TWI533384B - 製程套組遮罩及其使用方法 - Google Patents
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Description
本發明實施例大體上有關於半導體設備，更具體而言，是關於用在半導體製程腔室中的製程套組遮罩。
製程套組遮罩是一種消耗性部件，典型用來延長半導體製程腔室或其他腔室部件(例如，基板支撐件)的使用壽命。通常，製程套組遮罩是由具有高熱傳導性、質輕且價廉的材料所製成。此類材料包括，例如鋁、不鏽鋼或鈦。在大多數的半導體製程過程中會產生金屬和非金屬材料，包括例如鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、矽(Si)、有機物質、聚合物等材料，這些材料可能沉積在製程套組遮罩的表面上。為了避免從製程套組遮罩上剝落的沉積材料掉落在腔室內正進行處理中的基板上而造成污染，製程套組遮罩必須能夠有效地留住沉積材料並且定期清洗。不幸的是，要移除沉積材料必須使用侵蝕性的化學處理，例如使用氫氟酸(HF)或其他腐蝕性化學品，或是使用研磨材料(例如，氧化鋁顆粒)來噴砂以進行機械式移除。此類處理方法在移除沉積顆粒的同時也會磨損製程套組遮罩的表面，使得製程套組遮罩的使用壽命大幅縮短。
因此，在相關技術領域中需要一種具有長使用壽命的製程套組遮罩。
本文提供一種用以將製程腔室內之處理容積與非處理容積分隔開來的製程套組遮罩，以及提供該製程套組遮罩的使用方法。在一些實施例中，該製程套組遮罩可包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含第一層及結合至該第一層的第二層，其中該第一層包含第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的一化學清潔劑，以及該第二層包含第二材料，第二材料與第一材料不相同，且第二材料的熱膨脹係數實質類似於第一材料的熱膨脹係數。
在一些實施例中，一用於處理基板的設備可包括一製程腔室，該製程腔室具有一處理容積和一非處理容積；以及一製程套組遮罩，其設置在該處理腔室內並且將該處理容積與該非處理容積分開來，該製程套組遮罩包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含第一層和第二層，該第一層面向該處理容積以及第二層面向該非處理容積，其中該第二層結合至該第一層，其中該第一層包含第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的化學清潔劑，並且該第二層包含第二材料，第二材料與第一材料不相同，並且第二材料的熱膨脹係數與第一材料的熱膨脹係數實質相似。
在一些實施例中，一種處理基板的方法可包括提供一製程腔室，該製程腔室具有一處理容積和一非處理容積並且具有一製程套組遮罩，該製程套組遮罩設置在該製程腔室內並且將該處理容積和該非處理容積分開來，該製程套組遮罩包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含一第一層和一第二層，該第一層面向該處理容積以及第二層面向該非處理容積，其中該第二層結合至該第一層，其中該第一層包含第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的化學清潔劑，並且該第二層包含一第二材料，該第二材料與該第一材料不相同，並且該第二材料的熱膨脹係數與該第一材料的熱膨脹係數實質相似；放置一基板在該製程腔室中；在該處理容積中形成一電漿；以及，使該基板暴露至該電漿。
在一些實施例中，清潔一製程套組遮罩的方法可包括：提供一製程套組遮罩，該製程套組遮罩包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含一第一層以及結合至該第一層的一第二層，其中該第一層包含第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的化學清潔劑，以及該第二層包含一第二材料，該第二材料與該第一材料不相同，並且該第二材料的熱膨脹係數與該第一材料的熱膨脹係數實質相似，其中該第一層上沉積有污染物；以及使該第一層暴露於化學清潔劑，以移除污染物。
