JP2002222767A - 真空装置用治具の形成方法 - Google Patents
真空装置用治具の形成方法Info
- Publication number
- JP2002222767A JP2002222767A JP2001019038A JP2001019038A JP2002222767A JP 2002222767 A JP2002222767 A JP 2002222767A JP 2001019038 A JP2001019038 A JP 2001019038A JP 2001019038 A JP2001019038 A JP 2001019038A JP 2002222767 A JP2002222767 A JP 2002222767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- jig
- vacuum
- film
- oxide film
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】真空チャンバー内のパーティクルを抑え、かつ
真空度を劣化させない高信頼性の真空装置用治具の形成
方法を提供する。 【解決手段】（ａ）に示すように、母材１１表面をブラ
スト処理することにより、母材１１表面を粗面にしてお
く。次に、（ｂ）に示すように、母材１１のブラスト処
理面に例えばＡｌを主成分とする溶射部材１２を溶射す
る。次に、（ｃ）に示すように、溶射部材１２表面に原
子層レベルの極薄い酸化膜１３を被覆し、これを最表面
とする。この酸化膜１３は、１５〜２３個程度の原子の
積層によって構成された層であり、Ｏ2 ガス、またはＯ
3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるいはＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）等にて形成する。酸化膜１
３に代えて窒化膜を被覆するようにしてもよい。
真空度を劣化させない高信頼性の真空装置用治具の形成
方法を提供する。 【解決手段】（ａ）に示すように、母材１１表面をブラ
スト処理することにより、母材１１表面を粗面にしてお
く。次に、（ｂ）に示すように、母材１１のブラスト処
理面に例えばＡｌを主成分とする溶射部材１２を溶射す
る。次に、（ｃ）に示すように、溶射部材１２表面に原
子層レベルの極薄い酸化膜１３を被覆し、これを最表面
とする。この酸化膜１３は、１５〜２３個程度の原子の
積層によって構成された層であり、Ｏ2 ガス、またはＯ
3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるいはＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）等にて形成する。酸化膜１
３に代えて窒化膜を被覆するようにしてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造に
係り、特に薄膜形成装置の真空チャンバー内壁への堆積
物防着用の治具に適用される真空装置用治具の形成方法
に関する。
係り、特に薄膜形成装置の真空チャンバー内壁への堆積
物防着用の治具に適用される真空装置用治具の形成方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ製造工程（ウェハ工程）の一つに
薄膜形成工程がある。薄膜形成工程には、真空蒸着やス
パッタ蒸着などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition
）、気相成長技術、いわゆるＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）による成膜方法があげられる。
薄膜形成工程がある。薄膜形成工程には、真空蒸着やス
パッタ蒸着などのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition
）、気相成長技術、いわゆるＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition ）による成膜方法があげられる。
【０００３】これらの薄膜形成工程は、成膜室、いわゆ
る真空チャンバー内で達成される。真空チャンバー内で
は成膜処理が繰り返されると、排気されなかった残留物
質が蓄積される。残留物質はチャンバー内壁やウェハス
テージ等周辺装置まわりに堆積物として付着、剥離する
ことによってパーティクル汚染を引き起こす。そこで、
チャンバー内要所の堆積物防着用に真空装置用治具が設
置され、一定期間毎に堆積物が蓄積された治具を清浄な
治具（再生品）と交換する。これにより、成膜中のパー
ティクル発生を抑えている。
る真空チャンバー内で達成される。真空チャンバー内で
は成膜処理が繰り返されると、排気されなかった残留物
質が蓄積される。残留物質はチャンバー内壁やウェハス
テージ等周辺装置まわりに堆積物として付着、剥離する
ことによってパーティクル汚染を引き起こす。そこで、
チャンバー内要所の堆積物防着用に真空装置用治具が設
置され、一定期間毎に堆積物が蓄積された治具を清浄な
治具（再生品）と交換する。これにより、成膜中のパー
ティクル発生を抑えている。
【０００４】上記真空装置用治具においては、従来、ス
テンレス等の金属板の表面をウェット洗浄により滑らか
にしたもの、または、ブラスト（ホーニング）洗浄によ
り粗面にしたものを治具再生品として用いていた。しか
し、前者は表面が平面であるため堆積物の密着強度が小
さいという問題があり、後者は堆積物の密着度は大きく
なるが、ブラスト処理面自体のパーティクル汚染が懸念
される。
テンレス等の金属板の表面をウェット洗浄により滑らか
にしたもの、または、ブラスト（ホーニング）洗浄によ
り粗面にしたものを治具再生品として用いていた。しか
し、前者は表面が平面であるため堆積物の密着強度が小
さいという問題があり、後者は堆積物の密着度は大きく
なるが、ブラスト処理面自体のパーティクル汚染が懸念
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】最近では、上記真空装
置用治具は、溶射によって表面積を大きくし、堆積物の
密着強度を向上させる技術が適用されている。すなわ
ち、ステンレス等の金属板を母材として、表面にＴｉ、
Ａｌなどを溶射し堆積物が密着し易い表面積の大きな治
具表面を形成するのである。しかしながら、成膜処理
中、溶射物質の再脱離や脱ガスが少なからずあり、真空
チャンバー内におけるパーティクル汚染や真空度低下の
一因となっている。
置用治具は、溶射によって表面積を大きくし、堆積物の
密着強度を向上させる技術が適用されている。すなわ
ち、ステンレス等の金属板を母材として、表面にＴｉ、
Ａｌなどを溶射し堆積物が密着し易い表面積の大きな治
具表面を形成するのである。しかしながら、成膜処理
中、溶射物質の再脱離や脱ガスが少なからずあり、真空
チャンバー内におけるパーティクル汚染や真空度低下の
一因となっている。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、真空チャンバー内のパーティクルを抑え、
かつ真空度を劣化させない高信頼性の真空装置用治具の
形成方法を提供しようとするものである。
れたもので、真空チャンバー内のパーティクルを抑え、
かつ真空度を劣化させない高信頼性の真空装置用治具の
形成方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る真空装置用
治具の形成方法は、成膜処理を行う真空チャンバー内部
での堆積物防着用として真空チャンバー内に配備される
治具に関し、母材をブラスト処理してから溶射部材を溶
射し、さらにこの溶射部材表面に原子層レベルの極薄い
酸化膜または窒化膜を被覆し最表面とすることを特徴と
する。
治具の形成方法は、成膜処理を行う真空チャンバー内部
での堆積物防着用として真空チャンバー内に配備される
治具に関し、母材をブラスト処理してから溶射部材を溶
射し、さらにこの溶射部材表面に原子層レベルの極薄い
酸化膜または窒化膜を被覆し最表面とすることを特徴と
する。
【０００８】上記本発明に係る真空装置用治具の形成方
法によれば、最表面における原子層レベルの極薄い酸化
膜または窒化膜の形成により、溶射部材における溶射物
質の再脱離の防止、脱ガスの防止に寄与する。さらに、
堆積物は、最表面の酸化膜または窒化膜の除去と共に落
とせる。
法によれば、最表面における原子層レベルの極薄い酸化
膜または窒化膜の形成により、溶射部材における溶射物
質の再脱離の防止、脱ガスの防止に寄与する。さらに、
堆積物は、最表面の酸化膜または窒化膜の除去と共に落
とせる。
【０００９】また、本発明に係る真空装置用治具の形成
方法は、成膜処理を行う真空チャンバー内部での堆積物
防着用として真空チャンバー内に配備される治具に関
し、母材をブラスト処理してからジルコニウムまたはチ
タンを主成分とする中間層をコーティングし、この中間
層上に溶射部材を溶射し、さらにこの溶射部材表面に原
子層レベルの極薄い酸化膜または窒化膜を被覆し最表面
とすることを特徴とする。
方法は、成膜処理を行う真空チャンバー内部での堆積物
防着用として真空チャンバー内に配備される治具に関
し、母材をブラスト処理してからジルコニウムまたはチ
タンを主成分とする中間層をコーティングし、この中間
層上に溶射部材を溶射し、さらにこの溶射部材表面に原
子層レベルの極薄い酸化膜または窒化膜を被覆し最表面
とすることを特徴とする。
【００１０】上記本発明に係る真空装置用治具の形成方
法によれば、最表面における原子層レベルの極薄い酸化
膜または窒化膜の形成により、溶射部材における溶射物
質の再脱離の防止、脱ガスの防止に寄与する。ジルコニ
ウムまたはチタンを主成分とする中間層を介在させるこ
とによって、溶射部材に含まれた水分その他の脱ガス成
分が吸着されるよう作用する。さらに、堆積物は、最表
面の酸化膜または窒化膜の除去と共に落とせる。
法によれば、最表面における原子層レベルの極薄い酸化
膜または窒化膜の形成により、溶射部材における溶射物
質の再脱離の防止、脱ガスの防止に寄与する。ジルコニ
ウムまたはチタンを主成分とする中間層を介在させるこ
とによって、溶射部材に含まれた水分その他の脱ガス成
分が吸着されるよう作用する。さらに、堆積物は、最表
面の酸化膜または窒化膜の除去と共に落とせる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ
本発明の第１実施形態に係る真空装置用治具の形成方法
を工程順に示す断面図である。真空装置用治具１０は、
半導体装置製造における薄膜形成工程に関し、成膜室で
ある真空チャンバー内の要所において、チャンバー内壁
やウェハステージ等周辺装置まわりへの堆積物防着用と
して設置されるものである。
本発明の第１実施形態に係る真空装置用治具の形成方法
を工程順に示す断面図である。真空装置用治具１０は、
半導体装置製造における薄膜形成工程に関し、成膜室で
ある真空チャンバー内の要所において、チャンバー内壁
やウェハステージ等周辺装置まわりへの堆積物防着用と
して設置されるものである。
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、所定形状
に整えられた例えばステンレス製の母材１１表面をブラ
スト処理することにより、母材１１表面を粗面にしてお
く。次に、図１（ｂ）に示すように、母材１１のブラス
ト処理面に例えばＡｌを主成分とする溶射部材１２を粒
径５〜１０μｍ程度で１０〜２０μｍ程度の厚さを有す
るように溶射する。溶射は、溶射ガンによる吹き付け、
またはガスプラズマ雰囲気中での溶射部材の吹き付け等
で達成する。Ａｌに代えてＴｉを主成分とする溶射部材
１２を溶射してもよい。
に整えられた例えばステンレス製の母材１１表面をブラ
スト処理することにより、母材１１表面を粗面にしてお
く。次に、図１（ｂ）に示すように、母材１１のブラス
ト処理面に例えばＡｌを主成分とする溶射部材１２を粒
径５〜１０μｍ程度で１０〜２０μｍ程度の厚さを有す
るように溶射する。溶射は、溶射ガンによる吹き付け、
またはガスプラズマ雰囲気中での溶射部材の吹き付け等
で達成する。Ａｌに代えてＴｉを主成分とする溶射部材
１２を溶射してもよい。
【００１３】次に、図１（ｃ）に示すように、溶射部材
１２表面に原子層レベルの極薄い酸化膜１３を被覆し、
これを最表面とする。この酸化膜１３は、１５〜２３個
程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ2 ガ
ス、またはＯ3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるい
はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成す
る。膜厚を原子層レベルとしたことは、あまり厚さを大
きくすると使用するチャンバー内雰囲気に影響を及ぼす
恐れがあるからである。酸化膜１３に代えて窒化膜を被
覆するようにしてもよい。
１２表面に原子層レベルの極薄い酸化膜１３を被覆し、
これを最表面とする。この酸化膜１３は、１５〜２３個
程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ2 ガ
ス、またはＯ3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるい
はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成す
る。膜厚を原子層レベルとしたことは、あまり厚さを大
きくすると使用するチャンバー内雰囲気に影響を及ぼす
恐れがあるからである。酸化膜１３に代えて窒化膜を被
覆するようにしてもよい。
【００１４】上記実施形態の方法によれば、ブラスト処
理面に応じた各積層によって治具表面の表面積を大きく
することができ、かつ表面が曲面で構成されるので、堆
積物の密着強度は良好性を維持できる。また、最表面に
おける原子層レベルの極薄い酸化膜１３（または窒化
膜）の形成により、溶射部材１２における溶射物質の再
脱離の防止、脱ガスの防止に寄与する。これにより、真
空チャンバー内のパーティクル削減、所定真空度までの
到達時間の短縮が図れる。
理面に応じた各積層によって治具表面の表面積を大きく
することができ、かつ表面が曲面で構成されるので、堆
積物の密着強度は良好性を維持できる。また、最表面に
おける原子層レベルの極薄い酸化膜１３（または窒化
膜）の形成により、溶射部材１２における溶射物質の再
脱離の防止、脱ガスの防止に寄与する。これにより、真
空チャンバー内のパーティクル削減、所定真空度までの
到達時間の短縮が図れる。
【００１５】さらに、この真空装置用治具１０上に付着
した堆積物は、最表面の酸化膜１３のみを除去すれば落
とせる（リフトオフエッチング）。これにより、治具再
生が極めて容易となり、コスト削減が期待できる。
した堆積物は、最表面の酸化膜１３のみを除去すれば落
とせる（リフトオフエッチング）。これにより、治具再
生が極めて容易となり、コスト削減が期待できる。
【００１６】図２（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の
第２実施形態に係る真空装置用治具の形成方法を工程順
に示す断面図である。真空装置用治具２０は、半導体装
置製造における薄膜形成工程に関し、成膜室である真空
チャンバー内の要所において、チャンバー内壁やウェハ
ステージ等周辺装置まわりへの堆積物防着用として設置
されるものである。
第２実施形態に係る真空装置用治具の形成方法を工程順
に示す断面図である。真空装置用治具２０は、半導体装
置製造における薄膜形成工程に関し、成膜室である真空
チャンバー内の要所において、チャンバー内壁やウェハ
ステージ等周辺装置まわりへの堆積物防着用として設置
されるものである。
【００１７】まず、図２（ａ）に示すように、所定形状
に整えられた例えばステンレス製の母材２１表面をブラ
スト処理することにより、母材２１表面を粗面にしてお
く。次に、図２（ｂ）に示すように、母材２１のブラス
ト処理面に例えばＺｒを主成分とする中間層２２を適当
な厚さを持つようにコーティングする。中間層２２のコ
ーティングはメッキ法（電解メッキ、無電解メッキ）や
ＣＶＤ法等を利用して達成する。Ｚｒに代えてＴｉを主
成分とする中間層２２を形成してもよい。
に整えられた例えばステンレス製の母材２１表面をブラ
スト処理することにより、母材２１表面を粗面にしてお
く。次に、図２（ｂ）に示すように、母材２１のブラス
ト処理面に例えばＺｒを主成分とする中間層２２を適当
な厚さを持つようにコーティングする。中間層２２のコ
ーティングはメッキ法（電解メッキ、無電解メッキ）や
ＣＶＤ法等を利用して達成する。Ｚｒに代えてＴｉを主
成分とする中間層２２を形成してもよい。
【００１８】次に、図１（ｃ）に示すように、中間層２
２上に例えばＡｌを主成分とする溶射部材２３を粒径５
〜１０μｍ程度で１０〜２０μｍ程度の厚さを有するよ
うに溶射する。溶射は、溶射ガンによる吹き付け、また
はガスプラズマ雰囲気中での溶射部材の吹き付け等で達
成する。Ａｌに代えてＴｉを主成分とする溶射部材２３
を溶射してもよい。
２上に例えばＡｌを主成分とする溶射部材２３を粒径５
〜１０μｍ程度で１０〜２０μｍ程度の厚さを有するよ
うに溶射する。溶射は、溶射ガンによる吹き付け、また
はガスプラズマ雰囲気中での溶射部材の吹き付け等で達
成する。Ａｌに代えてＴｉを主成分とする溶射部材２３
を溶射してもよい。
【００１９】次に、図１（ｄ）に示すように、溶射部材
２３表面に原子層レベルの極薄い酸化膜２４を被覆し、
これを最表面とする。この酸化膜２４は、１５〜２３個
程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ2 ガ
ス、またはＯ3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるい
はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成す
る。あまり厚さを大きくすると使用するチャンバー内雰
囲気に影響を及ぼす恐れがあるからである。酸化膜２４
に代えて窒化膜を被覆するようにしてもよい。
２３表面に原子層レベルの極薄い酸化膜２４を被覆し、
これを最表面とする。この酸化膜２４は、１５〜２３個
程度の原子の積層によって構成された層であり、Ｏ2 ガ
ス、またはＯ3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるい
はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等にて形成す
る。あまり厚さを大きくすると使用するチャンバー内雰
囲気に影響を及ぼす恐れがあるからである。酸化膜２４
に代えて窒化膜を被覆するようにしてもよい。
【００２０】上記実施形態の方法によれば、ブラスト処
理面に応じた各積層によって治具表面の表面積を大きく
することができ、かつ表面が曲面で構成されるので、堆
積物の密着強度は良好性を維持できる。
理面に応じた各積層によって治具表面の表面積を大きく
することができ、かつ表面が曲面で構成されるので、堆
積物の密着強度は良好性を維持できる。
【００２１】また、最表面における原子層レベルの極薄
い酸化膜２４（または窒化膜）の形成により、溶射部材
２３における溶射物質の再脱離の防止、脱ガスの防止に
寄与する。かつ、ジルコニウムまたはチタンを主成分と
する中間層２２を介在させることによって、溶射部材２
３に含まれた水分その他の脱ガス成分を吸着する作用を
持たせる。これにより、真空チャンバー内のパーティク
ル削減、所定真空度までの到達時間の短縮が図れる。
い酸化膜２４（または窒化膜）の形成により、溶射部材
２３における溶射物質の再脱離の防止、脱ガスの防止に
寄与する。かつ、ジルコニウムまたはチタンを主成分と
する中間層２２を介在させることによって、溶射部材２
３に含まれた水分その他の脱ガス成分を吸着する作用を
持たせる。これにより、真空チャンバー内のパーティク
ル削減、所定真空度までの到達時間の短縮が図れる。
【００２２】さらに、この真空装置用治具２０上に付着
した堆積物は、最表面の酸化膜２４のみを除去すれば落
とせる（リフトオフエッチング）。これにより、治具再
生が極めて容易となり、コスト削減が期待できる。
した堆積物は、最表面の酸化膜２４のみを除去すれば落
とせる（リフトオフエッチング）。これにより、治具再
生が極めて容易となり、コスト削減が期待できる。
【００２３】図３は、スパッタリング装置における上記
第１または第２実施形態に係る真空装置用治具（１０ま
たは２０）の設置例を示す構成図である。スパッタリン
グ装置３０は、真空チャンバー３１内にターゲット３２
と半導体ウェハＷＦを上下に対向させるタイプである。
真空チャンバー３１内には、内壁面への防着用として、
真空装置用治具１０（または２０）が要所に設置され
る。すなわち、ターゲット３２とウェハＷＦの対向周
辺、ウェハステージ（昇降機含む）３３周辺、真空チャ
ンバー３１内壁面等に真空装置用治具１０（または２
０）が設置されるのである。このような真空装置用治具
１０（または２０）は、堆積物が蓄積する一定期間毎に
清浄な治具（再生品）と交換される。
第１または第２実施形態に係る真空装置用治具（１０ま
たは２０）の設置例を示す構成図である。スパッタリン
グ装置３０は、真空チャンバー３１内にターゲット３２
と半導体ウェハＷＦを上下に対向させるタイプである。
真空チャンバー３１内には、内壁面への防着用として、
真空装置用治具１０（または２０）が要所に設置され
る。すなわち、ターゲット３２とウェハＷＦの対向周
辺、ウェハステージ（昇降機含む）３３周辺、真空チャ
ンバー３１内壁面等に真空装置用治具１０（または２
０）が設置されるのである。このような真空装置用治具
１０（または２０）は、堆積物が蓄積する一定期間毎に
清浄な治具（再生品）と交換される。
【００２４】なお、上記各実施形態によれば、真空装置
用治具１０または２０の母材はステンレス製を例に示し
たが、これに限らず、その他母材として、Ａｌを主成分
とする母材、Ｔｉを主成分とする母材等の適用も考えら
れる。
用治具１０または２０の母材はステンレス製を例に示し
たが、これに限らず、その他母材として、Ａｌを主成分
とする母材、Ｔｉを主成分とする母材等の適用も考えら
れる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、最
表面における原子層レベルの極薄い酸化膜または窒化膜
の形成により、溶射部材における溶射物質の再脱離の防
止、脱ガスの防止に寄与する。さらに、堆積物は、最表
面の酸化膜または窒化膜の除去と共に落とせる（リフト
オフエッチング）。この結果、真空チャンバー内のパー
ティクルを抑え、かつ真空度を劣化させない高信頼性の
真空装置用治具の形成方法を提供することができる。
表面における原子層レベルの極薄い酸化膜または窒化膜
の形成により、溶射部材における溶射物質の再脱離の防
止、脱ガスの防止に寄与する。さらに、堆積物は、最表
面の酸化膜または窒化膜の除去と共に落とせる（リフト
オフエッチング）。この結果、真空チャンバー内のパー
ティクルを抑え、かつ真空度を劣化させない高信頼性の
真空装置用治具の形成方法を提供することができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の第１実施
形態に係る真空装置用治具の形成方法を工程順に示す断
面図である。
形態に係る真空装置用治具の形成方法を工程順に示す断
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の第２実施
形態に係る真空装置用治具の形成方法を工程順に示す断
面図である。
形態に係る真空装置用治具の形成方法を工程順に示す断
面図である。
【図３】スパッタリング装置における上記第１または第
２実施形態に係る真空装置用治具の設置例を示す構成図
である。
２実施形態に係る真空装置用治具の設置例を示す構成図
である。
１０，２０…真空装置用治具 １１，２１…母材 １２，２３…溶射部材 １３，２４…原子層レベルの極薄い酸化膜 ２２…中間層 ３０…スパッタリング装置 ３１…真空チャンバー ３２…ターゲット ３３…ウェハステージ（昇降機含む）
Claims (2)
- 【請求項１】 成膜処理を行う真空チャンバー内部での
堆積物防着用として真空チャンバー内に配備される治具
に関し、 母材をブラスト処理してから溶射部材を溶射し、さらに
この溶射部材表面に原子層レベルの極薄い酸化膜または
窒化膜を被覆し最表面とすることを特徴とする真空装置
用治具の形成方法。 - 【請求項２】 成膜処理を行う真空チャンバー内部での
堆積物防着用として真空チャンバー内に配備される治具
に関し、 母材をブラスト処理してからジルコニウムまたはチタン
を主成分とする中間層をコーティングし、この中間層上
に溶射部材を溶射し、さらにこの溶射部材表面に原子層
レベルの極薄い酸化膜または窒化膜を被覆し最表面とす
ることを特徴とする真空装置用治具の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019038A JP2002222767A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 真空装置用治具の形成方法 |
| US10/050,913 US6599581B2 (en) | 2001-01-26 | 2002-01-22 | Method of fabricating jig for vacuum apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001019038A JP2002222767A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 真空装置用治具の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002222767A true JP2002222767A (ja) | 2002-08-09 |
Family
ID=18884984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001019038A Withdrawn JP2002222767A (ja) | 2001-01-26 | 2001-01-26 | 真空装置用治具の形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6599581B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002222767A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062362A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | プラズマ処理装置 |
| JP2013133522A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置及びパーティクル捕獲板 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040084305A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Sputtering system and manufacturing method of thin film |
| CN101010448B (zh) * | 2005-06-23 | 2010-09-29 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理装置用的构成部件及其制造方法 |
| WO2010092787A1 (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | 日本ゼオン株式会社 | カーボンナノチューブ配向集合体の製造装置 |
| SG11201508512PA (en) * | 2013-05-23 | 2015-12-30 | Applied Materials Inc | A coated liner assembly for a semiconductor processing chamber |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482612A (en) * | 1992-10-27 | 1996-01-09 | Texas Instruments Incorporated | Methods and systems for shielding in sputtering chambers |
| JP2971369B2 (ja) * | 1995-08-31 | 1999-11-02 | トーカロ株式会社 | 静電チャック部材およびその製造方法 |
| WO1998055666A1 (en) * | 1997-06-04 | 1998-12-10 | Semiconductor Equipment Technology, Inc. | Shield for sputter coating method and apparatus |
