TWI708864B - 基板支撐組件、具有其之處理腔室、及控制其之溫度的方法 - Google Patents

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Abstract

在此所描述的實施例大致上是有關於一種基板支撐組件中的溫度控制系統。在一實施例中，揭露一種基板支撐組件。基板支撐組件包括支撐板組件。支撐板組件包括一第一流體供應歧管、一第二流體供應歧管、一第一流體回流歧管、一第二流體回流歧管、複數個第一流體通道、複數個第二流體通道以及一流體供應導管。該些第一流體通道從第一流體供應歧管延伸至第一流體回流歧管。該些第二流體通道從第二流體供應歧管延伸至第二流體回流歧管。該些流體通道以一交替方式延伸橫跨支撐板組件的上表面。流體供應導管係配置成用以將一流體供應至流體供應歧管。

Description

基板支撐組件、具有其之處理腔室、及控制其之 溫度的方法
在此所描述的實施例大致上是有關於一種基板支撐組件中的溫度控制系統。
平板顯示器(flat panel displays,FPDs)普遍地用於諸如電腦和電視顯示器的主動矩陣式顯示器、個人數位助理(personal digital assistants,PDAs)、手機、以及太陽能電池等。可以在製造平板顯示器中使用電漿增強化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)以在一基板上沉積薄膜。電漿增強化學氣相沉積一般係透過將前驅物氣體引入真空處理室內的電漿中，並由被激發的前驅物氣體沉積一薄膜在基板上來實現。
此外，在撞擊(strike)電漿增強化學氣相沉積腔室內的電漿之後，來自電漿的能量亦會產生朝向基板及在腔室內支撐基板之基板支撐件的熱量。因此，控制基板支撐件在製程期間的暫時性溫度升高係為一項挑戰。
因此，需要一種具有改善溫度控制的基板支撐組件。
在此所描述的實施例大致上涉及基板支撐組件中的溫度控制系統。在一個實施例中，於此揭露一基板支撐組件。該基板支撐組件包括一支撐板組件。支撐板組件包括一第一流體供應歧管(fluid supply manifold)、一第二流體供應歧管、一第一流體回流歧管(fluid return manifold)，一第二流體回流歧管、複數個第一流體通道、複數個第二流體通道以及一流體供應導管。第一流體供應歧管位於支撐板組件的一第一端。第二流體供應歧管位於支撐板組件的一第二端。第二端相對於第一端。第一流體回流歧管位於基板支撐件的第二端。第二流體回流歧管位於支撐板組件的第一端。該些第一流體通道從第一流體供應歧管延伸至第一流體回流歧管。該些第二流體通道從第二流體供應歧管延伸至第二流體回流歧管。第一流體通道與第二流體通道以約呈交替的方式延伸橫跨基板支撐組件的一上表面。流體供應導管係配置成用以將流體供應至第一流體供應歧管和第二流體供應歧管。
在另一實施例中，於此揭露一處理腔室。該處理腔室包括一腔室主體和一基板支撐組件。腔室主體包括在腔室主體內定義出處理區域之一頂壁、一側壁和一底壁。基板支撐組件設於處理區域上。基板支撐組件包括一支撐板組件。支撐板組件包括一第一流體供應或回流歧管、一第二流體供應或回流歧管、一第一流體回流或供應歧管、一第二流體回流或供應歧管、複數個第一流體通道、複數個第二流體 通道以及一流體供應導管。第一流體供應或回流歧管位於基底支撐件的第一端。第二流體供應或回流歧管位於基板支撐件的第二端。第二端相對於第一端。第一流體回流或供應歧管位於基板支撐件的第二端。第二流體回流或供應歧管位於基板支撐件的第一端。該些第一流體通道從第一流體供應或回流歧管延伸至第一流體回流或供應歧管。該些第二流體通道從第二流體供應或回流歧管延伸至第二流體回流或供應歧管。第一流體通道和第二流體通道以大致交替的方式延伸橫跨基板支撐組件的一上表面。流體供應導管係配置成用以將流體供應至第一流體供應或回流歧管和第二流體供應或回流歧管。
在另一實施例中，於此揭露一種控制基板支撐組件的溫度之方法。該方法包括提供一熱傳流體至基板支撐組件的一支撐板組件。熱傳流體在一第一方向上從支撐板組件之一第一端流動通過複數個第一流體通道至支撐板組件之一第二端。熱傳流體在一第二方向上從支撐板組件之第二端流動通過複數個第二流體通道至支撐板組件之第一端。該些第一流體通道與該些第二流體通道係交插橫跨支撐板組件的一上表面。
100:處理腔室
101:基板
102:腔室主體
104、450:側壁
106、452:底壁
108:噴頭
109:開口
