JP7154517B1 - イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 - Google Patents
イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7154517B1 JP7154517B1 JP2022024103A JP2022024103A JP7154517B1 JP 7154517 B1 JP7154517 B1 JP 7154517B1 JP 2022024103 A JP2022024103 A JP 2022024103A JP 2022024103 A JP2022024103 A JP 2022024103A JP 7154517 B1 JP7154517 B1 JP 7154517B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- yttrium
- less
- based protective
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 145
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 42
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 22
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N [Y].FOF Chemical compound [Y].FOF CHBIYWIUHAZZNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
特許文献1には、溶射によって形成される、酸フッ化イットリウム(イットリウムオキシフッ化物)を含有する溶射皮膜が開示されている。
[1]X線回折パターンにおけるY5O4F7のピーク強度比が60%以上であり、気孔率が1.5体積%未満であり、ビッカース硬さが500MPa以上である、イットリウム質保護膜。
[2]フッ素の含有量が35~60原子%である、上記[1]に記載のイットリウム質保護膜。
[3]結晶子サイズが30nm以下である、上記[1]または[2]記載のイットリウム質保護膜。
[4]厚さが0.3μm以上である、上記[1]~[3]のいずれかに記載のイットリウム質保護膜。
[5]Y5O4F7の(151)面のロッキングカーブの半値幅が40°以下である、上記[1]~[4]のいずれかに記載のイットリウム質保護膜。
[6]基材と、上記基材の表面である成膜面に配置された、上記[1]~[5]のいずれかに記載のイットリウム質保護膜と、を有する部材。
[7]上記基材が、セラミックスおよび金属からなる群から選ばれる少なくとも1種で構成され、上記セラミックスが、ガラス、石英、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムおよび酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、上記金属が、アルミニウムおよびアルミニウムを含有する合金からなる群から選ばれる少なくとも1種である、上記[6]に記載のイットリウム質保護膜と、を有する部材。
[8]上記成膜面の表面粗さが、算術平均粗さRaで、0.6μm以下である、上記[6]または[7]に記載の部材。
[9]上記成膜面の最大長さが30mm以上である、上記[6]~[8]のいずれかに記載の部材。
[10]上記基材と上記イットリウム質保護膜との間に、1層以上の下地層を有し、上記下地層は、Al2O3、SiO2、Y2O3、MgO、ZrO2、La2O3、Nd2O3、Yb2O3、Eu2O3およびGd2O3からなる群から選ばれる少なくとも1種の酸化物を含有する、上記[6]~[9]のいずれかに記載の部材。
[11]上記基材と上記イットリウム質保護膜との間に、2層以上の上記下地層を有し、上記酸化物は、隣接する上記下地層どうしで互いに異なる、上記[10]に記載の部材。
[12]上記基材が、上記成膜面として、最大長さを規定する第一成膜面と、上記第一成膜面とは異なる第二成膜面と、を有し、上記第一成膜面と上記第二成膜面とのなす角が、20°~120°であり、上記成膜面の全面積に対する上記第二成膜面の面積の割合が、60%以下である、上記[6]~[11]のいずれかに記載の部材。
[13]プラズマエッチング装置またはプラズマCVD装置の内部で使用される、上記[6]~[12]のいずれかに記載の部材。
[14]上記[1]~[5]のいずれかに記載のイットリウム質保護膜を製造する方法であって、真空中において、酸素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素のイオンを照射しながら、蒸発源を蒸発させて基材に付着させ、上記蒸発源として、Y2O3およびYF3を用いる、イットリウム質保護膜の製造方法。
「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本実施形態のイットリウム質保護膜は、X線回折パターンにおけるY5O4F7のピーク強度比が60%以上であり、気孔率が1.5体積%未満であり、ビッカース硬さが500MPa以上である。