| JP3530021B2 (ja) * | 1998-05-25 | 2004-05-24 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその処理台 |
-
2001
- 2001-01-26 JP JP2001019038A patent/JP2002222767A/ja not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-01-22 US US10/050,913 patent/US6599581B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005062362A1 (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | プラズマ処理装置 |
| JP2013133522A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置及びパーティクル捕獲板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6599581B2 (en) | 2003-07-29 |
| US20020100423A1 (en) | 2002-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4970887B2 (ja) | 装置構成部品の再生方法 | |
| JP4950559B2 (ja) | スルーホール電極の形成方法 | |
| TWI533384B (zh) | 製程套組遮罩及其使用方法 | |
| JP2010205854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TWI545650B (zh) | A method for manufacturing a gas sprinkler for a plasma processing chamber and a method for forming the same | |
| US9132496B2 (en) | Reducing formation of oxide on solder | |
| JPH06346223A (ja) | コリメータを有するｐｖｄチャンバの洗浄 | |
| JP2008291299A (ja) | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 | |
| KR102590817B1 (ko) | 적층 장치를 세정하는 방법 | |
| US20230116437A1 (en) | Semiconductor chamber coatings and processes | |
| JPH10229058A (ja) | コーティング付き堆積チャンバ装置 | |
| US7150810B2 (en) | Sputtering target and method for fabricating the same | |
| KR20170128675A (ko) | 다원계 합금 복합 박막 형성공법 | |
| JP2002222767A (ja) | 真空装置用治具の形成方法 | |
| JP2002134481A (ja) | 真空処理装置用部材 | |
| US20120034438A1 (en) | Coated article and method for manufacturing same | |
| TWI411023B (zh) | 整修加工反應室組件的方法 | |
| US7176140B1 (en) | Adhesion promotion for etch by-products | |
| US7250220B1 (en) | Bond strength of coatings to ceramic components | |
| JP3200650B2 (ja) | 高融点金属膜の製造方法 | |
| US6516814B2 (en) | Method of rapid prevention of particle pollution in pre-clean chambers | |
| JPS58202535A (ja) | 被膜形成装置 | |
| US20100247773A1 (en) | Alloy susceptor with improved properties for film deposition | |
| JP2000012523A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20020153023A1 (en) | Method for cleaning out silicon-rich oxide in a pre-clean chamber |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |