件在高温环境下工作不易产生颗粒污染问题。同时，由于所述第一耐腐蚀涂层的空隙内的导电导热材料能够作为热传导和残留电荷释放通道，因此，能够提高半导体零部件的抗热冲击性能和残留电荷释放能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1是本发明实施例等离子体反应装置示意图；
图2是本发明第一种实施例半导体零部件结构示意图；
图3是本发明第二种实施例半导体零部件结构示意图；
图4是本发明实施例耐腐蚀涂层的形成方法流程图。
附图标记：
100-反应腔；101-安装基板；102-气体喷淋头；103-绝缘环；104-上接地环；105-下接地环；106-覆盖环；
200-零部件本体；300-第一耐腐蚀涂层；400-第二耐腐蚀涂层；500-导电导热材料；
W-晶圆。
具体实施方式
为了解决上述技术问题，本发明实施例提出了一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，还有通过该方法获得的半导体零部件的实施例，以及包括这种半导体零部件的等离子体反应装置实施例。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。
另外，在本发明中涉及“第一”“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
研究发现：Y2O3耐腐蚀的涂层表面在F/O等离子反应中会产生YOF钝化层和YF3颗粒，而由于材料热膨胀系数的不同，YF3颗粒会掉落形成颗粒污染。目前采用降低刻蚀腔温度改善了YF3颗粒问题，但是在低温条件下喷淋头外边缘区域反而易于积累CF和CNO聚合物，掉落下来产生CF和CNO颗粒的新问题，而升高刻蚀腔温度可以增强等离子体对喷淋头外边缘区域的CF和CNO聚合物的去除能力，但是会恶化YF3颗粒问题。另外Y2O3涂层因其绝缘性使得涂层中残留电荷不易与释放，涂层厚度越大残留电荷积聚缺陷越明显，会造成涂层形成电弧。
为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体零部件，所述半导体零部件能够在高温环境中工作时，所述半导体零部件的表面不易堆积碳氟/碳氟氧颗粒污染物。
图1是本发明一种等离子体反应装置的结构示意图。
请参考图1，等离子体反应装置包括：反应腔100，反应腔100内为等离子体环境，半导体零部件和反应腔100内部腔壁暴露于等离子体环境中。
等离子体反应装置还包括：安装基板101，安装基板101用于承载待处理基片W，等离子体用于对待处理基片W进行处理。由于等离子体具有较强的腐蚀性，为了防止半导体零部件的表面被等离子体腐蚀，因此需要在半导体零部件的表面涂覆耐腐蚀涂层。
在本实施例中，等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置，相应的，暴露于等离子体环境中的半导体零部件包括：安装基板101、气体喷淋头102、绝缘环103、上接地环104、下接地环105、覆盖环106、等离子体约束装置。
在其他实施例中，等离子体反应装置为为电感耦合等离子体反应装置，相应的，暴露于等离子体环境中的半导体零部件包括：内衬、静电夹盘、等离子体约束装置、限制环。
以下对半导体零部件进行详细说明：
图2为本发明提供的一种半导体零部件实施例的示意图。
请参考图2，半导体零部件包括：零部件本体200，在零部件本体200表面具有第一耐腐蚀涂层300，第一耐腐蚀涂层300内部具有孔隙，其材料具有第一孔隙率；在第一耐腐蚀涂层300的上具有第二耐腐蚀涂层400，第二耐腐蚀涂层400的材料具有第二孔隙率，第二孔隙率小于第一孔隙率；在第一耐腐蚀涂层300的孔隙内中填充有导电导热材料500。
本实施例提供的零部件本体200在高温环境中工作时，所述零部件本体200上的第二耐腐蚀涂层400表面不易堆积碳氟/碳氮氧颗粒污染物，同时，由于所述第一耐腐蚀涂层300的孔隙率大于第二耐腐蚀涂层400的孔隙率，使得所述第二耐腐蚀涂层400的抗等离子体腐蚀的能力较强。并且，所述第一耐腐蚀涂层300内的空隙内还填充有导电导热材料500，使热量较容易由第二耐腐蚀涂层400的表面传输至与第一耐腐蚀涂层300接触的表面，所述热量再经导电导热材料500传输至外界，有利于热量的快速疏散。氟化物或氟氧化物的产生是化学反应，该化学反应与化学反应界面(即第二耐腐蚀涂层表面)温度有关，由于第一耐腐蚀涂层300有助于第二耐腐蚀涂层400表面温度快速疏散，因此降低了化学反应界面的温度，减少了氟化物或氟氧化物的产生；并且由于传热效果好，温差小，能够避免氟化物或氟氧化物掉落。
综上，本实施例解决了半导体零部件的高温使用限制，所述半导体零部件在高温环境下工作不易产生颗粒污染问题。同时，由于所述第一耐腐蚀涂层的空隙内的导电导热材料能够作为热传导和残留电荷释放通道，因此，能够提高半导体零部件的抗热冲击性能和残留电荷释放能力，能够避免形成电弧烧坏耐腐蚀涂层，进而提升了耐腐蚀涂层的寿命。
本实施例中，导电导热材料500仅填充于第一耐腐蚀涂层300的孔隙内，不覆盖第一耐腐蚀涂层300的表面，并且第一耐腐蚀涂层300与第二耐腐蚀涂层400两者直接结合，由于所述第一耐腐蚀涂层300与第二耐腐蚀涂层400材料的差异较小，使得第一耐腐蚀涂层300和第二耐腐蚀涂层400具有良好的结合力，并且第二耐腐蚀涂层400的厚度薄，不会产生由于膜层厚度过大引起的第二耐腐蚀涂层脱落的问题。
在另一实施例中，如图3所示，导电导热材料500填充于第一耐腐蚀涂层300的孔隙内，还可以覆于第一耐腐蚀涂层300的表面，第二耐腐蚀涂层400覆于导电导热材料500的表面，第二耐腐蚀涂层400与导电导热材料500结合。
本实施例中，第一耐腐蚀涂层300的厚度范围为50微米～300微米。该厚度范围内形成的导热导电通道效果较好，第一耐腐蚀涂层300尽量做厚，可以为第二耐腐蚀涂层400提供良好的支撑。第一腐蚀涂层300主要功能是构建抗热冲击缓冲层，同时兼顾释放电荷。本实施例中选择50微米-300微米，一方面是基于等离子体反应装置中零部件实际应用涂层的膜厚范围，另一方面第一耐腐蚀层300作为缓冲层，其膜厚越大，缓冲效果越好，但是涂层成本也会变大。所以基于当前实际应用膜厚和兼顾成本确定了适中的第一耐腐蚀涂层300膜厚范围。而第二耐腐蚀涂层400尽量做薄，这样第二耐腐蚀涂层400在产生问题需要替换翻新时的成本更低。具体的，当所述第二耐腐蚀涂层400不再满足工艺要求时，可通过物理研磨或者化学腐蚀只需要去除掉表面第二耐腐蚀涂层，重新制备第二耐腐蚀涂层。并且这种厚度范围内的第二耐腐蚀涂层400不存在厚度过大造成的传热效果差和高成本的问题。
本实施例中，第一耐腐蚀涂层的孔隙率小于5％。第一耐腐蚀涂层300中具有一定的孔隙，用于填充导电导热材料。
本实施例中，第二耐腐蚀涂层400的厚度范围为0.2微米～5微米，第二耐腐蚀涂层400为致密涂层，其孔隙率小于0.1％，具有耐等离子体腐蚀的性能，高致密的第二耐腐蚀涂层400进一步对第一耐腐蚀涂层300的孔隙进行封闭，弥补了第一耐腐蚀涂层300和导电导热材料500不耐等离子体侵蚀同时容易产生颗粒问题的缺陷。由于有第一耐腐蚀涂层300作为支撑，所述第二耐腐蚀涂层400的这种厚度的致密涂层相比于现有的致密耐腐蚀涂层的厚度要薄很多，因此当本实施例中的半导体零部件在使用一段时间后产生颗粒掉落等问题时，可以采用物理研磨或者化学腐蚀的方法去除掉表面0.2微米-5微米高致密的第二耐腐蚀涂层，再重新制备高致密的第二耐腐蚀涂层，节约翻新成本，而目前半导体零部件表面涂层翻新需要全部去除掉120微米的涂层，翻新成本非常高。
本实施例中，第一耐腐蚀涂层300和第二耐腐蚀涂层400包括稀土元素，稀土元素为Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的至少一种，所述第一耐腐蚀涂层300和第二耐腐蚀涂层400为稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种，稀土元素及其化合物得到的涂层具有抗等离子体的特性。
本实施例中，导电导热材料500为无机非金属材料，导电导热材料500包括石墨、石墨烯或碳纳米管中的至少一种，这些材料具有导电导热的特性。结合导电导热材料说明本发明的有益效果。
图4为本发明实施例在零部件本体表面形成涂层的方法流程图。
请参考图4，具体包括以下步骤：
10、提供零部件本体
零部件本体200可以为喷淋头、安装基座或者内衬。
20、形成第一耐腐蚀涂层
在零部件本体200表面形成具有一定孔隙的第一耐腐蚀涂层300，第一耐腐蚀涂层300的形成方法包括等离子体喷涂方法。
30、在第一耐腐蚀涂层的孔隙内填充导电导热材料
填充导电导热材料500的方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、原子沉积法、喷涂或涂覆中的至少一种。这些工艺不受零部件本体的形状和结构限制，易于在第一耐腐蚀涂层300中的孔隙中填充导电导热材料，并将其孔隙作为热传导和残留电荷的释放通道，使热和电荷由第一耐腐蚀涂层300中传输至零部件本体200，使所述第一耐腐蚀涂层300内不易积聚热量和残留电荷，因此，有利于提高耐腐蚀涂层的抗热冲击性能和残留电荷释放的能力。
40、形成第二耐腐蚀涂层
填充完导电导热材料500之后，在第一耐腐蚀涂层300上形成致密的第二耐腐蚀涂层400，第二耐腐蚀涂层400的形成方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法或原子沉积法中的至少一种。这些方法能够形成致密涂层，不仅能进一步封住第一耐腐蚀涂层300表面的孔隙和微裂纹，由于第二耐腐蚀涂层400孔隙率较低，结构较致密，因此还可以提高整体耐腐蚀涂层的抗等离子体侵蚀性能。
在本实施例中，填充导电导热材料500步骤之后还包括：热处理以消除第一耐腐蚀涂层300中的残余应力，这样处理后的导电导热材料与第一耐腐蚀涂层300的结合力更强，其中热处理温度范围为50℃～300℃。
在本实施例中，形成致密的第二耐腐蚀涂层400步骤之前还包括：去除第一耐腐蚀涂层300表面的导电导热材料500，直至暴露出第一耐腐蚀涂层300，并且使第一耐腐蚀涂层300的表面粗糙度小于2微米。去除第一耐腐蚀涂层表面多余的导电导热材料后，再将第一耐腐蚀涂层与第二耐腐蚀涂层两者直接结合，这种方式可以使两者的结合力更强。
综上所述，本发明实施例提供的半导体零部件表面具有导热导电的耐腐蚀涂层，能够及时将热量和多余电荷进行传导，解决了半导体零部件的耐高温使用限制，改善了耐腐蚀涂层由于电荷累积产生电弧现象。本发明实施例提供的等离子体反应装置的中的半导体零部件具有导热导电的耐腐蚀涂层，其涂层的抗热冲击性能强，不易产生颗粒脱落，降低了反应腔内工作环境的颗粒污染，进而提高了等离子体反应装置产品制备的成品率。本发明实施例提供的涂层形成方法实施例，能够制备得到一种具有导热导电的耐腐蚀涂层，兼具耐腐蚀、抗热冲击和残留电荷释放的优点。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (17)

1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：
零部件本体；
第一耐腐蚀涂层，位于所述零部件本体表面，其内具有孔隙，其材料具有第一孔隙率；
第二耐腐蚀涂层，位于所述第一耐腐蚀涂层的表面，其材料具有第二孔隙率，所述第二孔隙率小于第一孔隙率；
导电导热材料，仅填充于所述第一耐腐蚀涂层的孔隙内，所述导电导热材料用作热传导通道和残留电荷释放通道，所述导电导热材料为石墨、石墨烯或碳纳米管中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第一耐腐蚀涂层的厚度范围为50微米～300微米。
3.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第一孔隙率的范围为小于5％。
4.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第二耐腐蚀涂层的厚度范围为0.2微米～5微米。
5.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第二孔隙率的范围为小于0.1％。
6.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第一耐腐蚀涂层和所述第二耐腐蚀涂层包括稀土元素，所述稀土元素为Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述第一耐腐蚀涂层和所述第二耐腐蚀涂层为稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种。
8.一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，包括：
提供一零部件本体；
在所述零部件本体表面形成具有第一孔隙率的第一耐腐蚀涂层，所述第一耐腐蚀涂层内具有孔隙；
仅在所述孔隙内填充导电导热材料，以形成热传导通道和残留电荷释放通道，所述导电导热材料为石墨、石墨烯或碳纳米管中的至少一种；
填充所述导电导热材料之后，在所述第一耐腐蚀涂层的表面形成具有第二孔隙率的第二耐腐蚀涂层，所述第二孔隙率小于第二孔隙率。
9.根据权利要求8所述的一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，所述第一耐腐蚀涂层的形成方法为等离子体喷涂方法。
10.根据权利要求8所述的一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，填充所述导电导热材料的方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、原子沉积法、喷涂或涂覆工艺中的至少一种。
11.根据权利要求8所述的一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，在所述孔隙中填充导电导热材料之后，形成所述第二耐腐蚀涂层之前，还包括：热处理以消除所述第一耐腐蚀涂层中的残余应力。
12.根据权利要求11所述的一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，热处理的温度范围为50℃～300℃。
13.根据权利要求8所述的一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，所述导电导热材料位于所述第一耐腐蚀涂层的孔隙内以及所述第一耐腐蚀涂层的表面，形成致密的第二耐腐蚀涂层之前，还包括：去除所述第一耐腐蚀涂层表面的导电导热材料，直至暴露出第一耐腐蚀涂层；所述第一耐腐蚀涂层的表面粗糙度小于2微米。
14.根据权利要求8所述的一种在零部件本体表面形成涂层的方法，其特征在于，所述第二耐腐蚀涂层的形成方法包括物理气相沉积法、化学气相沉积法或原子沉积法中的至少一种。
15.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括：
反应腔，其内为等离子体环境；
如权利要求1-7任一所述的半导体零部件，位于所述反应腔内，暴露于所述等离子体环境中。
16.根据权利要求15所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置，所述半导体零部件为气体喷淋头、上接地环、下接地环、覆盖环、绝缘环、等离子体约束装置或安装基板中的至少一种。
17.根据权利要求15所述的一种等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置，所述半导体零部件为内衬、静电夹盘、等离子体约束装置或者限制环中的至少一种。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115449777A (zh) * 2022-09-28 2022-12-09 上海积塔半导体有限公司 半导体反应部件及其制造方法

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001131730A (ja) * 1999-10-28 2001-05-15 Nippon Steel Hardfacing Co Ltd 溶射皮膜の強化方法および強化された溶射皮膜を有する部材
JP2007138288A (ja) * 2005-10-21 2007-06-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 多層コート耐食性部材
CN101030524A (zh) * 2005-10-21 2007-09-05 信越化学工业株式会社 耐腐蚀的多层构件
CN102337507A (zh) * 2010-07-28 2012-02-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制作方法
CN102459702A (zh) * 2009-06-05 2012-05-16 贝尼科公司 保护性涂层、保护基材的方法及其应用
CN103484809A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 抗腐蚀涂层的制作方法、抗腐蚀涂层、等离子体加工设备
CN104701125A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 中微半导体设备(上海)有限公司 气体分布板
CN105088141A (zh) * 2014-05-23 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
CN105990081A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及其制作方法
CN107488398A (zh) * 2017-08-31 2017-12-19 常州欧康铭化工有限公司 一种耐腐蚀性涂层封孔剂的制备方法
JP2018046278A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 Toto株式会社 半導体製造装置用部材
CN108346611A (zh) * 2017-01-24 2018-07-31 中微半导体设备(上海)有限公司 静电吸盘及其制作方法与等离子体处理装置
CN108878246A (zh) * 2017-05-10 2018-11-23 应用材料公司 用于腔室部件的多层等离子体侵蚀保护
CN109920715A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体刻蚀反应器
CN110158032A (zh) * 2019-05-09 2019-08-23 成都超纯应用材料有限责任公司 一种耐腐蚀涂层及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8067067B2 (en) * 2002-02-14 2011-11-29 Applied Materials, Inc. Clean, dense yttrium oxide coating protecting semiconductor processing apparatus
JP4606121B2 (ja) * 2004-01-29 2011-01-05 京セラ株式会社 耐食膜積層耐食性部材およびその製造方法
US8097105B2 (en) * 2007-01-11 2012-01-17 Lam Research Corporation Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material
CN103794460B (zh) * 2012-10-29 2016-12-21 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体装置性能改善的涂层
US10468235B2 (en) * 2013-09-18 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Plasma spray coating enhancement using plasma flame heat treatment
US9460898B2 (en) * 2014-08-08 2016-10-04 Applied Materials, Inc. Plasma generation chamber with smooth plasma resistant coating
TWM563652U (zh) * 2016-10-13 2018-07-11 美商應用材料股份有限公司 用於電漿處理裝置的腔室部件及包含其之裝置
US20180240649A1 (en) * 2017-02-17 2018-08-23 Lam Research Corporation Surface coating for plasma processing chamber components
US10975469B2 (en) * 2017-03-17 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001131730A (ja) * 1999-10-28 2001-05-15 Nippon Steel Hardfacing Co Ltd 溶射皮膜の強化方法および強化された溶射皮膜を有する部材
JP2007138288A (ja) * 2005-10-21 2007-06-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 多層コート耐食性部材
CN101030524A (zh) * 2005-10-21 2007-09-05 信越化学工业株式会社 耐腐蚀的多层构件
CN102459702A (zh) * 2009-06-05 2012-05-16 贝尼科公司 保护性涂层、保护基材的方法及其应用
CN102337507A (zh) * 2010-07-28 2012-02-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜件及其制作方法
CN103484809A (zh) * 2012-06-14 2014-01-01 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 抗腐蚀涂层的制作方法、抗腐蚀涂层、等离子体加工设备
CN104701125A (zh) * 2013-12-05 2015-06-10 中微半导体设备(上海)有限公司 气体分布板
CN105088141A (zh) * 2014-05-23 2015-11-25 中微半导体设备(上海)有限公司 电感耦合型等离子体处理腔室及其抗腐蚀绝缘窗口及制造方法
CN105990081A (zh) * 2015-02-09 2016-10-05 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置及其制作方法
JP2018046278A (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 Toto株式会社 半導体製造装置用部材
CN108346611A (zh) * 2017-01-24 2018-07-31 中微半导体设备(上海)有限公司 静电吸盘及其制作方法与等离子体处理装置
CN108878246A (zh) * 2017-05-10 2018-11-23 应用材料公司 用于腔室部件的多层等离子体侵蚀保护
CN107488398A (zh) * 2017-08-31 2017-12-19 常州欧康铭化工有限公司 一种耐腐蚀性涂层封孔剂的制备方法
CN109920715A (zh) * 2017-12-12 2019-06-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体刻蚀反应器
CN110158032A (zh) * 2019-05-09 2019-08-23 成都超纯应用材料有限责任公司 一种耐腐蚀涂层及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
电弧喷涂镍基涂层腐蚀及磨损行为;赵晓舟;周正;贺定勇;赵秋颖;李冉;蒋建敏;;焊接学报(第04期);全文 *

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