酸フッ化イットリウムを表す化学式としては、YOF、Y5O4F7などが挙げられる。YOFは硬度の低い斜方晶であるのに対して、Y5O4F7は菱面体という特殊な結晶構造であり、硬度が高い。
本保護膜は、菱面体結晶構造を有するY5O4F7の割合が多い。すなわち、X線回折パターンにおけるY5O4F7のピーク強度比が一定値以上である。これにより、本保護膜は、硬く、ビッカース硬さが一定値以上を示す。
更に、本保護膜は、後述する方法(本製造方法)により形成されることで、緻密であり、気孔率が小さい。
このような本保護膜は、耐プラズマ性に優れる。
以下、本保護膜について、より詳細に説明する。
本保護膜のX線回折パターンにおけるY5O4F7のピーク強度比(以下、「Y5O4F7ピーク強度比」ともいう)は、60%以上であり、80%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、95%以上が更に好ましく、98%以上がより更に好ましく、99%以上が特に好ましく、100%が最も好ましい。
Y5O4F7のメインピーク位置には、Y6O5F8結晶のピークとY7O6F9結晶のピークとが重なって表れるため、微量のY6O5F8およびY7O6F9が生成している可能性も排除できないが、Y5O4F7のメインピーク位置にあるピークは、全てY5O4F7のピークとして扱う。
各結晶相のメインピークは、Y2O3は2θ=29.2°付近、YOFは2θ=28.1°付近、Y5O4F7は2θ=28.1°付近に表れる。
YF3は、メインピークがY5O4F7と重なることから、YF3結晶が存在する場合には、YF3結晶の第二メインピークである2θ=24.5°付近のピークの強度を1.3倍にしてメインピーク相当に換算し、これを、YF3のメインピーク強度とする。
・X線源:CuKα線(出力:45kV、電流:120mA)
・走査範囲:2θ=10°~80°
・ステップ時間:0.2s/step
・スキャンスピード:10°/min
・ステップ幅:0.02°
・検出器:マルチモード検出器EIGER(2Dモード)
・入射側光学系:多層膜ミラー+1.0mmφマイクロスリット+1.0mmφコリメータ
・受光側光学系:OPEN
本保護膜の耐プラズマ性が優れるという理由から、本保護膜のビッカース硬さは、500MPa以上であり、800MPa以上が好ましく、1000MPa以上がより好ましく、1100MPa以上が更に好ましく、1200MPa以上がより更に好ましく、1250MPa以上が特に好ましく、1300MPa以上が最も好ましい。
本保護膜のビッカース硬さの上限は、特に限定されず、例えば、1500MPaであり、1400MPaが好ましい。
より詳細には、硬微小硬度測定器(HMV-1、島津製作所社製)を用いて、対面角136°のダイヤモンド圧子によって、試験力1.96Nを負荷したときに求められるビッカース硬さ(Hv0.2)である。
本保護膜の耐プラズマ性が優れるという理由から、本保護膜の気孔率は、1.5体積%未満であり、1.0体積%以下が好ましく、0.5体積%以下がより好ましく、0.3体積%以下が更に好ましく、0.2体積%以下が特に好ましく、0.10体積%以下が最も好ましい。
まず、収束イオンビーム(FIB)を用いて、保護膜および後述する基材の一部に対して、保護膜の表面から基材に向けて、52°の角度で厚さ方向にスロープ加工を実施して、断面を露出させる。露出した断面を、電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)を用いて、20000倍の倍率で観察し、その断面画像を撮影する。
断面画像は、複数の箇所において撮影する。具体的には、例えば、保護膜および基材が円形状である場合は、保護膜の表面(または基材の表面)の中央の1点と、外周から10mm離れた位置にある4点との計5点において撮影し、断面画像の大きさは、6μm×5μmとする。保護膜の厚さが5μm以上である場合には、保護膜の断面を厚さ方向に全て観察できるように、複数の撮影箇所において、それぞれ、断面画像を撮影する。
続いて、得られた断面画像を、画像解析ソフトウェア(ImageJ、National Institute of Health社製)を用いて解析することにより、断面画像中の気孔部分の面積を特定する。保護膜の全断面の面積に対する気孔部分の面積の割合を算出し、これを、保護膜の気孔率(単位:体積%)とみなす。なお、画像解析ソフトによって検出できないほど微細な気孔(孔径が20nm以下である気孔)については、その面積を0とみなす。
本保護膜は、酸フッ化イットリウムを含有するから、イットリウム(Y)、酸素(O)およびフッ素(F)を含有する。
本保護膜のY含有量は、10原子%以上が好ましく、20原子%以上がより好ましく、25原子%以上が更に好ましく、26原子%以上が特に好ましく、27原子%以上が最も好ましい。
一方、本保護膜のY含有量は、35原子%以下が好ましく、30原子%以下がより好ましく、29原子%以下が更に好ましく、28原子%以下が特に好ましい。
本保護膜のO含有量は、10原子%以上が好ましく、15原子%以上がより好ましく、20原子%以上が更に好ましく、21原子%以上が特に好ましく、22原子%以上が最も好ましくい。
一方、本保護膜のO含有量は、35原子%以下が好ましく、30原子%以下がより好ましく、25原子%以下が更に好ましく、24原子%以下が特に好ましく、23.5原子%以下が最も好ましい。
本保護膜のF含有量は、35原子%以上が好ましく、40原子%以上がより好ましく、44原子%以上が更に好ましく、47原子%以上が特に好ましく、49.5原子%以上が最も好ましい。
一方、本保護膜のF含有量は、65原子%以下が好ましく、60原子%以下がより好ましく、55原子%以下が更に好ましく、52原子%以下がより更に好ましく、51原子%以下が特に好ましく、50原子%以下が最も好ましい。
保護膜を大面積化する場合、保護膜中にクラックが発生することを抑制する観点から、保護膜のY5O4F7の(151)面の配向度(以下、単に「配向度」ともいう)は、高い方が好ましい。
配向度の指標として、Y5O4F7の(151)面のロッキングカーブの半値幅を用いる。具体的には、2次元モードの検出器を用いて得られるY5O4F7の(151)面のピークのロッキングカーブを2θ方向に積分し、その半値幅を用いて、配向性を評価する。この半値幅(単位:°)が小さいほど、配向度が高いと言える。
Y5O4F7の(151)面のロッキングカーブの半値幅は、40°以下が好ましく、30°以下がより好ましく、25°以下が更に好ましく、20°以下がより更に好ましく、15°以下が特に好ましく、10°以下が最も好ましい。
配向度を上記範囲にするためには、後述する方法(本製造方法)により保護膜を製造することが好ましい。
上述したように、例えば、プラズマガスに曝された部材から脱落した粒子(パーティクル)は、半導体基板に付着して、回路に欠陥をもたらす異物となり得る。
このとき、パーティクルのサイズが小さいほど、欠陥の発生を抑制できる。
したがって、本保護膜の結晶子サイズは、30nm以下が好ましく、25nm以下がより好ましく、20nm以下が更に好ましく、15nm以下が特に好ましく、10nm以下が最も好ましい。
一方、本保護膜の結晶子サイズの下限は、特に限定されず、例えば、2nmであり、5nmが好ましい。
本保護膜の厚さは、0.3μm以上が好ましく、1μm以上がより好ましく、5μm以上が更に好ましく、10μm以上がより更に好ましく、15μm以上が特に好ましく、20μm以上が最も好ましい。
一方、本保護膜の厚さの上限は、特に限定されず、例えば、300μmであり、200μmが好ましく、100μmがより好ましく、50μmが更に好ましく、30μmが特に好ましい。
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、保護膜の断面を観察し、保護膜の厚さを任意の5点で測定し、測定した5点の平均値を、この保護膜の厚さ(単位:μm)とみなす。
本保護膜の熱伝導率は、5.0W/(m・K)以上が好ましく、7.0W/(m・K)以上がより好ましく、9.0W/(m・K)以上が更に好ましく、11.0W/(m・K)以上が特に好ましく、12.5W/(m・K)以上が最も好ましい。
保護膜の熱伝導率は、NETZSCH社製のLFA 447(Nanoflash)のキセノンランプ光を用いたフラッシュ法によって室温(23℃)で求める。
具体的には、基材および保護膜のかさ密度を質量および体積から求め、JIS R 1672に規定される示差走査熱量法によって、基材および保護膜の比熱容量を求める。更に、フラッシュ法によって得られる温度上昇曲線に、多層解析モデルを適用して、基材および保護膜の熱拡散率を求める。かさ密度、比熱容量および熱拡散率の積から、熱伝導率を求める。
図1は、部材6の一例を示す模式図である。
部材6は、基材5およびイットリウム質保護膜4を有する。
基材5とイットリウム質保護膜4との間には、図1に示すように、下地層(下地層1、下地層2および下地層3)が配置されていてもよい。ただし、下地層は、3層に限定されない。
本部材は、その表面が本保護膜で覆われているため、本保護膜と同様に、耐プラズマ性に優れる。
基材は、少なくとも、イットリウム質保護膜(または、後述する下地層)が形成される表面を有する。この表面を、以下、便宜的に「成膜面」と呼ぶ場合がある。
基材の材質は、部材の用途等に応じて、適宜選択される。
基材は、例えば、セラミックスおよび金属からなる群から選ばれる少なくとも1種で構成される。
ここで、セラミックスは、例えば、ガラス(ソーダライムガラスなど)、石英、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)および酸窒化アルミニウム(AlON)からなる群から選ばれる少なくとも1種である。
金属は、例えば、アルミニウムおよびアルミニウムを含有する合金からなる群から選ばれる少なくとも1種である。
基材の形状としては、特に限定されず、例えば、平板状、リング状、ドーム状、凹状または凸状が挙げられ、部材の用途等に応じて、適宜選択される。
基材の成膜面の表面粗さは、後述する理由から、算術平均粗さRaとして、0.6μm以下が好ましく、0.3μm以下がより好ましく、0.1μm以下が更に好ましく、0.05μm以下がより更に好ましく、0.01μm以下が特に好ましく、0.005μm以下が最も好ましい。
成膜面の表面粗さ(算術平均粗さRa)は、JIS B 0601:2001に準拠して測定する。
基材の成膜面の最大長さは、30mm以上が好ましく、100mm以上がより好ましく、200mm以上が更に好ましく、300mm以上がより更に好ましく、500mm以上が特に好ましく、800mm以上が非常に好ましく、1000mm以上が最も好ましい。
なお、「最大長さ」とは、成膜面が有する最大の長さを意味する。具体的には、例えば、成膜面が平面視で円である場合はその直径であり、平面視でリングである場合はその外径であり、平面視で四角形である場合は最大の対角線の長さである。
成膜面の最大長さの上限は、特に限定されず、例えば、2000mmであり、1500mmが好ましい。
図2に示す基材5について、例えば、外径D1が100mm、内径D2が90mm、厚さtが5mmである場合、その最大長さは100mmである。
基材5は、成膜面7を有するが、図2に示すように、最大長さ(外径D1)を規定する第一成膜面7aと、第一成膜面7aとは異なる第二成膜面7bと、を有していてもよい。
成膜面7の全面積に対する、第二成膜面7bの面積の割合は、例えば、60%以下である。
図3に示すように、基材5は、複数の第二成膜面7bを有していてもよい。
第一成膜面7aと第二成膜面7bとのなす角は、例えば、20°~120°である。図4に示す基材5において、第一成膜面7aと、第一成膜面7aに接続する第二成膜面7bとのなす角は、約30°である。
上述したように、基材とイットリウム質保護膜との間には、1層以上の下地層が配置されていてもよい。
下地層を形成することにより、イットリウム質保護膜の応力が緩和されたり、イットリウム質保護膜の基材に対する密着性が増したりする。
隣接する下地層どうしで酸化物が互いに異なる場合とは、具体的には、例えば、下地層1の酸化物が「SiO2」、下地層2の酸化物が「Al2O3+SiO2」、下地層3の酸化物が「Al2O3」である場合が挙げられる。
一方、下地層の厚さは、それぞれ、例えば15μm以下であり、10μm以下が好ましく、7μm以下がより好ましく、3μm以下が更に好ましい。
下地層の厚さは、イットリウム質保護膜の厚さと同様に測定する。
本部材は、例えば、半導体デバイス製造装置(プラズマエッチング装置、プラズマCVD装置など)の内部において、天板などの部材として使用される。
ただし、本部材の用途はこれに限定されない。
次に、本実施形態のイットリウム質保護膜を製造する方法(以下、「本製造方法」ともいう)を説明する。本製造方法は、上述した本部材を製造する方法でもある。
概略的には、真空中において、イオンを照射しながら、蒸発源(Y2O3およびYF3)を蒸発させて基材に付着させることにより、Y5O4F7の割合が多いイットリウム質保護膜を形成する。
また、成膜面が大面積化することにより、その成膜面に形成されるイットリウム質保護膜も大面積化する。その場合も、イットリウム質保護膜にはクラックが入りやすい。
更に、下地層を形成する場合は、イットリウム質保護膜の応力が緩和される。
このため、本製造方法により得られるイットリウム質保護膜は、厚さが増したり大面積化したりしても、クラックが入りにくい。
また、これらの方法では、得られるイットリウム質保護膜のフッ素含有量の制御が難しく、所望する組成を安定的に得ることが難しい場合がある。
しかし、この方法では、フッ素含有量が変化しやすく、やはり、菱面体結晶構造を有するY5O4F7の割合が多いイットリウム質保護膜を安定的に形成することは困難である。
本製造方法を、図5に基づいて、より詳細に説明する。
図5は、イットリウム質保護膜の製造に用いる装置を示す模式図である。
図5に示す装置は、チャンバ11を有する。チャンバ11の内部は、真空ポンプ(図示せず)を駆動して排気することにより、真空にできる。
チャンバ11の内部には、るつぼ12および13と、イオンガン14とが配置され、これらの上方には、ホルダ17が配置されている。
ホルダ17は、支持軸16と一体化しており、支持軸16の回転に伴い回転する。ホルダ17の周囲には、ヒータ15が配置されている。
ホルダ17には、上述した基材5が、その成膜面を下方に向けた状態で保持されている。ホルダ17に保持された基材5は、ヒータ15によって加熱されながら、ホルダ17の回転に伴い、回転する。
更に、チャンバ11には、水晶式膜厚モニタ18および19が取り付けられている。
図5に示す装置において、基材5にイットリウム質保護膜(図5には図示せず)を形成する場合について説明する。
まず、一方のるつぼ12に蒸発源Y2O3を充填し、他方のるつぼ13に蒸発源YF3を充填する。
ホルダ17に基材5を保持させてから、チャンバ11の内部を排気して真空にする。具体的には、チャンバ11の内部の圧力は、5×10-4Pa以下が好ましい。
すなわち、イオンガン14からイオン(イオンビーム)を照射しながら、るつぼ12の蒸発源Y2O3と、るつぼ13の蒸発源YF3とを並行して蒸発させる。
イオンガン14が照射するイオンは、酸素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素のイオンが好ましい。
蒸発源は、電子ビーム(図示せず)を照射することにより、溶融および蒸発させる。
こうして、基材5(の成膜面)に、蒸発した蒸発源が付着し、イットリウム質保護膜が形成される。
成膜は真空中で実施するが、具体的には、チャンバ11の内部の圧力は、8×10-2Pa以下が好ましく、6×10-2Pa以下がより好ましく、5×10-2Pa以下が更に好ましく、3×10-2Pa以下が特に好ましい。
下限は、0.5×10-2Paが好ましく、0.5×10-2Paがより好ましい。
成膜中、ヒータ17によって加熱される基材5の温度は、200℃以上が好ましく、250℃以上がより好ましい。一方、この温度は、400℃以下が好ましく、350℃以下がより好ましい。
あらかじめ、るつぼ12の蒸発源が蒸発して膜が形成される速度(成膜速度)を、水晶式膜厚モニタ18を用いてモニタリングする。
これとは別に、あらかじめ、るつぼ13の蒸発源が蒸発して膜が形成される速度(成膜速度)を、水晶式膜厚モニタ19を用いてモニタリングする。
成膜速度は、蒸発源に照射する電子ビームの条件や、イオンガン14のイオンビームの条件(電流値、電流密度など)を制御することによって、調整される。
イットリウム質保護膜の成膜中は、各蒸発源の成膜速度(単位:nm/min)を、所望の値に調整する。
一方、この成膜速度比(Y2O3/YF3)は、1/1.1以下が好ましく、1/1.3以下がより好ましく、1/1.8以下が更に好ましく、1/2.5以下が特に好ましい。
イオンガン14と基材5との距離は、700mm以上が好ましく、900mm以上がより好ましい。一方、この距離は、1500mm以下が好ましく、1300mm以下がより好ましい。
一方、イオンビーム電流値は、3000mA以下が好ましく、2500mA以下がより好ましい。
一方、イオンビーム電流密度は、140μA/cm2以下が好ましく、120μA/cm2以下がより好ましい。
イットリウム質保護膜を形成する前に、基材5の成膜面に、上述した下地層(例えば、下地層1、下地層2および下地層3)を形成することが好ましい。
下地層は、イットリウム質保護膜と同様に、イオンアシスト蒸着を実施して形成する。
例えば、Al2O3からなる下地層を形成する場合は、るつぼ12および/またはるつぼ13に蒸発源としてAl2O3を充填し、イオンガン14からイオン(イオンビーム)を照射しながら、蒸発源を蒸発させて、基材5の成膜面に付着させる。
下地層を形成する際の条件は、イットリウム質保護膜を形成する際の条件に準ずる。
以下、例1~例20が実施例であり、例21~例27が比較例であり、例28~例30が参考例である。
図5に基づいて説明した装置を用いて、イットリウム質保護膜(保護膜)を製造した。
より詳細には、下記表1に示す製造条件にて、基材の成膜面に、下記表1に示す下地層および保護膜を形成した。基材としては、直径(最大長さ)が200mmの成膜面を有する円形状の基材(厚さ:10mm)を用いた。保護膜の組成は、各元素(Y、O、Fなど)の含有量から求まる組成である。
下記表1に記載しない製造条件として、イオンガンから酸素(O)イオンを照射し、イオンガンと基材との距離は1100mm、イオンビームの電流値は2000mAとした。
例28では、サファイアを保護膜とした。
例29では、金属アルミニウムを保護膜とした。
例30では、石英を保護膜とした。
各例の保護膜について、エッチング量を求めて、耐プラズマ性を評価した。
具体的には、保護膜における10mm×5mmの面を鏡面加工した。鏡面加工した面の一部にカプトンテープを貼ってマスキングして、プラズマガスでエッチングした。その後、触針式表面形状測定機(アルバック社製、Dectak150)を用いて、エッチング部と非エッチング部とに生じた段差を測定することにより、エッチング量を求めた。
プラズマエッチング装置としては、EXAM(神港精機社製、型式:POEM型)を用いた。RIEモード(リアクティブ・イオン・エッチングモード)にて、まず、10Paの圧力、350Wの出力のもと、CF4ガス(流量:100sccm)にO2ガス(流量:10sccm)を混合したガスを用いて、180分エッチングした。次いで、CF4ガス(流量:100sccm)を用いて、180分エッチングした。その後、CF4ガス(流量:100sccm)にO2ガス(流量:10sccm)を混合したガスを用いて、180分エッチングした、最後に、CF4ガス(流量:100sccm)を用いて、180分エッチングした。
エッチング量(単位:nm)が小さいほど、耐プラズマ性に優れると評価できる。
具体的には、エッチング量が200nm以下であれば、耐プラズマ性に優れると評価した。
エッチング後、保護膜のF含有量を測定し、下記式に基づいて、F含有量変化量(単位:原子%)を求めた。
F含有量変化量={(エッチング前のF含有量)-(エッチング後のF含有量)}/(エッチング前のF含有量)
F含有量変化量の値が小さいほど、耐プラズマ性に優れる安定化した保護膜であると評価できる。具体的には、F含有量変化量は10原子%以下が好ましく、5原子%以下がより好ましく、3原子%以下が更に好ましい。
保護膜の形成後、保護膜に目視で視認できるクラックが入っているか否かを確認した。クラックが入っていなかった場合は「無し」を、クラックが入っていた場合は「有り」を下記表1に記載した。
上記表1に示すように、例1~例20のイットリウム質保護膜は、耐プラズマ性に優れることが分かった。これに対して、例21~例27のイットリウム質保護膜は、耐プラズマ性が不十分であった。
4:イットリウム質保護膜
5:基材
6:部材
7:成膜面
7a:第一成膜面
7b:第二成膜面
11:チャンバ
12、13:るつぼ
14:イオンガン
15:ヒータ
16:支持軸
17:ホルダ
18、19:水晶式膜厚モニタ
Claims (14)
- X線回折パターンにおけるY5O4F7のピーク強度比が80%以上であり、
気孔率が1.5体積%未満であり、
ビッカース硬さが500MPa以上である、イットリウム質保護膜。 - フッ素の含有量が35~60原子%である、請求項1に記載のイットリウム質保護膜。
- 結晶子サイズが30nm以下である、請求項1または2に記載のイットリウム質保護膜。
- 厚さが0.3μm以上である、請求項1~3のいずれか1項に記載のイットリウム質保護膜。
- Y5O4F7の(151)面のロッキングカーブの半値幅が40°以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載のイットリウム質保護膜。
- 基材と、
前記基材の表面である成膜面に配置された、請求項1~5のいずれか1項に記載のイットリウム質保護膜と、を有する部材。 - 前記基材が、セラミックスおよび金属からなる群から選ばれる少なくとも1種で構成され、
前記セラミックスが、ガラス、石英、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムおよび酸窒化アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種であり、
前記金属が、アルミニウムおよびアルミニウムを含有する合金からなる群から選ばれる少なくとも1種である、請求項6に記載のイットリウム質保護膜と、を有する部材。 - 前記成膜面の表面粗さが、算術平均粗さRaで、0.6μm以下である、請求項6または7に記載の部材。
- 前記成膜面の最大長さが30mm以上である、請求項6~8のいずれか1項に記載の部材。
- 前記基材と前記イットリウム質保護膜との間に、1層以上の下地層を有し、
前記下地層は、Al2O3、SiO2、Y2O3、MgO、ZrO2、La2O3、Nd2O3、Yb2O3、Eu2O3およびGd2O3からなる群から選ばれる少なくとも1種の酸化物を含有する、請求項6~9のいずれか1項に記載の部材。 - 前記基材と前記イットリウム質保護膜との間に、2層以上の前記下地層を有し、
前記酸化物は、隣接する前記下地層どうしで互いに異なる、請求項10に記載の部材。 - 前記基材が、前記成膜面として、最大長さを規定する第一成膜面と、前記第一成膜面とは異なる第二成膜面と、を有し、
前記第一成膜面と前記第二成膜面とのなす角が、20°~120°であり、
前記成膜面の全面積に対する前記第二成膜面の面積の割合が、60%以下である、請求項6~11のいずれか1項に記載の部材。 - プラズマエッチング装置またはプラズマCVD装置の内部で使用される、請求項6~12のいずれか1項に記載の部材。
- 請求項1~5のいずれか1項に記載のイットリウム質保護膜を製造する方法であって、
真空中において、酸素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびキセノンからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素のイオンを照射しながら、蒸発源を蒸発させて基材に付着させ、
前記蒸発源として、Y2O3およびYF3を用いる、イットリウム質保護膜の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022024103A JP7154517B1 (ja) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
PCT/JP2023/005071 WO2023157849A1 (ja) | 2022-02-18 | 2023-02-14 | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
TW112105830A TW202340496A (zh) | 2022-02-18 | 2023-02-17 | 釔質保護膜及其製造方法以及構件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022024103A JP7154517B1 (ja) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7154517B1 true JP7154517B1 (ja) | 2022-10-18 |
JP2023120943A JP2023120943A (ja) | 2023-08-30 |
Family
ID=83658126
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022024103A Active JP7154517B1 (ja) | 2022-02-18 | 2022-02-18 | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7154517B1 (ja) |
TW (1) | TW202340496A (ja) |
WO (1) | WO2023157849A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024101102A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | Agc株式会社 | 部材およびその製造方法 |
WO2024101367A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | Agc株式会社 | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017115662A1 (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料 |
WO2018083854A1 (ja) | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料及び皮膜 |
JP2018190983A (ja) | 2017-05-10 | 2018-11-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | チャンバコンポーネント用多層プラズマ腐食防護 |
JP2019019413A (ja) | 2018-10-16 | 2019-02-07 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、該溶射皮膜を形成するための溶射材料、該溶射皮膜の形成方法、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
JP2019147995A (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 学校法人 芝浦工業大学 | 膜付き部材及びその製造方法 |
JP3224084U (ja) | 2018-07-18 | 2019-11-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 原子層堆積法で堆積させた耐浸食性金属フッ化物コーティング |
JP2020525640A (ja) | 2017-05-26 | 2020-08-27 | イオンズ カンパニー リミテッド | フッ化イットリウムオキシドコーティング膜の形成方法およびこれによるフッ化イットリウムオキシドコーティング膜 |
JP2021077899A (ja) | 2019-02-27 | 2021-05-20 | Toto株式会社 | 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置 |
-
2022
- 2022-02-18 JP JP2022024103A patent/JP7154517B1/ja active Active
-
2023
- 2023-02-14 WO PCT/JP2023/005071 patent/WO2023157849A1/ja unknown
- 2023-02-17 TW TW112105830A patent/TW202340496A/zh unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017115662A1 (ja) | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料 |
WO2018083854A1 (ja) | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 日本イットリウム株式会社 | 成膜用材料及び皮膜 |
JP2018190983A (ja) | 2017-05-10 | 2018-11-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | チャンバコンポーネント用多層プラズマ腐食防護 |
JP2020525640A (ja) | 2017-05-26 | 2020-08-27 | イオンズ カンパニー リミテッド | フッ化イットリウムオキシドコーティング膜の形成方法およびこれによるフッ化イットリウムオキシドコーティング膜 |
JP2019147995A (ja) | 2018-02-28 | 2019-09-05 | 学校法人 芝浦工業大学 | 膜付き部材及びその製造方法 |
JP3224084U (ja) | 2018-07-18 | 2019-11-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 原子層堆積法で堆積させた耐浸食性金属フッ化物コーティング |
JP2019019413A (ja) | 2018-10-16 | 2019-02-07 | 信越化学工業株式会社 | イットリウム系フッ化物溶射皮膜、該溶射皮膜を形成するための溶射材料、該溶射皮膜の形成方法、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜 |
JP2021077899A (ja) | 2019-02-27 | 2021-05-20 | Toto株式会社 | 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
LEE Jaehoo., et al,Yttrium Oxyfluoride Coating Deposited by Suspension Plasma Spraying Using Coaxial Feeding,Coatings,10, 481,2020年05月16日 |
LEE Seungjun., et al,Effect of the Dispersion State in Y5O4F7 Suspension on YOF Coating Deposited by Suspension Plasma Spray,Coatings,2021年07月09日,11, 831 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024101102A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | Agc株式会社 | 部材およびその製造方法 |
WO2024101367A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | Agc株式会社 | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023120943A (ja) | 2023-08-30 |
TW202340496A (zh) | 2023-10-16 |
WO2023157849A1 (ja) | 2023-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2023157849A1 (ja) | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 | |
JP2006118053A (ja) | 半導体製造装置用部材 | |
JP6388188B1 (ja) | 成膜用材料及び皮膜 | |
JP6801773B2 (ja) | 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置 | |
TW201833060A (zh) | 用於半導體腔室應用之陶瓷塗層之溶液前驅物電漿噴塗 | |
JP6597922B1 (ja) | 複合構造物および複合構造物を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置 | |
US6524731B1 (en) | Corrosion-resistant member and method of producing the same | |
JP5031259B2 (ja) | 耐食性部材とその製造方法およびこれを用いた半導体・液晶製造装置 | |
JP2021077900A (ja) | 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置 | |
WO2024101367A1 (ja) | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 | |
WO2024038674A1 (ja) | イットリウム質保護膜およびその製造方法ならびに部材 | |
KR102582528B1 (ko) | 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 | |
WO2024101102A1 (ja) | 部材およびその製造方法 | |
JP2009029686A (ja) | 耐食性部材およびその製造方法ならびに処理装置 | |
US12051568B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
CN118696147A (zh) | 钇质保护膜及其制造方法和构件 | |
TWI778587B (zh) | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 | |
TWI777504B (zh) | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 | |
JP7140222B2 (ja) | 複合構造物および複合構造物を備えた半導体製造装置 | |
TW202238998A (zh) | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 | |
TW202237397A (zh) | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 | |
TW202346240A (zh) | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 | |
TW202334060A (zh) | 複合結構物及具備複合結構物之半導體製造裝置 | |
JP2023145143A (ja) | プラズマ処理装置用部材 | |
KR20240101878A (ko) | 복합 구조물 및 복합 구조물을 구비한 반도체 제조 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220318 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7154517 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |