JP2017516914A5 - - Google Patents
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Claims (15)
- 式ＲＯXＮYを有する第１の層であって、第１の屈折率を有する第１の層と、
前記第１の層とは異なり、該第１の層の上に配置され、式Ｒ’ＯXＮYを有する第２の層であって、前記第２の層が前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有し、ＲおよびＲ’がそれぞれ金属または誘電体材料の１つである、第２の層と
を備える光波分離構造。 - ｘおよびｙはそれぞれ、０％〜１００％の濃度で変動することができる、請求項１に記載の光波分離構造。
- ＲおよびＲ’はそれぞれ、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、または銅（Ｃｕ）の１つである、請求項１に記載の光波分離構造。
- 複数の交互の第１および第２の層をさらに備える、請求項１に記載の光波分離構造。
- 前記第１の層および第２の層はそれぞれ、約１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの厚さを有する、請求項４に記載の光波分離構造。
- 前記第１の層および前記第２の層は、炭素または水素の少なくとも１つをさらに含む、請求項１から５までのいずれか１項に記載の光波分離構造。
- 物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ内に配置された基板の上に光波分離構造を形成する方法であって、
（ａ）式ＲＯXＮYを有する第１の層を物理的気相堆積プロセスによって基板の上に堆積させるステップであって、前記第１の層が所定の第１の屈折率を有するステップと、
（ｂ）前記第１の層とは異なり、式Ｒ’ＯXＮYを有する第２の層を物理的気相堆積プロセスによって前記第１の層の上に堆積させるステップであって、前記第２の層が前記第１の屈折率とは異なる所定の第２の屈折率を有し、ＲおよびＲ’がそれぞれ金属または誘電体材料の１つであるステップとを含む方法。 - 前記第１の層および前記第２の層は、単一の物理的気相堆積プロセスチャンバ内で堆積される、請求項７に記載の方法。
- 前記第１の層は、第１の物理的気相堆積プロセスチャンバ内で堆積され、前記第２の層は、第２の物理的気相堆積プロセスチャンバ内で堆積され、前記第１の物理的気相堆積プロセスチャンバおよび前記第２の物理的気相堆積プロセスチャンバは、クラスタツールに結合される、請求項７に記載の方法。
- 前記第１の物理的気相堆積プロセスチャンバおよび第２の物理的気相堆積プロセスチャンバはそれぞれ、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、または銅（Ｃｕ）の１つから構成されたターゲットを備える、請求項９に記載の方法。
- 前記第１の層または前記第２の層を堆積させる少なくとも１つのステップが、前記チャンバ内へプロセスガスを流すステップをさらに含み、前記プロセスガスは、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭素含有ガス、または水素含有ガスの１つまたは複数を含む、請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。
- 前記第１の層または前記第２の層を堆積させる少なくとも１つのステップは、前記チャンバ内へプロセスガスを流すステップをさらに含み、
前記基板の表面の上にプラズマを生成して、前記プロセスガスをイオン化するステップと、
前記チャンバの一部分に結合された電極にバイアスをかけて、前記イオン化プロセスガスが前記基板の前記表面に衝撃を与えるようにするステップとをさらに含む、請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。 - 前記電極にバイアスをかけるステップが、前記基板の前記表面の平滑性または疎水性の少なくとも１つを制御するために使用される、請求項１２に記載の方法。
- （ａ）−（ｂ）を繰り返して、複数の交互の第１および第２の層を有するスタックを形成するステップと、
前記スタックを横切って前記第１の層または前記第２の層の１つを複数の変動する厚さにエッチングするステップであって、各厚さが異なる波長の光をフィルタリングするステップと、
その後、（ａ）−（ｂ）を繰り返して、前記光波分離構造を所望の厚さに形成するステップと
をさらに含む、請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。 - 前記第１の層および第２の層はそれぞれ、約１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの厚さを有する、請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。
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Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634066A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Ltd | バイアススパツタ装置 |
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| US6541164B1 (en) * | 1997-10-22 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Method for etching an anti-reflective coating |
| US6252218B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-06-26 | Agilent Technologies, Inc | Amorphous silicon active pixel sensor with rectangular readout layer in a hexagonal grid layout |
| FR2793889B1 (fr) * | 1999-05-20 | 2002-06-28 | Saint Gobain Vitrage | Substrat transparent a revetement anti-reflets |
| US6506289B2 (en) * | 2000-08-07 | 2003-01-14 | Symmorphix, Inc. | Planar optical devices and methods for their manufacture |
| US6756161B2 (en) * | 2002-04-16 | 2004-06-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ion-beam deposition process for manufacture of binary photomask blanks |
| US6861280B2 (en) * | 2002-10-25 | 2005-03-01 | Omnivision International Holding Ltd | Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making |
| US6818328B2 (en) | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Color conversion filter substrate, color conversion type multicolor organic EL display having the color conversion filter substrate, and methods of manufacturing these |
| JP2005045141A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| JP4450597B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロレンズの形成方法 |
| WO2005069376A1 (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
| US7901870B1 (en) * | 2004-05-12 | 2011-03-08 | Cirrex Systems Llc | Adjusting optical properties of optical thin films |
| JP4510613B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-07-28 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| US7820020B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for plasma-enhanced physical vapor deposition of copper with RF source power applied through the workpiece with a lighter-than-copper carrier gas |
| KR100672687B1 (ko) * | 2005-06-03 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7462560B2 (en) * | 2005-08-11 | 2008-12-09 | United Microelectronics Corp. | Process of physical vapor depositing mirror layer with improved reflectivity |
| KR100790981B1 (ko) * | 2006-02-13 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 칼라필터, 칼라필터 어레이 및 그의 제조방법과 이미지센서 |
| FR2904432B1 (fr) * | 2006-07-25 | 2008-10-24 | Commissariat Energie Atomique | Structure matricielle de filtrage optique et capteur d'images associe |
| US8766385B2 (en) | 2006-07-25 | 2014-07-01 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Filtering matrix structure, associated image sensor and 3D mapping device |
| CN101153933B (zh) * | 2006-09-26 | 2011-08-17 | 奇美电子股份有限公司 | 彩色滤光基板及其制造方法、液晶显示面板与装置 |
| CN101535177B (zh) * | 2006-11-10 | 2012-06-13 | 住友电气工业株式会社 | 含有Si-O的氢化碳膜、具有该氢化碳膜的光学装置以及制备含有Si-O的氢化碳膜和光学装置的方法 |
| KR100937654B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2010-01-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP5020258B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-09-05 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 光学フィルター |
| KR100823031B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-04-17 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
| JP5252831B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2013-07-31 | 株式会社アルバック | 誘電体多層膜フィルタの製造方法、及び、誘電体多層膜フィルタの製造装置 |
| JP2009007636A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Sony Corp | 低屈折率膜及びその成膜方法、並びに反射防止膜 |
| US20090032098A1 (en) * | 2007-08-03 | 2009-02-05 | Guardian Industries Corp. | Photovoltaic device having multilayer antireflective layer supported by front substrate |
| WO2009051595A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Midwest Research Institue | High temperature solar selective coatings |
| US20090201400A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Backside illuminated image sensor with global shutter and storage capacitor |
| US8101978B2 (en) * | 2008-02-08 | 2012-01-24 | Omnivision Technologies, Inc. | Circuit and photo sensor overlap for backside illumination image sensor |
| JP5269454B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-08-21 | 株式会社東芝 | 固体撮像素子 |
| JP2009251167A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Panasonic Corp | 誘電体多層膜 |
| FR2935839B1 (fr) * | 2008-09-05 | 2011-08-05 | Commissariat Energie Atomique | Capteur d'images cmos a reflexion lumineuse |
| US8330840B2 (en) | 2009-08-06 | 2012-12-11 | Aptina Imaging Corporation | Image sensor with multilayer interference filters |
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| FR2966976B1 (fr) * | 2010-11-03 | 2016-07-29 | Commissariat Energie Atomique | Imageur monolithique multispectral visible et infrarouge |
| KR101942961B1 (ko) * | 2011-06-17 | 2019-01-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 핀홀 없는 유전체 박막 제조 |
| US8906454B2 (en) * | 2011-09-12 | 2014-12-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing metal-polymer composite materials atop a substrate |
| JP2013062382A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR102072244B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2020-01-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| CN103378117B (zh) * | 2012-04-25 | 2016-08-03 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有负电荷层的背照式图像传感器 |
| US9412725B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for image sensor packaging |
| WO2014007267A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | 富士フイルム株式会社 | マイクロレンズの製造方法 |
| CN102938410B (zh) * | 2012-12-03 | 2017-06-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像传感器制造方法 |
| CN103367381B (zh) * | 2013-07-15 | 2016-12-28 | 格科微电子（上海）有限公司 | 背照式图像传感器及其制作方法 |
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