TWI811421B - 用於處理腔室的塗層材料 - Google Patents

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Abstract

本文描述的實施例係關於用於處理腔室的具有高電阻率的塗層材料。為了抵消導熱支撐件的頂表面附近的高電荷，導熱支撐件的頂表面可塗覆有高電阻率層。該層的高電阻率減少了在導熱元件的頂面處的電荷量，大大減少或防止了電弧放電事件，同時減少了靜電吸附劣化。高電阻率層亦可應用於其他腔室部件。本文描述的實施例亦係關於用於製造用於處理環境的腔室部件的方法。部件可以藉由形成腔室部件的主體、選擇性地對主體進行非原位調整、將腔室部件安裝到處理腔室中、對腔室部件進行原位調整、以及在處理腔室中實行沉積處理而來製造。

Description

用於處理腔室的塗層材料
本文描述的實施例大體係關於用於處理腔室的塗層材料，且更特定言之係關於用於處理腔室的具有高電阻率的塗層材料。
半導體處理設備通常包括處理腔室，處理腔室適於在晶圓或基板上執行各種沉積、蝕刻、或熱處理步驟，該晶圓或基板被支撐在處理腔室的處理區域中。在處理腔室的處理區域中提供氣體。氣體藉由RF能量的輸送而被「激發（excited）」，而使氣體轉變成電漿狀態，隨後在晶圓表面上形成層。通常，晶圓由晶圓支撐件支撐，晶圓支撐件設置在處理腔室的處理區域中。晶圓支撐件（下文稱為導熱支撐件）亦可用作加熱器。導熱支撐件藉由使用嵌入其主體內的電極來產生熱，其中交流（AC）電被提供至該電極。
當處理較大的晶圓時，需要較大的處理腔室。處理腔室越大，需要越大的功率來將處理區域內的氣體「激發（excite）」到其電漿狀態，從而在處理區域內產生更高的電位。此外，導熱支撐件通常由具有允許形成漏電流的漏電流路徑的材料所製成。漏電流使電荷流到導熱支撐件的頂表面並在該頂表面處形成帶電區域。隨後，電荷在導熱支撐件的頂表面附近積聚，並且當在處理期間使用較高溫度時，電荷量更大，從而在導熱支撐件的頂表面附近產生更高的集中電場。
隨著在導熱支撐件的頂表面處產生更高的電荷，此使導熱支撐件暴露於更多的電弧放電事件。電弧放電（arcing）是由導熱支撐件的頂表面附近的包括大的放電電流的較高集中電場所造成，其導致從導熱支撐件的一或多個表面形成電弧。該等電弧放電事件亦可以在處理期間在腔室壁、處理套件堆疊、和/或其他腔室部件的表面上發生。電弧事件會導致顆粒污染、晶圓廢料、產量損失、和腔室停工。此外，當直流（DC）電壓施加於用於靜電吸附的導熱支撐件時，導熱支撐件中的漏電流會造成由DC電壓產生的電荷在電漿處理期間從導熱支撐件漏出。此導致不穩定的吸附效能，從而導致吸附劣化（degradation）。
因此，本領域需要藉由減少導熱支撐件的頂表面處和其他腔室部件的表面處的電荷來防止電弧放電和靜電吸附劣化事件。
本文描述的一或多個實施例大體係關於用於基板處理腔室的具有高電阻率的塗層材料。
在一個實施例中，一種處理腔室部件包括具有第一表面的介電主體；電極，電極設置在介電主體內；和高電阻率層，其中高電阻率層設置在介電主體的第一表面上，其中高電阻率層具有約1×109 至約1×1017 歐姆-厘米的電阻率。
在另一實施例中，一種處理腔室包括處理套件堆疊，該處理套件堆疊具有內表面，其中內表面面向腔室主體內的處理區域；導熱支撐件，其中導熱支撐件包括：介電主體，該介電主體具有頂表面，其中頂表面支撐基板；電極，該電極設置在介電主體內；以及高電阻率層，其中高電阻率層設置在至少一個處理套件的內表面上和在介電主體的頂表面上，其中高電阻率層具有1×109 至1×1017 歐姆-厘米的電阻率。
本文描述的一或多個實施例亦大體係關於用於製造用於處理環境的腔室部件的方法。
在一個實施例中，一種用於製造用於處理環境的腔室部件的方法，包括形成腔室部件的主體；將腔室部件安裝到處理腔室中；原位地（in-situ）在主體的表面上沉積高電阻率層，其中施加約50 mTorr至約20 Torr的壓力，施加約10瓦特至約3000瓦特的功率，溫度在約50攝氏度至約1100攝氏度之間，含矽氣體以約2 sccm至約20000 sccm的氣體流速施加，含氧氣體以約2 sccm至約30000 sccm的氣體流速施加，且惰性氣體以在約10 sccm至約20000 sccm之間的流速施加；以及在處理腔室中實行沉積處理。
在以下描述中，許多特定細節被闡釋以提供對本文的實施例的更透徹的理解。然而，對所屬技術領域具有通常知識者而言顯而易見的是，可在沒有一或多個該等特定細節下實施本文的實施例的一或多者。在其他情況中，沒有描述公知的特徵以避免模糊了本文的一或多個實施例。
本文描述的實施例大體係關於處理腔室部件，該等部件包括具有高電阻率的塗層以用於電漿處理。隨著發展用於處理半導體基板的更高溫度和更高電漿密度的製程，更大量的電荷可能產生並且以各種暴露的處理腔室部件捕獲（trapped），例如在設置在處理腔室的處理區域內的導熱支撐件的頂表面處。所產生和捕獲的電荷將使導熱支撐件暴露於更頻繁的電弧放電事件。電弧放電事件會導致顆粒污染、晶圓廢料、產量損失、和工具停工。為了抵消在該等處理腔室部件（例如導熱支撐件）的頂表面附近捕獲的較高量的電荷，導熱支撐件的頂表面可以塗覆有高電阻率層。所形成的層的高電阻率作用以在正常處理期間增加處理腔室部件（例如，導熱支撐件）、電漿、和處理腔室的處理區域內的接地間形成的阻抗，從而降低所捕獲的電荷在腔室部件和接地之間形成電弧的能力。
總體而言，本文描述的實施例將極大地減少或防止電弧放電事件，此將導致更少的工具停工和較高的處理效率。如下文將進一步描述的，塗層的高電阻率亦將有助於防止靜電吸附劣化。此外，在使用本文揭示的方法施加一次高電阻率層之後，已發現到可以在不需要移除導熱支撐件的情況下處理多於2,000個晶圓，例如4,000到10,000個晶圓。在傳統方法中，在電弧放電事件之後回復製程的唯一方法是更換導熱元件，而此大大減少了腔室的正常運作時間並增加了操作成本。如下所述，高電阻率層亦可應用於其他腔室部件，從而有助於防止該等元件中的電弧放電事件。
本文描述的實施例亦總體係關於用於製造用於處理環境的腔室部件的方法。腔室部件可以藉由以下方式來製造：形成腔室部件的主體，選擇性地對主體進行非原位調整（ex-situ seasoning），將腔室部件安裝到處理腔室中，對腔室部件進行原位調整（in-situ seasoning），以及在處理腔室中實行複數個基板沉積處理。
第1圖圖示了先前技術中的處理腔室100的側剖視圖。藉由舉例方式，關於電漿沉積腔室來描述了處理腔室100和200的實施例（以下論述），但是在不脫離本文揭示的基本範疇的情況下，可以使用任何其他類型的晶圓處理腔室。處理腔室100包括腔室側壁102，腔室側壁102包圍處理區域101、面板104、至少一個處理套件堆疊106、和導熱支撐件114。面板104可以如圖所示是平坦的，並且包括複數個通道（未圖示），該等通道被用於將處理氣體均勻地分配到處理區域101中，基板116設置在處理區域101中。
至少一個處理套件堆疊106包括頂介電分隔件108、側電極110、和底介電分隔件112。氣體入口通道和氣體出口通道（未圖示）可以形成於頂介電分隔件108、側電極110和/或底介電分隔件112中。至少一個處理套件堆疊106的內表面113面向處理區域101。導熱支撐件114通常是基板支撐元件，其可包括用於晶圓處理的底座加熱器。底座加熱器可以由介電材料形成，例如陶瓷材料（例如，AlN、BN、或Al2 O3 材料）。腔室側壁102可包括導電和導熱的材料，例如鋁或不銹鋼。
基板116位於導熱支撐件114的主體115的頂表面121上。邊緣環118亦耦接到導熱支撐件114的頂表面121。邊緣環118的外邊緣可以與導熱支撐件114的外邊緣對齊。電極119嵌入至導熱支撐件114的主體115內，並且由電源120供電。在一些實施例中，電源120可以向電極119提供-980伏（V）的直流（DC）電壓，但是亦可以施加其他電壓。從電源產生的功率可以以期望的頻率操作。由電源120產生的電力用於激發（energize）（或「激發（excited）」）處理區域101中的氣體成為電漿狀態，以例如在電漿沉積處理期間在基板116的表面上形成層。
提供給電極119的功率可以幫助「偏壓（bias）」基板116。電極119亦可作用為靜電吸附電極，藉由使用電耦接到電極119的單獨的高壓電源（未圖示）幫助向基板116提供抵靠導熱支撐件114的頂表面121的適當的保持力。
在先前技術的實施例中，如第1圖中所示，導熱支撐件114的頂表面121暴露於處理區域101。當處理較大尺寸的基板116時，需要更大的處理腔室100。處理腔室100越大，將設置於處理區域101內的處理氣體「激發」到其電漿狀態所需的功率越大。此外，導熱支撐件114可以由具有產生大的漏電流的電流洩漏路徑的材料所製成。漏電流使得電荷流到導熱支撐件114的頂表面121。隨後，在處理期間，在較高溫下，電荷在導熱支撐件114的頂表面121附近積聚，從而在導熱支撐件114的頂表面121附近產生較高的集中電場。
當在導熱支撐件114的頂表面121處形成或捕獲較大量的電荷時，產生電弧的機會大大增加。大量捕獲的電荷在導熱支撐件114的頂表面121和接地之間產生較高的集中電場，其最終以產生電弧的形式引起放電電流。可發生電弧放電事件的實例由元件符號122圖示。如圖所示，電弧放電事件可發生在導熱支撐件114的頂表面121上和處理套件堆疊106的至少一部分的內表面113上。該等電弧放電事件亦可在腔室側壁102的表面上和/或在處理期間在其他腔室部件上發生。如上所述，電弧放電事件可能導致顆粒污染、晶圓廢料、產量損失、和工具停工。
第2A圖圖示了根據本文描述的至少一個實施例的處理腔室200的側剖視圖。本文描述的實施例被設計成大大地減少或消除先前技術中發生的電弧放電事件，例如由第1圖中的元件符號122所示。處理腔室200包括腔室側壁202，腔室側壁202包圍處理區域201；面板204；至少一個處理套件堆疊206；以及導熱支撐件214。面板204可以如所示為平坦的，並且包括被用以將處理氣體分配到處理區域201中的複數個通道（未圖示）。處理氣體由氣體供應203供應。電源205作用以向面板204供電，並且將處理區域201中的氣體激發（energize）（或「激發（excited）」）成為電漿狀態，以例如在電漿沉積處理期間在基板216的表面上形成層。
處理套件堆疊206包括頂介電分隔件208、側電極210、和底介電分隔件212。頂介電分隔件208和底介電分隔件212作用以將側電極210與處理腔室200的主體隔離。介電分隔件208和212可以由陶瓷材料製成。側電極210可以由導電材料製成，例如鋁。側電極210電耦接到可變電容226，並藉由第一電感228端接到地。第二電感230與可變電容226並聯電耦接，以提供用於低頻RF接地的路徑。此外，感測器224位於側電極210和可變電容226之間，用於控制流過側電極210和可變電容226的電流。氣體入口通道和氣體出口通道（未圖示）可以形成在頂介電分隔件208、側電極210、和/或底介電分隔件212中。至少一個處理套件堆疊206的內表面213面向處理區域201。導熱支撐件214通常是基板支撐元件，其可包括用於基板處理的底座加熱器。底座加熱器可以由諸如陶瓷材料（例如，AlN，BN或Al2 O3 材料）的介電材料形成，並且包括由AC加熱器電源217A供電的加熱元件217B。腔室側壁202可包括導電且導熱的材料，例如鋁或不銹鋼。
基板216位於導熱支撐件214的主體215的頂表面221上。邊緣環218亦耦接到導熱支撐件214的頂表面221。邊緣環218的外邊緣可以與導熱支撐件214的外邊緣對齊。電極219嵌入在導熱支撐件214的主體215內，並由電源220供電。在一些實施例中，電源220可以向電極219提供-980伏（V）的直流（DC）電壓，但是亦可以施加其他電壓。在一些實施例中，從電源220產生的功率可以在約200 kHz和約81 MHz之間的頻率下操作，更通常地在約13.56 MHz和約40 MHz之間的頻率下操作。然而，電源220可以以其他頻率操作。
提供給電極219的功率可以幫助「偏壓」基板216。電極219亦可作用為靜電吸附電極，藉由使用電耦接到電極219的單獨的高壓電源（未圖示）幫助向基板216提供抵靠導熱支撐件214的頂表面221的適當的保持力。電極219可以由耐火金屬製成，例如鉬（Mo）、鎢（W）、或其他類似材料。電極219以距導熱支撐件214的頂表面221一定距離（在第2A圖中標記為「d」）嵌入。在一些實施例中，距離為至少1毫米，但可以是距頂表面221的其他距離。在處理使用由電源220產生的大量RF功率的應用中，當在處理區域201內產生電漿時，在電極219和接地之間產生有大量電壓。較高的電壓導致導熱支撐件214的頂表面221處的較高量的電荷。
為了幫助抵消在導熱支撐件214的頂表面221附近捕獲的電荷，導熱支撐件214的頂表面221塗覆有高電阻率層222。此外，面向處理區域201的其他導電部件，例如至少一個處理套件堆疊206的內表面213，亦可塗覆有高電阻率層222，如第2A圖所示。該層的高電阻率作用以捕獲（trap）高電阻率層222的表面處或內部的電荷，作用以減少導熱支撐件214的頂表面221處的電荷。如第2B圖中所示，其圖示了第2A圖中的處理腔室200的一部分的特寫截面圖，電漿和接地之間的電流的路徑234流入導熱支撐件214的主體215中。在處理期間，更大的電流沿著路徑234流動，導致電荷232在主體215的頂表面221附近積聚。然而，高電阻率層222作用以阻止在電漿中產生的電荷捕獲於頂表面221處，減少主體215的頂表面221附近的電荷232的量，和/或阻擋在頂表面221處捕獲的電荷發生電弧至腔室接地。捕獲的電荷量的減少和/或對接地增加的阻抗將消除或大大減少電弧放電事件的數量。
此外，高電阻率層222作用以減少靜電吸附劣化，改善靜電吸附效能。通常，當DC電壓從電源施加至用於靜電吸附的導熱支撐件內的電極時，導熱支撐件中的漏電流會造成由DC電壓產生的電荷在電漿處理期間從導熱支撐件漏出。然而，如本文的實施例中所述，高電阻率層222有助於抵消電荷從導熱支撐件214洩漏。換言之，高電阻率層222作用以「阻擋（block）」由從電源220施加到電極219的DC電壓所產生的電荷洩漏到接地。該部分是由於高電阻率層222材料的電特性，包括電阻率和介電常數。在一些實施例中，高電阻率層222材料的介電常數可以在3.4與4.0之間，其可以比導熱支撐件214材料的介電常數小兩倍以上。此外，在一些實施例中，高電阻率層222材料的電阻率可以在1×109 歐姆-厘米到約1×1017 歐姆-厘米之間，其可以比導熱支撐件214材料的電阻率高六個數量級。總而言之，高電阻率層222的電特性作用以穩定吸附（chucking）效能，防止隨時間劣化（degradation）。
在本揭示的一些實施例中，在高電阻率層222被施加一次到腔室部件（例如，傳導支撐件）之後，大於2,000個基板（或晶圓），例如在4,000到10,000個基板（或晶圓）之間，可以在不需要由於電弧所產生的損壞而移除導熱支撐件214的情況下處理，並且在一些情況下重新施加高電阻率層222。以其他方法，回復該處理的唯一方法是定期更換處理套件部件（例如，導熱元件），此大大減少了腔室的正常運行時間並增加了操作成本。在至少一個實施例中，高電阻率層222施加在頂表面221和邊緣環218的底表面之間，邊緣環218設置圍繞導熱支撐件214的邊緣。在使用非原位（ex-situ）層形成處理的其他實施例中，導熱支撐件214的頂表面221可以塗覆有高電阻率層222而沒有邊緣環218。
如上所述，高電阻率層222將具有高電阻率。高電阻率層222可具有約1×109 歐姆-厘米至約1×1017 歐姆-厘米的電阻率。在一些實施例中，高電阻率層222的電阻率約為1×1013 歐姆-厘米。高電阻率層222的其他特性亦可幫助防止電弧放電事件。例如，高電阻率層222可具有介於約1微米和約20微米之間的介電厚度。在此範圍內的介電厚度可以作用以在高電阻率層222內捕獲（trap）更多電荷，作用以防止電荷在導熱支撐件214的頂表面221附近積聚（building up）。高電阻率層222亦可具有介於約3和約10之間的介電常數。在一些實施例中，介電常數可以是約3.4至約4.0之間。由於腔室部件的表面（例如，頂表面221）與接地之間的阻抗增加，此範圍內的介電常數亦可以作用以防止在頂表面221處的電荷積聚。高電阻率層222可以由氧化矽（SiOx ）或其他類似材料製成，其材料特性與上面論述的類似。
此外，在一些實施例中，高電阻率層222設置在導熱支撐件214的一或多個表面上，以防止導熱支撐件214的表面被處理化學物質腐蝕（attacked）或侵蝕（eroded），該處理化學物質在基板處理腔室中實行的一或多個沉積或清潔處理期間使用。在一個實例中，高電阻率層222由在基板處理腔室中實行的原位清潔處理期間不會受到顯著腐蝕或侵蝕的材料形成。一般而言，原位清潔處理可包括使用一或多種含鹵素（例如氯（Cl）或氟（F））的氣體，其藉由處理腔室中的電漿產生組分被激發成電漿狀態。若高電阻率層222受到腐蝕或侵蝕到了受損層影響導熱支撐件214的靜電卡盤形式「夾持（chuck）」和/或支撐基板的能力的點，則可以在導熱支撐件214的表面上形成新的塗層以允許導熱支撐件214在其表面上新形成塗層時起到導熱支撐件214的作用。以下結合第3圖進一步地描述形成高電阻率層222的處理。
在一些實施例中，高電阻率層222亦包括機械特性，該機械特性使得由於半導體基板在其上的重複夾持或靜電吸附而使高電阻率層222的表面的磨損的量最小化。一般而言，半導體基板具有粗糙的背側表面，該背側表面可能由於重複暴露於在基板處理腔室中處理的多個基板而磨損導熱支撐件214的表面。在一個非限制性實例中，高電阻率層222的表面具有硬度，該硬度基本上等於或大於導熱支撐件214的表面的硬度。在另一個實例中，高電阻率層222的表面具有硬度，該硬度基本上等於或大於半導體基板（例如，包含Si、GaN或藍寶石的基板）的硬度。在一個範例中，表面硬度為約103 MPa至約104 MPa之間。因此，如上所述，在一些實施例中，由於高電阻率層222的優良電特性，高電阻率層222的材料可用於穩定靜電吸附處理，並且亦保護導熱支撐件214的表面免受化學侵蝕和機械磨損。
第3圖圖示了根據本文描述的至少一個實施例的用於製造腔室部件的方法300的流程圖。製造的一些腔室部件可以包括導熱支撐件214和/或上面論述的處理套件堆疊206內的一或多個部件，但是亦可以使用此方法製造其他腔室部件。方法300包括製造操作300A和調整操作300B。
製造操作300A包括方塊302和304。在方塊302中，形成腔室部件的主體。主體可以由金屬（例如，鋁或SST）、陶瓷材料（例如，氧化鋁（Al2 O3 ）、氮化鋁（AlN）、氮化硼（BN））、或其他類似材料形成。在形成之後不久，可研磨腔室部件的主體以減少表面缺陷，該表面缺陷導致在使用期間破裂或產生顆粒。可使用任何合適的電解研磨或機械研磨方法或處理來研磨主體。
方塊304提供了一種非原位地提供包括高電阻率層222的調整層至腔室部件的選擇性的操作。本揭露中的「非原位」調整是指對在非生產調整腔室中或處理腔室外的該部件用於處理基板的任何地方的部件的調整。調整配方可包括以一或多個序列、順序、和/或組合進行一個或多個時間段來將部件暴露於含有特定化學組合物的一或多種電漿的處理。非原位調整處理的一個益處可能是減少或消除對原位調整的需要（在方塊308中論述）。此可以降低設施的操作成本。此外，在非原位調整中，因為腔室部件的主體可以在沒有安裝於處理腔室中的情況下調整，所以可以塗覆腔室部件的整個主體而沒有其他腔室部件妨礙或改變對層形成處理的調整。例如，在一個實施例中，導熱支撐件214的頂表面221可以塗覆有高電阻率層222而沒有邊緣環218。
調整操作300B包括方塊306和308。在方塊306中，腔室部件安裝在處理腔室中。一旦部件已安裝在處理腔室中，方塊308向腔室部件原位提供包括高電阻率層222的調整層。本揭露中的「原位」是指對處理腔室內的部件進行調整，其中在該處理腔室內該部件用於處理基板。調整材料在腔室的內表面和腔室部件上（例如在至少一個處理套件堆疊206的內表面213上和導熱支撐件214的頂表面221上）形成至少一個密封層，該至少一個密封層包括高電阻率層222。調整處理可以在約50攝氏度至約1100攝氏度的溫度和約50 mTorr至約20 Torr的壓力下操作。亦可以在藉由導熱支撐件214中的RF電源205或電極219提供給面板204的RF功率下操作，例如，在約10瓦特和約3000瓦特之間的位凖。
在操作300A和/或300B中實行的調整處理可以藉由將從氣體供應203提供的氣體引導穿過形成在面板204內的氣體入口歧管（manifold）來實行。在一個範例中，調整層是氧化矽層，其可藉由使含矽氣體與處理腔室中的含氧氣體反應來沉積。含矽氣體可含有前驅物氣體，例如矽烷（silane）、乙矽烷（disilane）、和四乙氧基矽烷（tetraethyl orthosilicate）（TEOS）。含氧氣體可含有氧氣、二氧化碳、一氧化二氮（nitrous oxide）、或其他量的氮和氧（NxOy）。在調整處理中，可以將其他前驅物氣體如大量的碳、氫、和氟化物（CxHyFz）以及惰性氣體如氬、氙、和氦引入處理腔室。在沉積調整層期間，可以以約2標準立方厘米/分鐘（standard cubic centimeters per minute，sccm）至約20000 sccm之間的流速將含矽氣體引入處理腔室。含氧氣體可以約2 sccm至約30000 sccm的流速引入處理腔室。氬、氙、和氦可以約10 sccm至約20000 sccm的流速引入處理腔室。可以約2 sccm至約20000 sccm的流速將CxFy和CxHyFz的氣體引入處理腔室。處理時間可根據調整層的所需厚度而改變。
方塊310提供在處理腔室中實行沉積處理。當處理腔室的內部部件已被調整時，在腔室部件內大大減少或消除了電弧放電。例如，可以處理超過4,000個基板而不會由於電弧放電而移除導熱支撐件214。此外，如上所述，在實行形成熱阻層222的調整層形成處理之後，亦減少了靜電吸附劣化。對於其他方法，在電弧放電事件之後回復元件的唯一方法是移除腔室部件，此大大減少了腔室的正常運行時間並增加了操作成本。
儘管前述內容針對本揭露的實施例，但可在不脫離本揭露的基本範疇的情況下設計本揭露的其他和進一步的實施例，並且其中之範疇由隨附申請專利範圍來確定。
100:處理腔室 101:處理區域 104:面板 106:處理套件堆疊 108:頂介電分隔件 110:側電極 112:底介電分隔件 113:內表面 114:導熱支撐件 115:主體 116:基板 118:邊緣環 119:電極 120:電源 121:頂表面 122:電弧放電事件 200:處理腔室 201:處理區域 202:腔室側壁 203:氣體供應 204:面板 205:電源 206:處理套件堆疊 208:頂介電分隔件 210:側電極 212:底介電分隔件 213:內表面 214:導熱支撐件 215:主體 216:基板 217A:AC加熱器電源 217B:加熱元件 218:邊緣環 219:電極 220:電源 221:頂表面 222:高電阻率層 224:感測器 226:電容 228:電感 230:電感 234:路徑 300:方法 300A:製造操作 300B:調整操作 302:方塊 304:方塊 306:方塊 308:方塊 310:方塊
因此，可以詳細了解本揭露的上述特徵的方法，本揭露的更特定的描述，簡要概述於上，可參照實施例，其中一些實施例描繪在隨附圖式中。然而，應當注意，隨附圖式僅圖示本揭露的典型實施例，且因此不應將其視為限制其範圍，因為本揭露可承認其他等效的實施例。
第1圖是先前技術中處理腔室的側剖視圖；
第2A圖是根據本文描述的至少一個實施例的處理腔室的側剖視圖；
第2B圖是第2A圖中的處理腔室的一部分的特寫剖視圖；並且
第3圖是根據本文描述的至少一個實施例的用於製造腔室部件的方法的流程圖。
為了便於理解，在可能的情況下，已使用相同的元件符號來表示圖中共同的相同元件。可以設想的是，一個實施例的元件和特徵可以有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:處理腔室
201:處理區域
202:腔室側壁
203:氣體供應
204:面板
205:電源
206:處理套件堆疊
208:頂介電分隔件
210:側電極
212:底介電分隔件
213:內表面
214:導熱支撐件
215:主體
216:基板
217A:AC加熱器電源
217B:加熱元件
218:邊緣環
219:電極
220:電源
221:頂表面
222:高電阻率層
224:感測器
226:電容
228:電感
230:電感

Claims (12)

  1. 一種處理腔室部件，包括：一處理套件堆疊，該處理套件堆疊具有一頂介電分隔件、一底介電分隔件，以及設置在該頂介電分隔件和該底介電分隔件之間的一側電極，其中該頂介電分隔件、該底介電分隔件和該側電極之每一者具有面向一腔室主體內的一處理區域的一內表面；一介電主體，該介電主體具有一第一表面；一電極，該電極設置在該介電主體內；以及一高電阻率層，其中該高電阻率層設置在該頂介電分隔件、該底介電分隔件，以及該側電極之每一者的該內表面上，以及設置在該介電主體的該第一表面上，其中該高電阻率層具有約1×109歐姆-厘米至約1×1017歐姆-厘米的一電阻率。
  2. 如請求項1所述之處理腔室部件，其中該電極在該介電主體的該第一表面下方小於或等於1毫米。
  3. 如請求項1所述之處理腔室部件，其中該高電阻率層具有在約1微米至約20微米之間的一厚度。
  4. 如請求項1所述之處理腔室部件，其中該高電阻率層具有介於約3與約10之間的一介電常數。
  5. 如請求項4所述之處理腔室部件，其中該介電常數介於約3.4與約4.0之間。
  6. 如請求項1所述之處理腔室部件，其中該電阻率為約1×1013歐姆 厘米。
  7. 如請求項1所述之處理腔室部件，其中該高電阻率層包含矽氧化物(SiOx)。
  8. 一種處理腔室，包括：一處理套件堆疊，該處理套件堆疊具有一頂介電分隔件、一底介電分隔件，以及設置在該頂介電分隔件和該底介電分隔件之間的一側電極，其中該頂介電分隔件、該底介電分隔件和該側電極之每一者具有面向一腔室主體內的一處理區域的一內表面；一導熱支撐件，其中該導熱支撐件包括：一介電主體，該介電主體包括一頂表面，其中該頂表面被配置以支撐一基板；以及一電極，該電極設置在該介電主體內；以及一高電阻率層，其中該高電阻率層設置在該頂介電分隔件、該底介電分隔件，以及該側電極之每一者的該內表面上，以及設置在該介電主體的該頂表面上，其中該高電阻率層具有1×109歐姆-厘米至1×1017歐姆-厘米的一電阻率。
  9. 如請求項8所述之處理腔室，其中該電極在 該介電主體的該頂表面下方小於或等於1毫米。
  10. 如請求項8所述之處理腔室，其中該高電阻率層具有在約1微米至約20微米之間的一厚度。
  11. 如請求項8所述之處理腔室，其中該高電阻率層具有介於約3與約10之間的一介電常數。
  12. 如請求項8所述之處理腔室，進一步包括一邊緣環，該邊緣環具有一底表面，其中該邊緣環設置在該介電主體的該頂表面上，並且該高電阻率層設置在該介電主體的該頂表面與該邊緣環的該底表面之間。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20220020589A1 (en) * 2020-07-19 2022-01-20 Applied Materials, Inc. Dielectric coating for deposition chamber
US20230187250A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-15 Applied Materials, Inc. Wafer to baseplate arc prevention using textured dielectric
KR20240141816A (ko) * 2022-01-28 2024-09-27 램 리써치 코포레이션 기판 프로세싱 시스템들의 esc들을 위한 언더코팅 커버리지 및 저항 제어

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200605164A (en) * 2004-05-26 2006-02-01 Applied Materials Inc Variable quadruple electromagnet array, particularly used in a multi-step process for forming a metal barrier in a sputter reactor
US20080151467A1 (en) * 2006-12-26 2008-06-26 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method of forming
TW200917332A (en) * 2007-08-10 2009-04-16 Applied Materials Inc Methods and apparatus for ex situ seasoning of electronic device manufacturing process components
TW201205716A (en) * 2010-05-28 2012-02-01 Entegris Inc High surface resistivity electrostatic chuck
CN105980331A (zh) * 2014-03-10 2016-09-28 住友大阪水泥股份有限公司 电介质材料及静电卡盘装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4900591A (en) * 1988-01-20 1990-02-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for the deposition of high quality silicon dioxide at low temperature
US7686926B2 (en) * 2004-05-26 2010-03-30 Applied Materials, Inc. Multi-step process for forming a metal barrier in a sputter reactor
JP4804824B2 (ja) * 2005-07-27 2011-11-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4847231B2 (ja) * 2006-06-29 2011-12-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 電界に起因する剥離物による汚染を防止する装置
JP5475261B2 (ja) * 2008-03-31 2014-04-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2011077442A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
CN102884610A (zh) * 2010-05-12 2013-01-16 应用材料公司 局限工艺空间的pecvd腔室
JP5835985B2 (ja) * 2010-09-16 2015-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10403535B2 (en) * 2014-08-15 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus of processing wafers with compressive or tensile stress at elevated temperatures in a plasma enhanced chemical vapor deposition system
US10020218B2 (en) * 2015-11-17 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with deposited surface features
KR20190088079A (ko) * 2016-12-16 2019-07-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 챔버 드리프팅 없이 고온 프로세싱을 가능하게 하는 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200605164A (en) * 2004-05-26 2006-02-01 Applied Materials Inc Variable quadruple electromagnet array, particularly used in a multi-step process for forming a metal barrier in a sputter reactor
US20080151467A1 (en) * 2006-12-26 2008-06-26 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Electrostatic chuck and method of forming
TW200917332A (en) * 2007-08-10 2009-04-16 Applied Materials Inc Methods and apparatus for ex situ seasoning of electronic device manufacturing process components
TW201205716A (en) * 2010-05-28 2012-02-01 Entegris Inc High surface resistivity electrostatic chuck
CN105980331A (zh) * 2014-03-10 2016-09-28 住友大阪水泥股份有限公司 电介质材料及静电卡盘装置

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