CN102352492A - 一种带冷却系统的气体注入装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种带冷却系统的气体注入装置及制造该装置的方法，在上层板上设置第一组复数个孔，在下层板上设置第二组复数个孔和第三组复数个孔，一组导管插入第一组复数个孔和第二组复数个孔，所述下层板的两组复数个孔随着小孔深度的变化直径发生变化，所述下层板的上表面的小孔直径大于所述下表面的小孔直径；所述的下层板内设置有冷却管道。通过上下两层板和顶壁形成两个相对独立的空间，用以保持两组气体在进入反应腔前保持相互独立。本发明设计简单，同时带有冷却系统，使得本发明所述的气体注入装置在满足需要的同时降低了成本。

Description

一种带冷却系统的气体注入装置
技术领域
本发明涉及将气体注入反应腔技术领域，尤其涉及一种带冷却系统并将气体注入反应腔后混合的装置。
背景技术
目前，已有多种反应腔应用于半导体器件、平板、太阳能电池等的制造，例如：化学气相沉淀(CVD)、等离子体增强化学气相沉淀(PECVD)，金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)、汽相外延生长(VPE)等。在实际应用中，反应气体在进入反应腔前不能混合，因此人们提出各种各样的喷淋头设计来保证反应气体在进入反应腔前保持相互隔离。此外，有效地对喷淋头进行冷却对反应效果也有很好的帮助，在很多应用中采用包括水在内的流体进行冷却，相关设计可参见美国专利5,871,586和美国公开专利申请文件2010/0170438和2011/0052833。
然而，现有技术设计非常复杂，且制作费用昂贵，由于反应气体在进入反应腔前需要保持相对独立，这就要求喷淋头有多个层板和复杂的管路设计，此外，冷却系统必须能有效地阻止上升的温度以防止造成任何渗漏，这导致了喷淋头设计的复杂和制造成本的增加，因此，在满足反应气体相对独立且有冷却系统的前提下，需要设计一种简单且制造成本较低的喷淋头。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种带冷却系统的气体注入装置。
本发明的目的是这样实现的，一种带冷却系统的气体注入装置，分别输送第一气体和第二气体到反应腔中，该气体注入装置，包括：
一上层板和一下层板，所述的上层板带有一组复数个具有第一直径的孔，
所述的下层板带有与所述上层板的小孔相对应的第二组复数个孔，所述的第一组复数个孔的每个小孔和第二组复数个孔的每个小孔位置相对应；
所述的下层板还带有第三组复数个孔，所述的第二组复数个孔和第三组复数个孔随着小孔深度的变化直径发生变化，使得每个小孔的气体进入口直径大于气体输出口直径；
所述的第一组复数个孔和第二组复数个孔内插入并固定一组复数个导管，所述复数个导管分别与所述两组复数个孔密封的连接。
所述的导管插入下层板内并穿过下层板一部分。
所述第二组复数个孔气体进入口直径为第一直径。
所述复数个导管与所述第一组复数个孔和所述第二组复数个孔密封的连接。
所述的下层板还包括第三组复数个孔，所述的第三组复数个孔内插入第二组导管。
所述的下层板还包括冷却渠道和密封环，所述的密封环固定到下层板并密封冷却渠道。
本发明还包括了一个带有气体注入装置的反应腔，其特征在于：所述的反应腔包括一顶壁，一侧壁和一底壁；
一个基座正对所述顶壁设置，基座与顶壁之间的区域为加工区域；
所述顶壁下设置一气体注入装置，所述的气体注入装置包括：一上层板安装在顶壁下，与顶壁形成第一气体隔离区，所述的上层板上设置第一组复数个孔；
一下层板下表面暴露于加工区，上表面面对所述的上层板，下层板与所述上层板形成第二气体隔离区，所述下层板设置第二组复数个孔与所述上层板第一组复数个孔的每个孔的位置相对应，所述下层板还设置第三组复数个孔用于将第二气体隔离区内的第二气体注入加工区内；
复数个导管，每个导管插入所述上层板的第一组孔的一个孔和位置相对应的第二组孔的一个孔，形成传递第一气体隔离区中的第一气体的通道，所述复数个导管和所述两组孔密封的连接。
所述的下层板包括一冷却渠道用以存放循环冷却液。
所述上层板的第一组复数个孔直径具有第一直径，所述的下层板的第二组复数个孔在所述下层板上表面直径为第一直径，在所述下层板的下表面直径为第二直径，所述第二直径小于第一直径。
所述下层板的第三组复数个孔在所述下层板下表面孔的直径和所述第二直径相匹配。
所述复数个导管密封的焊接到所述上层板和所述下层板。
本发明也提供一种制造所述气体注入装置的方法，包括：
制作一个上层板，在所述上层板上按照第一直径钻制第一组复数个孔；
制作一个下层板，在所述下层板上钻制第二组复数个孔，所述的第二组孔的每个小孔和所述第一组孔的每个小孔位置相对应
在所述下层板上钻制第三组复数个孔，所述第三组孔的每个孔从上表面开始按照第一直径钻制深度小于下层板厚度的进气孔，然后从下层板的下表面开始钻制第二直径的出气孔与从上表面开始钻制的进气孔连通，
将一组复数个导管插入并固定到所述上层板的第一组复数个孔和所述下层板的第二组复数个孔的进气口。所述的固定方法为焊接。
所述第二组复数个孔的进气孔钻制时在所述下层板上表面按照第一直径钻入一小于所述下层板厚度的深度，从所述下层板下表面按照第二直径钻制出气孔至与从上表面开始钻制的进气孔连通，所述的第一直径大于第二直径。
所述的下层板内设置一冷却渠道，所述的冷却渠道上设置一密封部件。
本发明还包括一种将两种气体独立的注入反应腔的气体注入装置，其特征在于：包括：
一带有第一组复数个孔的上层板，所述第一组复数个孔的直径为第一直径；