110:處理空間
111:真空泵
112:背板
114:懸架
116:耦接支撐件
118:基板支撐組件
120、400:支撐板組件
122:桿
126:升舉系統
128:升舉銷
130:射頻回程帶
132:氣源
134:氣體出口
136:氣體通道
138:射頻電源
140:遠端電漿源
201、401:主體組件
202:流體供應導管
204、206、411、412:流體供應歧管
208:箭頭方向
210、414:第一端
212、415:第二端
214:流體出口導管
216、218、420、422:流體回流歧管
220、222、408、410:流體通道
224:第一方向
226:第二方向
228:上表面
240、280、282:帽蓋
284:底部
260、290:出口
292、297:入口
298:流體回流接線
299:流體供應接線
300:方法
302、304、306:方框
402:頂板
404:底板
406:回流歧管
407:供應歧管
416:流體出口
418:流體入口
430:導管
454:上表面
456:基板接收區域
458:外部區域
460:凸出部
A-A、B-B、C-C、D-D、E-E:剖線
為了能夠理解本揭露上述特徵的細節，可參照實施例，得到對於簡單總括於上之本揭露更詳細的敘述，實施例的一部分係繪示於所附圖式中。然而需注意，所附的圖式僅僅繪示出本揭露的典型實施例，因此其並不會被認為對本揭露的範圍造成限制，基於本揭露可允許其他等效的實施例。
第1圖繪示根據一實施例之具有一基板支撐組件設於其中的一處理腔室之剖視圖。
第2A圖繪示根據一實施例之第1圖中的基板支撐組件之頂部剖視圖。
第2B圖繪示第2A圖中的基板支撐組件沿著B-B線之剖視圖。
第2C圖繪示第2A圖中的基板支撐組件沿著C-C線之剖視圖。
第2D圖繪示第1圖中的基板支撐組件沿著D-D線之底部剖視圖。
第2E圖繪示第2D圖中的基板支撐組件沿著E-E線之剖視圖。
第3圖為繪示根據一實施例之控制一基板支撐組件的溫度之方法的流程圖。
第4A圖繪示根據一實施例的一支撐板組件之剖視圖。
第4B圖繪示根據一實施例之一頂板之剖視圖。
第4C圖繪示根據一實施例之一底板之上視圖。
第4D圖繪示支撐板組件的底部視圖，其繪示了流體回流歧管和流體供應導管。
為了清楚起見，在可適用的情況下，已使用相同的元件符號指示圖式之間共通的相同元件。此外，一個實施例的元件可以有利地適於在於此所述之其它實施例中使用。
第1圖繪示根據一實施例之具有一基板支撐組件118的一處理腔室100之剖視圖。處理腔室100可以包括具有界定出一處理空 間110之側壁104以及底壁106的一腔室主體102。處理空間110係可經由形成穿過側壁104的一開口109而出入。
噴頭108設於處理空間110中。噴頭108可以耦接至背板112。舉例來說，噴頭108可以透過在背板112端部的懸架114耦接至背板112。一個或多個耦接支撐件116可用以將噴頭108耦接至背板112以幫助防止下垂(sag)。
基板支撐組件118亦設於處理空間110中。基板支撐組件118包括支撐板組件120與耦接至支撐板組件120之桿122。支撐板組件120係配置成用以在製程期間支撐基板101。支撐板組件120包括一主體組件201，其具有複數個第一流體通道220及複數個第二流體通道222。第一流體通道220和第二流體通道222係配置成用以將基板支撐組件118維持在一期望溫度。第一流體通道220和第二流體通道222係延展至主體組件201之全平面區域(full plan area)。
一升舉系統(lift system)126可耦接至桿122以升高和降低支撐板組件120。升舉銷(lift pin)128係可移動地穿透設置於支撐板組件120以將基板101從支撐板組件120間隔開來，以協助基板101的機器輸送(robotic transfer)。基板支撐組件118也可包括射頻回程帶(RF return strap)130以在基板支撐組件118的端部提供射頻回程路徑(RF return path)。
氣源132可以耦接至背板112以透過背板112中的氣體出口134提供處理氣體。處理氣體從氣體出口134流動通過噴頭108中的氣體通道136。一真空泵111可以耦接至處理腔室100以控制處理空間110內的壓力。一射頻電源138可以耦接至背板112和/或耦接至噴頭108以向噴頭108提供射 頻功率。射頻功率在噴頭108和基板支撐組件118之間產生電場，從而在噴頭108與基板支撐組件118之間由氣體產生電漿。
遠端電漿源140，例如為一電感耦接遠端電漿源(inductively coupled remote plasma source)，亦可耦接於氣源132和背板112之間。在基板處理之間，一清洗氣體可以提供至遠端電漿源140，從而產生一遠端電漿並供至處理空間110中以清洗處理腔室元件。清洗氣體可於處理空間110中受從射頻電源138施加到噴頭108之功率進一步激發。合適的清洗氣體包括NF3、F2以及SF6，但不限於此。
第2A圖繪示根據一實施例的基板支撐組件118之支撐板組件120的頂部剖視圖。第2D圖繪示根據一實施例的基板支撐組件118之基板支撐組件120之底部剖視圖。支撐板組件120包括主體組件201。主體組件201包括複數個第一流體通道220和複數個第二流體通道222。第一流體通道220係配置成用以將一熱傳流體在一第一方向上從主體組件201的第一端210流動至主體組件201的第二端212。第二流體通道222係配置成用以將熱傳流體在一第二方向上從第二端212流動至第一端210，第二方向與第一方向相反。在一個實施例中，第一流體通道220與第二流體通道222平行於主體組件201之一長邊地蔓延。在另一個實施例中，第一流體通道220及第二流體通道222垂直於主體組件201之長邊地蔓延。第一流體通道220與第二流體通道222交插。將第一流體通道220與第二流體通道222交插提供了被配置成用於使熱傳流體在交替方向上流動之流體路徑，從而將支撐板組件120配置為一逆流熱交換器(counter-flow heat exchanger)。熱傳流體之交替的流動路徑允許對基板支撐組件118進行更有效的溫度控制，最終允許對基板101進行更有效的溫度控制。
在一個實施例中，主體組件201還可包括一頂板(未繪示)和與頂板耦接的一底板(未繪示)。如第2A圖所示，主體組件201由一單一主體(singular body)形成。主體組件201還可以包括一流體供應導管202、一第一流體供應歧管204、一第二流體供應歧管206以及一流體供應接線299。流體供應導管202與第一流體供應歧管204、第二流體供應歧管206以及流體供應接線299流體連通(fluid communication)。流體供應導管202包括一與流體供應導管202流體連通的入口297。流體供應導管202亦包括複數個與第一流體供應歧管204及第二流體供應歧管206流體連通的出口290。流體供應導管202係配置成用以供應一流體(例如一熱傳流體)至第一流體供應歧管204和第二流體供應歧管206。箭頭208代表流體從流體供應導管202流動至第一流體供應歧管204與第二流體供應歧管206之方向。第一流體供應歧管204係位於主體組件201的第一端210。第二流體供應歧管206係位於主體組件201的第二端212。主體組件201的第二端212相對於第一端210。
主體組件201還可包括一流體出口導管214、一第一流體回流歧管216、一第二流體回流歧管218以及一流體回流接線298。流體出口導管214與第一流體回流歧管216及第二流體回流歧管218流體連通。流體出口導管214係配置成用以從第一流體回流歧管216和第二流體回流歧管218接收流體並將流體從支撐板組件120移除。流體出口導管214包括複數個入口292，入口292係配置成用以將流體從支撐板組件120移除。流體出口導管214與位於桿122中的流體回流接線298流體連通。第一流體回流歧管216係位於主體組件201之第二端212且位於第二流體供應歧管206的內側。第二流體回流歧管218位於主體組件201的第一端210處且位於第一流體供應歧管204的內側。
該些第一流體通道220從第一流體供應歧管204延伸至第一流體回流歧管216。各第一流體通道220係配置成用以將流體在第一方向224上從第一流體供應歧管204流動至第一流體回流歧管216。該些第二流體通道222從第二流體供應歧管206延伸至第二流體回流歧管218。各第二流體通道222係配置成用以將流體在第二方向226上從第二流體歧管206流動至第二流體回流歧管218。各第一流體通道220和各第二流體通道222包括與對應之第一流體回流歧管216和對應之第二流體回流歧管218流體連通之一出口260。
第一流體通道220與第二流體通道222交插。舉例來說，流體通道220與222以交替橫跨基本上整個支撐板組件120的上表面228之方式形成於支撐板組件120。交替的第一流體通道220和第二流體通道222允許對於支撐板組件120較對稱的溫度控制。在一實施例中，流體通道220、222、流體供應歧管204、206、流體回流歧管216、218、流體供應導管202可鑽入至主體組件201中。在另一個實施例中，流體通道220、222、流體供應歧管204、206、流體回流歧管216、218以及流體供應導管202可被機械加工，在此實施例中，一平的帽蓋(flat cap)240可銅焊(brazed)於流體通道220、222、流體供應歧管204、206、流體回流歧管216、218以及流體供應導管202之頂部以密封流體通道220、222、流體供應歧管204、206、流體回流歧管216、218以及流體供應導管202。
第2B圖繪示基板支撐組件118沿著第2A圖中的B-B線之剖視圖。第2B圖繪示從第二流體供應歧管206流向第二流體回流歧管218之第二流體通道222。流體供應導管202於第二流體通道222的下方蔓延。在另一個實施例中，一帽蓋280可以設置於流體通道220、222的底部284上。 在此實施例中，流體通道220、222被加工至主體組件201的上表面中。第一流體回流歧管216和第二流體回流歧管218可以被加工至帽蓋280中。帽蓋280耦接至流體通道220、222的底部，使流體通道220、222與流體回流歧管216、218流體連通。帽蓋280可配置成用以密封流體回流歧管216、218。在一實施例中，帽蓋280可以具有數個穿透其而形成的孔洞。
第2C圖繪示支撐板組件120沿著第2A圖中的C-C線之剖視圖。第2C圖繪示從第一流體供應歧管204流向第一流體回流歧管216之第一流體通道220。流體供應導管202於第一流體通道220的下方蔓延。在又另一實施例中，平的帽蓋282可以設置於流體通道220、222的底部284上。在此實施例中，流體通道220、222被加工至主體組件201的上表面中。第一流體供應歧管204和第二流體供應歧管206可以被加工至帽蓋282中。帽蓋282耦接至流體通道220、222的底部，使流體通道220、222與流體供應歧管204、206流體連通。帽蓋282可配置成用以密封流體供應歧管204、206。在一實施例中，帽蓋282可以具有數個穿透其而形成的孔洞。
第2E圖繪示支撐板組件120沿著第2D圖中的E-E線之剖視圖。如第2E圖所示，流體供應導管202和流體出口導管214延伸至基板支撐組件118的桿122中。在第2E圖中，平的帽蓋240被示為位於流體通道220、222、流體供應歧管204、206、流體回流歧管216 218以及流體供應導管202上方。
第4A圖繪示根據一實施例之支撐板組件400的剖視圖。支撐板組件400包括一具有複數個第一流體通道408及複數個第二流體通道410之主體組件401。第一流體通道408係配置成用以將一熱傳流體在第一方向上從主體組件401之一第一端414流動至主體組件401之一第二端415。第二 流體通道410係配置成用以將熱傳流體在一第二方向上從第二端415流動至第一端414。在一個實施例中，第一流體通道408與第二流體通道410平行於主體組件401之一長邊地蔓延。在另一個實施例中，第一流體通道408及第二流體通道410垂直於主體組件401之長邊地蔓延。將第一流體通道408與第二流體通道410交插提供了被配置成用於熱傳流體之沿交替方向配置之流體路徑，從而將支撐板組件400配置為一逆流熱交換器。熱傳流體之交替的流動路徑允許對基板支撐組件118進行更有效的溫度控制，最終允許對基板101進行更有效的溫度控制。支撐板組件400還可包括複數個回流歧管406和複數個供應導管407。該些回流歧管406和該些供應導管407係耦接至主體組件401。
主體組件401還可包括一頂板402(於第4B圖中詳細繪示)和一底板404(於第4C圖中詳細繪示)。流體通道408、410可形成於頂板402中。在另一實施例中，該些流體通道408、410可形成於底板404中。在又另一實施例中，一部分的該些流體通道408、410可形成於頂板402中，而一部分的該些流體通道408、410可形成於底板404中。上述之頂板402與底板404至少二者之一可以作為一支撐板。在一實施例中，一帽蓋被提供以耦接至該支撐板，並密封該些流體通道408、410。
第4B圖繪示根據一實施例之頂板402的俯看剖視圖。頂板402更包括一第一流體供應歧管411和一第二流體供應歧管412。第一流體供應歧管411形成於頂板402的第一端414。第一流體供應歧管411與該些第一流體通道408流體連通。第二流體供應歧管412形成於頂板402的第二端415。第二流體供應歧管412與該些第二流體通道410流體連通。流體供應歧管411、412和流體通道408、410的範圍受限於側壁450和底壁452。
頂板402還包括一上表面454。上表面454包括一基板接收區域456和一外部區域458。基板接收區域456至少包含該些流體通道408、410上方的區域。基板接收區域456係配置成用以在製程期間支撐基板。因此，基板接收區域456可以與基板的面積相同或略大。外部區域458在基板接收區域456的外部。外部區域458包括複數個凸出部460。凸出部460允許供應導管407沿著同一平面位於回流歧管406之外。使供應導管407位於基板接收區域456之外提供了更佳和更均勻的熱接觸，因為只有流體通道408、410直接位於基板接收區域456的下方。使供應導管407位於與回流歧管406外並位在相同的平面內也允許支撐板組件400更薄。支撐板組件400更薄可使支撐板組件400能被加裝於處理腔室中，在處理腔室中，較厚的支撐板組件(即，之中供應導管位於回流歧管下方者)對於可行的腔室行程長度(chamber stroke length)來說過厚。
底板404係耦接至頂板402。底板404係配置成用以密封流體通道408、410。在一實施例中，底板404可以銅焊至頂板402。在其他實施例中，底板404可藉由其他防止自流體通道408、410洩漏之方式熔接或耦接至頂板402。第4C圖係繪示根據一實施例的底板404之俯視圖。底板404可以包括複數個流體出口416和複數個流體入口418。流體入口418位於底板404上，以使流體入口418與第一流體供應歧管411和第二流體供應歧管412流體連通。流體出口416位於底板404上，以使流體出口416與流體通道408、410流體連通。流體出口416係配置成用以提供第一流體通道408、第二流體通道410及該些流體回流歧管406之間的流體連通，使得熱傳流體可離開流體通道408、410並進入流體回流歧管406。
第4D圖繪示支撐板組件400的底部視圖，其繪示流體回流歧管406與流體供應導管407。該些流體回流歧管406耦接至底板404。流體回流歧管406和流體供應導管407透過導管430流體地耦接至桿122。該些流體回流歧管406包括一第一流體回流歧管420和一第二流體回流歧管422。第一流體回流歧管420耦接至底板404鄰近於頂板402的第二端415。第二流體回流歧管422耦接至底板404鄰近於頂板402的第一端414。第一流體回流歧管420和第二流體回流歧管422係配置成用以接收從形成於底板404中的流體出口416離開流體通道408、410之熱傳流體。
流體供應導管407係耦接至底板404。流體入口418係配置成用以提供流體供應導管407與第一流體供應歧管411、第二流體供應歧管412之間的流體連通，以使熱傳流體可提供至第一流體供應歧管411及第二流體供應歧管412。如第4A圖所示，底板404係配置成用以密封第一流體供應歧管411和第二流體供應歧管412。此外，底板404還可配置成用以密封第一流體回流歧管420和第二流體回流歧管422。
在操作過程中，流體從流體供應導管407，流過流體入口418，並流入第一流體供應歧管411和第二流體供應歧管412。熱傳流體從第一流體供應歧管411流入該些第一流體通道408。熱傳流體流動通過第一流體通道408並透過流體出口416離開第一流體通道408，進入第一流體回流歧管420。熱傳流體也從第二流體供應歧管412流入第二流體通道410。熱傳流體流動通過第二流體通道410並透過流體出口416離開第二流體通道410，進入第二流體回流歧管420。流體回流歧管420、422將熱傳流體往下回流至桿122。
在一個實施例中，頂板402具有一熱質量(thermal mass)，該熱質量小於提供至流體通道408、410之熱傳流體(例如水)的熱質量。舉例來說，頂板402的熱質量小於熱傳流體之熱質量的50%左右。在另一個實施例中，支撐板組件400具有一熱質量，使得支撐板組件400的熱質量小於提供至流體通道408、410之熱傳流體的熱質量。舉例來說，支撐板組件400的熱質量小於熱傳流體之熱質量的50%左右，換句話說，支撐板組件400乾燥時的熱質量小於兩倍之水當填充於流體通道408、410時的熱質量。令頂板402或支撐板組件400的熱質量小於熱傳流體的熱質量可使支撐板組件400的溫度能夠快速變化，從而對設於其上之基板進行快速且精確的溫度控制。此外，配置低流阻抗(flow impedance)的流體通道408、410會增強支撐板組件400之溫度快速變化的能力。舉例來說，流體通道408、410的低流阻抗使其內的熱傳流體容量在不需要高流體壓力的情況下可在低於5秒的時間內完全更換，例如是低於2秒的時間內。藉由提供低流阻抗，迫使流體通過通道所需的壓力可以降低，從而能夠相應地減少通道的壁厚及因而降低支撐組件的靜熱質量(static thermal mass)。
第3圖為繪示根據一實施例的控制基板支撐組件之溫度的方法300之流程圖。方法300從方框302開始，其中熱傳流體被提供至基板支撐組件的一支撐板。舉例來說，流體可經由流體供應導管202提供至支撐板組件120。流體供應導管202將熱傳流體提供至第一流體供應歧管204和第二流體供應歧管206。
在方框304中，熱傳流體在一第一方向上從設於支撐板之第一端的第一流體供應歧管流動至設於支撐板組件之第二端的第一流體回流 歧管。舉例來說，熱傳流體可在一第一方向上從第一流體供應歧管204流動通過第一流體通道220至第一流體回流歧管216。
在方框306中，熱傳流體在一第二方向上從設於支撐板組件之第二端的第二流體供應歧管流動至設於支撐板之第一端的第二流體回流歧管。舉例來說，熱傳流體可以在一第二方向上從第二流體供應歧管206流動通過第二流體通道222至第二流體回流歧管218。在第一方向和第二方向上流動熱傳流體的係沿著基本上整個支撐板組件的平面區域以交替方式(alternating manner)進行。當熱傳流體流動至第一流體回流歧管216及第二流體回流歧管218時，熱傳流體透過流體出口導管214離開支撐板。熱傳流體可以連續循環流通過支撐板組件120以在製程期間控制支撐板組件120的溫度。
儘管前述內容是針對特定的實施例，在不背離歧基本範圍的情況下，可衍伸出歧他和更進一步的實施例，因此其範圍由後附之申請專利範圍所界定。
100:處理腔室
101:基板
102:腔室主體
104:側壁
106:底壁
108:噴頭
109:開口
110:處理空間
111:真空泵
112:背板
114:懸架
116:耦接支撐件
118:基板支撐組件
120:支撐板組
122:桿
126:升舉系統
128:升舉銷
130:射頻回程帶
132:氣源
134:氣體出口
136:氣體通道
138:射頻電源
140:遠端電漿源
298:流體回流接線
299:流體供應接線

Claims (19)

  1. 一種基板支撐組件，包括：一支撐板組件，包括：一第一流體供應歧管，位於該支撐板組件的一第一端；一第二流體供應歧管，位於該支撐板組件的一第二端，該第二端相對於該第一端；一第一流體回流歧管，位於該支撐板組件的該第二端；一第二流體回流歧管，位於該支撐板組件的該第一端；複數個第一流體通道，該些第一流體通道由該第一流體供應歧管延伸至該第一流體回流歧管，各該第一流體通道係配置成用以在一第一方向上流動一流體；複數個第二流體通道，該些第二流體通道由該第二流體供應歧管延伸至該第二流體回流歧管，各該第二流體通道係配置成用以在與該第一方向相反之一第二方向上流動一流體，其中該些第一流體通道和該些第二流體通道以約呈交替的方式延伸橫跨該支撐板組件的一上表面；以及一流體供應導管，係配置成用以供應一流體的一部分至該第一流體供應歧管及供應該流體的另一部分至該第二流體供應歧管。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐組件，其中該支撐板組件更包括： 一熱質量，當該支撐板組件乾燥時，該熱質量小於兩倍的水在填充於該些第一流體通道及該些第二流體通道時的熱質量。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐組件，其中該第一流體供應歧管、該第二流體供應歧管、該第一流體回流歧管以及該第二流體回流歧管係形成於單一板中，該單一板亦包含該些第一流體通道及該些第二流體通道。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐組件，其中該支撐板組件更包括：一支撐板，具有至少一部分的該些第一流體通道及該些第二流體通道形成於其中；以及一帽蓋，耦接至該支撐板，並密封該些第一流體通道及該些第二流體通道。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之基板支撐組件，其中該帽蓋更包括：複數個穿透該帽蓋而形成的孔洞，將該些第一流體通道及該些第二流體通道與該第一流體供應歧管、該第二流體供應歧管、該第一流體回流歧管和該第二流體回流歧管流體地耦接。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之基板支撐組件，其中該第一流體供應歧管、該第二流體供應歧管、該第一流體回流歧 管以及該第二流體回流歧管圍繞該些第一流體通道及該些第二流體通道。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板支撐組件，更包括：一支撐板，具有該些第一流體通道及該些第二流體通道形成於其中，且具有該第一流體回流歧管及該第二流體回流歧管與該支撐板耦接。
  8. 一種處理腔室，包括：一腔室主體，包括定義出該腔室主體內的一處理區域之一頂壁、一側壁及一底壁；以及一基板支撐組件，設於該處理區域中，該基板支撐組件包括：一支撐板組件，包括：一第一流體供應或回流歧管，位於該支撐板組件的一第一端；一第二流體供應或回流歧管，位於該支撐板組件的一第二端，該第二端相對於該第一端；一第一流體回流或供應歧管，位於該支撐板組件的該第二端；一第二流體回流或供應歧管，位於該支撐板組件的該第一端； 複數個第一流體通道，該些第一流體通道從該第一流體供應歧管延伸至該第一流體回流歧管，各該第一流體通道係配置成用以在一第一方向上流動一流體；複數個第二流體通道，該些第二流體通道從該第二流體供應歧管延伸至該第二流體回流歧管，各該第二流體通道係配置成用以在與該第一方向相反之一第二方向上流動一流體，其中該些第一流體通道與該些第二流體通道以大致交替的方式延伸橫跨該支撐板組件的一上表面；及一流體供應導管，係配置成用以供應一流體的一部分至該第一流體供應或回流歧管及供應該流體的另一部分至該第二流體供應或回流歧管。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之處理腔室，其中該支撐板組件更包括：一熱質量，當該支撐板組件乾燥時，該熱質量小於約兩倍的填充於該些第一流體通道及該些第二流體通道之水的熱質量。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之處理腔室，其中該第一流體供應或回流歧管、該第二流體供應或回流歧管、該第一流體回流或供應歧管以及該第二流體回流或供應歧管係形成於單一板中，該單一板亦包含該些第一流體通道及該些第二流體流體通道。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之處理腔室，其中該支撐板組件更包括：一支撐板，具有至少一部分的該些第一流體通道及該些第二流體通道形成於其中；以及一帽蓋，耦接至該支撐板，並密封該些第一流體通道及該些第二流體通道。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之處理腔室，其中該帽蓋更包括：複數個穿透該帽蓋而形成的孔洞，將該些第一流體通道及該些第二流體通道與該第一流體供應歧管、該第二流體供應歧管、該第一流體回流歧管和該第二流體回流歧管流體地耦接。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之處理腔室，其中該第一流體供應歧管、該第二流體供應歧管、該第一流體回流歧管以及該第二流體回流歧管圍繞該些第一流體通道及該些第二流體通道。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之處理腔室，更包括：一支撐板，具有該些第一流體通道及該些第二流體通道形成於其中，且具有該第一流體回流歧管及該第二流體回流歧管與該支撐板耦接。
  15. 一種控制一基板支撐組件的溫度之方法，包括： 提供一熱傳流體至該基板支撐組件的一支撐板組件，其中提供該熱傳流體至該基板支撐組件的該支撐板組件包括：透過一流體供應導管使該熱傳流體的一部分流動至設於該支撐板組件之一第一端附近的一第一流體供應歧管；及透過該流體供應導管使該熱傳流體的另一部分流動至設於該支撐板組件之一第二端附近的一第二流體供應歧管；使該熱傳流體在一第一方向上從該支撐板組件之該第一端流動通過複數個第一流體通道至該支撐板組件之該第二端；以及使該熱傳流體在一第二方向上從該支撐板組件之該第二端流動通過複數個第二流體通道至該支撐板組件之該第一端，其中該些第一流體通道與該些第二流體通道係交插於該支撐板組件的一上表面之下。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中使該熱傳流體在該第一方向上從該支撐板組件之該第一端流動通過該些第一流體通道至該支撐板組件的該第二端包括：使該熱傳流體從設於該第一端附近之該第一流體供應歧管流動至設於該第二端附近之一第一流體回流歧管。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中使該熱傳流體在該第二方向上從該支撐板組件之該第二端流動通過該些第二流體通道至該支撐板組件之該第一端更包括：使該熱傳流體從設於該第二端附近之該第二流體供應歧管流動至設於該第一端附近之一第二流體回流歧管。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包括：透過一流體出口導管將該熱傳流體從該支撐板組件中移除，該流體出口導管與設於該第二端附近之一第一流體回流歧管和設於該第一端附近之一第二流體回流歧管流體連通。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中透過使該基板支撐組件在乾燥時的熱質量小於在該基板支撐組件被填充時之所含該熱傳流體的熱質量的兩倍，以控制該基板支撐組件的溫度，從而控制一基板的溫度。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022011581A1 (en) * 2020-07-15 2022-01-20 Nordson Corporation Plasma treatment with isolated cooling paths

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1779938A (zh) * 2004-10-07 2006-05-31 应用材料公司 控制衬底温度的方法和装置
KR100730381B1 (ko) * 2005-12-06 2007-06-19 (주)대하이노텍 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW439094B (en) 1998-02-16 2001-06-07 Komatsu Co Ltd Apparatus for controlling temperature of substrate
US7993460B2 (en) 2003-06-30 2011-08-09 Lam Research Corporation Substrate support having dynamic temperature control
KR100987304B1 (ko) 2003-08-19 2010-10-12 주성엔지니어링(주) 정전척의 냉각 베이스
DE112005000621B4 (de) 2004-03-19 2019-01-31 Creative Technology Corporation Bipolare elektrostatische Haltevorrichtung
JP2005268720A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
US20080035306A1 (en) 2006-08-08 2008-02-14 White John M Heating and cooling of substrate support
JP5463224B2 (ja) 2010-07-09 2014-04-09 日本発條株式会社 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート
TWI534291B (zh) * 2011-03-18 2016-05-21 應用材料股份有限公司 噴淋頭組件
JP5897275B2 (ja) 2011-07-25 2016-03-30 東京エレクトロン株式会社 温度制御ユニット、基板載置台、基板処理装置、温度制御システム、及び基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1779938A (zh) * 2004-10-07 2006-05-31 应用材料公司 控制衬底温度的方法和装置
KR100730381B1 (ko) * 2005-12-06 2007-06-19 (주)대하이노텍 반도체 및 액정모듈 제조 공정용 정전척

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