TWI569878B - Gas injection device with cooling system - Google Patents

Gas injection device with cooling system Download PDF

Info

Publication number
TWI569878B
TWI569878B TW100149967A TW100149967A TWI569878B TW I569878 B TWI569878 B TW I569878B TW 100149967 A TW100149967 A TW 100149967A TW 100149967 A TW100149967 A TW 100149967A TW I569878 B TWI569878 B TW I569878B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
holes
plate
diameter
lower plate
gas
Prior art date
Application number
TW100149967A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201318706A (zh
Inventor
nai-ming He
Yong Jiang
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of TW201318706A publication Critical patent/TW201318706A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI569878B publication Critical patent/TWI569878B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Heat-Exchange Devices With Radiators And Conduit Assemblies (AREA)

Description

帶冷卻系統的氣體注入裝置
本發明關於將氣體注入反應腔技術領域，尤其是關於一種帶冷卻系統並將氣體注入反應腔後混合的裝置。
目前，已有多種反應腔應用於半導體器件、平板、太陽能電池等的製造，例如：化學氣相沉澱(CVD)、等離子體增強化學氣相沉澱(PECVD)，金屬有機化合物化學氣相沉澱(MOCVD)、汽相外延生長(VPE)等。在實際應用中，反應氣體在進入反應腔前不能混合，因此人們提出各種各樣的噴淋頭設計來保證反應氣體在進入反應腔前保持相互隔離。此外，有效地對噴淋頭進行冷卻對反應效果也有很好的幫助，在很多應用中採用包括水在內的流體進行冷卻，相關設計可參見美國專利5,871,586和美國公開專利申請檔2010/0170438和2011/0052833。
然而，習知技術設計非常複雜，且製作費用昂貴，由於反應氣體在進入反應腔前需要保持相對獨立，這就要求噴淋頭有多個層板和複雜的管路設計，此外，冷卻系統必須能有效地阻止上升的溫度以防止造成任何滲漏，這導致了噴淋頭設計的複雜和製造成本的增加，因此，在滿足反應氣體相對獨立且有冷卻系統的前提下，需要設計一種簡單且製造成本較低的噴淋頭。
為了解決習知技術的問題，本發明提供一種帶冷卻系統的氣體注入裝置。
本發明的目的是這樣實現的，一種帶冷卻系統的氣體注入裝置，分別輸送第一氣體和第二氣體到反應腔中，該氣體注入裝置，包括：一上層板和一下層板，上層板帶有第一組複數個孔，下層板帶有與上層板的小孔相對應的第二組複數個孔，第一組複數個孔的每個小孔和第二組複數個孔的每個小孔位置相對應，下層板還帶有第三組複數個孔，第二組複數個孔和第三組複數個孔隨著小孔深度的變化直徑發生變化，使得每個小孔的氣體進入口直徑大於氣體輸出口直徑，第一組複數個孔和第二組複數個孔內插入並固定複數個導管，複數個導管插入下層板內並穿過下層板一部分，複數個導管分別與第一組複數個孔和第二組複數個孔密封的連接，其中該上層板與該下層板係分別為單體之層板，該下層板設置有複數個冷卻管道及密封環，該冷卻管道是自該下層板的下表面透過機械加工往該下層板的上表面而形成該下層板內，而與該複數個導管相互間隔設置，該冷卻管道的下部形成有朝向該下層板的下表面的開口，該密封環係填充於該開口，而密封該冷卻管道。
該第二組複數個孔的氣體進入口的直徑為第一直徑。
導管與第一組複數個孔及第二組複數個孔焊接密封。
下層板還包括第三組複數個孔，第三組複數個孔內插入第二組導管。
本發明還包括了一個帶有氣體注入裝置的反應腔，其中反應腔包括一頂壁，一側壁和一底壁，一個基座正對頂壁設置，基座與頂壁之間的區域為加工區域；頂壁下設置一氣體注入裝 置，氣體注入裝置包括一上層板安裝在頂壁下，與頂壁形成第一氣體隔離區，上層板上設置第一組複數個孔；一下層板下表面暴露於加工區，上表面面對上層板，下層板與上層板形成第二氣體隔離區，下層板設置第二組複數個孔與上層板第一組複數個孔的每個孔的位置相對應，下層板還設置第三組複數個孔用於將第二氣體隔離區內的第二氣體注入加工區域內，下層板的第二組複數個孔在下層板上表面直徑為第一直徑，在下層板的下表面直徑為第二直徑，第二直徑小於第一直徑；每個複數個導管插入上層板的第一組複數個孔的一個孔和位置相對應的第二組複數個孔的一個孔，形成傳遞第一氣體隔離區中的第一氣體的通道，複數個導管和兩組孔密封的連接。
下層板包括一冷卻管道用以存放迴圈冷卻液。
上層板的第一組複數個孔直徑為第一直徑
下層板的第三組複數個孔在下層板下表面孔的直徑和第二直徑相匹配。
複數個導管密封的焊接到上層板和下層板。
本發明也提供一種製造氣體注入裝置的方法，包括：製作一個上層板，在上層板上按照第一直徑鑽制第一組複數個孔；製作一個下層板，在下層板上鑽制第二組複數個孔，第二組複數個孔的每個小孔和第一組複數個孔的每個小孔位置相對應
在下層板上鑽制第三組複數個孔，第三組複數個孔的每個孔從上表面開始按照第一直徑鑽制深度小於下層板厚度的進氣孔，然後從下層板的下表面開始鑽制第二直徑的出氣孔與從上表面開始鑽制的進氣孔連通， 將複數個導管插入並固定到上層板的第一組複數個孔和下層板的第二組複數個孔的進氣口。固定方法為焊接。
第二組複數個孔的進氣孔鑽制時在下層板上表面按照第一直徑鑽入一小於下層板厚度的深度，從下層板下表面按照第二直徑鑽制出氣孔至與從上表面開始鑽制的進氣孔連通，第一直徑大於第二直徑。
下層板內設置一冷卻管道，冷卻管道上設置一密封部件。
本發明還包括一種將兩種氣體獨立的注入反應腔的氣體注入裝置，其中包括：一帶有第一組複數個孔的上層板，第一組複數個孔的直徑為第一直徑；一包括上表面和下表面的下層板，下表面暴露於反應區中，上表面面對上層板，下層板設置有第二組複數個孔和第三組複數個孔，第二組複數個孔與上層板的第一組複數個孔位置相對應，一導管插入第一組複數個孔和第二組複數個孔的部分深度，使導管不能到達下層板下表面，並且導管外壁和小孔內壁密封設置。
本發明結構簡單、易於製作，只包括兩個層板，上層板的第一組複數個孔直徑大於實際需要的直徑，鑽孔簡單且價格低廉，下層板的兩組孔設置為兩種不同的直徑，使得需要注入氣體的小孔深度較淺，易於製作。導管與兩層板進行焊接，保證兩種氣體在各自獨立的空間內。冷卻導管可以設置為冷卻管道加密封環的形式，也可以採用在下層板內部設置導管的形式。
通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明的其他特徵、目的和優點將會變得更明顯：如下附圖構成了本說明書的一部分，和說明書一起列舉了不同的實施 例，以解釋和闡明本發明的宗旨。以下附圖並沒有描繪出具體實施例的所有技術特徵，也沒有描繪出部件的實際大小和真實比例。
本發明實施例提供的氣體噴淋頭，製作簡單，需要的構件減少，製作成本降低，總體來說，本發明的各實施例該噴淋頭雖然僅包括兩個層板，但能獨立的注入反應氣體，同時還能冷卻下層板。
實施例1：如圖1顯示一包括帶冷卻系統的氣體注入裝置的反應腔，包括反應腔100，反應腔100上方設置一氣體注入裝置120也可稱為氣體噴淋頭，圖1顯示的為氣體噴淋頭120的整體結構，細節的描述在其他圖中顯示。圖1中，反應腔100包括一外殼105，外殼105通過真空泵110使反應腔100保持真空，基架111支撐一個或多個待加工的基板115，氣體注入裝置120用於將處理第一氣體和處理第二氣體注入反應腔100內，處理第一氣體和處理第二氣體在進入反應腔100前彼此要保持分離，進入反應腔100後混合並發生反應，從而對基板115提供所需的處理。
如圖1所示，氣體注入裝置120包括下層板122和上層板125，下層板122與基板115相對，上層板125位於下層板122和外殼105頂壁107之間。這樣，上層板125和頂壁107之間形成擴散區129，第一氣體被輸送到擴散區129內，通過導管127注入反應區117內，上層板125和下層板122形成擴散區123，第二氣體被輸送到擴散區123，通過導管124注入反應區117。冷卻液，例如冷卻水，被輸送到冷卻管道126中用以冷卻氣體注入裝置120，一個水或者其他流體的冷卻系統(圖 中未顯示)與冷卻管道126連接，用於對管道內的水或者其他流體進行冷卻。
根據圖1所示，氣體注入裝置120包括上層板125和下層板122，上層板製作簡單，在一個平盤上設置一組複數個孔，能容第一組導管127穿過，導管127長度足以插入下層板122的小孔內。下層板122為在一個平盤上設置兩組複數個孔，第一組複數個孔內插入導管127，第二組複數個孔內插入第二組導管124，導管124長度短於導管127，圖1中，導管124和導管127的直徑相同，但是也可以設置為不同，下層板122另包括多個可以用多種結構的冷卻管道或者管道126。製造過程中，焊接材料可以用於導管或層板，也可都用。第一組導管127和第二組導管124各自插入對應的上下層板中的小孔後整個組件被加熱，將兩組導管和上下層板焊接在一起並使導管外壁與上下板的小孔內壁密封。
根據圖1顯示的實施例，氣體注入裝置120能將第一氣體和第二氣體單獨容納和傳送，只有當第一氣體和第二氣體進入反應區域117後才能發生混合，完成基板處理所需的化學反應。能量釋放器如等離子體、加熱燈等可以提供引發兩種氣體進行化學反應的必要能量。
圖1顯示反應氣體和冷卻流體從多個地方注入，然而，容易理解的是，每種氣體都是通過各自對應的一個輸入口輸入。冷卻流體通過迴圈的進入冷卻裝置或熱量傳遞裝置能很好的達到冷卻效果，因此，為了能保持氣體注入裝置120的穩定溫度，要設置至少一個冷卻流體入口和至少一個冷卻流體出口，也可以用多個冷卻流體入口和出口來實現溫度的控制。
在很多應用中要求氣體能從氣體注入裝置的多個直徑很 小的孔輸出，然而，製作小直徑圓孔的花費昂貴，有時甚至需要極為先進的鑽孔技術，如鐳射鑽孔，此類鑽孔技術在製作的小孔具有高深寬比(深度比直徑)和非常小的直徑時很難達到要求。在本發明公開的技術方案中，小孔製作的複雜程度和花費成本都大大降低，詳細設計見圖2A-2E。
圖2A顯示本發明實施例中氣體注入裝置的橫截面示意圖，圖2A所示的氣體注入裝置包括兩個層板：下層板222和上層板225。圖2B顯示上層板225的俯視圖，上層板225製作技術相對簡單，在一個平盤上製作一組複數個孔221，小孔221的直徑可以大於氣體注入反應腔所需的直徑。也就是小孔221不需要很小，而是可以根據制做簡易的需要選擇孔的直徑。圖2C顯示下層板222的俯視圖，下層板222包括兩組複數個孔，一組和上層板225的小孔221的位置相對應，另一組複數個孔233用於將第二種氣體注入反應腔內。在本實施例中，下層板222的兩組複數個孔直徑隨孔深增加會發生一次變化，每個小孔的上表面的直徑244大於下表面的直徑246，下表面的小孔直徑246見圖2D所示的下層板222的仰視圖。下表面小孔直徑246能按照需要將兩種氣體注入反應腔。但是在製作時，不是在下層板222整個厚度上鑽出精確的小直徑的孔，而是直徑大一點的小孔244從下層板222的上表面開始鑽孔到一定深度，但未穿透下層板，直徑小一點的小孔246從下層板222的下表面開始鑽孔，穿透下層板到達小孔244下端，本實施例可從圖2A中清楚地看出。
在本實施例中，冷卻管道設置在下層板222中，一個簡單的製作方法為在下層板222的上表面切割出一組管道，比如在下層板的上表面。然後焊接密封環228以密封管道226，如圖 2A所示。
氣體注入裝置120在組裝時，將長導管227插入上層板225第一組複數個孔221和下層板222第二組複數個孔231直徑較大的一端，將短導管224插入下層板222第三組孔233直徑較大的一端。由於下層板222的兩組孔直徑隨孔深變化發生變化，兩組導管均為到達下層板222的下表面，未暴露到入反應腔內表面。然後將整個氣體注入裝置120放入爐中加熱以將導管227、224和密封環228與上下層板的接觸面進行焊接。
圖3A-3D顯示本發明的另一個實施例，本實施例的原理與上述圖2A-2D該實施例相同，除了採用3xx系列來編號外，部件也與上一個實施例中具有相應編號的部件類似。本實施例與上述實施例相比有兩個不同：第一，密封環328設置在下層板322的下底面，這意味著冷卻管道是從下表面進行機械加工制得，當然，其他方式也可以用於製造冷卻管道，例如，如果下層板是用陶瓷材料燒制的，冷卻管道可以在陶瓷材料燒制前設置。
圖3A-3D顯示了一種在下層板322的第三組孔333內不插入導管的可能性。導管327仍插入上層板325第一組孔321，和下層板322第二組孔內331，第一氣體通過導管327進入反應腔內，進入反應腔前不與第二氣體混合。同樣導管327部分的插入下層板322的第一組孔321內，未暴露在反應腔中，當反應腔中存在等離子體時，導管327不與等離子體接觸。
在上述實施例中，通過採用密封環，使得冷卻管道設計簡單，價格低廉。當然也可以採用將冷卻管道設置在下層板內部不用密封環的結構，採用該設計方案雖然會增加製作的複雜程度，但是從本質上杜絕了洩露的問題，如圖4A-4D所示。本 實施例部件標號和上述實施例相同，採用的是4xx系列，部件也與上一個實施例中具有相應編號的部件類似，4A-4D顯示的實施例該技術方案和3A-3D顯示的實施例的技術方案大致相同，區別在於本實施例的冷卻管道426位於下層板內部。
本發明實施例該氣體注入裝置結構簡單，易於製作，整個噴淋頭結構只包括兩個層板，上層板的第一組孔直徑大於實際需要的直徑，鑽孔簡單且價格低廉，下層板的兩組孔設置為兩種不同的直徑，使得需要注入氣體的小孔深度較淺，易於製作。導管與兩層板進行焊接，保證兩種氣體在各自獨立的空間內。冷卻管道可以設置為冷卻管道加密封環的形式，也可以採用在下層板內部設置管道的形式。
本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限定本發明，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的保護範圍應當以本發明申請專利範圍所界定的範圍為准。
100‧‧‧反應腔
105‧‧‧外殼
107‧‧‧頂壁
110‧‧‧真空泵
111‧‧‧基架
115‧‧‧基板
117‧‧‧反應區
120‧‧‧氣體注入裝置
122‧‧‧下層板
123‧‧‧擴散區
124‧‧‧導管
125‧‧‧上層板
126‧‧‧冷卻管道
127‧‧‧導管
129‧‧‧擴散區
221‧‧‧第一組孔
222‧‧‧下層板
224‧‧‧短導管
225‧‧‧上層板
227‧‧‧長導管
228‧‧‧密封環
231‧‧‧第二組孔
233‧‧‧第三組孔
244‧‧‧孔
246‧‧‧孔
321‧‧‧第一組孔
322‧‧‧下層板
325‧‧‧上層板
327‧‧‧導管
328‧‧‧密封環
331‧‧‧第二組孔
333‧‧‧第三組孔
344‧‧‧孔
346‧‧‧孔
421‧‧‧第一組孔
422‧‧‧下層板
425‧‧‧上層板
426‧‧‧管道
427‧‧‧導管
431‧‧‧第二組孔
433‧‧‧第三組孔
444‧‧‧孔
446‧‧‧孔
圖1顯示帶有一個本發明氣體噴淋頭實施例的反應腔結構示意圖；圖2A顯示本發明一個實施例的氣體噴淋頭截面示意圖；可以與圖1所示的反應腔配合一起使用圖2B為圖2A所述實施例氣體注入裝置的上層板俯視圖；圖2C-2D為圖2A所述實施例氣體注入裝置的下層板俯視圖和仰視圖；圖2E為圖2A所述實施例氣體注入裝置於長導管以及短導管未設置入第一組複數個孔、第二組複數個孔、以及第三組複數個孔的氣體噴淋頭截面示意圖； 圖3A-3D為另一實施例的氣體注入裝置的結構示意圖；圖4A-4D為另一實施例的氣體注入裝置的結構示意圖。
100‧‧‧反應腔
105‧‧‧外殼
107‧‧‧頂壁
110‧‧‧真空泵
111‧‧‧基架
115‧‧‧基板
117‧‧‧反應區
120‧‧‧氣體注入裝置
122‧‧‧下層板
123‧‧‧擴散區
124‧‧‧導管
125‧‧‧上層板
126‧‧‧冷卻管道
127‧‧‧導管
129‧‧‧擴散區

Claims (13)

  1. 一種帶冷卻系統的氣體注入裝置，分別輸送第一氣體和第二氣體到反應腔中，該帶冷卻系統的氣體注入裝置包括：一上層板，該上層板帶有第一組複數個孔；以及一下層板，該下層板帶有與該上層板的該第一組複數個孔相對應的第二組複數個孔，該第一組複數個孔的每個小孔和該第二組複數個孔的每個小孔位置相對應，該下層板還帶有第三組複數個孔，該第二組複數個孔的每個小孔及該第三組複數個孔的每個小孔的氣體進入口直徑大於氣體輸出口直徑，該第一組複數個孔和該第二組複數個孔內插入並固定複數個導管，該複數個導管插入該下層板內並穿過該下層板一部分，該複數個導管分別與該第一組複數個孔及該第二組複數個孔密封地連接，其中該上層板與該下層板係分別為單體之層板，該下層板設置有複數個冷卻管道及密封環，該冷卻管道是自該下層板的下表面進行機械加工所製得，而與該複數個導管相互間隔設置，該冷卻管道的下部形成有開口，該密封環係填充於該開口，而密封該冷卻管道。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的一種帶冷卻系統的氣體注入裝置，其中該第二組複數個孔的氣體進入口的直徑為第一直徑。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的一種帶冷卻系統的氣體注入裝置，其中該導管與該第一組複數個孔及該第二組複數個孔焊接密封。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的一種帶冷卻系統的氣體注入裝置，其中該下層板還包括第三組複數個孔，該第三組複數個孔內插入第二組管道。
  5. 一種帶有氣體注入裝置的反應腔，其中該反應腔包括一頂壁、一側壁、及一底壁，一個基座正對該頂壁設置，該基座與該頂壁之間的區域為加工區域，該頂壁下設置該氣體注入裝置，該氣體注入裝置包括一上層板、一下層板、及複數個導管，該上層板安裝在該頂壁下，該上層板與該頂壁形成第一氣體隔離區，該上層板上設置第一組複數個孔，該下層板下表面暴露於該加工區域而上表面面對該上層板，該下層板與該上層板形成第二氣體隔離區，該下層板設置第二組複數個孔與該上層板該第一組複數個孔的每個孔位置相對應，該下層板還設置第三組複數個孔而用於將第二氣體隔離區內的第二氣體注入該加工區域內，該下層板的該第二組複數個孔的每個孔在該下層板的上表面直徑為第一直徑，在該下層板的下表面直徑為第二直徑，該第二直徑小於該第一直徑，每個該複數個導管插入該上層板的該第一組複數個孔的一個孔和位置相對應的該第二組複數個孔的一個孔的部分深度，形成傳遞第一氣體隔離區中的第一氣體的通道，該複數個導管與該第一組複數個孔及該第二組複數個孔密封地連接；其中該上層板與該下層板係分別為單體之層板，該下層板設置有複數個冷卻管道及密封環，該冷卻管道是自該下層板的下表面進行機械加工所製得，而與該複數個導管相互間隔設置，該冷卻管道的下部形成有開口，該密封環係填充於該開口，而密封該冷卻管道。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的帶有氣體注入裝置的反應腔，其中該上層板的該第一組複數個孔的每個孔的直徑為該第一直徑。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的帶有氣體注入裝置的反應腔，其中該下層板的該第三組複數個孔在該下層板下表面的直徑和該第二直徑相匹配。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的帶有氣體注入裝置的反應腔，其中該複數個導管密封地焊接到該上層板和該下層板。
  9. 一種製造氣體注入裝置的方法，包括：製作一個上層板，在該上層板上按照第一直徑鑽制第一組複數個孔；製作一個下層板，在該下層板上鑽制第二組複數個孔，該第二組複數個孔的每個小孔和該第一組複數個孔的每個小孔位置相對應；在該下層板上鑽制第三組複數個孔，該第三組複數個孔的每個孔從上表面開始按照該第一直徑鑽制深度小於該下層板厚度的進氣孔，然後從該下層板的下表面開始鑽制第二直徑的出氣孔與從上表面開始鑽制的該進氣孔連通；將複數個導管插入並固定到該上層板的該第一組複數個孔和該下層板的該第二組複數個孔的進氣孔；其中該上層板與該下層板係分別為單體之層板，該下層板設置有複數個冷卻管道及密封環，該冷卻管道是自該下層板的下表面進行機械加工所製得，而與該複數個導管相互間隔設置，該冷卻管道的下部形成有開口，該密封環係填充於該開口，而密封該冷卻管道。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中該第二組複數個孔的該進氣孔鑽制時在該下層板上表面按照該第一直徑鑽入一小於該下層板厚度的深度，從該下層板下表面按照該第二直徑鑽制出氣孔至與從上表面開始鑽制的該進氣孔連通，該第一直徑大於該第二直徑。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的方法，其中該第一直徑與該上層板的該第一組複數個孔直徑相等。
  12. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中該固定方法為焊接。
  13. 一種將兩種氣體獨立的注入反應腔的氣體注入裝置，包括：一帶有第一組複數個孔的上層板，該第一組複數個孔的直徑為第一直徑；一包括上表面和下表面的下層板，該下表面暴露於反應區中，該上表面面對該上層板，該下層板設置有第二組複數個孔及第三組複數個孔，該第二組複數個孔與該上層板的該第一組複數個孔位置相對應；一組複數個導管，插入該第一組複數個孔及該第二組複數個孔的部分深度，使該複數個導管不能到達該下層板下表面，並且該複數個導管和該第一組複數個孔及該第二組複數個孔密封地連接；其中該上層板與該下層板係分別為單體之層板，該下層板設置有複數個冷卻管道及密封環，該冷卻管道是自該下層板的下表面進行機械加工所製得，而與該複數個導管相互間隔設置，該冷卻管道的下部形成有開口，該密封環係填充於該開口，而密封該冷卻管道。
TW100149967A 2011-11-10 2011-12-30 Gas injection device with cooling system TWI569878B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011103552927A CN102352492A (zh) 2011-11-10 2011-11-10 一种带冷却系统的气体注入装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201318706A TW201318706A (zh) 2013-05-16
TWI569878B true TWI569878B (zh) 2017-02-11

Family

ID=45576126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100149967A TWI569878B (zh) 2011-11-10 2011-12-30 Gas injection device with cooling system

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130118405A1 (zh)
CN (1) CN102352492A (zh)
TW (1) TWI569878B (zh)

Families Citing this family (233)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9449859B2 (en) * 2009-10-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
KR101327458B1 (ko) * 2012-01-10 2013-11-08 주식회사 유진테크 냉각 방식의 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
TWI470105B (zh) * 2013-06-03 2015-01-21 Adpv Technology Ltd Gas Reaction Continuous Cavity and Gas Reaction
CN103397309A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 光垒光电科技（上海）有限公司 进气装置及反应腔室
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR20170055506A (ko) * 2014-09-08 2017-05-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 벌집형 다중 구역 가스 분배 플레이트
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10755900B2 (en) * 2017-05-10 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Multi-layer plasma erosion protection for chamber components
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) * 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102516885B1 (ko) * 2018-05-10 2023-03-30 삼성전자주식회사 증착 장비 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20220087506A (ko) * 2019-10-24 2022-06-24 램 리써치 코포레이션 애디티브 제작 (additive manufacturing) 을 사용한 반도체 장비 모듈 제조
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
US20220010431A1 (en) * 2020-07-08 2022-01-13 Applied Materials, Inc. Multiple-channel showerhead design and methods in manufacturing
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
US20220093361A1 (en) * 2020-09-22 2022-03-24 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly with recursive gas channels
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN116926507A (zh) * 2022-04-07 2023-10-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种进气装置及衬底处理设备
CN115404463B (zh) * 2022-10-31 2023-03-24 上海星原驰半导体有限公司 原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103630A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置
CN101255552A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法
JP2010059520A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9411911D0 (en) * 1994-06-14 1994-08-03 Swan Thomas & Co Ltd Improvements in or relating to chemical vapour deposition
KR100513920B1 (ko) * 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
KR100614648B1 (ko) * 2004-07-15 2006-08-23 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
US20110048325A1 (en) * 2009-03-03 2011-03-03 Sun Hong Choi Gas Distribution Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same
US20120097330A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Applied Materials, Inc. Dual delivery chamber design

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004103630A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology シャワーヘッド及びシャワーヘッドを用いた半導体熱処理装置
CN101255552A (zh) * 2007-02-27 2008-09-03 中微半导体设备(上海)有限公司 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法
JP2010059520A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102352492A (zh) 2012-02-15
TW201318706A (zh) 2013-05-16
US20130118405A1 (en) 2013-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI569878B (zh) Gas injection device with cooling system
US20140235069A1 (en) Multi-plenum showerhead with temperature control
CN104278254B (zh) 多充气室的双温喷头
KR20210010307A (ko) 기판 처리 장치
KR101062462B1 (ko) 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치
TWI693100B (zh) 噴頭組件及處理腔室
US20090211707A1 (en) Apparatus for gas distribution and its applications
TW201346065A (zh) 氣體噴淋頭、其製造方法及薄膜生長反應器
CN103993293B (zh) 带温度控制的多室喷头
KR20110094021A (ko) 처리 챔버용 밀봉 장치
US20240117522A1 (en) Gas inlet assembly of process chamber, gas inlet device, and semiconductor processing apparatus
TW201626432A (zh) 方位角混合器
FI122941B (fi) Sovitelma ALD-reaktorin yhteydessä
JP2010126810A (ja) 気体噴射モジュール
TW201604313A (zh) 氣體分配設備與具有該氣體分配設備的基板處理設備
WO2016155152A1 (zh) 控温型双气体通道均匀喷气喷淋板
CN101615571A (zh) 处理基板用的真空腔室及包含该真空腔室的设备
JP2004158499A (ja) 成膜装置
KR102260370B1 (ko) 전체-영역 대향류 열 교환 기판 지지부
TWI821570B (zh) 用於真空處理設備的內襯裝置和真空處理設備
JP2012174838A (ja) 成膜方法及び成膜装置
KR101859865B1 (ko) 분사노즐 유닛 및 이의 제조방법
TWI527626B (zh) 噴灑頭裝置
CN201834966U (zh) 一种金属有机物化学气相沉积设备的水冷夹层
JP2009016624A (ja) 多層構造のｃｖｄ用マルチシャワーヘッドの製造方法