本文提供用製程套組遮罩的方法和設備。在一些實施例中，製程套組遮罩可包含第一層及第二層，該第一層包含第一材料，該第一材料能抵抗處理區域中之製程氣體，並且該第二層包含第二材料，該第二材料具有實質類似於第一材料的熱膨脹係數(CTE)。該新穎的製程套組遮罩可有利且價廉地由能提供期望重量、熱性質和化學清潔處理抗性之數種材料(即，第一材料和第二材料)組合建構而成，進而延長製程套組使用壽命。該新穎的製程套組遮罩可用於如第1圖所示的半導體製程設備中，例如用於製程腔室中。
第1圖繪示一基板處理設備100的概要剖面圖，其具有根據本發明一些實施例之製程套組遮罩110。設備100是建構用於高密度電漿物理氣相沉積(HDPPVD)，有時也稱為自離子化電漿(SIPTM)腔室，其可購自於美國加州聖塔克拉拉市的應用材料公司。設備100僅做為示範範例，其他適當設備，例如用於化學氣相沉積(CVD)、蝕刻、離子佈植及其他可能造成腔室部件上發生非所欲顆粒沉積作用之製程的腔室，亦可與本發明之製程套組遮罩並用。在一些實施例中，另一種適當設備可能包括用於化學機械平坦化製程(CMP)的製程腔室。
設備100包含製程腔室102，該製程腔室102具有處理容積103、非處理容積105以及位於腔室內的支撐基座108，支撐基座108用以在處理過程中支撐基板106。在一些實施例中，例如當用於PVD應用時，靶材104可安裝在鄰近腔室102之頂部處。靶材104可包含即將濺射沉積在基板106上的材料，基板106則放置在基板支撐基座108上。示範的靶材材料可包括鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鍺(Ge)、銻(Sb)、鍗(Te)、上述材料之合金，或其他諸如此類者。在一些實施例中，製程腔室102可更包含用來形成電漿的機構，例如，藉由靶材材料產生離子使靶材材料自我離子化(self-ionization)來產生電漿，詳細內容進一步討論如下。
製程套組遮罩110可設置在製程腔室102中並且設置成可將處理容積103和非處理容積105分隔開來。製程套組(process kit)可能是任何能使處理容積和非處理容積分隔開的適當形狀。例如，在一些實施例中，如第1圖所示者，製程套組遮罩110可具有環形形狀，並且可能具有環繞在支撐基座108周圍的一基底(base)。製程套組遮罩110可保護腔室壁以及腔室的其他非處理部位不接觸到製程副產物，例如從靶材104濺射出的材料、沉積氣體副產物，等等。當利用可變式直流(DC)功率供應器112施加直流功率至靶材104時，製程套組遮罩110更可做為接地陽極。
如第1圖所示般，製程套組遮罩110通常包含一主體，該主體具有一壁。如詳細繪示於第2圖般，製程套組遮罩110的壁包含由第一材料形成的第一層202以及由第二材料形成的第二層204。第一層202建構成面向處理容積103，並且第二層204建構成面向非處理容積105。在第1圖所顯示的實施例中，第一層202可為內層或面內層(inward facing layer)，並且第二層204可為外層或面外層。
為了提供製程套組遮罩110一具有面向處理容積103之第一材料以及不接觸處理容積之第二材料的壁面，製程套組遮罩110可由不同材料製成，該些不同材料共同合作，以提供相較於習知製程套組遮罩而言更佳的性能。舉例而言，第一層202可提供下列一或多種性能：對製程腔室條件(例如，化學品、電漿)的抗性、能利用機械式手段(例如，噴砂、機械加工、塑形、雷射、電子束等方法)形成紋理；及/或對於沉積物移除製程(例如，化學剝蝕劑、噴砂等等)的化學抗性。此外，第二層204可提供一或多種下列性能：高熱傳導性(例如，幫助快速冷卻及/或加熱)、與製程側遮罩(例如，第一層202)相匹配的熱膨脹係數、導電性、磁性及/或重量輕。
在一些實施例中，第一層202可包含能抵抗處理環境的材料，處理環性則例如是在處理及/或清潔過程中第一層202將會接觸到的物質、化學品、電漿，等等。就其本身而言，第一材料適用以改善對於用來從製程套組遮罩上移除沉積材料之清潔製程中使用之例如氫氟酸(HF)及其他腐蝕性化學品的抗性。在一些實施例中，第一材料包含不鏽鋼、鎳、鉭、鈦或其他此類材料的其中至少一種。
在一些實施例中，第一層202亦可包含一紋理表面，用以持留住例如從靶材104濺射出來之顆粒及/或該些顆粒沉積在第一層202表面上所形成的膜層。該紋理表面通常能夠留住沉積膜層且不會有顆粒脫落。在一些實施例中，該紋理表面能夠持留住直徑大於或等於約0.009微米(microns)的顆粒。在一些實施例中，該紋理表面能夠持留住直徑大於或等於約0.016微米的顆粒。可藉由諸如噴砂、機械加工(machining)、雷射或電子束蝕刻等紋理化製成來形成該紋理表面。例如，當使用根據本發明之製程套組遮罩時，可利用沖模、機械加工、電弧噴塗、陽極處理(anodizing)、化學紋理化法、或CLEANCOATTM處理及/或清潔與紋理化製程等方法在第一層202的內表面或面向製程表面上形成紋理，從而有利於製程透明性(process transparency)。
第二層204並不直接暴露於處理環境中，且通常可由任何適當材料製成。在一些實施例中，第二層204可由適合提供質輕(low weight)、高熱傳導性、高導電性、磁屏蔽性、熱膨脹係數(CTE)與第一層202幾乎匹配或上述特性之組合的第二材料所製成。第二材料可能是任何用於提供一或多種上述特性的適當材料。例如，在一些實施例中，第二材料可能是鋁和矽的複合材料。鋁矽複合材料可有利地提供鋁的高熱傳導性，同時允許藉著控制矽含量來修改材料的熱膨脹係數。例如，熱膨脹係數(CTE)可調整在介於約5至約22(相當於純鋁)的範圍之間，從而有利於使第二材料的CTE能與適用於形成第一層202之各種第一材料相匹配。
以具有高熱傳導性的材料來製造第二層204有助於使製程套組遮罩110保持一較低溫度，從而有利於降低溫度波動(thermal swings)，溫度波動可能造成沉積在遮罩上的材料剝落。較低溫度的製程套組遮罩110亦可能導致在遮罩表面上有較少顆粒生成，從而延長製程套組遮罩的平均清洗間隔時間。例如，本案發明人發現，在執行一示範性沉積製程時，完全由不鏽鋼製成的製程套組遮罩可能會受熱升溫至高達600℃。然而，完全由鋁製成的製程套組遮罩在同樣的製程過程中則保持約80℃的溫度。因此，藉著為本發明之製程套組遮罩110提供一例如含有不鏽鋼且面向製程的第一層以及一含有鋁和矽的第二層，可有利地將該第一層材料的化學抗性與在製程全程中保持低溫的能力結合起來，從而可在某些製程(例如，CVD製程)中降低製程套組遮罩上的材料沉積速度。在一些實施例中，製程套組遮罩在製程過程中到達的溫度可藉於約100℃至約200℃。
此外，第一層202和第二層204的熱膨脹係數相匹配有利於維持第一層202和第二層204之間牢固的結合。藉著使第一層202的CTE與第二層204的CTE相匹配(matching)，可使兩層之接合界面處的應力(stress)不會過高到足以摧毀該結合。適當結合的第一層202和第二層204亦可避免實質洩漏，並且可為目前的固體鋁遮罩提供製程透明性(process transparency)。舉例而言，第一層202耦合或結合(bonded)至第二層204，而整體形成製程套組遮罩110的壁。第一層202和第二層204可藉由任何適當的方式形成或結合在一起，以在兩層之間形成完整結合，適當方式可例如提供能被壓合在一起的圓筒狀(cylindrical)材料、將一材料(面向製程之第一材料或第二材料擇一)噴塗在另一材料的表面上、將一材料(面向製程之第一材料或第二材料擇一)的粉末以電磁成形方式(magneforming)形成在另一材料的表面上，等等。
為了幫助保持第一層202和第二層204之間的牢固結合以承受製程條件(例如，高溫)，可選擇第一材料和第二材料使其具有相似的熱膨脹係數(CTE)。在一些實施例中，第一材料與第二材料之間的熱膨脹係數差異小於約10%。在一些實施例中，第一材料與第二材料之間的熱膨脹係數差異小於約3ppm/℃。舉例而言，在一些實施例中，第一材料可以是CTE約14至16的不鏽鋼，並且第二材料可以是藉著控制矽含量而使CTE亦為約14至16的鋁矽合金。
除了基於上述理由選擇第一材料和第二材料之外，亦可選擇第一材料及/或第二材料以提供其他優點，例如可傳遞、減弱或屏蔽處理容積103中之磁場的能力、提供傳導及/非傳導性質，或其他諸如此類之性質。此外，雖然第2圖中繪示製程套組遮罩具有兩層，但製程套組遮罩110可包含兩層以上的膜層，並且使各層的CTE都幾乎相匹配。例如，可使用具有超過兩層的遮罩，以提供熱傳導性、磁屏蔽性、導電性、相鄰層之間具有低CTE差異以及/或化學抗性，其中每一層提供至少一部分期望擁有的特性，使得該製程套組遮罩整體提供全部期望擁有的特性。
回到第1圖，製程氣體供應器114供應製程氣體(例如，氬氣)至製程腔室102，製程氣體供應器114包含製程氣體源116和第一質量流量控制器120。若欲執行反應性濺射以濺射沉積氮化金屬層，例如TaN，可提供第二氣體供應器118，其包含氮氣源122和第二質量流量控制器126。圖中顯示製程腔室102在靠近腔室102的頂部接收氬氣和氮氣，但也可建構成在其他位置接收該些氣體，例如可在靠近製程腔室102的底部處接收氣體。提供幫浦124用以抽空製程腔室102至執行濺射製程的壓力；並且射頻(RF)功率源130透過耦合電容132連接至基座108，用以例如在濺射過程中偏壓基板106。
為了促進有效濺射，磁控管134以可旋轉的方式安裝在靶材104上方以塑造電漿形狀。磁控管134可以是任何能產生深入延伸至腔室102中(例如朝向基座108)之非對稱性磁場的磁控管形式，以提高電漿的離子化密度，如美國專利6,183,614號所揭示者，該專利以引用方式全文納入本文中以供參考。在一些實施例中，當採用此類非對稱性磁場時，例如在電漿主體區域中的離子化金屬密度可達1010至1011金屬離子/立方公分(metal ions/cm3)。在此類系統中，已離子化的金屬原子會順著延伸至腔室102中的磁場線移動，因此會以更高的方向性和效率來塗覆基板106。磁控管134可以例如60至100rpm的轉速旋轉。在其他實施例中，可使用固定式磁環，來取代旋轉磁控管134。
提供控制器128以控制腔室102的運作。控制器128通常包括中央處理單元(CPU)、記憶體和支援電路(未顯示)。控制器128耦合至腔室102的控制模組和多個裝置。操作時，控制器128直接控制多個模組以及設備100的運作，或者控制與該些模組和裝置相關的管理電腦(及/或控制器)。可操作地連接控制器128以控制DC功率供應器112、第一質量流量控制器120、第二質量流量控制器126、幫浦124以及RF功率源130。同樣地，可耦合控制器128以控制基座108的位置及/或溫度。例如，控制器128可控制基座108和靶材104之間的距離，以及控制基座108的加熱及/或冷卻。控制器128可例如指揮製程腔室，以在該製程腔室中執行以下將參照第3圖所述的基板處理方法。
第3圖繪示根據本發明一些實施例之基板處理方法的流程圖。以下參照第1和2圖之設備100及製程套組遮罩110來說明方法300。
方法300始於步驟302，在步驟302提供具有製程套組遮罩110的製程腔室102。製程套組遮罩110可如上述般將製程腔室102的處理容積103與非處理容積105分隔開來。
在步驟304，於製程腔室102的處理容積103中處理基板106。例如，在一示例性PVD製程中，處理製程開始於從製程氣體供應器114引導氬氣進入處理容積103中，並且由DC功率供應器提供功率以點燃氬氣使之形成電漿。電漿中產生的正電氬氣離子會被帶附電荷的靶材104所吸引，而以足夠的能量來撞擊靶材104，造成靶材原子從靶材104中濺射出來。部分的濺射原子撞擊基板106並且沉積在基板上，因而在基板106上形成由靶材材料構成的薄膜。
在基板106的處理過程中，處理容積103內的濺射或離子化靶材原子和其他製程副產物可能沉積在製程套組遮罩110之第一層202面向處理容積103的表面上。在處理過程中，形成在第一層202表面上的沉積材料，其厚度可能足以造成材料剝落以及污染基板106。在一些實施例中，為了延長平均清洗間隔時間以及進一步減少基板的污染，第一層202的面向製程表面(process-facing surface)可能具有紋理並且能夠留住直徑大於約0.016微米的顆粒。該紋理表面有助於使沉積在第一層202上的材料更平均地分佈以及/或促進材料留在該表面上。
在步驟306，一但材料沉積在第一層202的表面上，製程套組遮罩110達到一足夠厚度，在該製程套組遮罩110繼續用於製程腔室內之前，可能需要先清洗製程套組遮罩110以移除沉積材料。藉著提供根據本發明的製程套組遮罩110，可以增加清潔製程的次數，例如清潔循環次數可從習知製程套組遮罩的約四次，提高到本發明製程套組遮罩的約20次。能夠承受更多次清潔循環的能力，有利地延長了本發明製程套組遮罩的使用壽命。
例如，第4圖繪示用於根據本發明實施例之製程套組遮罩110的示範清潔方法400之流程圖。以下參照第1圖和第2圖的設備100及製程套組遮罩110來說明該方法400。根據製程腔室是否能供應用於清潔的適當氣體，而可於原位(in-situ)上或離位(ex-situ)執行該清潔製程。例如，可在使用反應性離子蝕刻(RIE)或由例如臭氧(O3)或氧氣(O2)等化學清潔劑形成適當電漿的製程腔室中執行原位清潔製程，以清潔腔室及/或腔室部件。可在任何需要清潔的時候執行清潔製程。
在步驟402，提供製程套組遮罩110，其第一層202的表面上沉積有汙染物。汙染物可能包括如上述靶材原子或副產物材料之其中至少一者。
在步驟404，使製程套組遮罩110暴露於化學清潔劑。在一些實施例中，僅有第一層202暴露於化學清潔劑下，且避免第二層204接觸化學清潔劑。在一些實施例中，可使整個製程套組遮罩110暴露於化學清潔劑中。化學清潔劑可能包含下列至少一種：氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、過氧化氫(H2O2)、銨(NH4)、氫氧化鉀(KOH)或可移除上述污染物的其他腐蝕性化學品。
對於原位清潔(即，在該製程腔室中執行)，可採用氣態形式導入化學清潔劑，並且接觸製程套組遮罩110的第一層202。透過排氣口或其他可從製程腔室中移除氣體的方式來排出殘餘的化學清潔劑以及化學清潔劑與汙染物反應之後所生成的副產物。
當採用離位(ex-situ)清潔時，從製程腔室102中移除製程套組遮罩110，並且可以多種適當方法中的任意方法中清潔製程套組遮罩110，清潔時，第一層暴露於化學清潔劑，因而可去除第一層202表面上的汙染物。例如，製程套組遮罩110可浸沒在含有化學清潔劑的洗浴中，或是暴露在手動或自動噴灑的化學清潔劑下。在一些實施例中，可使用化學清潔劑潤濕該欲清潔的表面，並且使用布及/或刮擦墊(scrubbing pad)等物來擦拭或刮洗該表面。預期到，亦可使用其他適當的離位清潔方法來去除第一層202表面上所沉積的汙染物。
因此，本文中提供用於製程套組遮罩的方法及設備。相較於習知製程套組遮罩而言，此新穎的製程套組遮罩有利地具有較長使用壽命，同時還提供卓越的熱傳導性質和重量上的優勢。此新穎的製程套組遮罩可由能提供期望重量、熱性質和化學清潔處理抗性之數種材料組合建構而成。
雖然上述內容已描述本發明之多個實施例，但在不偏離本發明基本範圍的情況下，當可做出本發明的其他或進一步實施例。
100‧‧‧設備
102‧‧‧製程腔室
103‧‧‧處理容積
104‧‧‧靶材
105‧‧‧非處理容積
106．．．基板
108．．．支撐基座
110．．．製程套組遮罩
112．．．可變式DC功率供應器
114．．．製程氣體供應器
116．．．製程氣體源
118．．．第二氣體供應器
120．．．第一質量流量控制器
122．．．氮氣源
124．．．幫浦
126．．．第二質量流量控制器
128．．．控制器
130．．．射頻功率源
132．．．耦合電容
134．．．磁控管
202．．．第一層
204．．．第二層
300、400．．．方法
302、304、306、402、404．．．步驟
為詳細了解本發明上述特徵，參照多個實施例提出本發明更具體的描述，其概要整理如上。該些實施例部分繪示於附圖中。然而應了解到，附圖中僅顯示本發明的代表性實施例，因此不應用於限制本發明範圍，本發明可能具有其他等效實施例。
第1圖繪示根據本發明一些實施例之用來處理基板的設備。
第2圖繪示根據本發明一些實施例之製程套組遮罩的部分剖面圖。
第3圖顯示根據本發明一些實施例之基板處理方法的流程圖。
第4圖繪示根據本發明一些實施例之製程套組遮罩清洗方法的流程圖。
為求清晰，該些附圖已簡化並且未按比例繪製。為了便於理解，盡可能使用相同的元件符號來代表各圖中共通的相同元件。可預期，一實施例中的某些元件可有利地併入其他實施例中，而無需多加說明。
100．．．設備
102．．．製程腔室
103．．．主體
104．．．靶材
105．．．非處理容積
106．．．基板
108．．．支撐基座
110．．．製程套組遮罩
112．．．可變式DC功率供應器
114．．．製程氣體供應器
116．．．製程氣體源
118．．．第二氣體供應器
120．．．第一質量流量控制器
122．．．氮氣源
124．．．幫浦
126．．．第二質量流量控制器
128．．．控制器
130．．．射頻功率源
132．．．耦合電容
134．．．磁控管
Claims (17)
- 一種製程套組遮罩，包含：一主體，該主體具有一壁，該壁包含一第一層以及與該第一層結合的一第二層，該第一層具有一暴露的第一側且該第二層具有相對於該第一層的該暴露的第一側之一暴露的第二側，其中該第一層包含一第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的一化學清潔劑，並且該第二層包含一第二材料，該第二材料與該第一材料不相同，並且該第二材料具有與該第一材料實質相似的熱膨脹係數，其中該第二材料包含鋁和矽複合材料，其中該第一材料和該第二材料之熱膨脹係數之間的差異小於或等於約10%，以及其中熱膨脹係數是藉著控制該第二材料的矽含量來調整。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程套組遮罩，其中該第二層是噴塗形成在該第一層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程套組遮罩，其中該主體是環狀。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程套組遮罩，其中該第一材料包含不鏽鋼、鎳、鉭或鈦之其中至少一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程套組遮罩，其中該第一層包含一面向製程的紋理表面，該紋理表面能留住直徑大於約0.016微米的顆粒。
- 一種基板處理設備，包括：一製程腔室，該製程腔室具有一處理容積和一非處理容積；以及一製程套組遮罩，設置在該製程腔室內並且將該處理容積與該非處理容積分開來，該製程套組遮罩包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含一第一層和一第二層，該第一層具有面向該處理容積之一暴露的第一側以及該第二層具有面向該非處理容積之相對於該第一層的該暴露的第一側之一暴露的第二側，其中該第二層結合至該第一層，其中該第一層包含一第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的一化學清潔劑，並且該第二層包含一第二材料，該第二材料與該第一材料不相同，並且該第二材料的熱膨脹係數與該第一材料的熱膨脹係數實質相似，其中該第二材料包含鋁和矽複合材料，其中該第一材料和該第二材料之熱膨脹係數之間的差異小於或等於約10%，以及其中熱膨脹係數是藉著控制該第二材料的矽含量來調整。
- 如申請專利範圍第6項所述之設備，其中該製程套組遮罩環繞在一基板支撐基座的周圍，該基板支撐基座設 置在該製程腔室中且位於該處理容積下方。
- 如申請專利範圍第6至7項任一項所述之設備，其中該第二層是噴塗形成在該第一層上。
- 如申請專利範圍第6至7項任一項所述之設備，其中該第一材料包含不鏽鋼、鎳、鉭或鈦之其中至少一者。
- 如申請專利範圍第6至7項任一項所述之設備，其中該第一層包含一面向製程的紋理表面，該紋理表面能留住直徑大於約0.016微米的顆粒。
- 一種處理基板的方法，包括：提供一製程腔室，該製程腔室具有一處理容積和一非處理容積以及具有一製程套組遮罩，該製程套組遮罩設置在該製程腔室內並且將該處理容積和該非處理容積分開來，該製程套組遮罩包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含一第一層和一第二層，該第一層具有面向該處理容積之一暴露的第一側以及該第二層具有面向該非處理容積之相對於該第一層的該暴露的第一側之一暴露的第二側，其中該第二層結合至該第一層，其中該第一層包含一第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的一化學清潔劑，並且該第二層包含一第二材料，該第二材料與該第一材料不相 同，並且該第二材料的熱膨脹係數與該第一材料的熱膨脹係數實質相似，其中該第二材料包含鋁和矽複合材料，其中該第一材料和該第二材料之熱膨脹係數之間的差異小於或等於約10%，以及其中熱膨脹係數是藉著控制該第二材料的矽含量來調整；放置一基板在該製程腔室中；在該處理容積中形成一電漿；以及使該基板暴露至該電漿。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該第一層更包含一紋理表面，該紋理表面能留住直徑大於約0.016微米的顆粒。
- 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該些被留住的顆粒包括下列其中至少一者：處理該基板時形成的副產物，或在該電漿中生成的離子化顆粒。
- 一種清潔一製程套組遮罩的方法，包括：提供一製程套組遮罩，該製程套組遮罩包含一主體，該主體具有一壁，該壁包含一第一層以及結合至該第一層的一第二層，該第一層具有一暴露的第一側且該第二層具有相對於該第一層的該暴露的第一側之一暴露的第二側，其中該第一層包含一第一材料，該第一材料能抵抗用來移除製程過程中沉積在該第一層上之材料的 一化學清潔劑，並且該第二層包含一第二材料，該第二材料與該第一材料不相同，並且該第二材料的熱膨脹係數與該第一材料的熱膨脹係數實質相似，其中該第一層上沉積有污染物，其中該第二材料包含鋁和矽複合材料，其中該第一材料和該第二材料之熱膨脹係數之間的差異小於或等於約10%，以及其中熱膨脹係數是藉著控制該第二材料的矽含量來調整；以及使該第一層暴露於該化學清潔劑，以移除污染物。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該第一材料包含不鏽鋼、鎳、鉭或鈦之其中至少一者。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該化學清潔劑包含氫氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、過氧化氫(H2O2)、銨(NH4)或氫氧化鉀(KOH)其中至少一者。
- 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中只有該第一層暴露於該化學清潔劑。
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