一包括上表面和下表面的下层板，所述下表面暴露于反应区中，所述上表面面对所述上层板，所述下层板设置有第二组复数个孔和第三组复数个孔，所述第二组复数个孔与所述上层板的第一组复数个孔位置相对应，一组导管插入所述第一组复数个孔和第二组复数个孔的部分深度，使所述导管不能到达所述下层板下表面，并且所述导管外壁和所述小孔内壁密封设置。
本发明所述的，结构简单，易于制作，只包括两个层板，上层板的第一组孔直径大于实际需要的直径，钻孔简单且价格低廉，下层板的两组孔设置为两种不同的直径，使得需要注入气体的小孔深度较浅，易于制作。导管与两层板进行焊接，保证两种气体在各自独立的空间内。冷却导管可以设置为冷却渠道加密封环的形式，也可以采用在下层板内部设置导管的形式。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
如下附图构成了本说明书的一部分，和说明书一起列举了不同的实施例，以解释和阐明本发明的宗旨。以下附图并没有描绘出具体实施例的所有技术特征，也没有描绘出部件的实际大小和真实比例。
图1示出带有一个本发明气体喷淋头实施例的反应腔结构示意图；
图2A示出本发明一个实施例的气体喷淋头截面示意图；可以与图1所示的反应腔配合一起使用
图2B为图2A所述实施例气体注入装置的上层板俯视图；
图2C-2D为图2A所述实施例气体注入装置的下层板俯视图和仰视图；
图3A-3D为另一实施例的气体注入装置的结构示意图；
图4A-4D为另一实施例的气体注入装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供的气体喷淋头，制作简单，需要的部件减少，制作成本降低，总体来说，本发明的各实施例所述的喷淋头虽然仅包括两个层板，但能独立的注入反应气体，同时还能冷却下层板。
实施例1：如图1示出一包括带冷却系统的气体注入装置的反应腔，包括反应腔100，反应腔100上方设置一气体注入装置120也可称为气体喷淋头，图1示出的为气体喷淋头120的整体结构，细节的描述在其他图中示出。图1中，反应腔100包括一外壳105，外壳105通过真空泵110使反应腔100保持真空，基架111支撑一个或多个待加工的基板115，气体注入装置120用于将处理第一气体和处理第二气体注入反应腔100内，处理第一气体和处理第二气体在进入反应腔100前彼此要保持分离，进入反应腔100后混合并发生反应，从而对基板115提供所需的处理。
如图1所示，气体注入装置120包括下层板122和上层板125，下层板122与基板115相对，上层板125位于下层板122和外壳105顶壁107之间。这样，上层板125和顶壁107之间形成扩散区129，第一气体被输送到扩散区129内，通过导管127注入反应区117内，上层板125和下层板122形成扩散区123，第二气体被输送到扩散区123，通过导管124注入反应区117。冷却液，例如冷却水，被输送到冷却管道126中用以冷却气体注入装置120，一个水或者其他流体的冷却系统(图中未示出)与冷却管道126连接，用于对管道内的水或者其他流体进行冷却。
根据图1所示，气体注入装置120包括上层板125和下层板122，上层板制作简单，在一个平盘上设置一组复数个孔，能容第一组导管127穿过，导管127长度足以插入下层板122的小孔内。下层板122为在一个平盘上设置两组复数个孔，第一组复数个孔内插入导管127，第二组复数个孔内插入第二
组导管124，导管124长度短于导管127，图1中，导管124和导管127的直径相同，但是也可以设置为不同，下层板122另包括多个可以用多种结构的冷却渠道或者管道126。制造过程中，焊接材料可以用于导管或层板，也可都用。第一组导管127和第二组导管124各自插入对应的上下层板中的小孔后整个组件被加热，将两组导管和上下层板焊接在一起并使导管外壁与上下板的小孔内壁密封。
根据图1示出的实施例，气体注入装置120能将第一气体和第二气体单独容纳和传送，只有当第一气体和第二气体进入反应区域117后才能发生混合，完成基板处理所需的化学反应。能量释放器如等离子体、加热灯等可以提供引发两种气体进行化学反应的必要能量。
图1显示反应气体和冷却流体从多个地方注入，然而，容易理解的是，每种气体都是通过各自对应的一个输入口输入。冷却流体通过循环的进入冷却装置或热量传递装置能很好的达到冷却效果，因此，为了能保持气体注入装置120的稳定温度，要设置至少一个冷却流体入口和至少一个冷却流体出口，也可以用多个冷却流体入口和出口来实现温度的控制。
在很多应用中要求气体能从气体注入装置的多个直径很小的孔输出，然而，制作小直径圆孔的花费昂贵，有时甚至需要极为先进的钻孔技术，如激光钻孔，此类钻孔技术在制作的小孔具有高深宽比(深度比直径)和非常小的直径时很难达到要求。在本发明公开的技术方案中，小孔制作的复杂程度和花费成本都大大降低，详细设计见图2A-2D。
图2A示出本发明实施例中气体注入装置的横截面示意图，图2A所示的气体注入装置包括两个层板：下层板222和上层板225。图2B示出上层板225的俯视图，上层板225制作技术相对简单，在一个平盘上制作一组复数个孔221，小孔221的直径可以大于气体注入反应腔所需的直径。也就是小孔221不需要很小，而是可以根据制做简易的需要选择孔的直径。图2C示出下层板222的俯视图，下层板222包括两组复数个孔，一组和上层板225的小孔221的位置相对应，另一组复数个孔233用于将第二种气体注入反应腔内。在本实施例中，下层板222的两组复数个孔直径随孔深增加会发生一次变化，每个小孔的上表面的直径244大于下表面的直径246，下表面的小孔直径246见图2D所示的下层板222的仰视图。下表面小孔直径246能按照需要将两种气体注入反应腔。但是在制作时，不是在下层板222整个厚度上钻出精确的小直径的孔，而是直径大一点的小孔244从下层板222的上表面开始钻孔到一定深度，但未穿透下层板，直径小一点的小孔246从下层板222的下表面开始钻孔，穿透下层板到达小孔244下端，本实施例可从图2A中清楚地看出。
在本实施例中，冷却渠道设置在下层板222中，一个简单的制作方法为在下层板222的上表面切割出一组渠道，比如在下层板的上表面。然后焊接密封环228以密封渠道226，如图2A所示。
气体注入装置120在组装时，将长导管227插入上层板225第一组复数个孔221和下层板222第二组复数个孔231直径较大的一端，将短导管224插入下层板222第三组孔233直径较大的一端。由于下层板222的两组孔直径随孔深变化发生变化，两组导管均为到达下层板222的下表面，未暴露到入反应腔内表面。然后将整个气体注入装置120放入炉中加热以将导管227、224和密封环228与上下层板的接触面进行焊接。
图3A-3D示出本发明的另一个实施例，本实施例的原理与上述图2A-2D所述的实施例相同，除了采用3xx系列来编号外，部件也与上一个实施例中具有相应编号的部件类似。本实施例与上述实施例相比有两个不同：第一，密封环328设置在下层板322的下底面，这意味着冷却渠道是从下表面进行机械加工制得，当然，其他方式也可以用于制造冷却渠道，例如，如果下层板是用陶瓷材料烧制的，冷却渠道可以在陶瓷材料烧制前设置。
图3A-3D示出了一种在下层板322的第三组孔333内不插入导管的可能性。导管327仍插入上层板325第一组孔331，和下层板322第二组孔内322，第一气体通过导管327进入反应腔内，进入反应腔前不与第二气体混合。同样导管327部分的插入下层板322的第一组孔331内，未暴露在反应腔中，当反应腔中存在等离子体时，导管327不与等离子体接触。
在上述实施例中，通过采用密封环，使得冷却渠道设计简单，价格低廉。当然也可以采用将冷却渠道设置在下层板内部不用密封环的结构，采用该设计方案虽然会增加制作的复杂程度，但是从本质上杜绝了泄露的问题，如图4A-4D所示。本实施例部件标号和上述实施例相同，采用的是4xx系列，部件也与上一个实施例中具有相应编号的部件类似，4A-4D示出的实施例所述的技术方案和3A-3D示出的实施例的技术方案大致相同，区别在于本实施例的冷却管道426位于下层板内部。
本发明实施例所述的气体注入装置结构简单，易于制作，整个喷淋头结构只包括两个层板，上层板的第一组孔直径大于实际需要的直径，钻孔简单且价格低廉，下层板的两组孔设置为两种不同的直径，使得需要注入气体的小孔深度较浅，易于制作。导管与两层板进行焊接，保证两种气体在各自独立的空间内。冷却管道可以设置为冷却渠道加密封环的形式，也可以采用在下层板内部设置管道的形式。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种带冷却系统的气体注入装置，分别输送第一气体和第二气体到反应腔中，该气体注入装置包括：
一上层板和一下层板，所述的上层板带有一组复数个具有第一直径的孔，
所述的下层板带有与所述上层板的小孔相对应的第二组复数个孔，所述的第一组复数个孔的每个小孔和第二组复数个孔的每个小孔位置相对应；
所述的下层板还带有第三组复数个孔，所述的第二组复数个孔和第三组复数个孔随着小孔深度的变化直径发生变化，使得每个小孔的气体进入口直径大于气体输出口直径；
所述的第一组复数个孔和第二组复数个孔内插入并固定一组复数个导管，所述复数个导管分别与所述两组复数个孔密封的连接。
2.根据权利要求1所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述第二组孔进气口直径为第一直径。
3.根据权利要求2所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述导管与所述第一组孔和所述第二组孔焊接密封。
4.根据权利要求3所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述的下层板还包括第三组复数个孔，所述的第三组复数个孔内插入第二组管道。
5.根据权利要求1所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述的下层板还包括冷却渠道。
6.根据权利要求5所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：还包括密封环固定到下层板以密封冷却渠道。
7.根据权利要求1所述的一种带冷却系统的气体注入装置，其特征在于：所述的一组复数个导管插入下层板内并穿过下层板一部分。
8.一个带有气体注入装置的反应腔，其特征在于：所述的反应腔包括一顶壁，一侧壁和一底壁；
一个基座正对所述顶壁设置，基座与顶壁之间的区域为加工区域；所述顶壁下设置一气体注入装置，所述的气体注入装置包括：一上层板安装在顶壁下，与顶壁形成第一气体隔离区，所述的上层板上设置第一组复数个孔；
一下层板下表面暴露于加工区，上表面面对所述的上层板，下层板与所述上层板形成第二气体隔离区，所述下层板设置第二组复数个孔与所述上层板第一组复数个孔的每个孔位置相对应，所述下层板还设置第三组复数个孔用于将第二气体隔离区内的第二气体注入加工区内；
复数个导管，每个导管插入所述上层板的第一组孔的一个孔和位置相对应的第二组孔的一个孔，形成传递第一气体隔离区中的第一气体的通道，所述复数个导管和所述两组孔密封的连接。
9.根据权利要求8所述的反应腔，其特征在于：所述的下层板包括一冷却渠道用以存放循环冷却液。
10.根据权利要求8所述的反应腔，其特征在于：所述的下层板的第二组孔的每个孔在所述下层板上表面直径为第一直径，在所述下层板的下表面直径为第二直径，所述第二直径小于第一直径。
11.根据权利要求10所述的反应腔，其特征在于：所述上层板的第一组复数个孔每个孔的直径为第一直径。
12.根据权利要求10所述的反应腔，其特征在于：所述下层板的第三组复数个孔在所述下层板下表面的直径和所述第二直径相匹配。
13.根据权利要求8所述的反应腔，其特征在于：所述复数个导管密封的焊接到所述上层板和所述下层板。
14.一种制造所述气体注入装置的方法，包括：
制作一个上层板，在所述上层板上按照第一直径钻制第一组复数个孔；
制作一个下层板，在所述下层板上钻制第二组复数个孔，所述的第二组孔的每个小孔和所述第一组孔的每个小孔位置相对应
在所述下层板上钻制第三组复数个孔，所述第三组孔的每个孔从上表面开始按照第一直径钻制深度小于下层板厚度的进气孔，然后从下层板的下表面开始钻制第二直径的出气孔与从上表面开始钻制的进气孔连通，将一组复数个导管插入并固定到所述上层板的第一组复数个孔和所述下层板的第二组复数个孔的进气口。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第二组复数个孔的进气孔钻制时在所述下层板上表面按照第一直径钻入一小于所述下层板厚度的深度，从所述下层板下表面按照第二直径钻制出气孔至与从上表面开始钻制的进气孔连通，所述的第一直径大于第二直径。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于：所述的第一直径与所述上层板的第一组复数个孔直径相等。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的下层板内包括一冷却渠道。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：所述的冷却渠道上设置一密封部件。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述的固定方法为焊接。
20.一种将两种气体独立的注入反应腔的气体注入装置，其特征在于：包括：
一带有第一组复数个孔的上层板，所述第一组复数个孔的直径为第一直径；
一包括上表面和下表面的下层板，所述下表面暴露于反应区中，所述上表面面对所述上层板，所述下层板设置有第二组复数个孔和第三组复数个孔，所述第二组复数个孔与所述上层板的第一组复数个孔位置相对应，
一组复数个导管插入所述第一组复数个孔和第二组复数个孔的部分深度，使所述复数个导管不能到达所述下层板下表面，并且所述复数个导管和所述小孔密封的连接。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103397309A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 光垒光电科技（上海）有限公司 进气装置及反应腔室
CN109385618A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 Asm Ip控股有限公司 用于在反应室内分配气体的淋喷头组件和用于控制所利用的淋喷头组件的温度均匀度的方法
CN115404463A (zh) * 2022-10-31 2022-11-29 上海星原驰半导体有限公司 原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置

Families Citing this family (217)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011044451A2 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI470105B (zh) * 2013-06-03 2015-01-21 Adpv Technology Ltd Gas Reaction Continuous Cavity and Gas Reaction
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR20170055506A (ko) * 2014-09-08 2017-05-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 벌집형 다중 구역 가스 분배 플레이트
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10755900B2 (en) * 2017-05-10 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Multi-layer plasma erosion protection for chamber components
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102516885B1 (ko) * 2018-05-10 2023-03-30 삼성전자주식회사 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US20220384145A1 (en) * 2019-10-24 2022-12-01 Lam Research Corporation Semiconductor equipment module fabrication with additive manufacturing
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US20220010431A1 (en) * 2020-07-08 2022-01-13 Applied Materials, Inc. Multiple-channel showerhead design and methods in manufacturing
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US20220093361A1 (en) * 2020-09-22 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly with recursive gas channels
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN116926507A (zh) * 2022-04-07 2023-10-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种进气装置及衬底处理设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103630A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置
US20060011298A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-19 Ji-Eun Lim Showerhead with branched gas receiving channel and apparatus including the same for use in manufacturing semiconductor substrates
CN101255552A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9411911D0 (en) * 1994-06-14 1994-08-03 Swan Thomas & Co Ltd Improvements in or relating to chemical vapour deposition
KR100513920B1 (ko) * 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
JP2010059520A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
US20110048325A1 (en) * 2009-03-03 2011-03-03 Sun Hong Choi Gas Distribution Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same
US20120097330A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Applied Materials, Inc. Dual delivery chamber design

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103630A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置
US20060011298A1 (en) * 2004-07-15 2006-01-19 Ji-Eun Lim Showerhead with branched gas receiving channel and apparatus including the same for use in manufacturing semiconductor substrates
CN101255552A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103397309A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 光垒光电科技（上海）有限公司 进气装置及反应腔室
CN109385618A (zh) * 2017-08-04 2019-02-26 Asm Ip控股有限公司 用于在反应室内分配气体的淋喷头组件和用于控制所利用的淋喷头组件的温度均匀度的方法
CN115404463A (zh) * 2022-10-31 2022-11-29 上海星原驰半导体有限公司 原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20130118405A1 (en) 2013-05-16
TW201318706A (zh) 2013-05-16
TWI569878B (zh) 2017-02-11

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