JP2018156994A - 基板処理装置の制御装置及び基板処理表示方法 - Google Patents

基板処理装置の制御装置及び基板処理表示方法 Download PDF

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Abstract

【課題】システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、処理室内における処理のシーケンスを容易に把握することを目的とする。【解決手段】システムレシピに基づいて基板の処理を実行する基板処理装置であって、基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの入力を受け付けると、受け付けた前記基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの実行手順を示すシステムレシピを作成する作成部と、作成した前記システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、基板を処理する処理室毎の、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する表示部と、を有する基板処理装置が提供される。【選択図】図６

Description

本発明は、基板処理装置の制御装置及び基板処理表示方法に関する。
基板処理装置に設けられた処理室への基板の搬送経路を示すウェハ搬送シーケンスは、予め設定されたパラメータ、ユーザが作成及び編集するシステムレシピ、実行対象のウェハ枚数、その他の条件によって決定される。ユーザは、決定した搬送シーケンスを視覚的に確認できれば、搬送経路を容易に把握することができる。そこで、決定した搬送シーケンスを可視化してユーザに提供する技術が提案されている（例えば、特許文献１、２を参照）。
例えば、特許文献１では、基板処理システムにおいてオペレータが搬送順序を指定するときに可視的に搬送経路を表示でき、指定された経路をアニメーション表示できることが開示されている。また、特許文献２では、運転レシピ作成時に、複数のチャンバに対する被処理体の動きを視覚的に把握して、運転レシピを誤りなく容易に作成できるようにすることが開示されている。
特開２００５−２６０１０８号公報 特開２００９−１６４６３３号公報
しかしながら、特許文献１、２は、設定したレシピに対して、個々の基板の搬送経路を視覚的に把握することについて開示しており、処理室内で実行される基板処理やクリーニング処理等の処理順を視覚的に表示するものではない。
一方、システムレシピで設定可能な項目や、パラメータで設定可能な条件が複雑になると、処理室内にて実行される処理の順番が分かり難くなる。更に、複数の処理室で同時処理が可能であったり、複数のコンディショニング処理のそれぞれの処理時間にばらつきがあったりすると、処理室別に実行される基板処理と複数のコンディショニング処理との順番がより分かり難い。
これに対して、ユーザは、基板処理やコンディショニング処理がどの順番で処理され、意図したシステムレシピが作成できているかを実際の処理を行う前に把握したい。
上記課題に対して、一側面では、本発明は、システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、処理室内における処理のシーケンスを容易に把握することを目的とする。
上記課題を解決するために、一の態様によれば、システムレシピに基づいて基板の処理を実行する基板処理装置であって、基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの入力を受け付けると、受け付けた前記基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの実行手順を示すシステムレシピを作成する作成部と、作成した前記システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、基板を処理する処理室毎の、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する表示部と、を有する基板処理装置が提供される。
一の側面によれば、システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、処理室内における処理のシーケンスを容易に把握することができる。
一実施形態に係る基板処理装置及び制御装置のハードウェア構成の一例を示す図。 一実施形態に係る基板処理装置の制御装置の機能構成の一例を示す図。 一実施形態に係る処理順表示処理の一例を示すフローチャート。 一実施形態に係るシステムレシピの設定画面例。 一実施形態に係るクリーニングのタイミングの設定画面例。 図４及び図５の設定条件における処理順表示画面例。 一実施形態に係るシステムレシピの経路設定画面例。 一実施形態に係る同時搬送の有無に応じた処理順表示画面の遷移図。 一実施形態に係る同時搬送時の処理順表示画面例。 一実施形態の変形例１に係るシステムレシピと実行タイミングの設定画面例。 図１０の設定条件における処理順表示画面例。 一実施形態の変形例２に係るシステムレシピと実行タイミングとパラメータの設定画面例。 図１２の設定条件における処理順表示画面例。 一実施形態の変形例３に係るシステムレシピと実行タイミングの設定画面例。 図１４の設定条件における処理順表示画面例。 一実施形態に係る他の処理順表示画面例。 一実施形態に係る図１６に続く処理順表示画面例。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
［基板処理装置の全体構成］
まず、本発明の一実施形態に係る基板処理装置Ｓｙｓと制御装置１０のハードウェア構成の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置Ｓｙｓ及び制御装置１０のハードウェア構成の一例を示す。基板処理装置Ｓｙｓは、クラスタ構造（マルチチャンバタイプ）を有する基板処理システムの一例である。
基板処理装置Ｓｙｓは、６つの処理室ＰＭ（Process Module）１〜６、搬送室ＶＴＭ（Vacuum Transfer Module）、２つのロードロック室ＬＬＭ（Load Lock Module）、ローダーモジュールＬＭ（Loader Module）、３つのロードポートＬＰ（Load Port）を有する。３つのロードポートＬＰは、左から順にロードポートＬＰＡ、ロードポートＬＰＢ，ロードポートＬＰＣと表記する。基板処理装置Ｓｙｓは、制御装置１０により制御される。
６つの処理室ＰＭ１〜６は、搬送室ＶＴＭの周囲に配置され、ウェハに所定の処理を施す。各処理室ＰＭと搬送室ＶＴＭとは、ゲートバルブに開閉可能に接続されている。処理室ＰＭ１〜６の内部は、所定の真空雰囲気に減圧され、プラズマ又はノンプラズマによりエッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等の処理がウェハに施される。処理室ＰＭ１〜６を総称して処理室ＰＭともいう。
搬送室ＶＴＭの内部には、ウェハを搬送する搬送装置ＶＡが配置されている。搬送装置ＶＡは、屈伸及び回転自在な２つのロボットアームＡＣ，ＡＤを有する。各ロボットアームＡＣ，ＡＤの先端部にはそれぞれピックＣ，Ｄが取り付けられている。搬送装置ＶＡは、ピックＣ，Ｄのそれぞれにウェハを保持可能であり、６つの処理室ＰＭ１〜６へのウェハの搬入及び搬出と、２つのロードロック室ＬＬＭへのウェハの搬入及び搬出とを行う。
ロードロック室ＬＬＭは、搬送室ＶＴＭとローダーモジュールＬＭとの間に設けられている。ロードロック室ＬＬＭは、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えてウェハを大気側のローダーモジュールＬＭから真空側の搬送室ＶＴＭへ搬送したり、真空側の搬送室ＶＴＭから大気側のローダーモジュールＬＭへ搬送したりする。本実施形態では、二つのロードロック室ＬＬＭが備えられている。以下では、一方のロードロック室ＬＬＭをロードロック室ＬＬＭ１と表記し、他方のロードロック室ＬＬＭをロードロック室ＬＬＭ２と表記して区別することがある。
ローダーモジュールＬＭの内部は、ＵＬＰＡフィルタによりダウンフローで清浄に保たれ、大気圧より若干陽圧に調圧されている。ローダーモジュールＬＭの長辺の側壁には三つのロードポートＬＰＡ、ＬＰＢ、ＬＰＣが備えられている。各ロードポートＬＰＡ、ＬＰＢ、ＬＰＣには、例えば２５枚のウェハが収容されたＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod）又は空のＦＯＵＰが取り付けられる。ロードポートＬＰＡ、ＬＰＢ、ＬＰＣは、ウェハＷが処理室ＰＭへ向けて搬出され、また、処理室ＰＭにて処理後のウェハＷが搬入されるウェハＷの出入口となる。
ローダーモジュールＬＭの内部には、ウェハを搬送する搬送装置ＬＡが配置されている。搬送装置ＬＡは、屈伸及び回転自在な２つのロボットアームＡＡ，ＡＢを有する。各ロボットアームＡＡ，ＡＢの先端部には、それぞれピックＡ，Ｂが取り付けられている。搬送装置ＬＡは、ピックＡ，Ｂのそれぞれにウェハを保持可能であり、ＦＯＵＰへのウェハの搬入及び搬出と、２つのロードロック室ＬＬＭへのウェハの搬入及び搬出とを行う。
ローダーモジュールＬＭには、ウェハの位置をアライメントするオリエンタＯＲＴが設けられている。オリエンタＯＲＴは、ローダーモジュールＬＭの長手方向に関する一端に配置されている。オリエンタＯＲＴは、ウェハの中心位置、偏心量及びノッチ位置を検出する。検出結果に基づくウェハの補正は、ローダーモジュールＬＭのロボットアームＡＡ，ＡＢで行う。
具体的には、各ロボットアームＡＡ，ＡＢは、ロードポートＬＰに載置されたＦＯＵＰから未処理ウェハを取り出し、取り出したウェハをオリエンタＯＲＴへ搬送する。オリエンタＯＲＴの検出結果に基づきローダーモジュールＬＭでウェハの位置が補正された後、各ロボットアームＡＡ，ＡＢは、ウェハをロードロック室ＬＬＭに搬送する。また、処理室ＰＭにて処理された処理済ウェハをロードロック室ＬＬＭから取り出し、所定のＦＯＵＰに載置する。
なお、処理室ＰＭ、ロードロック室ＬＬＭ、ローダーモジュールＬＭ及びロードポートＬＰの個数は、本実施形態で示す個数に限らず、いくつであってもよい。
制御装置１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２１、ＲＯＭ（Read Only Memory）２２、ＲＡＭ（Random Access Memory）２３、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）２４、入出力インターフェース（Ｉ／Ｆ）２５及びディスプレイ２６を有する。なお、制御装置１０は、ＨＤＤ２４に限らずＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。
ＣＰＵ２１は、ＨＤＤ２４に格納されているウェハ処理レシピ群やコンディショニング処理レシピ群のうち、指定されたレシピから作成したシステムレシピに従い、各処理室ＰＭにおけるウェハの処理及び各種のコンディショニング処理を制御する。
システムレシピは、ウェハ処理の手順や条件が設定されたウェハ処理レシピと、処理室ＰＭのコンデションを整えるためのコンディショニング処理レシピの実行手順を示す。ウェハ処理レシピにて使用される基板の種別は、製品ウェハであり、コンディショニング処理レシピにて使用される基板の種別は、ダミーウェハ又はウェハなし（ウェハレス）である。
複数のコンディショニング処理レシピには、ドライクリーニング処理、ウェハレスドライクリーニング処理、シーズニング処理及びＮＰＰＣ（Ｎｏｎ Ｐｌａｓｍａ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｃｌｅａｎｉｎｇ）、ロット安定化処理の少なくともいずれかの処理を行うレシピが含まれる。
ドライクリーニング処理は、製品ウェハを搬出し、ダミーウェハを搬入してプラズマにより処理室内の不要堆積物を除去する。ウェハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ：Wafer less dry cleaning）処理は、製品ウェハを搬出し、ダミーウェハを搬入しない状態でプラズマを印加し、ウェハを載置するステージの静電除去等を目的として実行される。シーズニング処理は、ドライクリーニング処理を実施した後に処理室内の雰囲気を整えるためのダミー処理である。
ＮＰＰＣは、処理室ＰＭとロードロックモジュールＬＬＭのパーティクル除去を行う。ＮＰＰＣは、高周波放電時間及びＰＭ使用回数の積算値に応じて実行されるが、固定値に設定された限界値を周期として必ずＮＰＰＣを実行すると、その分だけ生産性（スループット）が低下すると言った理由から、ある特定のロット終了時にＮＰＰＣが実行できるよう、システムレシピにてＮＰＰＣの実施の有無を指定可能とする機能がある。なお、製品ウェハの処理の後、クリーニング処理の前にＮＰＰＣを実行すると大量のパーティクルが発生してしまう可能性があるため、クリーニング処理の後にＮＰＰＣを実行する条件に基づき、システムレシピが作成される。その他、システムレシピは、ウェハ処理と各コンディショニングの実行タイミング、処理の優先順位や各種の条件に基づき作成される。ロット安定ダミー処理は、プラズマプロセスを含む製品処理の実行前にダミーウェハに対して予め行う。なお、ロット安定ダミー処理は、最初のウェハの処理を開始する前、処理室ＰＭ内の状態を安定させるために実行するコンディショニング処理である。
ＣＰＵ２１が、レシピを実行するためのプログラムは、ＨＤＤ２４やＲＡＭ２３等の記憶領域又は記憶媒体に格納して提供されてもよい。また、これらのレシピ及びプログラムは、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。
入出力インターフェース（Ｉ／Ｆ）２５は、オペレータが基板処理装置Ｓｙｓを管理するために行うコマンド操作から入出力情報を得るためのインターフェースとして機能する。ディスプレイ２６は、システムレシピに従いウェハの処理を実行する前に、ウェハを処理する処理室ＰＭ毎の、ウェハ処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する。ディスプレイ２６は、その他、必要な情報を表示する。
［基板処理装置の制御装置の機能構成］
次に、基板処理装置Ｓｙｓの制御装置１０の機能構成の一例について、図２を参照しながら説明する。制御装置１０は、レシピに従い基板処理装置Ｓｙｓのウェハ搬送工程及びウェハ処理工程を制御する。また、制御装置１０は、処理室ＰＭ別の処理順を可視化して表示する。
制御装置１０は、記憶部１１、受付部１２、システムレシピ作成部１３、処理順決定部１４及び表示部１５を有する。
受付部１２は、ウェハ処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピの入力を受け付ける。受付部１２は、ウェハの処理枚数、その他のパラメータを受け付けることができる。
システムレシピ作成部１３は、ＨＤＤ２４に格納されているウェハ処理レシピ群やコンディショニング処理レシピ群から、受け付けたウェハ処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピを選択し、システムレシピを作成する。作成したシステムレシピは、記憶部１１に記憶される。
処理順決定部１４は、システムレシピに基づき実行される処理と、該処理の実行タイミングに基づき各処理室ＰＭにて実行される基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を決定する。処理順決定部１４は、各種パラメータの設定がある場合には、システムレシピに基づき実行される処理と実行タイミング、及び設定されたパラメータに基づき、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を決定する。
表示部１５は、ウェハ処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する。表示部１５はウェハ処理と複数のコンディショニング処理を種類別に異なる色で表示する。これにより、処理室ＰＭ内で実行される処理順と実行タイミングをより容易に把握することができる。表示部１５は、表示するウェハ処理と複数のコンディショニング処理のそれぞれにおいて使用されるウェハの枚数と種別とを表示してもよい。また、表示部１５は、システムレシピに設定されたウェハ処理を終えるまでに要する時間を表示してもよい。
［システムレシピに基づき実行される処理とタイミング］
次に、システムレシピに基づき実行される処理と実行タイミングの一例について説明する。処理順決定部１４は、各種の処理がどのようなタイミングで実行されるかの条件に応じて、処理の実行順を決定する。レシピの入力を受け付けると、レシピに設定されている「処理」と「処理の実行タイミング」が設定される。レシピの入力時に処理の枚数指定等ができる場合、それらの指定情報も同様に設定される。その他、パラメータで設定することができる項目がある。
例えば、ウェハ処理レシピの入力が受け付けられると、実行される処理に「ウェハ処理」が設定される。ウェハ処理の枚数が入力されると、製品ウェハの「枚数」が設定される。
クリーニング処理のうち、処理前クリーニングの入力を受け付けると、実行される処理に「処理前クリーニング」が設定される。処理の枚数が入力されると、「枚数（０又は１枚）」が設定される。処理の実行タイミングは、ロット開始時であって、処理室コンディショニングの直後である。レシピ設定だけでは判別できない実行条件として、連続ロット実行中の処理を抑制するかどうかをパラメータで指定することができる。
クリーニング処理のうち、枚数指定クリーニングの入力を受け付けると、実行される処理に「枚数指定クリーニング」が設定される。また、「ウェハ処理何枚ごとに本クリーニング処理を実施するか」を示す枚数が設定される。処理の実行タイミングは、指定された製品またはダミー処理枚数実行後である。その他、ロットの最後の製品処理直後は、実施ないような設定をパラメータで指定可能である。ダミーウェハを処理枚数として積算するかどうかはパラメータで指定可能である。連続ロット実行中、処理枚数の積算設定をロットごとにリセットするか、継続積算するかどうかはパラメータで指定可能である。なお、パラメータは、レシピとは異なる設定画面から入力可能である。
クリーニング処理のうち、処理後クリーニングの入力を受け付けると、実行される処理に「処理後クリーニング」が設定される。処理の枚数が入力されると、「枚数（０又は１枚）」が設定される。処理の実行タイミングは、ロットで指定された製品処理終了後である。
ウェハレスドライクリーニング処理の入力を受け付けると、実行される処理に「ＷＬＤＣ」が設定される。処理されるウェハ種別ごとに本クリーニング処理の有無を指定することができる。処理されるウェハが製品ウェハの場合、枚数指定も可能である。実行タイミングは、各ウェハ処理の後であるが、枚数指定がある場合には指定枚数の製品ウェハが処理される度に実行される。
ＮＰＰＣの入力を受け付けると、実行される処理に「ＮＰＰＣ」が設定される。ＮＰＰＣの設定の場合、実施の有無および回数を指定することができる。実行タイミングは、ロット終了後である。実行回数はレシピでなく、パラメータで固定値にする方法であってもよい。
ロット安定化処理の入力を受け付けると、実行される処理に「ロット安定化処理」が設定される。実施の有無、回数及び処理レシピをシステムレシピで指定することができる。実行タイミングは、ロット開始時であって処理前クリーニングの後である。連続ロット実行中の処理を抑制するかどうかはパラメータで指定可能である。
シーズニング処理（チャンバコンディショニング処理）の入力を受け付けると、実行される処理に「シーズニング処理（チャンバコンディショニング処理）」が設定される。システムレシピにて処理レシピを指定するか、またはパラメータで処理レシピを固定する方法であってもよい。実行タイミングは、ロット開始直前であって最初のウェハの搬入前である。
「スマートコンディショニング機能」を使用した入力を受け付ける場合として、「Steady State Conditioning Action（以下、「ＳＳＣ」と表記する」と「Ｍｉｎｉ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ（以下、「Ｍｉｎｉ」と表記する）」がある。「ＳＳＣ」の入力を受け付けると、実行される処理に「ＳＳＣ」で表記されるドライクリーニング、ＮＰＰＣ及びシーズニングの少なくともいずれかの処理が設定される。「ＳＳＣ」では、製品処理何枚ごとに実施するかを指定することができ、また、何を実行するかが指定可能である。「ＳＳＣ」では、実行の順番を指定することはできず、実行タイミングは、指定されたプロセス処理枚数ごとに実行される。レシピ設定だけでは判別できない実行条件として、連続ロット終了時はシーズニングが指定されていてもシーズニングを実行しない。
「Ｍｉｎｉ」の入力を受け付けると、実行される処理に「ＳＳＣ」で表記されるドライクリーニング又はシーズニング処理が設定される。「Ｍｉｎｉ」では、製品処理何枚ごとに実施するかを指定することができ、実行タイミングは、指定されたプロセス処理枚数ごとに実施できる。レシピ設定だけでは判別できない実行条件として、ＳＳＣとタイミングが一致した場合、ＳＳＣを優先して実行し、Ｍｉｎｉは実行しないという優先順位を示す条件がある。ただし、ＳＳＣとＭｉｎｉのタイミングが一致した場合、Ｍｉｎｉ→ＳＳＣの順で実行する方法を採用してもよい。本実施形態では、ＳＳＣとＭｉｎｉのタイミングが一致した場合、ＳＳＣを優先して実行し、Ｍｉｎｉは実行しない。
なお、記憶部１１は、作成したシステムレシピ、設定されたパラメータ、システムレシピに設定された基板処理を終えるまでに要する時間を示す予測処理時間を記憶してもよい。
［処理順表示処理］
次に、本実施形態に係る処理順表示処理について、図３を参照しながら説明する。図３は、本実施形態に係る処理順表示処理の一例を示すフローチャートである。本処理が開始されると、受付部１２は、ウェハ処理レシピの入力を受け付ける（ステップＳ１０）。次に、受付部１２は、複数のコンディショニング処理レシピの入力を受け付ける（ステップＳ１２）。次に、受付部１２は、パラメータの設定を受け付ける（ステップＳ１４）。
次に、システムレシピ作成部１３は、受け付けたウェハ処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの実行手順を示すシステムレシピを作成する（ステップＳ１６）。次に、処理順決定部１４は、再生したシステムレシピ及び設定されたパラメータに基づき、処理室ＰＭ別にウェハ処理と複数のコンディショニング処理の実行順を決定する（ステップＳ１８）。処理順を決定するための条件には、レシピの設定事項だけでなく、レシピの入力受付時に入力された情報（製品処理何枚ごとにクリーニング処理を実施するか等）及び各種のパラメータが含まれる。
次に、表示部１５は、処理室ＰＭ別にウェハ処理と複数のコンディショニング処理の実行順を可視化して表示する（ステップＳ２０）。次に、システムレシピ作成部１３は、システムレシピを修正するかを判定する（ステップＳ２２）。
ユーザからの操作に従い、受付部１２がシステムレシピの修正要求を受け付けると、システムレシピ作成部１３は、システムレシピを修正すると判定する。この場合、システムレシピ及びパラメータの少なくともいずれかを修正し、システムレシピを再作成する（ステップＳ２４）。再作成後、ステップＳ１８及びステップＳ２０の処理を実行することで、再作成されたシステムレシピ及びパラメータの実行条件に応じた処理室ＰＭ別の各処理の実行順をリアルタイムに可視化して表示することができる。一方、ステップＳ２２において、システムレシピ作成部１３は、システムレシピを修正しないと判定した場合、本処理を終了する。
図４は、一実施形態に係るシステムレシピの設定画面Ａ１の一例である。システムレシピの設定画面Ａ１のモジュール（Ｍｏｄｕｌｅ）の項目は、ウェハの経路となるモジュールが設定される。図４では、処理室ＰＭ１で実行される処理及び処理の実行タイミングが設定されている。例えば、Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｔｉｍｉｎｇの項目は、処理の実行タイミングを設定する。「Ｐｒｅ＆Ｐｒｏ−Ｐｒｏｃｅｓｓ ５ ｗａｆｅｒｓ」は、ロットの先頭、ロットの最後、かつ、５枚のウェハ処理が実行される毎にクリーニングを行うことが設定されている。
ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌ Ｓｅｔｔｉｎｇの項目の「Ｒｅｃｉｐｅ Ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌ」は、レシピ毎に独立して各項目が設定されていることを示す。Ｐｒｅ−Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｒｅｃｉｐｅの項目には、処理前クリーニングが設定される。Ｃｏｕｎｔ Ｄｅｓｉｇｎａｔｉｏｎ Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｒｅｃｉｐｅの項目は、枚数指定クリーニング処理が設定される。Ｐｏｓｔ−Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｌｅａｎｉｎｇ Ｒｅｃｉｐｅの項目は、処理後クリーニング処理が設定される。
本実施形態では、クリーニングの実行タイミングを個別に指定するモードになっている。図５は、一実施形態に係るクリーニングの実行タイミングの設定画面Ａ２の一例である。なお、自動で指定するモードに設定されている場合には、図５に示す手動での実行タイミングの入力は不要になる。
ここでは、「Ｐｒｅ−Ｐｒｏｃｅｓｓ」と「Ｐｏｓｔ−Ｐｒｏｃｅｓｓ」と「ｗａｆｅｒｓ」の各ボタンが選択され、ウェハ枚数に「５」が入力された状態で、「ＯＫ」ボタンが押されている。これにより、ロットの先頭、ロットの最後、かつ、５枚のウェハ処理が実行される毎にクリーニングが行われることが設定されたことになる。
図４のシステムレシピの設定内容は、表形式で表示される。よって、各処理が、どのタイミングで実施されるかが分かり難い。よって、本実施形態では、システムレシピの設定及びパラメータの情報に基づき、処理室毎のウェハ処理及び複数のコンディショニング処理の実行順が時系列に表示される。
図６は、図４及び図５に示す各種設定画面から入力された設定値及びパラメータ値に基づき、制御装置１０が図３の処理順表示処理を実行した結果、得られたウェハ処理及び複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示した画面Ａ３の一例である。ここでは、処理が行われる処理室ＰＭ１が欄１０１に示されている。つまり、１ロットに含まれる２５枚のウェハのすべてが、処理室ＰＭ１にて処理される例である。
図６の例では、静電除去処理１０２が行われた後、ロットの最初に処理前クリーニング（ＰＲＥ−ＣＬＥＡＮ）処理１０３が実行され、５枚のウェハ処理１０４が実行された後に枚数指定クリーニング（ＣＬＥＡＮ−ＡＦＴＥＲ−ＰＲＯＣ）処理１０５が行われる。次の５枚のウェハ処理１０６→枚数指定クリーニング処理１０７→次の５枚のウェハ処理１０８→枚数指定クリーニング処理１０９→次の５枚のウェハ処理１１０→枚数指定クリーニング処理１１１→次の５枚のウェハ処理１１２→枚数指定クリーニング処理１１３が実行される。ロットの最後には、処理後クリーニング（ＰＯＳＴ−ＣＬＥＡＮ）処理１１４が実行される。
図７は、一実施形態に係るシステムレシピの経路設定画面Ａ４の一例である。図７には、例えば１ロット中の２５枚のウェハが、ロードポートＬＰＣを搬出し、ロードロックモジュールＬＬＭ１又はＬＬＭ２を経由して、処理室ＰＭ１及び処理室ＰＭ２にてウェハの処理を実行する。ウェハの処理実行後、ロードロックモジュールＬＬＭ１又はＬＬＭ２を経由して、ロードポートＬＰＣに戻る経路が設定されている。処理室ＰＭ１及び処理室ＰＭ２では、同時にウェハ処理を並行して行うことができる。
この場合、本実施形態では、設定条件の変更に応じてリアルタイムにシステムレシピの経路設定画面が更新される。つまり、システムレシピの設定条件及び各種のパラメータの設定条件が変更すると、これに応じて図３の本実施形態に係る処理順表示処理が開始され、新たな設定条件に基づく処理順が決定され、新たな処理順が時系列に表示されるように画面が更新される。
図８は、本実施形態に係る同時搬送の有無に応じて処理順表示画面Ａ３が更新され、左の表示画面Ａ３から右の表示画面Ａ３'に画面が更新された例である。左の表示画面Ａ３は複数の処理室への同時搬送はされていない場合（処理室ＰＭ１のみで処理）のウェハ処理と複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示する。右の表示画面Ａ３'は処理室ＰＭ１及び処理室ＰＭ２の両方の処理室への同時搬送が行われている場合のウェハ処理と複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示する。
更に、図７のシステムレシピの経路設定画面Ａ４を使用して処理室の設定がＰＭ１ ｏｒ ＰＭ２から、ＰＭ１ ｏｒ ＰＭ２ ｏｒ ＰＭ３に変更されたとする。図９は、本実施形態に係る２つの処理室への同時搬送から３つの処理室への同時搬送へ変更したことに応じて表示画面Ａ３''に画面が遷移した一例である。図９の表示画面Ａ３''は、処理室ＰＭ１、処理室ＰＭ２及び処理室ＰＭ３の３つの処理室への同時搬送が行われている場合のウェハ処理と複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示する。
これによれば、本実施形態では、処理室ＰＭ毎の処理順が時系列に表示される。これにより、ユーザは、処理室別に、ウェハ処理と複数のコンディショニング処理の実行順を視覚的に把握できる。これにより、ユーザは、自分の意図したシステムレシピが作成できているかを容易に確認することができる。
また、処理の種類を色で識別でき、どの処理レシピが実行されるかをテキストで表示しているため、何れかの設定項目のし忘れを防止できる。
特に、本実施形態に係る制御装置１０によれば、複数の処理室ＰＭへの同時搬送の場合においても各処理室ＰＭにおいて、どのような処理順で処理が行われるかをリアルタイムに把握することができる。これにより、実際のウェハ処理を実行する前の、システムレシピの作成段階において、必要に応じてシステムレシピの再作成を行い、最適化された処理順で各処理を実行可能なレシピの作成を行うことができる。
［変形例１］
次に、本実施形態の変形例１に係る設定画面例及び処理順表示画面例について、図１０及び図１１を参照しながら説明する。図１０は、一実施形態の変形例１に係るシステムレシピの設定画面Ａ５とクリーニングの実行タイミングの設定画面Ａ６の一例である。
変形例１に係るシステムレシピの設定画面Ａ５と、図４を用いて説明したシステムレシピの設定画面Ａ１との違いは、設定画面Ａ１ではモジュールの項目に処理室ＰＭ１のみが設定されているのに対して、設定画面Ａ５ではモジュールの項目に処理室ＰＭ１〜ＰＭ５が設定されている点である。実行タイミングの設定画面Ａ６は、図５の実行タイミングの設定画面Ａ２と同一であり、ロットの先頭、ロットの最後、かつ、５枚のウェハ処理が実行される毎にクリーニングが行われる。
図１１は、図１０に示す各種設定画面から入力された設定値及びパラメータ値に基づき、制御装置１０が図３の処理順表示処理を実行した結果、得られたウェハ処理及び複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示した画面Ａ７の一例である。
図１０では表形式になっているため処理室毎にどの順番でどの処理が行われるかが時系列に示されず、処理室ＰＭ１〜ＰＭ５のそれぞれにおいて処理の順番を容易に把握することができない。
一方、図１１の処理順表示画面Ａ７は、図１０に示す設定画面から入力された各設定条件に基づき、制御装置１０が図３の処理順表示処理を実行した結果、得られたウェハ処理及び複数のコンディショニング処理の処理順を時系列に可視化して表示する。図１１の画面Ａ７は、処理室ＰＭ１〜ＰＭ５のそれぞれについて、別々に、ウェハ処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する。この結果、静電除去処理１２２を行った後、処理室ＰＭ１〜ＰＭ５のそれぞれにおいて、２５枚のウェハを有するロットの最初に処理前クリーニング（ＰＲＥ−ＣＬＥＡＮ）処理１２３が実行される。そして、５枚のウェハ処理１２４が行われた後に、枚数指定クリーニング処理（ＣＬＥＡＮ−ＡＦＴＥＲ−ＰＲＯＣ）処理１２５が実行され、ロットの最後に処理後クリーニング（ＰＯＳＴ−ＣＬＥＡＮ）処理１２６が実行される処理順が表示される。
以上の処理が各処理室において繰り返され、各処理室において静電除去処理１２７→処理前クリーニング処理１２８→５枚のウェハ処理１２９→枚数指定クリーニング処理１３０→処理後クリーニング１３１が実行される処理順が表示される。
以上に説明したように、本実施形態及び変形例１に示す基板処理表示方法によれば、処理室毎の処理の実行順を、同時搬送するすべての処理室について同一画面に表示することができる。また、本実施形態と変形例１とを比較すると、システムレシピの設定の仕方は同じであっても、同時搬送の処理室の数によって、処理室毎に表示される処理の実行順が全く異なることが分かる。
［変形例２］
次に、本実施形態の変形例２に係る設定画面例及び処理順表示画面例について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。図１２は、一実施形態の変形例２に係るシステムレシピの設定画面Ａ５とクリーニングの実行タイミングの設定画面Ａ６とパラメータ（装置パラメータ）の設定画面Ａ８の一例である。
図１２のシステムレシピの設定画面Ａ５とクリーニングの実行タイミングの設定画面Ａ６は図１０の変形例１の画面と同一である。変形例２では、パラメータの設定画面Ａ８において、変形例１では、無効に設定されていた「ＰＭ使用回数クリーニング機能」のパラメータが有効になっている。「ＰＭ使用回数クリーニング機能」を有効にすると、枚数指定クリーニング処理と処理後クリーニング処理とのタイミングが一致する場合に、処理後クリーニングが実行されないように機能する。このように、変形例２では、システムレシピの設定及びクリーニングの実行タイミングの設定は同一であるが、パラメータの設定が相違する。
図１３は、図１２に示す各種設定画面から入力された設定値及びパラメータ値に基づき、制御装置１０が図３の処理順表示処理を実行した結果、得られたウェハ処理及び複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示した画面Ａ１０の一例である。
変形例２に示す基板処理表示方法によれば、図１３に示す処理順表示画面Ａ１０は、変形例１において説明した、図１１に示す処理順表示画面Ａ７と異なることが、一目瞭然で理解できる。
つまり、変形例１に係る図１１の処理順表示画面Ａ７では、各処理室において静電除去処理１２２→処理前クリーニング処理１２３→５枚のウェハ処理１２４→枚数指定クリーニング処理１２５→処理後クリーニング１２６の順で処理が実行されることが分かる。
一方、変形例２に係る図１３の処理順表示画面Ａ１１では、各処理室において静電除去処理１４２→処理前クリーニング処理１４３→５枚のウェハ処理１４４→枚数指定クリーニング処理１４５の順で処理が実行されることが分かる。つまり、変形例２の設定では、処理後クリーニング１２６の設定をしているにもかかわらず、枚数指定クリーニング処理と処理後クリーニング処理とのタイミングが一致するため、処理後クリーニングが全く実行されないことを容易に把握できる。
なお、図１１の処理順表示画面Ａ７の情報を記憶部１１に記憶しておくことで、パラメータやレシピの設定条件の異なる複数の処理順表示画面Ａ７，Ａ１０を同一画面又は異なる画面に切り替えて表示することができる。これにより、ユーザがシステムレシピを作成する際の利便性を高めることができる。
以上に説明したように、変形例２に示す基板処理表示方法によれば、レシピやパラメータの設定の組み合わせによって抑制される処理や追加される処理を可視化することができる。これにより、従来は、基板処理装置Ｓｙｓがシステムレシピの実行時に判断していたウェハ処理のロジックを、システムレシピの編集時に再現することができる。よって、レシピを実行する前に最適なレシピに編集し直すことができる。これにより、システムレシピに基づく処理を実際に実行しなくても、その前に適正なレシピを作成でき、レシピ作成の作業効率を高めることができる。加えて、実際に製品ウェハの処理を行う際に、最適化された処理順で処理が行われるため、処理効率を高め、スループットを向上することができる。
［変形例３］
次に、本実施形態の変形例３に係る設定画面例及び処理順表示画面例について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。図１４は、一実施形態の変形例３に係るシステムレシピの設定画面Ａ１１とクリーニングの実行タイミングの設定画面Ａ１２の一例である。
変形例３では、「スマートコンディショニング機能」が有効になっているとする。「スマートコンディショニング機能」を有効にすると、連続ロット実行中に不要な処理は極力抑制され、連続ロット終了時は自動的に後処理が追加される。
「スマートコンディショニング機能」が有効に設定されている場合、「Steady State Conditioning Action（ＳＳＣ）」の設定により実行される処理を、図１４のパラメータ設定画面Ａ１２においてドライクリーニング、ＮＰＰＣ及びシーズニングの中から指定可能である。図１４の設定画面Ａ１２では、ドライクリーニング、ＮＰＰＣ及びシーズニングが選択され、ＯＫボタンが押されている。よって、変形例３では、「ＳＳＣ」の設定で実行される処理はドライクリーニング、ＮＰＰＣ及びシーズニングである。よって、設定画面Ａ１１の「ＳＳＣ」の項目には、「スマートコンディショニング機能」を有効に設定し、１０枚ごとにドライクリーニング、ＮＰＰＣ及びシーズニングを実行するという設定がされている。なお、予めロットの最後にＮＰＰＣを行うことが条件となっている。
図１４のシステムレシピの設定画面Ａ１１の「Ｄｕｍｍｙ Ｒｅｃｉｐｅ」、「Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ」の項目では、ロット処理前にダミーレシピにて処理されるダミーウェハを１枚流すことが設定されている。
図１５は、図１４に示す各種設定画面から入力された設定値及びパラメータ値に基づき、制御装置１０が図３の処理順表示処理を実行した結果、得られたウェハ処理及び複数のコンディショニング処理の実行順を時系列に表示した画面Ａ１３の一例である。
図１４のレシピ設定及びパラメータ設定に対して表示される図１５の処理順表示画面Ａ１３では、処理室ＰＭ１において１ロット２５枚のウェハを処理する場合、最初に静電除去処理１５２が実行され、「ＳＳＣ」のシーズニング処理１５３が実行される。次に、１０枚のウェハ処理１５４が実行され、その後、「ＳＳＣ」のドライクリーニング処理１５５及びＮＰＰＣ１５６が実行された後、「ＳＳＣ」のシーズニング処理１５７が実行される。その後、再び１０枚のウェハ処理１５８が実行された後、「ＳＳＣ」のドライクリーニング処理１５９、ＮＰＰＣ１６０及びシーズニング処理１６１が実行される。最後の５枚のウェハ処理１６２の後、「ＳＳＣ」のドライクリーニング処理１６３及びＮＰＰＣ１６４が実行される。
図１４のレシピ設定及びパラメータ設定に対して、処理室ＰＭ１において３ロット７５枚のウェハを処理する場合に表示される処理順表示画面Ａ１４を図１６及び図１７に示す。
図１６及び図１７に示すように、１ロットが終了する毎に、静電除去処理１７２、１７９，１８５が実行される。また、静電除去処理１７２後にシーズニング処理１７３が実行され、１０枚のウェハ処理１７４、１７６、１７８、１８１、１８３、１８６、１８８の後に「ＳＳＣ」１７５、１７７、１８０、１８２、１８４、１８７、１８９が実行される。最後の５枚のウェハ処理１９０の後、「ＳＳＣ」のドライクリーニング処理１９１及びＮＰＰＣ１９２が実行される。
以上に説明したように、本実施形態及び各変形例に示す基板処理表示方法によれば、基板の処理が行われる処理室内における処理のシーケンスを、処理室別に容易に把握することができる。また、レシピやパラメータの設定の組み合わせによって抑制される処理や追加される処理を可視化することができる。また、パラメータの設定の組み合わせを「スマートコンディショニング機能」により設定可能にするとともに、この場合にもパラメータの設定の組み合わせによって抑制される処理や追加される処理を可視化することができる。これにより、従来は、基板処理装置Ｓｙｓがレシピの実行時に判断していたウェハ処理のロジックをレシピの編集時に再現することができ、レシピを実行する前に最適なレシピに編集し直すことができる。これにより、レシピ作成の作業効率を高めることができる。加えて、実際に製品ウェハの処理を行う際に、最適化された処理順で処理が行われるため、処理効率を高め、スループットを向上することができる。
なお、図１５に示すように、ウェハ処理と複数のコンディショニング処理のそれぞれにおけるウェハの枚数Ａとウェハの種別Ｄとを表示してもよい。ウェハの種別Ｄには、製品ウェハ、ダミーウェハが表示される。また、ウェハを使用しない場合、ウェハレスＣの項目に明示される。例えば、ＮＰＰＣはウェハ無の処理である。
また、各処理Ｂに対応する時間情報から、システムレシピに設定されたウェハ処理を終えるまでに要する時間を示す予測処理時間Ｅを算出し、表示することができる。算出した過去の予測処理時間は記憶部１１に稼働実績値として記憶してもよい。この場合、制御装置０は、稼働実績値又は処理レシピに設定された値に基づき算出した時間に基づき、１ロット分のウェハ処理を終えるまでに要する時間を計算して表示することで、ユーザに、作成したシステムレシピの良否を判定する材料を提供することができる。
以上、基板処理装置の制御装置及び基板処理表示方法を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる基板処理装置の制御装置及び基板処理表示方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
例えば、本発明に係る基板処理装置は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)処理装置、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置、表面波プラズマ処理装置等であってもよい。また、基板処理装置はプラズマを使用せず、熱処理などで基板を処理する装置であってもよい。
また、本明細書では、基板の一例としてウェハを挙げて説明したが、基板は、これに限らず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＦＰＤ（Flat Panel Display）に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
１０ 制御装置
１１ 記憶部
１２ 受付部
１３ システムレシピ作成部
１４ 処理順決定部
１５ 表示部
２１ ＣＰＵ
２２ ＲＯＭ
２３ ＲＡＭ
２４ ＨＤＤ
２６ ディスプレイ
ＰＭ 処理室
Ｓｙｓ 基板処理装置

Claims (9)

  1. システムレシピに基づいて基板の処理を実行する基板処理装置の制御装置であって、
    基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの入力を受け付けると、受け付けた前記基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの実行手順を示すシステムレシピを作成する作成部と、
    作成した前記システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、基板を処理する処理室毎の、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する表示部と、
    を有する制御装置。
  2. 前記表示部は、表示する前記基板処理と複数のコンディショニング処理とのそれぞれにおいて処理される基板の枚数と基板の種別とを表示する、
    請求項１に記載の制御装置。
  3. 前記基板の種別は、製品基板、ダミー基板又は基板なしのいずれかである、
    請求項２に記載の制御装置。
  4. 前記表示部は、前記システムレシピに設定された基板処理を終えるまでに要する時間を表示する、
    請求項１〜３のいずれか一項に記載の制御装置。
  5. 前記複数のコンディショニング処理レシピは、ドライクリーニング処理、ウェハレスドライクリーニング処理、シーズニング処理及びＮＰＰＣ（Ｎｏｎ Ｐｌａｓｍａ Ｐａｒｔｉｃｌｅ Ｃｌｅａｎｉｎｇ）、ロット安定化処理の少なくともいずれかを含む、
    請求項１〜４のいずれか一項に記載の制御装置。
  6. 前記表示部は、前記処理室が複数の場合、該複数の処理室における基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を処理室毎に並べて表示する、
    請求項１〜５のいずれか一項に記載の制御装置。
  7. 前記表示部は、受け付けた前記基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの優先順位を示す情報に基づき、基板を処理する処理室毎の、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する、
    請求項１〜６のいずれか一項に記載の制御装置。
  8. システムレシピに基づいて基板の処理を実行する基板処理表示方法であって、
    基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの入力を受け付ける工程と、
    受け付けた前記基板処理レシピと複数のコンディショニング処理レシピとの実行手順を示すシステムレシピを作成する工程と、
    作成した前記システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、基板を処理する処理室毎の、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する工程と、
    を含む基板処理表示方法。
  9. 前記表示した基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を参照して、前記作成したシステムレシピの修正を受け付ける工程と、
    修正した前記システムレシピに従い基板の処理を実行する前に、修正後のシステムレシピに基づく前記処理室毎の、基板処理と複数のコンディショニング処理との実行順を時系列に表示する工程と、
    を含む請求項８に記載の基板処理表示方法。
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